「Area-type～」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the circumferential area of the NOR-type flash memory formation area 2 and the DINOR-type flash memory formation area 3, a peripheral circuit formation area 7 including transistors, etc., for a peripheral circuit is formed.例文帳に追加

さらに、ＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３の周辺領域に周辺回路用のトランジスタ等を含む周辺回路形成領域７が作り込まれている。 - 特許庁

A semiconductor base body 2 for a diode chip 1 is constituted of an n^+-type semiconductor area 5, an n-type semiconductor area 6, and a p^+-type semiconductor area 7.例文帳に追加

ダイオードチップ１の半導体基体２をＮ^＋型半導体領域５とＮ型半導体領域６とＰ^＋型半導体領域７とで構成する。 - 特許庁

A p-type body area 14 is formed on a p-type semiconductor substrate 11, and an n^+-type source area 15 is formed on the surface of the body area 14.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上にはｐ型ボディ領域１４が形成され、ボディ領域１４の表面領域にはｎ+型ソース領域１５が形成されている。 - 特許庁

At the circumference of the N+ type area 5, a P+ type diffusion area 10 formed by diffusing a P+ type area 8B deeply has the same function with a guard ring.例文帳に追加

Ｎ＋型領域５の周囲において、Ｐ＋型領域８Ｂを深く拡散して形成したＰ＋型拡散領域１０がガードリングと同等の機能を有する。 - 特許庁

To make it possible to remove type area dirt more surely than ever on a type area dirt removing device of a printing machine and its method, which is employed for removing dirt such as ink lees and paper dust adhered to the type area of the printing machine.例文帳に追加

印刷機の版面に付着したインキかすや紙粉等のごみを除去するのに用いられる、印刷機の版面ごみ除去装置及び方法に関し、版面のごみをより確実に除去できるようにする。 - 特許庁

INCLUDED TYPE CODE SYMBOL AND ITS READING METHOD, CLOSED AREA INCLUSION TYPE CODE SYMBOL AND ITS READING METHOD, ARTICLE ADDED WITH INCLUDED TYPE CODE SYMBOL, AND ARTICLE ADDED WITH CLOSED AREA INCLUSION TYPE CODE SYMBOL例文帳に追加

包含型コードシンボル及びその読み出し方法、並びに閉領域包含型コードシンボル及びその読み出し方法、並びに、包含型コードシンボルが付された物品及び閉領域包含型コードシンボルが付された物品。 - 特許庁

The image processor complements pixels other than those configuring a valid image area of image data in a circumscribed rectangular area of the valid image area by prescribed complementary pixels to extract the circumscribed rectangular area (S203) thereby discriminating an area type of the valid image area required for extracting the area (S204).例文帳に追加

画像処理装置は、画像データの有効画像領域の外接矩形領域を、前記有効画像領域を構成する画素以外の画素を所定の補完画素で補完して抽出し（Ｓ２０３）、抽出領域にかかる有効画像領域の領域種別を判別する（Ｓ２０４）。 - 特許庁

For this purpose, the base body has a trench-type cutout with an edge area and a base area, wherein the base area is formed as second partial area of the second surface, and wherein the second contact region extends from the base area via the edge area as far as a first partial area.例文帳に追加

このために、ベース体は、エッジ面とベース面とを伴ったトレンチ型切除部分を有しており、このベース面は、第２表面の第２部分面として形成され、第２接触領域は、ベース面からエッジ面を介して第１部分面に至るまで延びる。 - 特許庁

Their performance style roughly consists of the Edo type and the Kamigata (Kyoto-Osaka area) type, and Kamigata type performers tend to use many grace notes with supporting fingers. 例文帳に追加

芸系は大きく江戸系と上方系に分類できるが、上方系では添え指による装飾音を多様する傾向がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Besides, the N+ type embedded layer 6A is integrated with the N-type well area 2B and deep N-type well areas (2B and 6A) are formed.例文帳に追加

