「Area-type～」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

An insertion process inhibition area 14 is so set that the operation of an insertion machine tool for processing of a lead wire of inserted parts does not interfere with the surface mounting type parts 10, and its area is changed in accordance with the height of the surface mounting type parts 10.例文帳に追加

挿入工程禁止領域１４は、挿入部品のリード線の処理を行う挿入機工具の動作が表面実装型部品１０と干渉しないように設定し、表面実装型部品１０の高さに応じて広さを変える。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

Current induction layers 7 having an n-type impurity concentration higher than that of the other area of the n-type drift layer 14 are formed in a part of the drift area 14.例文帳に追加

ドリフト領域１４の一部には、ｎ型ドリフト層１４のうちの他の領域よりもｎ型不純物の濃度の高い電流誘導層７が設けられている。 - 特許庁

The reducing member 13 is disposed in a separation area 15 occurred between the ordinary flow area 16 occurred above the box type car 11 in normal driving state of the boxcar and a surface of the box type car 11.例文帳に追加

低減部材13は、箱型車両11の通常の走行状態で箱型車両11の上方に生じる定常流れ領域16と、箱型車両11の表面との間に生じる剥離領域15中に位置する。 - 特許庁

A heavily doped P type area 13 whose impurity concentration is high is formed so as to be brought into contact with a covered area 15a covered with the conductive film 21, and a heavily doped N type area 11 for extracting an electrode at the semiconductor side is formed and provided with a terminal 17 connected with the heavily doped P type area 13.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１５上に導電膜２１で覆われる被覆領域１５ａに接するように、不純物濃度の高い高濃度Ｐ型領域１３を設け、さらに、半導体側の電極を引き出すための高濃度Ｎ型領域１１を設けて高濃度Ｐ型領域１３と接続し、端子１７を設ける。 - 特許庁

A plurality of connecting holes 24 which connect the n+-type semiconductor areas 20 of Zener diodes D1 and D2 to wiring 21 and 22 is not arranged in the central part of an n+-type semiconductor area 20, namely, an area forming a junction with a p+-type semiconductor area 6, but in the peripheral section of the area 20 having a deeper junction depth than the central part has.例文帳に追加

ツェナー・ダイオード（Ｄ_1、Ｄ_2）のｎ^+型半導体領域２０と配線２１、２２とを接続する複数の接続孔２４は、ｎ^+型半導体領域２０の中央部、すなわちｐ^+型半導体領域６と接合を形成している領域には配置されず、接合深さが中央部に比べて深い周辺部に配置される。 - 特許庁

This reel type game machine displays a plurality of areas predetermined by a display means to a player, manages a type of an area corresponding to the determined internal winning combination as a dealt area, and manages the type of the area corresponding to a symbol combination displayed by a symbol display means as a display change area.例文帳に追加

表示手段により予め定められた複数の領域を遊技者に対して表示し、決定された内部当籤役に該当する領域の種別を対応済領域として管理する一方で、図柄表示手段により表示された図柄の組合せに該当する領域の種別を表示変更領域として管理する。 - 特許庁

A first transistor Q1 includes: a source electrode 43 which is electrically connected to an n^+-type source area 36 formed on a surface layer of a well area 35 inside a p-type well area 35; and a well electrode 46 which is formed to be electrically separated from the source electrode 43 and is electrically connected to the p-type well area 35.例文帳に追加

第１のトランジスタＱ１は、Ｐ型ウェル領域３５の内部であってこのウェル領域３５の表層部に形成されたＮ＋型ソース領域３６に電気的に接続されたソース電極４３と、ソース電極４３とは電気的に分離して形成されると共に、Ｐ型ウェル領域３５に電気的に接続されたウェル電極４６と、を備えている。 - 特許庁

In the imaging element 100, a first n-type semiconductor area 124 and the n well 122 of a PMOS area 112 are formed by the same step, so that the n-type impurity concentration profile in the direction of the depth of the first n-type semiconductor area 124 is made nearly the same as that of the n well 122 of the PMOS area 112.例文帳に追加

固体撮像素子１００において、第１Ｎ型半導体領域１２４とＰＭＯＳ領域１１２のＮウェル１２２とを同一の工程で形成することにより、第１Ｎ型半導体領域１２４とＰＭＯＳ領域１１２のＮウェル１２２との深さ方向Ｎ型不純物濃度プロファイルを略同一にしている。 - 特許庁

Every time the hard disk is actuated, the data in the boot loader area below LBA0 are compared with the data in the preservation boot loader area to check a boot loader area infection type virus.例文帳に追加

