「Area-type～」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In the surface area of an N-type drain drift region 20, an N^+- type drain region 17 and a P-type well region 18 surrounding an N^+-type source region are formed.例文帳に追加

Ｎ形ドレインドリフト領域２０の表面領域にＮ^＋型のドレイン領域１７と、Ｎ^＋形のソース領域を包囲するＰ形のウェル領域１８を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the heat treatment is carried out to form the n-type well layer up to the silicon substrate from the deep n-type well layer and also form the p-type well layer in the area surrounded by the n-type well layer.例文帳に追加

その後、熱処理を施すことによって、深いＮ型ウエル層からシリコン基板に至るＮ型ウエル層を形成すると共に、Ｎ型ウエル層に囲まれた領域にＰ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

Apart from an n-type collector layer 24, a p^- -type impurity area 31 is formed which has lower impurity density than a p-type base layer 21 while connected to the p-type base layer 21.例文帳に追加

ｎ型コレクタ層２４と離間した位置に、ｐ型ベース層２１に接続した状態でｐ型ベース層２１より不純物濃度の低いｐ^−型不純物領域３１を形成する。 - 特許庁

A power semiconductor device 10 includes: a body area 70 including a channel area; a gate electrode 60 formed on the channel area via a gate insulating film 50; an N-type source area 130 formed in an area surrounded by the body area; and a drain area 140 formed so as to separated from the gate electrode 60.例文帳に追加

パワー半導体装置１０は、チャネル領域を含むボディ領域７０と、チャネル領域の上にゲート絶縁膜５０を介して形成されたゲート電極６０と、ボディ領域に取り囲まれた領域に形成されたＮ型のソース領域１３０と、ゲート電極６０から離間して形成されたドレイン領域１４０とを備える。 - 特許庁

A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect.例文帳に追加

上記不純物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界近傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不純物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, active layer 15 made of gallium nitride indium, and p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are successively formed on the titanium nitride film 12.例文帳に追加

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, a light emitting layer 15 made of gallium indium nitride and a p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are formed in sequence on the DBR layer 12.例文帳に追加

ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is provided with a plurality of first electrodes 9 and second electrodes 10 which are connected with a p+ type conductive area and an n+ type conductive area, respectively.例文帳に追加

半導体基板１には、ｐ+型導電領域とｎ+型導電領域とそれぞれ電気的に接続される複数の第１の電極９と第２の電極１０が形成されている。 - 特許庁

Metallic layers consisting of nickel are respectively formed on the surfaces of the n^+-type semiconductor area 5 and the p^+-type semiconductor area 7 and the metallic layers are treated with heat to form 1st and 2nd silicide layers 11, 13.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５の表面とＰ^＋型半導体領域７の表面とにニッケルから成る金属層を設け、熱処理して第１及び第２のシリサイド層１１、１３を形成する。 - 特許庁

The alternative systems may be any type of wireless system and the wireless local area network may be any type of wireless area network.例文帳に追加

代替システムは任意のタイプの無線システムとすることができ、無線ローカルエリアネットワークは任意のタイプの無線エリアネットワークとすることができる。 - 特許庁

A conductor 132 is formed inside the element area isolation insulating wall 124, and is grounded through a zener diode 131 formed of an n-type area 130 and the p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４の壁厚の内側に導体１３２が形成されており、導体１３２はｎ型領域１３０とｐ型基層１０２で形成されるツェナーダイオード１３１を介して接地される。 - 特許庁

A p^+-type distribution area 55 is formed directly under the drain electrode 51 and is on the underside of the n^+-type distribution area 45D in the direction of the depth.例文帳に追加

このドレイン電極５１の真下領域であってｎ^＋型拡散領域４５Ｄの下端と深さ方向において重なるかたちでｐ^＋型拡散領域５５を形成した。 - 特許庁

In the case of accessing the memory, the storage area corresponding to the transmission type information is selected on the basis of the transmission type information included in the address information and the driver accesses the selected storage area.例文帳に追加

