「Bi-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this invention, an Sn-Ag-Bi based solder which has a great potential for a Pb-free solder is used in the connection with an electrode on the surface of which an Sn-Bi based layer is deposited.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

A power semiconductor module is formed by bonding two components by a Bi-based soldering material, and the surfaces to be bonded of the two components by the Bi-based soldering material are provided with a Cu layer.例文帳に追加

２つの部品の間を、Ｂｉ系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系ハンダ材による被接合面にＣｕ層を備える。 - 特許庁

The inner bag 1 is constituted of a two-layered film comprising an outer peripheral layer 1B and an inner peripheral layer 1A, and the outer peripheral layer 1B is formed of bi-axially oriented polypropylene of 15-30 μm in thickness.例文帳に追加

内袋１は外周層１Ｂと内周層１Ａとからなる２層フィルム材により構成され、外周層１Ｂは厚さが１５〜３０μｍの２軸延伸ポリプロピレンからなる。 - 特許庁

The water-absorbing film 1 for the food tray includes a water-absorbing layer 2, and a food contact layer 3 consisting of a bi-component non-woven textile arranged on one side of the water-absorbing layer 2.例文帳に追加

吸水層２と、吸水層２の一方の面上に配設されるバイコンポーネント不織布からなる食品接触層３と、を備えた食品トレー用吸水性フィルム１である。 - 特許庁

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層３の成膜は、Ｂｉからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

The plated layer 3 is made from a tin-bismuth alloy (Sn-Bi alloy), and has a film thickness in a range of 0.1 μm to 100 μm.例文帳に追加

めっき層３は、錫ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。 - 特許庁

In the light recording medium 100 having a recording layer 20 to record an information by changing the optical characteristics of the recording layer 20 by providing the same layer 20 with an external energy, the recording layer 20 is provided with at least a first layer containing Sn, Bi and an oxidizable substance, more readily oxidized than Sn and Bi.例文帳に追加

記録層２０を有し、外部エネルギーを付与することによってこの記録層２０の光学特性を変化させて情報を記録する光記録媒体１００において、この記録層２０はＳｎとＢｉと、Ｓｎ及びＢｉよりも酸化されやすい被酸化物質とを含む第１層を少なくとも有する光記録媒体である。 - 特許庁

As a result, such the gas sensing layer 8 is obtained that a ratio of the sum content of the Fe, Pb and Bi to the sum amount of the SnO_2, Fe, Pb and Bi is less than 0.030 mass%.例文帳に追加

その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 - 特許庁

A power semiconductor module is formed by bonding a couple of components with a Bi solder material and this module is provided with a Cu layer at the surfaces to be bonded with a Bi solder material of the couple of components.例文帳に追加

２つの部品の間を、Ｂｉ系はんだ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系はんだ材による被接合面にＣｕ層を備える。 - 特許庁

(2) In this manufacturing method of the optical recording medium relating in (1), the recording layer is made of a Bi oxide or of the Bi oxide and the oxide of at least one element selected from the group consisting of B, Cu, Fe and Zn.例文帳に追加

（２）記録層がＢｉ酸化物、又は、Ｂｉ酸化物とＢ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物からなる（１）記載の光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The sliding member includes an overlay layer 3 that is formed on a copper alloy layer 2, wherein the second phase component comprising Bi or Pb contained in the copper alloy layer 2 is not present in the boundary between the copper alloy layer 2 and the overlay layer 3.例文帳に追加

銅合金層２上にオーバレイ層３が形成されている摺動部材において、銅合金層２中に含まれるＢｉあるいはＰｂによる第２相成分が、銅合金層２とオーバレイ層３との界面に存在しないものとする。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor is employed in which Bi is added to the base layer of a GaAs system HBT or an InP system HBT.例文帳に追加

ＧａＡｓ系またはＩｎＰ系ＨＢＴのベース層にＢｉを添加したＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を用いる。 - 特許庁

In the case where a joint of high reliability is required, a Cu layer is deposited under the Sn-Bi layer to provide n a connection of sufficient interface strength.例文帳に追加

