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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Bi-layerの意味・解説 > Bi-layerに関連した英語例文

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Bi-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 177



例文

To provide a display strip to which bags of a bi-axially stretched film not provided with a melting point polymer layer on the outer surface of the bag are attached by heat-sealing.例文帳に追加

袋の外表面に低融点ポリマー層を設けていない二軸延伸フィルムからなる袋を、ヒートシールにより取り付けることのできるディスプレイ・ストリップを提供する。 - 特許庁

The protective layer 2 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加

保護層2は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。 - 特許庁

The recording layer 3 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加

記録層3は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。 - 特許庁

The negative active material layer 42 is composed of a metal material containing at least one kind selected from the group comprising Sn, Bi and Sb.例文帳に追加

ここで、本発明にかかる負極活物質層42は、Sn、BiおよびSbからなる群から選択される少なくとも1種を含む金属材料で構成されている。 - 特許庁

例文

In the phase-change type information recording medium, a recording layer 4, consisting of a Ag-In-Sb-Te phase change material and a crystallization acceleration layer 3, consisting of Bi or its compound in contact with at least a part of the recording layer are formed on a substrate 1.例文帳に追加

相変化型情報記録媒体では、基板1上にAg−In−Sb−Te系の相変化材料からなる記録層4と、該記録層の少なくとも一部分に接触するBiまたはその化合物からなる結晶化促進層3とを設ける。 - 特許庁


例文

The dielectric film layer 3, the lead concentrations of which is lower than that of a layer 4 of lanthanum lead zirconate titanate film, and containing at least Sr, Bi and Ta or Nb, is formed between a glass substrate 1 and the layer 4 of the lanthanum lead zirconate titanate film.例文帳に追加

ガラス基板1とジルコン酸チタン酸ランタン鉛膜の層4との間に、含まれる鉛の濃度が該ジルコン酸チタン酸ランタン鉛膜の層4の濃度より低く、少なくともSr、Bi及びTaもしくはNbを含む誘電体膜の層3を形成する。 - 特許庁

A covered layer 44b composed of SiO_2 is formed on a surface of each of phosphor particles 44a, and either one metal 49 of Bi, Pb, Sn or Sb is added to the covered layer 44b so that metal concentration on the surface of the covered layer becomes 0.05 ppm or more.例文帳に追加

蛍光体粒子44aの表面にSiO_2からなる被覆層44bを形成し、該被覆層44bにBi、Pb、Sn、Sbのいずれかの金属49を、該被覆層の表面における金属濃度が0.05ppm以上となるように付与する。 - 特許庁

In the information recording medium, having a substrate and a recording layer for recording information by a phase change reaction by the application of laser beams, a first interface layer containing at least one element among Bi, Sn, and Pb is provided in contact with the recording layer, and a first protective layer containing Sn and oxygen is provided at a side opposite to the recording layer of the first interface layer.例文帳に追加

基板と、レーザービームの照射による相変化反応により情報の記録が行われる記録層とを備えた情報記録媒体において、記録層と接してBi、Sn、Pbのうち少なくともいずれか一つの元素が含有された第1界面層を設けると共に、当該第1界面層の記録層とは反対側に、Snと酸素が含有された第1保護層を備える。 - 特許庁

In the manufacturing method for the mold-release film, an optional area of the mold-release layer surface of a bi-axial polyester film having the mold-release layer provided by in-line coating on at least one surface is subjected to plasma treatment under an atmospheric pressure.例文帳に追加

インラインコーティングで設けられた離型層を少なくとも片面に有する二軸ポリエステルフィルムの離型層表面の任意の領域を、大気圧下でプラズマ処理することを特徴とする離型フィルムの製造方法。 - 特許庁

例文

The reflective layer contains Ag as a main component, and contains at least one additional element selected from Al, Au, Bi, Ca, Ce, Co, Ga, La, Mg, N, Ni, Nd, Pd, Y, W, and Zr, thereby the prevention layer is formed.例文帳に追加

防止層は、反射層の主成分をAgとし、Al、Au、Bi、Ca、Ce、Co、Ga、La、Mg、N、Ni、Nd、Pd、Y、W、Zrから選ばれる少なくとも1種類の添加元素を含有させることにより形成される。 - 特許庁

例文

The bi-axially stretched polyester film is a laminate film having at least one amorphous polyester resin layer and at least one crystalline polyester layer wherein the thickness of the amorphous polyester resin layer is 20 to 95% of the total thickness of the laminate polyester film.例文帳に追加