メモリをアクセスする場合は、アドレス情報に含まれている伝達種類情報に基づいて伝達種類情報に対応する記憶領域を選択して、選択した記憶領域をドライバによってアクセスする。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

An anode side electrode 6 jointed to the P-type area 4 is formed from the exposed surface of the P-type area 4 to the upper face of the second insulating layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域４の露出表面から第２絶縁層１０の上面にかけて、Ｐ型領域４と接合したアノード側電極６を形成する。 - 特許庁

In the surface of the packaging substrate 3A between the area type light emitting element 4 and the area type light receiving element 5, a first ground potential electrode pad 12 grounded to the ground potential is formed.例文帳に追加

面型発光素子４と面型受光素子５の間の実装基板３Ａの表面には、グランド電位に接地された第１のグランド電位電極パッド１２が形成される。 - 特許庁

To provide an image processor which expresses halftone without producing dot noise in a dot area type display device, and also to provide the dot area type display device provided with it.例文帳に追加

本発明は、面積階調型表示装置において、ドットノイズを生じることなく中間階調を表現することを可能とする画像処理装置、ならびにこれを有する面積階調型表示装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The gate insulating film 3 is first formed on the semiconductor substrate 1 having an NFET forming area 50N for forming an N type field effect transistor and a PFET forming area 50P for forming a P type field effect transistor.例文帳に追加

まず、Ｎ型電界効果トランジスタを形成するＮＦＥＴ形成領域５０ＮとＰ型電界効果トランジスタを形成するＰＦＥＴ形成領域５０Ｐとを有する半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

To make the whole display module thinner by making a planer type backlight thinner used for a hybrid type display panel combining a reflection area with a transmission area in each pixel.例文帳に追加

個々の画素毎に反射領域と透過領域を組み合わせたハイブリッド型の表示パネルに用いる平面型バックライトを薄型化して、ディスプレイモジュール全体の薄型化を図る。 - 特許庁

Therefore, the P-type contact layer 43 can be enlarged in area, and a contact surface between the P-type contact layer 43 and the P-side electrode 70 can be enlarged in area.例文帳に追加

よって、ｐ型コンタクト層４３の面積を広くすることができ、ｐ型コンタクト層４３とｐ側電極７０との接触面積を広くすることができる。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is formed in an N type MISFET formation area 11 and a P type MISFET formation area 12 on the surface of a silicon substrate 1, and metal gate electrodes 4 and 5 are formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加

シリコン基板１の表面におけるＮ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１１及びＰ型ＭＩＳＦＥＴ形成領域１２にゲート絶縁膜３を設け、その上にメタルゲート電極４及び５を設ける。 - 特許庁

A silicon layer 33 including the n-type well area 34 sandwiched between p-type well areas 44a, 44b constitutes common drain area 36 of the MOSFETs 21a, 21b.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域４４ａ、４４ｂに挟まれたｎ型ウェル領域３４を含むシリコン層３３がＭＯＳＦＥＴ２１ａ、２１ｂの共通ドレイン領域３６を構成する。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor area 106 is formed in the surface area of the p-type channel layer 103 so as to come into contact with a part of the side of the trench gate 2 through the gate oxide film 3.例文帳に追加

ゲート酸化膜３を介してトレンチゲート２の側面の一部に接してＰ型チャネル層１０３の表面領域にＮ^+ 型半導体領域１０６が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, transistors in an n-type logic area NL are covered with a film 50 having tensile stress, and transistors in a p-type logic area PL are covered with a film 55 having compression stress.例文帳に追加

半導体装置では、Ｎ型ロジック領域ＮＬにおけるトランジスタが引っ張り応力を有する膜５０により覆われ、Ｐ型ロジック領域ＰＬにおけるトランジスタが圧縮応力を有する膜５５により覆われている。 - 特許庁