そして、ハードディスク起動時毎にＬＢＡ０以下のブートローダ領域のデータと保存ブートローダ領域のデータとを比較してブートローダ領域感染型のウィルスチェックを行う。 - 特許庁

In the device formation area 50 adjacent to the separation area 4, a gettering layer 9 made of the n^+-type impurity "phosphorus" is formed along and all around the separation area 4.例文帳に追加

分離領域４に隣接する素子形成領域５０には分離領域４に沿った形で、分離領域４の全周にＮ^＋型不純物であるリンで形成されたゲッタリング層９が形成される。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 20 wherein an active area 22 is set, a metal oxide semiconductor (MOS) type field effect transistor is formed in a transistor forming area 24 set to the active area.例文帳に追加

アクティブ領域２２が設定されている半導体基板２０の、アクティブ領域に設定されたトランジスタ形成領域２４にＭＯＳ型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

A CMOS area sensor 11 is a CMOS area sensor of a global shutter type, and a plurality of linear imaging areas for imaging a prescribed area in a main scanning direction are set continuously in a sub scanning direction.例文帳に追加

ＣＭＯＳエリアセンサ１１は、グローバルシャッタータイプのＣＭＯＳエリアセンサであり、主走査方向の所定領域を撮像するライン状撮像エリアが副走査方向に連続して複数設定されている。 - 特許庁

A p-type base area 20 is provided in an area 18 located in an upper side of the impurity area 26, and sandwiched by shallow trench isolations 14 formed in the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

当該不純物領域２６の上方、かつ半導体基板１に形成されたシャロートレンチ分離１４で挟まれた領域１８にはｐ型のベース領域２０を備える。 - 特許庁

This floating n-type accumulation layer 2 is formed all over the pixel area including a light-shielding pixel area OB, but not on a CMOS circuit portion side on the periphery of the pixel area.例文帳に追加

このフローテイングＮ型蓄積層２は、遮光画素領域ＯＢを含む画素領域全面に形成されて、画素領域の周辺のＣＭＯＳ回路部側には形成されていない。 - 特許庁

An information display area and an information input area are set in the display region of a touch panel type display part 4, and a ten key image pattern 23a is displayed in the information input area.例文帳に追加

タッチパネル式表示部４の表示領域に情報表示エリアおよび情報入力エリアを設定し、その情報入力エリアにテンキー画像パターン２３ａを表示する。 - 特許庁

Therefore, after due consideration of the size of the display area V, the type of solution to be used, drying conditions or the like, barrier wall setting can be optimized so that the sectional area P is broader at the periphery of the display area V than at the center thereof.例文帳に追加

よって、表示領域Ｖのサイズや、使用する溶液の種類、乾燥条件などを考慮した上で、表示領域Ｖの中央部よりも周縁部の区画領域Ｐが広くなるように、隔壁設定を最適化することができる。 - 特許庁

Therefore, after due consideration of the size of a display area V, the type of solution to be used, drying conditions or the like, barrier wall setting can be optimized so that the sectional area P is broader at the periphery of the display area V than at the center thereof.例文帳に追加

よって、表示領域Ｖのサイズや、使用する溶液の種類、乾燥条件などを考慮した上で、表示領域Ｖの中央部よりも周縁部の区画領域Ｐが広くなるように、最適化することができる。 - 特許庁

A fourth photo resist 26 having a fourth opening K4 (phosphor-implanted area) is formed in an area overlying partly over the P-type impurity area 25 on a silicon oxide film 23.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜２３上に、Ｐ型の不純物領域２５と部分的にオーバーラップする領域に第４の開口部Ｋ４（リン注入領域）を有する第４のホトレジスト２６を形成する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to treat the screened halftone area, the photographic area and the character areas, identified according to the area type by the image processing means 36, as color images.例文帳に追加

この構成によって、画像処理手段３６によって領域判別処理された網点領域、写真領域、文字領域を色画像として取り扱うことができる。 - 特許庁

To make compatible both substituting circulation of a viscous fluid between a heating area and a reservoir area of an operation chamber, and securing of heating performance in the heating area, in an oil shearing type heat generator.例文帳に追加

オイル剪断型熱発生器において作動室の発熱領域と貯留領域との間での粘性流体の入替え循環と、発熱領域での発熱性能の確保とを両立させる。 - 特許庁

In addition, with the other area than the effective chip area virtually set to "1", the failure type is determined for all the defective chip coordinates within the effective chip area including the edge.例文帳に追加