更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁

The mean particle size of Sn-based particles 15 distributed in the overlay layer 13 is 5% or below of the mean particle size of the Bi-based particles 14 distributed in the overlay layer 13.例文帳に追加

オーバレイ層１３中に分布するＳｎ系粒子１５の平均粒径を、オーバレイ層１３中に分布するＢｉ系粒子１４の平均粒径の５％以下にする。 - 特許庁

Moreover, when a joint with high reliability is necessary, a connection having a sufficient interface strength is obtained by providing a Cu layer under the layer of Sn-Bi.例文帳に追加

更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁

A synthesizing unit receives the bi-level output dot values from the dithering unit and receives the black dot values from the input port, thereby synthesizing the black layer on the halftoned layer.例文帳に追加

合成ユニットは、ディザユニットからバイレベルの出力ドット値を受信し、入力ポートから黒色のドット値を受信し、ハーフトーン化層上で黒色層を合成する。 - 特許庁

In an electronic component or a board that is bonded using a Pb free Bi-based solder alloy containing 80 mass% or more Bi, a Zn metallized layer with a thickness of 0.05 to 8.00 μm or a Sn metallized layer with a thickness of 0.05 to 3.00 μm is formed on a Ni-containing layer which is a top layer of the electronic component or the board.例文帳に追加

Ｐｂを含まずＢｉを８０質量％以上含有するＢｉ系はんだ合金を用いて接合する電子部品又は基板において、その電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層の上に、厚さ０.０５〜８.００μｍのＺｎメタライズ層若しくは厚さ０.０５〜３.００μｍのＳｎメタライズ層を形成する。 - 特許庁

In the reflection film laminated body, the surface of a substrate is provided with a pure Ag film or a Bi-containing Ag based alloy film as a first layer, and also, the surface of the first layer is provided with an Ag based alloy film comprising Bi and further comprising one or more kinds selected from Au, Pt, Pd and Rh as a second layer.例文帳に追加

本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

A lower electrode layer (first electrode) 103, a metal oxide layer 104 made of bismuth (Bi), titanium (Ti), and oxygen, and an upper electrode (second electrode) 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102.例文帳に追加

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、下部電極層（第１電極）１０３と、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された金属酸化物層１０４と、上部電極（第２電極）１０５とを備える。 - 特許庁

An alloy used for the solder layer 60 of the semiconductor module 10 comprises a first metal 62 composed of Bi which decides the melting point of the solder layer 60 substantially, and a second metal 64 which mixedly exists in the first metal 62 and has properties of a martensitic transformation.例文帳に追加

半導体モジュール１０のはんだ層６０に用いられている合金は、はんだ層６０の融点を実質的に決定するBiからなる第１金属６２と、第１金属６２に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第２金属６４を備えている。 - 特許庁

The recording medium is manufactured by providing a lower protective layer 2, a crystallization promoting layer 3 consisting of an oxide containing Bi, a phase transition recording layer 4 consisting of a recording material consisting essentially of Sb and Te, an upper protective layer 5 and a reflection layer 6 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の記録媒体は、基板１上に、下部保護層２、Ｂｉを含む酸化物からなる結晶化促進層３、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録材料からなる相変化記録層４、上部保護層５および反射層６を設けることにより得られる。 - 特許庁

The content of Bi, Cu, Ag or Zn is set to be 0.1-15 wt.% and the total thickness of the plated layer 2 of the Sn-alloy and the upper plated layer 3 is designed to be 0.5-20 μm.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ又はＺｎの濃度は０．１〜１５重量％に設定され、Ｓｎ合金メッキ層２と上層メッキ３の合計厚みは０．５〜２０μｍに設計されている。 - 特許庁

To provide a hetero joint bi-polar transistor whose current gain βcan be prevented from being deteriorating even at the time of using material similar to InGaP or InGaP as an emitter layer or an etching stop layer.例文帳に追加

エミッタ層やエッチングストッパ層としてＩｎＧａＰやＩｎＧａＰに類似した材料を用いても電流利得βが低下しないヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The ceramics wiring board provides such wiring layers laminated in sequence on its top surface as a groundwork metallization layer, a primary diffusion preventive layer, a conductor layer, a secondary diffusion preventive layer, a layer mainly consisting of at least one kind of material among Ti, Ag, Cu, or Bi, Au or Au-Sn alloy layer, and a soldering layer comprising Sn or Sn alloy.例文帳に追加

セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 - 特許庁

A bi-layer flexure 320 made of two different materials is used for improving the floating height sensitivities of a slider 302 to a temperature.例文帳に追加

温度に対するスライダ３０２の浮上高さ感度を改良するために２つの異なる材料で作られる２層フレクシャ３２０を用いる。 - 特許庁

In the method for patterning a semiconductor element, a fine pattern is formed according to a BLR (bi-layer resist) process using the negative resist composition.例文帳に追加

本発明の半導体素子のパターン形成方法では、ネガティブ型レジスト組成物を使用してＢＬＲ工程によって微細パターンを形成する。 - 特許庁

When the dopant material uses Bi, the semiconductor layer 15 pref. uses Si.例文帳に追加

この半導体材料層は導電性を示す範囲内、ドーパントの不純物ボーア半径と金属材料層の波動関数の広がりとの和程度とする。 - 特許庁

In addition, the anisotropic conductive material tape is an anisotropic conductive material having a bi-layer structure in which a base film 1 is disposed on one surface of the film-like adhesive.例文帳に追加

また、フィルム状の接着剤の片面に基材フィルム１を設けた２層構造の異方導電材である異方導電材テープ。 - 特許庁

The two layers are compressed into bi-layer tablet cores before the semipermeable membrane is applied and a suitable orifice for drug release therethrough is formed.例文帳に追加

２つの層を二層の錠剤コアへと圧縮した後、半透膜を適用して、それを通じての薬物放出に適当なオリフィスを形成する。 - 特許庁

In the process for producing an electronic component, an Sn-Bi alloy plating layer constituting a connection conductive layer 8 formed on the surface of a lead 2 is melted by immersing it, for a very short time of 0.2-5 sec, into a fluorine based inactive chemical liquid heated at 220-280°C which is higher than the melting point of the Sn-Bi alloy plating layer.例文帳に追加

開示される電子部品の製造方法は、リード２の表面に形成した接続用導電層８を構成するＳｎ−Ｂｉ合金めっき層を、Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき層の融点以上である２２０〜２８０℃に加熱したフッ素系不活性化学液内に０．２〜５秒間のごく短時間浸漬することで溶融させる。 - 特許庁

To provide a write-once type two-layered optical disk medium of high sensitivity, high PRSNR, and high reflectance ratio which has a simple, uncomplicated layer structure whose recording layer is a thin film including Bi as a primary component (an Re layer) and enables high density recording.例文帳に追加

Ｂｉを主成分として含有する薄膜（Ｒｅ層）を記録層とする簡易で単純な層構成を有し、高密度記録が可能で、高感度、高ＰＲＳＮＲ、高反射率の追記型２層構成光記録媒体の提供。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

A MREL is a layer of a low band gap, high electron mobility semiconductor such as ZnO or a semimetal having those characteristics such as Bi.例文帳に追加

ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。 - 特許庁

To provide a copper-based sliding material in which coarsening of a Bi phase in a Cu alloy layer produced by a continuous sintering process is suppressed, and which has excellent fatigue resistance.例文帳に追加

連続焼結法にて作製されるＣｕ合金層中のＢｉ相の粗大化を抑制し、耐疲労性に優れた銅系摺動材料を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic part material, in which an Ag-Bi alloy coating film layer having stable quality is formed to a target thickness inexpensively and moreover in high productivity.例文帳に追加

安定した品質のＡｇ−Ｂｉ合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成した電子部品材を提供する。 - 特許庁

By incorporating the Bi component in the plating bath in amount of a predetermined proportion, a plating layer which has excellent plating adhesion and corrosion resistance and good quality of product appearance, is formed.例文帳に追加

メッキ浴中にＢｉ成分を所定の割合含有させることにより、メッキのつき廻り性、耐食性に優れ、外観品質のよいメッキ層が得られる。 - 特許庁

To provide piezoelectric ceramics comprising a Bi layer compound, and a piezoelectric sensor, with an improved sintering property, high mechanical strength and high P/V value.例文帳に追加