二軸延伸ポリエステルフィルムが、非晶性ポリエステル樹脂層と結晶性ポリエステル樹脂層とを少なくとも一層ずつ有する積層ポリエステルフィルムであって、非晶性ポリエステル樹脂層の厚みが、積層ポリエステルフィルム全厚みに対し20〜95%であることを特徴とする上記上包み包装体。 - 特許庁

The lead wire is constituted of an electroconductive base body 1, a plated layer 2 of a Sn-alloy of Sn and Bi, Cu, Ag or Zn, which covers the surface of the base body 1, and an upper plated layer 3 of Zn, Ag, a SnZn alloy, a SnAg alloy or a SnBi alloy, which is formed on the plated layer 2.例文帳に追加

導電基体1と、その表面を被覆するSnとBi、Cu、Ag又はZnとのSn合金メッキ層2と、その上層に形成されたZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキの上層メッキ3とで構成した。 - 特許庁

To provide a Bi-based Pb-free solder alloy for high temperature use which has excellent wettability and workability, and in which reaction with an Ni metallized layer in electronic parts and the like and Ni diffusion can be suppressed.例文帳に追加

濡れ性および加工性に優れ、且つ電子部品等のNiメタライズ層との反応やNi拡散を抑制できるBi系の高温用Pbフリーはんだ合金を提供する。 - 特許庁

The plated layer 3 is formed by electroplating so that tin (Sn) concentration decreases toward the outermost circumference from the innermost circumference, and bismuth (Bi) concentration increases toward the outermost circumference from the innermost circumference.例文帳に追加

そして、めっき層3は、錫(Sn)が最内周から最外周へ向かって減少し、ビスマス(Bi)が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device into which a BiCOMS semiconductor device capable of constituting a bi-polar transistor capable of reducing a collector resistance without forming any epitaxial layer is integrated.例文帳に追加

エピタキシャル層を形成しなくても、コレクタ抵抗を低くできるバイポーラトランジスタを構成できるBiCMOS半導体装置を集積化した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell comprises an electrolyte containing a solid polymer electrolyte and a Bi oxy compound, and uses such an electrolyte as an electrolyte membrane and/or an electrolyte in the catalyst layer.例文帳に追加

固体高分子電解質と、Biオキシ化合物とを含む電解質、及び、このような電解質を電解質膜及び/又は触媒層内電解質用いた固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The cell can 13 has a covering layer 2 composed of reductive reaction restraining material 21 containing one or more kind of atoms selected from Zn, Sn, Sb, Bi, Pb, and In, at the part where the cell can is containing with the electrolyte 14.例文帳に追加

電池缶11は,少なくとも電解液14に接触する部分に,Zn,Sn,Sb,Bi,Pb,Inの一種以上を含む還元反応抑制物質21からなる被覆層2を有する。 - 特許庁

The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加

基板10と、Ti金属層若しくはTi合金層からなる緩衝層30と、絶縁性皮膜層40と、Bi、Sbの第1群から選ばれる1又は2の元素とTe、Seの第2群から選ばれる1又は2の元素とを有効成分として含む熱電材料層50とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁

To provide a simplified method for making an impermeable joining on three-layer or bi-layer fabric materials, either with or without a complex construction on a joining face thereof, and being preliminarily joined by a stitching or ultrasound joining arrangement.例文帳に追加

縫合または超音波接合機構によって前もって接合されており、その接合面に複合的な構造がある場合とない場合のある3層または2層の繊維材料に対して不浸透性の接合部を形成する簡素化された方法 - 特許庁

SIMPLIFIED METHOD FOR MAKING IMPERMEABLE JOINING ON THREE-LAYER OR BI-LAYER FABRIC MATERIAL, EITHER WITH OR WITHOUT COMPLEX CONSTRUCTION ON JOINING SIDE THEREOF, AND BEING PRELIMINARILY JOINTED BY STITCHING OR ULTRASOUND JOINING ARRANGEMENT例文帳に追加

縫合または超音波接合機構によって前もって接合されており、その接合側に複合的な構造がある場合とない場合のある3層または2層の繊維材料に対して不浸透性の接合部を形成するための簡素化された方法 - 特許庁

When the total amount of all the atoms other than oxygen atoms contained in the protective layer 2 is taken as 100 atom%, the total amount of atoms of Cr, Zn, Ga, In, Sn, Sb, Bi, and Te in the protective layer 2 is at least 70 atom%.例文帳に追加

