DDRを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 182件
The voltage output circuit 4 is shared for the generation of the reference voltage Vref-ic in the control IC3 and the generation of the reference voltage Vref-ddr in the DDR memory 2.例文帳に追加
電圧出力回路4は、コントロールIC3における基準電圧Vref−icの生成とDDRメモリ2における基準電圧Vref−ddrの生成とに共用化される。 - 特許庁
A DDR memory is constituted of a data input circuit 9 for DDR only, a data input circuit 10 for SDR only, a word line control circuit 21, a bit line control circuit 22, and a memory cell array 23.例文帳に追加
DDRメモリは、DDR専用データ入力回路9、SDR専用データ入力回路10、ワード線制御回路21、ビット線制御回路22、及び、メモリセルアレイ23で構成される。 - 特許庁
To provide a microcomputer, which accesses a synchronous DRAM having a double data rate(DDR) scheme at a high speed.例文帳に追加
ダブルデータレート(DDR)方式のシンクロナスDRAMを高速アクセス可能なマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁
A DDR-type SDRAM is accessed according to the designated column address and the designated access size.例文帳に追加
DDR型のSDRAMは、このような指定カラムアドレスおよび指定アクセスサイズに従ってアクセスされる。 - 特許庁
To make both high performance and low power consumption compatible with each other by using a DDR (Double-Data-Rate) type memory element.例文帳に追加
DDRタイプのメモリ素子を使用して、高いパフォーマンスと低消費電力化を両立する。 - 特許庁
An output buffer 9 becomes driving capability that corresponds to the DDR-SDRAM/DDR2-SDRAM.例文帳に追加
出力バッファ9は、DDR−SDRAM/DDR2−SDRAMに対応する駆動能力となる。 - 特許庁
The DDR type zeolite membrane composite 1 is constituted of a porous substrate 2 and a DDR type zeolite layer 5, deposited in a substrate, of the thickness of of 5-50 times the average pore diameter of the porous substrate made of a DDR type zeolite arranged in the pore 3 of one side surface of the porous substrate 2.例文帳に追加
多孔質基体2と、多孔質基体2の一方の表面の細孔3内に配設された、DDR型ゼオライトからなる、多孔質基体の平均細孔径の5〜50倍の厚さの基体内析出DDR型ゼオライト層5とを備えてなることを特徴とするDDR型ゼオライト膜複合体1。 - 特許庁
To transmit/receive large amounts of data by using a DDR memory interface, and to shorten the reading (read) latency, concerning a pseudo DDR memory interface circuit for achieving a high speed interface between signal processing blocks.例文帳に追加
信号処理ブロック間での高速インタフェースを実現する擬似DDRメモリインタフェース回路に関し、DDRメモリインタフェースを用い、大量データの送受信を可能にし、かつ読み出し(リード)レイテンシを短縮する。 - 特許庁
A spread spectrum clock generator 210 is provided with a state determining device 220 for determining a continuous access of a DDR (double data rate) SDRAM (synchronous DRAM) 112A and performing spread off in a continuous access during reading data of the DDR SDRAM 112A.例文帳に追加
拡散スペクトル・クロック発生器210は、DDR SDRAM112Aの連続アクセスを判定し、DDR SDRAM112Aのデータ読み出し時の連続アクセスでは拡散OFFにする状態判定器220を備える。 - 特許庁
To provide a DDR input control circuit normally transferring the data by switching to a regular SDR data transfer even when the data aren't transferred normally by a DDR data transfer.例文帳に追加
DDRデータ転送では正常なデータの転送動作をできない場合にも、通常のSDRデータ転送に切り替えることにより、データを正常に転送できるDDR入力制御回路を提供する。 - 特許庁
The storage area of the DDR-SDRAM is divided to a data storage area 41 and a table storage area 42.例文帳に追加
DDR−SDRAMの記憶領域を、データ格納領域41とテーブル格納領域42とに分ける。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory in which DQS glidge resistance is improved and which has DDR constitution being easy to use.例文帳に追加