また、Ｎ＋型の埋め込み層６Ａは、Ｎ型ウエル領域２Ｂと一体化され深いＮ型ウエル領域（２Ｂ、６Ａ）が形成される。 - 特許庁

A gate electrode 11 is electrically connected with the p-type upper epitaxial layer 5 through the p-type lower epitaxial layer 3 and a p^+-type area 6.例文帳に追加

ソース領域７およびドレイン領域９は、ｎ型エピタキシャル層４に接続されている。 - 特許庁

N+ type embedded layers (6A and 6B) are formed while being superimposed on an N-type well area 2B and the bottom of an N-type collector layer 4 by the same process.例文帳に追加

Ｎ＋型埋め込み層（６Ａ、６Ｂ）は、同一工程にてＮ型ウエル領域２Ｂ及びＮ型コレクタ層４の底部に重畳して形成される。 - 特許庁

Traditionally, the ownership of land, buildings, and other assets was common, regardless of whether the business was a Large Area Hub Type, Newly Accumulated Type, or Life-connected Type.例文帳に追加

従来は、広域型、新興型、生活密着型を問わず、土地や建物等を所有する者が多かった。 - 経済産業省

To reduce area by providing deep n-type wells at the middle of a p-type semiconductor substrate, p-type wells contacting the above n-type wells and n-type wells contacted of the above p-type wells.例文帳に追加

半導体基板の中部に深いウエルを有する場合、面積低減ができ、しかも高性能な半導体素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

An allocation part 22 allocates the pointer which points the variable area 12 for those event-driven type function blocks so that the event-driven type function blocks made to correspond to the variable area 12 set by the setting part 21 includes the variable area 12 as its data input/ output destination.例文帳に追加

この構成に従い、データ入力側となるファンクションブロックは、読み取り先を迷うことなくその変数領域からデータを読み込むことになるので、信号線の合流が実現できる。 - 特許庁

To provide a three-board system projection-type display device of a red relay type capable of rectangularly illuminating the illumination area of a blue optical path without blurring, without making a green illumination area larger than necessary with respect to an image forming area.例文帳に追加

緑の照明領域を画像形成領域に対し必要以上に大きくすることなく、青の光路の照明領域をぼかさず矩形に照明することができる、赤リレータイプの３板式投写型表示装置を提供する。 - 特許庁

The source/drain area 9 connected with the bit line 17 includes a second conductive type impurity area 11 in its upper layer and a first conductivity type impurity area 10 in its lower layer.例文帳に追加

ビット線１７と接続するソース・ドレイン領域９は、上層に高濃度の第２導電型不純物領域１１を有し、下層に第１導電型不純物領域１０を有する。 - 特許庁

Here, an insulating protection film 40 is inserted between the large-area portion 130p and n-type layer 11 to reduce the area of a junction portion between the large-area portion 130p and n-type layer 11.例文帳に追加

そこで、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との間に、絶縁性保護膜４０を挿入して、大面積部１３０ｐとｎ型層１１との接合部の面積を減らす。 - 特許庁

The peripheral circuit forming area 7 can be shared by being electrically connected to both the NOR-type flash memory formation area 2 and DINOR-type flash memory formation area 3.例文帳に追加

周辺回路形成領域７はＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３双方に電気的に接続されることにより共有可能である。 - 特許庁

To solve a problem of a conventional simplex type wireless unit that has emitted unnecessary radio waves over a wide area resulting in giving adverse effect on surroundings when the simplex type wireless unit makes communication for a small area by using a frequency and a transmission power for a broad area communication.例文帳に追加

単信式無線機を使って広域通信用の周波数と送信電力で小エリア用の通信を行うと、広範囲に不必要な電波を放射することになり、周囲への悪影響が大きい。 - 特許庁

A p-type diffusion area 17 is formed in a part of a p well area 9 in which an NMOS (N-channel Metal-Oxide Semiconductor) transistor is formed and a GND power supply wire 16 is formed on the p-type diffusion area 17 so as to be electrically connected.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタが形成されるＰウェル領域９内の一部にはＰ型拡散領域１７が形成され、Ｐ型拡散領域１７上に電気的に接続してＧＮＤ用電源配線１６が形成される。 - 特許庁