保護層2に含まれる酸素原子以外の全原子の合計を100原子%とした場合に、保護層2におけるCr、Zn、Ga、In、Sn、Sb、Bi及びTeの原子数割合の合計は、70原子%以上である。 - 特許庁

The laminated body includes at least an adhesive layer and the sealant layer on the plastic substrate in this order, includes the thickness of the adhesive layer of ≤1 μm, and the adhesive layer comprising85 wt.% isocyanate compound with at least bi-functional isocyanate groups, and 0.01-0.5 wt.% tri-n-propylamine or tri-n-butylamine.例文帳に追加

プラスチック基材上に少なくとも接着層とシーラント層がこの順序で設けられていて、接着層の厚みが1μm以下であって、接着層が85重量%以上の2官能以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物と、0.01〜0.5重量%のトリ−n−プロピルアミンまたはトリ−n−ブチルアミンからなることを特徴とする積層体。 - 特許庁

In an electronic component 10, on the surface of a lead 2 serving as an external terminal, a conductive layer 3 for connection containing Ni in 0.05-1.5 wt.% in the Sn-Bi alloy is formed.例文帳に追加

開示される電子部品10は、外部端子としての役割を担うリード2の表面に、Sn−Bi合金にNiが0.05〜1.5重量%含有された接続用導電層3が形成されている。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 7 acting like a drain of the MOSFET in the MIS region and the p-GaN layer 11 of the pn diode of the bulk region are electrically connected bi a short-circuit electrode 8.例文帳に追加

そして、MIS領域のMOSFETのドレインとなるn^+拡散領域7と、バルク領域のpnダイオードのp−GaN層11を、短絡電極8を介して電気的に接続する。 - 特許庁

Cu wiring 100 formed at a groove 10a with a barrier metal layer 2 on a surface while being provided on an interlayer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 10 is composed by a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, and Ti.例文帳に追加

半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝10aにCu配線100が形成されてなる。 - 特許庁

A bi-directional switch element 20 to be used in an optical coupling semiconductor relay device is composed of MOSFETs 21a, 21b and a PNP transistor formed on a silicon layer 33 of SOI substrate 30.例文帳に追加

光結合型半導体リレー装置に用いられる双方向形スイッチ素子20は、SOI基板30のシリコン層33に形成されたMOSFET21a、21bとPNPトランジスタとからなる。 - 特許庁

Therefore, the composite metallic oxide pigment including the oxide of Bi and/or Y and the oxide of Mn is useful for the waterproof layer protective material, the asphalt exposure waterproof material, and the waterproofing construction method.例文帳に追加

従って、Biおよび/またはYの酸化物とMnの酸化物とを含む複合金属酸化物顔料は、防水層の保護材、アスファルト露出防水材、及び防水工法などに有用である。 - 特許庁

The efficiency of light emission is improved by improving the efficiency of radiative quantum efficiency by adding Bi, which acts as the light emitting center of a pair of donor acceptors, to an active layer of the light emitting device and improving the efficiency of electron injection by adding In of high concentration to an electron injection layer for injecting electrons into the active layer.例文帳に追加

発光デバイスの活性層にドナ・アクセプタペア発光中心として働くBiを添加し発光量子効率を高めるとともに、活性層に電子を注入するための電子注入層に高濃度のInを添加して電子注入効率を高めることにより発光効率を高める。 - 特許庁

An insulating layer 102, a lower electrode layer 103 provided commonly, a plurality of metal oxide layers 104 that are approximately 30-200 nm thick composed of Bi, Ti, and O, and an upper electrode 105 provided for each metal oxide layer 104 are provided on a substrate 101 made of single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板101の上に絶縁層102,共通に設けられた下部電極層103,BiとTiとOとから構成された膜厚30〜200nm程度の複数の金属酸化物層104,金属酸化物層104毎に設けられた上部電極105を備える。 - 特許庁

The electron transport layer 3 is structured of titanium oxide or zinc oxide, the light absorption layer 5 is structured of either oxide of metal selected from Co and Cu, or fluoride of metal selected from Bi, Sn, Cu and Mo, and the hole transport layer 7 is structured of nickel oxide doped with Li.例文帳に追加

電子輸送層3が、酸化チタン又は酸化亜鉛から構成され、光吸収層5が、Co及びCuから選ばれる金属の酸化物、又はBi、Sn、Cu及びMoから選ばれる金属の硫化物から構成され、正孔輸送層7が、Liによってドープされた酸化ニッケルから構成される。 - 特許庁