DQSグリッジ耐性の向上と使い勝手のよいDDR構成の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
In general, P DDR-SDRAM chips running at a 1.5 clock rate are used to store the frame data in N frames.例文帳に追加
一般的に、1.5クロック速度で作動するP個のDDR−SDRAMチップは、Nフレーム中に保存される。 - 特許庁
To improve further data transfer efficiency of a synchronous type semiconductor memory having a DDR mode.例文帳に追加
DDRモードを有する同期型半導体記憶装置のデータ転送効率のさらなる向上を目的とする。 - 特許庁
The delay lock loop in a DDR DRAM is locked by the external clock signals and generates internal interleaved clock signals.例文帳に追加
DDR DRAM内の遅延ロックループは、外部クロック信号にロックされ、内部インタリーブクロック信号を発生させる。 - 特許庁
As the DDR2 (320) has a lower limit of operational frequency, only the mobile DDR 310 is used at the low-speed operations, and the mobile DDR 310 and the DDR2 (320) are both used when high-speed operations are required.例文帳に追加
また、DDR2(320)には動作周波数に下限があるため、低速動作時にはモバイルDDR310のみを使用して、高速動作が必要になるとモバイルDDR310およびDDR2(320)の両者が使用される。 - 特許庁
The scrambled data are written in a DDR SDRAM 4 synchronously with an SDRAM Data Strobe to be output from a DDR SDRAM I/F 30 with scramble data used when the data have been scrambled.例文帳に追加
スクランブルされたデータは、そのデータがスクランブルされたときに用いられたスクランブルデータとともに、DDR SDRAM I/F30から出力されるSDRAM Data Strobeに同期して、DDR SDRAM4に書き込まれる。 - 特許庁
A gasket 7 is disposed laterally toward a DDR-SDRM 2 of a heat conductive sheet 6 on a scaler IC 3.例文帳に追加
スケーラIC3上における熱伝導シート6のDDR-SDRAM2側の側方には、ガスケット7が配置されている。 - 特許庁
Then, the DDR-SDRAM is switched from the normal operation to the low power consumption operation simultaneously with the end of the compression processing (processing P15).例文帳に追加
そして圧縮処理(処理P15)の終了と同時に通常動作から低消費電力動作に切り替えられる。 - 特許庁
A memory 300 is composed of a mobile DDR 310 and a DDR2 (320) which have different interfaces and mixed together.例文帳に追加
異なるインターフェースを有するモバイルDDR310およびDDR2(320)が混在してメモリ300を構成する。 - 特許庁
To provide a device to synchronize the output data and the data strobe signals of a double data rate (DDR) DRAM.例文帳に追加
ダブルデータレート(DDR)DRAM用の出力データ及びデータストローブ信号を同期化させるための装置を提供する。 - 特許庁
A clock generation circuit (5) generates an internal clock signal and a memory clock signal to be supplied to the DDR-SDRAM.例文帳に追加
クロック発生回路(5)は、内部クロック信号と前記DDR−SDRAMに供給するメモリクロック信号とを発生する。 - 特許庁
The carbon dioxide gas in the digestion gas passes through the DDR type zeolite membrane 5 so as to be separated and removed, and the methane gas is concentrated.例文帳に追加
消化ガス中の炭酸ガスはDDR型ゼオライト膜5を通過して分離除去され、メタンガスが濃縮される。 - 特許庁
To provide a method for synchronizing output data of a double data rate (DDR) DRAM and a data strobe signal.例文帳に追加
ダブルデータレート(DDR)DRAMの出力データ及びデータストローブ信号を同期化させるための方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a plurality of SRAM chips 1 of a DDR(double data rate) specification, a bank control circuit 3 and a CQ control circuit 4.例文帳に追加
本発明は、DDR仕様の複数のSRAMチップ1と、バンク制御回路3と、CQ制御回路4とを備える。 - 特許庁
A test by a memory tester for a normal SDR can be performed by providing an exclusive data input circuit having two DDR memories.例文帳に追加
DDRメモリが2つの専用データ入力回路を備えることで、通常のSDR用メモリテスタでテストが可能なる。 - 特許庁
To provide a two-chip/single-die packet switching architecture employing a DDR SDRAM as an external memory and a method for accessing a memory.例文帳に追加