なお、有効チップ領域外を仮想的に“１”に設定し、エッジ部も含め、有効チップ領域内の全ての不良チップ座標について不良種別の分類を行う。 - 特許庁

Thereby, a cloudiness is formed in the area of the polymer dispersed type liquid crystal layer 41 corresponding to the area projected with a bright image and the strength of the light scattered at this area is in proportion to the square of the incident beam strength.例文帳に追加

この結果、明るい画像が投影された領域に対応する高分子分散型液晶層４１の領域では白濁が生じ、ここからの散乱光の強度は、入射光束の２乗に比例したものとなる。 - 特許庁

The information recording medium has the rewritable area where information is rewritable and the WORM(write-once-read- many) type area where the thickness of the second dielectric layer is designed to be thinner than that in the rewritable area and only the additional writing of information can be performed.例文帳に追加

この情報記録媒体は、情報の書き換えが可能な書き換え型領域と、書き換え型領域よりも第２誘電体層の厚さが薄く設定され情報の追記のみ可能とされた追記型領域とを有する。 - 特許庁

To provide a multifunctional display type switch of which display area can be seen more clearly by keeping the distance between a dial knob and a display area unchanged and fixing close the distance between a peephole formed on a dial knob and the display area.例文帳に追加

ダイアルノブと表示部との距離を不変とすることができて、ダイアルノブに形成した覗き窓と表示部との距離を近接固定して表示部をより鮮明に見ることができる表示式多機能スイッチの提供を図る。 - 特許庁

An information display area and an information input area are set in a display region of a touch panel type display part 4, and a numeric key image pattern 23a is displayed in the information input area.例文帳に追加

タッチパネル式表示部４の表示領域に情報表示エリアおよび情報入力エリアを設定し、その情報入力エリアにテンキー画像パターン２３ａを表示する。 - 特許庁

A writing device 2 acquires at first defective area information from the memory 1 of an NAND type flash memory, and prepares an error control data 52 including alternative information indicating a relation between a defective area and an alternate area.例文帳に追加

書込装置２は、まず、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリであるメモリ１から不良領域情報を取得し、不良領域と代替領域との関係を示す代替情報を含むエラーコントロールデータ５２を作成する。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

To provide a pants-type disposable article to wear, capable of making a crotch area fit the crotch of a user by forming tucks to be hardly developed in the crotch area and reducing the width of the crotch area.例文帳に追加

股下域に展開し難いタックを形成し、股下域の幅寸法を小さくして股下域を着用者の股間に納めることができるパンツ型の使い捨て着用物品を提供する。 - 特許庁

A basic data structure in a read-in area is matched with all the reproduction-only/added type of a postscript/rewritable types to be divided into a system read-in area and a data read-in area.例文帳に追加

リードインエリアにおける基本的なデータ構造を再生専用／追記型／書換え型の全てで一致させ、リードインエリアをシステムリードインエリアとデータリードインエリアに分割する。 - 特許庁

The light transmitter 3A is formed in correspondence with the light emitting area 14A, and the metal 3B is formed in correspondence with the peripheral area of the light emitting area 14A in the p-type contact layer 17.例文帳に追加

光透過部３Ａは発光領域１４Ａに対応して形成され、金属部３Ｂはｐ型コンタクト層１７の発光領域１４Ａの周辺領域に対応して形成されている。 - 特許庁

A sheet-type body 16 is sectioned to a front end area 16a, an intermediate area 16b and a rear end area 16c by front and rear boundary lines 18 and 20 parallel with each other.例文帳に追加

シート状の本体１６は、互いに平行な前方及び後方境界線１８，２０によって前端領域１６ａ、中間領域１６ｂ、後端領域１６ｃに区分されている。 - 特許庁

(2) Holders of digging right may file applications to split a mining area and merge it with another mining area of minerals that occur in the same type of ore deposit, or split part of more than two mining areas of minerals that occur in the same type of ore deposit and merge them into one mining area. 例文帳に追加

２　採掘権者は、鉱区を分割してこれを同種の鉱床中に存する鉱物の他の鉱区に合併し、又は同種の鉱床中に存する鉱物の二以上の鉱区の各一部を分割しこれを合併して一の鉱区とする出願をすることができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The semiconductor apparatus has a gate electrode formed through a gate insulating film, and a second conductive type source area and a drain area, in an area segmented by an element separation insulating film formed in a first conductive type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第２導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。 - 特許庁

An area Anw2 into which n type impurities are introduced and an area Apw2 into which p type impurities are introduced are formed across a border area Ad having a specified interval, so the impurity density of the junction part of a diode is less than when those areas are formed adjacently.例文帳に追加