A second conductive type of second source area (22) is formed on the semiconductor substrate under a partial gate structure in proximity to the first lateral side of a gate and the second conductive type of light doping drain extension area/well (12).例文帳に追加

第２の導電型の第２のソース領域（２２）を、ゲートの第１の横方向サイドおよび前記第２の導電型の軽ドーピング・ドレイン拡張領域／ウェル（１２）に近接して、一部のゲート構造下の半導体基板に形成する。 - 特許庁

The semiconductor 100 is provided with an n-type TFT 30 and a capacitor 60, and the n-type TFT 30 has a source area 30a and a drain area 30b.例文帳に追加

本発明の半導体装置１００は、ｎ型ＴＦＴ３０とキャパシタ６０とを備えた半導体装置であって、ｎ型ＴＦＴ３０はソース領域３０ａおよびドレイン領域３０ｂを有している。 - 特許庁

A source area 7 and a drain area 9 are formed on a p-type upper epitaxial layer 5 while penetrating in its thickness direction, and they are connected with an n-type epitaxial layer 4.例文帳に追加

ｐ型上エピタキシャル層５には、ソース領域７およびドレイン領域９がｐ型上エピタキシャル層５を層厚方向に貫通して形成されている。 - 特許庁

Each bisector of the slow axis in one type of phase difference area and of the slow axis in the other type of phase difference area is parallel to the slow axis of the base film.例文帳に追加

一方の種類の位相差領域の遅相軸および他方の種類の位相差領域の遅相軸の二等分線と、基材フィルムの遅相軸とが互いに平行となっている。 - 特許庁

The image input device for capturing an image with an area type image sensor is constituted of self light emission type color EL elements used for an image display means wherein the display elements are selectively controlled to be used in common for an area sequential light source.例文帳に追加

自発光型のカラーＥＬ素子を画像表示手段として備え、前記表示素子を選択的に制御して面順次の光源として兼用し、エリア型のイメージセンサで画像を入力する画像入力装置を構成する。 - 特許庁

In the position intersecting the direction of the row of the area type light emitting element 4 and the area type light receiving element 5 and opposed to the first ground potential electrode pad 12, a second groung potential electrode pad 20 grounded to the ground potential is formed.例文帳に追加

また、面型発光素子４と面型受光素子５の並び方向に交して第１のグランド電位電極パッド１２に対向する位置に、グランド電位に接地された第２のグランド電位電極パッド２０が形成される。 - 特許庁

To provide the wiring structure of an area arranged type semiconductor device, capable of easily pulling out wirings from each land of a printed board, on which an area arranged type semiconductor device is mounted.例文帳に追加

エリア配置型半導体素子を搭載したプリント基板の各ランドからの配線の引き出しを容易に行うことが可能なエリア配置型半導体装置の配線構造を提供すること。 - 特許庁

When a coating type transparent conductive film 12 is coated after a development, the coating type transparent conductive film 12 does not adhere to the portion where the water-repellent finish area 11 remains, but is coated only on a recess 10a and on the contact hole 10b and 10c area.例文帳に追加

現像後、塗布型透明導電膜１２を塗布すると、撥水処理領域１１が残存している部分には付着せず、凹所１０ａおよびコンタクトホール１０ｂ，１０ｃ領域内に限定して塗布される。 - 特許庁

To provide a stable floating characteristic by suppressing the vibration of a floating type SIL head without lowering SNR in a surface reproducing type optical recording medium provided with a rewritable header area and a data area having a guiding groove formed therein.例文帳に追加

書き換え可能なヘッダー領域と、案内溝が形成されたデータ領域を備えた表面再生型光記録媒体において、ＳＮＲを低下させることなく浮上型ＳＩＬヘッドの振動を抑制し、安定な浮上性を得る。 - 特許庁