DDR SDRAMを外部メモリとする2チップ/単一ダイのパケット交換装置およびメモリへのアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To realize a semiconductor memory in which input/output of data can be performed in a DDR mode using a low speed tester.例文帳に追加
低速のテスタを用いてDDRモードでデータの入出力を行なうことのできる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁
An input/output circuit (6) performs input/output of data in a DDR mode conforming to an internal clock signal of this double speed.例文帳に追加
入出力回路(6)は、この2倍速の内部クロック信号に従ってDDRモードでデータの入出力を行なう。 - 特許庁
To suppress signal reflection by a simple method in a DDR memory system composed of chip selects having different data bus widths.例文帳に追加
データバス幅が異なるチップセレクトで構成されるDDRメモリシステムにおいて、簡易な方法で、信号反射を最低限に抑える。 - 特許庁
To provide an interface circuit which reliably detects the potential of a DQS signal from a DDR SDRAM being intermediate potential.例文帳に追加
DDR SDRAMからのDQS信号の電位が中間電位にあることを確実に検知するインターフェース回路を提供する。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus a transmission rate of pixel data from which to a memory such as a DDR-DRAM is enough to be lower than that of prior arts.例文帳に追加
DDR−DRAM等のメモリとの間の画素データの伝送レートが従来よりも低くて済む画像処理装置を提供する。 - 特許庁
USE OF MULTIPLE VOLTAGE CONTROLLED DELAY LINES FOR PRECISE ALIGNMENT AND DUTY CYCLE CONTROL OF DATA OUTPUT OF DDR MEMORY DEVICE例文帳に追加
DDRメモリデバイスのデータ出力のデューティサイクル制御及び正確な調整のための複数の電圧制御された遅延ラインの利用 - 特許庁
The DDR-SDRAM chips running at 1.5 clock rate are used for transferring image data from the image data source to the source driver in a display panel.例文帳に追加
DDR−SDRAMチップを1.5倍のクロック速度で駆動し、イメージデータをイメージデータソースからディスプレイパネルのソースドライバに転送する。 - 特許庁
To minimize a signal reflection in a simple configuration in a DDR memory system configured with chip selects having different data bus widths.例文帳に追加
データバス幅が異なるチップセレクトで構成されるDDRメモリシステムにおいて、簡易な構成で、信号反射を最低限に抑える。 - 特許庁
To provide a DLL circuit used suitably as a circuit for generating the internal clock of a semiconductor storage, including DDR-SDRAM.例文帳に追加
DDR−SDRAMを初めとする半導体記憶装置の内部クロック発生用回路として好適なDLL回路を提供する。 - 特許庁
After a DDR type zeolite powder is added, as a seed crystal, to a raw material solution having a prescribed composition and is dispersed therein (or after a support to which a DDR type zeolite powder, a seed crystal, is adhered is immersed in the solution), the heat treatment is executed.例文帳に追加
エチレンジアミンに溶解させた1−アダマンタンアミンを含む、所定の組成を有する原料溶液に、種結晶としてDDR型ゼオライト粉末を添加して分散させた後(或いは、種結晶であるDDR型ゼオライト粉末を付着せしめた支持体を浸漬させた後)、加熱処理する。 - 特許庁
A digital multifunctional machine 1 comprises: a FIFO memory 112 serving as a buffer for temporarily storing data DMA (Direct Memory Access)-transferred from a DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) 104; and a FIFO memory 114 serving as a buffer for temporarily storing data to be DMA-transferred to the DDR-SDRAM 104.例文帳に追加
デジタル複合機1は、DDR−SDRAM104からDMA転送されてきたデータを一時的に保持するバッファであるFIFOメモリ112と、DDR−SDRAM104へDMA転送するデータを一時的に保持するバッファであるFIFOメモリ114とを備える。 - 特許庁
To solve that problem of an access penalty for the amount of 1/2tCK is generated in a conventional DDR system when a command and address data are fetched at both Rise/Fall edges by making an address pin and a command pin to be common, which are previously being taken as separate in the speed increase system of DDR.例文帳に追加