Next, the type of an area corresponding to a parameter desired to be set is selected, and an area including a circuit element specified by the selected type of the area is set on a circuit diagram displayed on a display device (S3 and S4).例文帳に追加

次に、設定したいパラメータに対応する領域の種類を選択し、その選択した領域の種類でと特定される回路素子を含む領域を、表示装置に表示される回路図上に設定する（Ｓ３、Ｓ４）。 - 特許庁

The header part HD of the contents data provided in file format is provided with a duplication inhibition period specification area NC, an end date area ED2 for the application period of a duplication limit type A, and a final duplication limit type area ET.例文帳に追加

ファイル形式で提供するコンテンツデータのヘッダ部ＨＤに、複製禁止期間指定エリアＮＣと複製制限タイプＡの適用期間の終了日付エリアＥＤ２と最終複製制限タイプエリアＥＴと設ける。 - 特許庁

The second photo resist 5 is formed on both sides of a P-type impurity area 4 so that it may have a second opening K2 in an area overlying partly over the P-type impurity area 4.例文帳に追加

第２のホトレジスト５は、Ｐ型の不純物領域４の両側に、Ｐ型の不純物領域４に部分的にオーバーラップする領域に第２の開口部Ｋ２を有するように形成される。 - 特許庁

When a recording medium having a recording area for recording a required image and a discarding area adjacent to the recording area is recorded while overflowing from the recording area into the discarding area, the recording area overflowing into the discarding area is controlled depending on the type, size and the recording position of the recording medium and/or the position of discarding area with respect to the recording area.例文帳に追加

必要とする画像を記録する記録領域とこの記録領域に隣接する廃棄領域とを備える記録媒体に対し、前記記録領域から前記記廃棄領域へとはみ出して記録を行うに際し、前記廃棄領域へとはみ出して記録する範囲を、記録媒体の種類、記録媒体のサイズ、記録媒体に対する記録位置、及び／または記録領域に対する廃棄領域の位置などに応じて制御するようにした。 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１をエッチング除去し、パターニングされたＮ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７を得る。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口１０１の内部で真性ベース領域９の上にｎ型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にＢＳＧ層１３からｐ型不純物を導入してｐ型の外部ベース領域１４を形成する。 - 特許庁

A carrier flowing through an n type base area 15 from a p^+ type emitter 16 provided with the PNP transistor flows in the n type base area 15 in the vertical direction of the substrate.例文帳に追加

そして、ＰＮＰトランジスタに備えられたｐ^+型エミッタ領域１６からｎ型ベース領域１５を通じて流れるキャリアが、ｎ型ベース領域１５を基板垂直方向に流れるようにする。 - 特許庁

A main control section receives cartridge type information from a printer, and stores 'color' to a storage area when the cartridge type information indicates 'color' or stores 'monochromatic' to the storage area when the cartridge type information indicates 'monochromatic'.例文帳に追加

主制御部は、プリンタからカートリッジ種別情報を入力し、カートリッジ種別情報が「カラー」の場合は、格納エリアに「カラー」を格納し、カートリッジ種別情報が「モノクロ」の場合は、格納エリアに「モノクロ」を格納する。 - 特許庁

The half-transmission reflection type liquid crystal display has a transmission area used for transmission type display and a reflection area used for reflection type display.例文帳に追加

半透過反射型液晶表示装置の場合、透過型表示に使用される透過領域と反射型表示に使用される反射領域とが存在する。 - 特許庁

It can be selected whether a program type search mode is a narrow-area search mode to search for a program type from a single ensemble or a wide-area search mode to search for the program type over a plurality of ensembles.例文帳に追加

プログラムタイプのサーチモードを、単一のアンサンブルの中からプログラムタイプをサーチする狭域サーチモードか、複数のアンサンブルにわたってプログラムタイプをサーチする広域サーチモードかを選択可能とする。 - 特許庁

On a semiconductor chip 1 as a unit, a NOR-type flash memory forming area 2, including NOR type memory cell transistors and a DINOR-type flash memory formation area 3 are formed.例文帳に追加