A spacer 2 is arranged in approximately the plate-type space formed inside of metallic board-type members 1, and the space 2 is so constructed to have a thick-wall area and a thin-wall area.例文帳に追加

金属製板状体１の内部に形成される略平板状の空間内にスペーサ２を配設し、該スペーサ２を厚肉領域と薄肉領域とを有する構成とする。 - 特許庁

To provide a wet type flue gas desulfurization apparatus which is capable of steadily support a spray header while preventing the channeling of a gas in an ascending flow area and a descending flow area in a two-chamber type absorption tower and which exhibits a high desulfurization rate.例文帳に追加

二室型吸収塔内の上昇流領域及び下降流領域でのガス偏流を防ぎながらスプレヘッダーを強固に支持し、脱硫率が高い湿式排煙脱硫装置を提供すること。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

In an area opposing the p^+-type impurity semiconductor area 11 on the back surface S2 of the n-type semiconductor substrate 10, the recessed part 12 which becomes the incident part of the light to be detected is formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２におけるＰ^+型不純物半導体領域１１に対向する領域には、被検出光の入射部となる凹部１２が形成されている。 - 特許庁

Another portion of the isolation area 16 having no P-type bottom separation area 18 in the vicinity of the bottom does not part the N-type shallow well areas 14 of both sides.例文帳に追加

一方、Ｐ型の底部分離領域１８を底部近傍にもたない他の一部の素子分離領域１６は、両側のＮ型の浅いウェル領域１４を分断していない。 - 特許庁

To provide an area division type wavelength plate having a structure capable of suppressing deformation in the structure in a boundary part or load on a mold when an area division type wave plate having divided areas is formed with a mold, and to provide a method for manufacturing the plate.例文帳に追加

分割された領域を有する領域分割型波長板を型により成形する場合に境界部で構造の変形や型への負荷を抑制可能な構造の領域分割型波長板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A parameter type graph window W3 is displayed in a first display area G1 of an LCD 1202, and a parameter type increase/decrease chart window W2 is displayed in a second display area G2.例文帳に追加

ＬＣＤ１２０２の第１表示領域Ｇ１にパラメータ式のグラフ画面Ｗ３を表示させ、第２表示領域Ｇ２にパラメータ式の増減表画面Ｗ２を表示させる。 - 特許庁

When the floating type optical head is placed on the cleaning area, a face toward an optical emission side of the floating type optical head comes temporarily into contact with the surface of the cleaning area.例文帳に追加

浮上型光ヘッドをクリーニング領域に位置付けるとクリーニング領域上を浮上する浮上型光ヘッドの光射出側の面とクリーニング領域表面とが一時的に接触する。 - 特許庁

Consequently, the auxiliary capacitance line is not a disturbance to the aperture of a pixel in a reflection type area where the reflection layer 56 is formed and a transmission type area where the reflection layer 56 is not formed.例文帳に追加

これにより、反射層５６の形成された反射型領域および反射層５６の形成されていない透過型領域において、補助容量ラインは画素の開口の妨げとならない。 - 特許庁

Also, an n^--type area 16 is arranged as the lightly doped layer of a drain, and extended to the lower part of the second gate insulating film 14 in a p-type area 11.例文帳に追加

また、Ｐ型領域１１において、ドレインの低濃度拡散層としてＮ^−型領域１６が設けられ、第２のゲート絶縁膜１４下に延在する。 - 特許庁

In an n^+ bulk layer 101, a p-type area 109 made mainly of SiC including high-concentration p-type impurities is formed in the surface area on the side of its main surface 101b.例文帳に追加

Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。 - 特許庁

In the box type car 11 of driving state, an air flow flows from the front of the box type car 11 to the rear relatively is a main flow, an area flowing the main flow is an ordinary flow area 16.例文帳に追加

走行状態の箱型車両11において、箱型車両11の前方から後方へ向かって相対的に流れる空気流れが主流であり、この主流が流れる領域が定常流れ領域16になっている。 - 特許庁