DDRの高速化方式において、従来別々とされていたアドレスピン及びコマンドピンを共通化し、Rise/Fall両エッジでコマンド及びアドレスデータを取り込む際に、従来のDDR方式において、1/2tCK分のアクセスペナルティの問題が生じることを解決する。 - 特許庁
The control part 41 reads an initializing program for initializing the DDR-SDRAM 33 from the nonvolatile memory 32 and stores the read initializing program in the internal memory 47 to initialize the DDR-SDRAM 33 by using the initializing program stored in the internal memory 47.例文帳に追加
制御部41は、不揮発性メモリ32から、DDR−SDRAM33を初期化するための初期化プログラムを読み込み、読み込んだ初期化プログラムを内部メモリ47に格納し、内部メモリ47に格納された初期化プログラムを用いてDDR−SDRAM33を初期化する。 - 特許庁
The semiconductor device 200 consists of an SDR (single data rate) data generation part for generating SDR data from received DDR (double data rate) data and a clock, a delayer 220 for giving a variable quantity of delay to the DDR data or the clock, and a delay adjustment part 260 for controlling the delay quantity of the delayer.例文帳に追加
受信したDDRデータとクロックとからSDRデータを生成するSDRデータ生成部と、DDRデータまたはクロックに可変量の遅延を与えるディレイヤ220と、ディレイヤの遅延量を制御するディレイ調整部260とからなる半導体装置200により達成できる。 - 特許庁
In the reproducing device, a CPU 10 makes a DDR-SDRAM 24 store contents data read out from a recording medium such as a HDD 16, and makes a first nonvolatile memory 52 store contents data stored in the DDR-SDRAM 24 with the prescribed period.例文帳に追加
再生装置において、CPU10は、HDD16等の記憶媒体から読み出されたコンテンツデータをDDR−SDRAM24に記憶させるとともに、当該DDR−SDRAM24に記憶されたコンテンツデータを所定の周期で第1不揮発性メモリ52に記憶させる。 - 特許庁
To provide a double data rate(DDR) memory in which a normal memory tester can be used at the time of a test and circuit constitution of a data input circuit is easy.例文帳に追加
テスト時に通常のメモリテスタを使用できるデータ入力回路の回路構成が容易なダブルデータレート(DDR)メモリを提供する。 - 特許庁
To reduce logic scale for generating a burst address and preventing malfunction in a memory provided with a rate-write function and having a DDR(Double Data Rate) mode.例文帳に追加
レイトライト機能を備えDDRモードを有するメモリにおけるバーストアドレスの生成や誤動作防止のための論理規模を縮小する。 - 特許庁
The strobe delay circuit 40 delays a strobe signal DQS output from the DDR memory 1 by a predetermined delay time tSD.例文帳に追加
ストローブ遅延回路40は、DDRメモリ1から出力されるストローブ信号DQSを、所定の遅延時間tSDだけ遅延させる。 - 特許庁
To provide a device and a method for inputting the data of DDR SDRAM, capable of accurately arraying an input control signal and a data input operation.例文帳に追加
入力制御信号とデータ入力動作を正確に整列させることが可能なDDR SDRAMのデータ入力装置及び方法。 - 特許庁
The mobile DDR 310 and the DDR2 (320) are connected to the physical layer (PHY) block 220 of a memory controller 200 without signal termination.例文帳に追加
メモリコントローラ200の物理層(PHY)ブロック220にはモバイルDDR310およびDDR2(320)が信号終端せずに接続される。 - 特許庁
To provide a DDR-SDRAM interface circuit in which the loop-back test can be more exactly performed, and its testing method and its testing system.例文帳に追加
ループバック試験をより正確に行うことが可能なDDR−SDRAMインターフェース回路、その試験方法、その試験システムを提供すること。 - 特許庁
A DDR-SDRAM has an input buffer 1, a command decoder 2, a write-timing generating section 3, a write-buffer 4, a read-amplifier 5, a memory cell plate 6, and a data latch 7.例文帳に追加
DDR−SDRAMは、入力バッファ1、コマンドデコーダ2、ライトタイミング発生部3、ライトバッファ4、リードアンプ5、メモリセルプレート6、及び、データラッチ7を有する。 - 特許庁
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