１単位の半導体チップ１にＮＯＲ型メモリセルトランジスタを含むＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２とＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３とが作り込まれている。 - 特許庁

A High-k insulating film 103, an N-type transistor cap film 104 and a metal containing film 105 are deposited sequentially over the whole surface of a semiconductor substrate 101 including an N-type transistor area Rn and a P type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタ領域ＲｎとＰ型トランジスタ領域Ｒｐとを含む半導体基板１０１上の全面にHigh-k絶縁膜１０３、Ｎ型トランジスタ用キャップ膜１０４及び金属含有膜１０５を順次堆積する。 - 特許庁

In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed.例文帳に追加

ＤＭＯＳ型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極１４をマスクとしてＰ^+ 型ボディー拡散層１５表面に低濃度Ｎ型不純物を導入してなるＮ^- 型のオフセット領域１７を形成する。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is comprised of an n-type DBR layer 12, an n-type clad layer 13, an active layer 14 having a light emitting area 14A, a p-type clad layer 15, a p-type DBR layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＤＢＲ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光領域１４Ａを有する活性層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型ＤＢＲ層１６およびｐ型コンタクト層１７とを有する。 - 特許庁

Since the area 12 is formed by implanting the ion of a p-type impurity into the area 12 at a high concentration by using a narrowly converged ion beam, the area 12 has a very small occupying area.例文帳に追加

このｐ^+領域１２は、微細に集束されたイオンビームによって高濃度のｐ形不純物が打ち込まれて形成されたものであり、占有面積を非常に小さくしたものである。 - 特許庁

A first N well 11 is formed on the surface area of a cell array area substrate and a second N well 12 is formed on the third surface area of a peripheral circuit area substrate on a P type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ形半導体基板１０上に、第１Ｎウェル１１がセルアレー領域の基板の表面部分に形成され、第Ｎウェル１２が周辺回路領域の基板の第３表面部分に形成される。 - 特許庁

An area 41 having the same conductive type as the floating body area 1 and doped at density higher than the floating body area 1 is arranged under a drain area 10 of the MOS transistor.例文帳に追加

フローティングボディ領域１と同一の導電性タイプであり、フローティングボディ領域１よりも高濃度にドーピングされた領域４１がＭＯＳトランジスタのドレイン領域１０の下に配されている。 - 特許庁

Respectively on a part near a front waist area 7 and a part near a rear waist area 8 on the inner surface of the crotch area 6 of the pants type diaper 1, belt-like members 21 and 22 crossing a body fluid absorption part 4 in the crotch area 6 are provided.例文帳に追加

パンツ型おむつ１の股下域６の内面における前胴周り域７寄りの部位と、後胴周り域８寄りの部位とのそれぞれに、股下域６における体液吸収部４を横断する帯状部材２１，２２が設けられる。 - 特許庁

The movable main spindle type lathe comprises: a machine cover 3 for covering a machining area R and a machining instrument arranging area S; and a slide cover 50 for separating the machining area R and the machining instrument arranging area S.例文帳に追加

加工領域Ｒおよび加工機器設置領域Ｓを覆う機体カバー３、並びに加工領域Ｒと加工機器設置領域Ｓとを仕切るスライドカバー５０を備える。 - 特許庁

In a part of the drain area 12 of an MOS transistor on an SOI substrate, a conductive area with a reverse conductive type to a drain area is provided to be a body potential pulling out area.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上のＭＯＳトランジスタのドレイン領域１２の一部に、ドレイン領域とは逆の導電型領域を設けてボディ電位引出し領域とする。 - 特許庁

Then, a P-type upper separation area 29 is formed in the epitaxial layer 21 by thermal diffusion, and the upper separation area 29 and a lower separation area 22 are coupled to form a separation area 30.例文帳に追加

その後、熱拡散を行うことにより、エピタキシャル層２１の中にＰ型の上分離領域２９が形成され、この上分離領域２９と下分離領域２２とは連結されて分離領域３０が形成される。 - 特許庁