The first recording layer (2) consists of Sn or Bi and contains 0.1 to 5 atomic percent at.% of at least one element selected from Te, Ti, V, Y, Mn, Ni, Pd and Zr.例文帳に追加

第一記録層(2)はSn又はBiから成り、Te、Ti、V、Y、Mn、Ni、Pd、Zrの中から選ばれる少なくとも一つの元素を0.1原子%以上5原子%以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

The coating layer 3 is formed by metal resinate of Zr, a metal resinate of one or more types from Bi, Sn, In, applying a paste comprising organic resin on the base material glass 2, and calcining it at 500-900°C.例文帳に追加

コーティング層3は、Zrの金属レジネートと、Bi、Sn、Inのうち一種以上の金属レジネートと、有機樹脂とからなるペーストを上記基板ガラス2に塗布し、500〜900℃で焼成することにより形成される。 - 特許庁

To disclose a three layer process to manufacture a contact in a high transition temperature superconductor (HTSC), especially (Bi, Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_10+xwhich sometimes contains silver and sometimes contains no silver in a superconductor.例文帳に追加

高転移温度超伝導体(HTSC)、特に超伝導体中に銀を伴うこともあれば伴わないこともある(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_10+xに接点を作製するための三層プロセスを開示する。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ECRスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム(Sr)とビスマス(Bi)とタンタル(Ta)と酸素(O)とからなる非晶質状態のSBT薄膜104が、プラチナ層103の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

To provide a write-once type optical recording medium whose characteristics, storage stability in particular, is improved even in a disk having a different layer constitution by adjusting the atomic ratio of Bi to B and the content of O within an optimum range.例文帳に追加

BiとBの原子比、Oの含有量などを最適範囲にすることで異なる層構成のディスクにおいても良好な特性、特に保存安定性を向上させた追記型光記録媒体の提供。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部1と格子部2、3とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてAg,Bi,Co,Cu,Fe,Ge,Ni,およびZnの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an information recording medium having high reliability of recording data and excellent durability to repetitive recording of data in the information recording medium using a Bi-Ge-Te based phase transition material as a recording layer.例文帳に追加

Bi−Ge−Te系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、且つデータの繰返し記録に対する耐久性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

A laminate including at least one fluorine-containing polymer molding uni-axially or bi-axially oriented at the temperature not higher than the melting point as a fuel barrier layer is used for a laminate for a fuel tank or a hose for fuel transport.例文帳に追加

融点以下の温度で一軸又は二軸延伸した含フッ素重合体成形体を燃料バリア層として少なくとも一層含む積層体を、燃料用タンク又は燃料輸送用ホース用の積層体として使用する。 - 特許庁

A current breaker comprises a temperature deformable metal layer 3 like bi-metal, and a plurality of contact plates 1, 2 connected or disconnected according to a temperature change, which are enclosed in a casing 4.例文帳に追加

この電流切断器は、バイメタルやトリメタル等の温度変化によって変形する金属積層体3と、この金属積層体の変形によって接点の開閉が行われる複数の接点板1,2とが、ケーシング4に収納されている。 - 特許庁

An intermediate electrode layer 102 is provided on a semiconductor substrate 101 and a metal oxide layer 103 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen having a film thickness of 100 nm, for example, and an upper electrode 104 are provided thereon wherein an ohmic contact 105 is provided at a part of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板101の上に、中間電極層102と、この上に形成され、ビスマス(Bi)とチタン(Ti)と酸素とから構成された例えば膜厚100nmの金属酸化物層103と、上部電極104とを備え、また、半導体基板101の一部にオーミックコンタクト105を備える。 - 特許庁

(1) In the optical recording medium containing a substrate and a recording layer over the substrate, the recording layer primarily contains Bi and O (oxygen), and further contains B and at least one element X selected from Ge, Li, Sn, Cu, Fe, Pd, Zn, Mg, Nd, Mn and Ni.例文帳に追加

(1)基板上に少なくとも記録層を形成した光記録媒体であって、記録層の構成元素の主成分がBi及びO(酸素)であり、Bを含有し、更にGe、Li、Sn、Cu、Fe、Pd、Zn、Mg、Nd、Mn、Niから選択される少なくとも一種の元素Xを含有する光記録媒体。 - 特許庁

Bi-layer oral osmotic dosage forms include a first component layer, comprising a selected drug and excipients for forming a deliverable drug composition when hydrated, and a second push layer, comprising a fluid-expandable osmopolymer and excipients, contained within a compartment formed by a semipermeable membrane and having exit means for drug release from the compartment.例文帳に追加