Ｂｉ層状化合物からなる圧電磁器の焼結性を改善し、機械的強度が高く、且つ、高いＰ／Ｖ値を有する圧電磁器および圧電素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Bi-containing hot-dip galvanizing technique which can realize a Pb-free state and a Cd-free state in a hot-dip galvanizing layer and is excellent in protection of a plating bath.例文帳に追加

溶融亜鉛メッキ層中のＰｂレス化及びＣｄレス化が可能で、メッキ浴鍋の保護に優れたＢｉ含有溶融亜鉛メッキ技術を提供する。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics 21, with a main crystal of a Bi layer compound containing at least Sr, Bi and Ti, contain Mn in 0.05-1 weight % expressed in terms of MnO2 and Cu in 0.05-1 weight % expressed in terms of CuO.例文帳に追加

少なくとも、Ｓｒ、ＢｉおよびＴｉを含むＢｉ層状化合物を主結晶とする圧電磁器２１であって、ＭｎをＭｎＯ_2換算で、全量中０．０５〜１重量％、ＣｕをＣｕＯ換算で全量中０．０５〜１重量％含有する。 - 特許庁

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

This powder material is composed of a core material composed of Ni particles and a surface layer composed of the oxide of one or more kinds selected from Al, Zr, Ti, Si, Pb, Fe, W, Mn, Bi, Nb, Ta, Mo, alkaline-earths and rare earth elements and covering the outer surface of the core material.例文帳に追加

この粉体材料は、Ni粒子から成る芯材と、Al、Zr、Ti、Si、Pb、Fe、W 、Mn、Bi、Nb、Ta、Mo、アルカリ土類および希土類元素から選ばれた一種以上の元素の酸化物から成り芯材の外表面を被覆する表面層とで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

This piezoelectric porcelain composition satisfies a relationship of 0.275≤a/c<0.5 and 4≤(2a+3b)/c≤4.5 when the mol ratio of Sr, Bi and Nb in a bismuth layer compound to be a principal component is a:b:c in the piezoelectric porcelain composition consisting essentially of the bismuth layer compound comprising Sr, Bi, Nb and oxygen.例文帳に追加

圧電磁器組成物は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂおよび酸素からなるビスマス層状化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、主成分となるビスマス層状化合物中のＳｒ、ＢｉおよびＮｂのｍｏｌ比をａ：ｂ：ｃとしたとき、０．２７５≦ａ／ｃ＜０．５、かつ、４≦（２ａ＋３ｂ）／ｃ≦４．５の関係を満たす。 - 特許庁

The electronic component 10 being disclosed is provided, on the surface of a lead 2 serving as an external terminal, with a conductive layer 3 for connection composed of an Sn-Bi alloy where 0.5-6.0 wt% of Bi is added to Sn and having a single layer plating structure having a plating film thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

開示される電子部品１０は、外部端子としての役割を担うリード２の表面に、Ｓｎに０．５〜６．０ｗｔ％のＢｉが添加されたＳｎ−Ｂｉ合金から成り、かつ１０〜２５μｍのめっき膜厚を有する単層めっき構造から成る接続用導電層３が形成されている。 - 特許庁

There are provided oral osmotic dosage forms exhibiting an ascending drug release rate particularly having bi-layer or tri-layer tablet cores that are adapted to provide ascending drug release rates over an extended period.例文帳に追加

上昇薬物放出速度を示す経口浸透性投薬形態であって、特に、長時間の間、上昇薬物放出速度を与えるのに適した二層または三層の錠剤コアを有する浸透性投薬形態。 - 特許庁

The surface layer part 12 may be a metal capable of being solid-soluted for the solder part 11, for example, a metal containing one or more elements selectable from among Au, Ag, Cu, Sn, Pb, Sb, Ge, In, and Bi.例文帳に追加

表層部１２は、ハンダ部１１に対して固溶可能な金属、例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｂｉから選択される１種あるいは２種以上の元素を含んだものであればよい。 - 特許庁