ｎ型の不純物が導入された領域Ａｎｗ２とｐ型の不純物が導入された領域Ａｐｗ２とが所定の間隔の境界領域Ａｄを空けて形成されるので、これらの領域が隣接して形成される場合に比べてダイオードの接合部における不純物濃度が低下する。 - 特許庁

Further, an area on the display screen of the client computer is divided into the plural areas, at least one is turned to the area for the operation of the interactive type connection and at least one of the others is turned to the area for the operation of the batch type connection.例文帳に追加

更に、該クライアント・コンピュータの表示画面上の領域を複数の領域に分割し、少なくとも１つを前記会話型接続の操作用領域とし、他の少なくとも１つを前記バッチ型接続の操作用領域とする。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

The camera is equipped with a contrast type AF means, equipped with an area sensor 21 for observing nearly all the photographic area on the focusing screen 15 and an optical lens 20 for guiding the photographing light to the area sensor, and a control means for controlling the focus driving system of the camera, based on information from the contrast type AF means.例文帳に追加

焦点板15上の撮影領域のほぼ全体を観察するエリアセンサ21および撮影光を当該エリアセンサに導く光学レンズ20を備えたコントラスト式AF手段と、コントラスト式AF手段からの情報に基いてカメラのフォーカス駆動系を制御する制御手段と、を備える。 - 特許庁

The heat-treatment stage is characterized in that the conductivity type impurities are diffused to the outside from at least a portion of a surface area of the semiconductor substrate to form the impurity low-density drift area wherein the conductivity type impurity density is decreased at least at the portion of the surface area of the semiconductor substrate.例文帳に追加

その熱処理工程は、半導体基板の表面領域の少なくとも一部から前記導電型不純物を外部に拡散し、半導体基板の表面領域の少なくとも一部に前記導電型不純物濃度を低下させた不純物低濃度ドリフト領域を形成することを特徴とする。 - 特許庁

When the four corner positions of a curtain allocating area 86 are specified by mouse clock operation, the reference curtain shape of a curtain type selected in a curtain type selection picture area 82 is deformed to the same shape as the curtain allocating area 86 so as to match with positional relation between the background image and its viewing point.例文帳に追加

マウスのクリック操作によりカーテン割付領域８６の四隅位置が指定されると、カーテンタイプ選択画面領域８２で選択されたカーテンタイプの基本カーテン形状を、背景画像とその視点との位置関係に合致するようにカーテン割付領域と同形状に変形する。 - 特許庁

The printed wiring board is provided with a plurality of pads for soldering a plurality of connection terminals of the area array type surface- mounting package component and a plurality of through-holes which not conducting to the pads, in a mounting area of the area array type surface- mounting package component.例文帳に追加

プリント配線基板は、エリアアレイ型表面実装パッケージ部品を実装する実装領域内に、エリアアレイ型表面実装パッケージ部品の複数の接続端子をはんだ付けするための複数のパッドと、複数のパッドに導通されない複数のスルーホールと、を備える。 - 特許庁

This drain trap of S type or P type used for the washbowl divides the cross sectional area of the flow-in side pipe up to a water sealing forming section, and each cross sectional area is smaller than the cross sectional area of the flow-out side pipe to prevent its clogging due to solid matters.例文帳に追加

洗面器等に使用するＳ型或いはＰ型トラップであって、封水形成部位に至るまで流入側管の断面積を分割し、夫々の断面積が流出側管の断面積よりも小さくし、固形物の詰まりを防止したことを特徴とする排水トラップ。 - 特許庁

To make it possible to listen to sound of constant sound pressure within the area of a reflection type electroacoustic transducer and listen to sound of constant sound quality within the area and to prevent the volume and sound quality of the sound to be listened to from changing even if a listener moves in the reflection type electroacoustic transducer for providing sound of high sound pressure to a particular area.例文帳に追加

特定の領域に高い音圧の音声を提供する反射型電気音響変換器であっても、その領域内で一定の音圧の音声が受聴でき、また、その領域内で一定の音質の音声が受聴でき、また、受聴者が移動しても受聴する音声の音量や音質が変化しないようにする。 - 特許庁

A seal area S having a space between a device interior area H sealed by the first non-contact type mechanical seal 3 and a space between a device exterior area L sealed by the second non-contact type mechanical seal 4 is formed inside the seal case 5.例文帳に追加

シールケース５内には、機内領域Ｈとの間を第一非接触形メカニカルシール３によりシールされ且つ機外領域Ｌとの間を第二非接触形メカニカルシール４によりシールされたシール領域Ｓが形成されている。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