二層経口浸透性投薬形態には、水和すると、送達可能な薬物組成物を形成するために選択された薬物および賦形剤を含んでなる第一成分層、および半透膜により形成されるコンパートメント内に含まれる、流体膨張可能なオスモポリマーおよび賦形剤を含んでなり、コンパートメントからの薬物放出のための流出方法を有する第二押出層が含まれる。 - 特許庁

The ferroelectric liquid ejection head I includes: a pressure generating chamber 12 that communicates with a nozzle opening 21; and the piezoelectric element 300 that is provided with a first electrode 60, a piezoelectric layer 70 formed on the first electrode, and a second electrode 80 formed on the piezoelectric layer, wherein the piezoelectric layer consists of a perovskite-type composite oxide that contains Bi, La, Fe, and Mn.例文帳に追加

ノズル開口21に連通する圧力発生室12と、第1電極60と、前記第1電極上に形成された圧電体層70と、前記圧電体層上に形成された第2電極80とを備えた圧電素子300と、を具備し、前記圧電体層は、Bi、La、Fe及びMnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドIとする。 - 特許庁

Then a layer M which contains a metal element M (at least one selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sn, Pb, Bi, Zn and Ag) is deposited on a surface of the sintered magnet body, and an RH layer containing a heavy rare-earth element RH (at least one selected from the group consisting of Dy, Ho and Tb) is deposited on the layer M.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面に金属元素M(MはAl、Ga、In、Sn、Pb、Bi、Zn、およびAgからなる群から選択された少なくとも1種)を含有するM層を堆積した後、重希土類元素RH(Dy、Ho、およびTbからなる群から選択された少なくとも1種)を含有するRH層をM層上に堆積する。 - 特許庁

To provide an information recording medium having a high reliability of recording data, high durability to repeated data recording and excellent oxidation resistance, in the information recording medium using a Bi-Ge-Te-based phase change material as a recording layer.例文帳に追加

Bi−Ge−Te系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、データの繰返し記録に対する耐久性の高く、且つ、耐酸化性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

(2)The write-once optical recording medium has a recording layer having at least an oxide of Bi and any of oxides of Fe, Co, V, W as main components on a substrate, and the content of oxygen of the oxides is lower than that of the stoichiometric composition.例文帳に追加

(2)基板上に、少なくとも、Biの酸化物と、Fe、Co、V、Wの何れかの酸化物を主成分とする記録層を備え、該酸化物の酸素含有量が化学量論組成よりも少ないことを特徴とする追記型光記録媒体。 - 特許庁

(1) The write once type optical recording medium has at least, a recording layer, on a substrate, which contains Bi, O and an element M whose atomic radius differs from Fe by 0.2 Å or above and has a non-recording part and a recording mark part, both of which are amorphous.例文帳に追加

(1)基板上に少なくとも記録層を有し、該記録層がBi、O、及び原子半径がFeと0.2Å以上異なる元素Mを含有し、記録層の未記録部と記録マーク部が共にアモルファスである追記型光記録媒体。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element is formed by alternately stacking a plurality of piezoelectric layers 1 and a plurality of internal electrodes 2, the piezoelectric layer 1 contains oxide including an alkaline metal element and niobium (Nb) or bismuth (Bi), and the internal electrode 2 is made of base metal.例文帳に追加

複数の圧電層1と複数の内部電極2とが交互に積層された積層型圧電素子であって、圧電層1はアルカリ金属元素とニオブ(Nb)又はビスマス(Bi)とを含む酸化物を含有し、内部電極2は卑金属により構成される。 - 特許庁

In the terminal, a surface layer composed of a quaternary alloy of Sn-Ag-Cu-In or Sn-Ag-Cu-Bi is formed on the whole face or a part of an electrically conductive substrate by electroplating.例文帳に追加

本発明の端子は、導電性基体上の全面または部分に、Sn−Ag−Cu−InまたはSn−Ag−Cu−Biからなる四元合金により構成される表面層を電気めっきにより形成したことを特徴としている。 - 特許庁

例文

The bi-layer structure antireflection film is used when a resist layer is exposed by means of an exposure system which has a wavelength of 190 to 195 nm and has a numerical aperture of ≤1.0, and is formed between the resist layer and the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

2層構造反射防止膜は、190〜195nmの波長を有し、開口数が1.0以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁




  
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