「Electron gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron beam irradiator for treating powdery granules designed to reduce the running cost involved in the used of an inert gas (e.g. nitrogen gas, rare gas).例文帳に追加

粉粒体を処理する電子線照射装置において、不活性ガス（窒素ガス、希ガス）にかかるランニングコストを低減すること。 - 特許庁

The carbon nanostructure 13 is a material that serves as the gas absorption material for absorbing a gas generated during the operation of the electron emission element 1 and a gas that could not have been eliminated during the manufacture of the electron emission element 1.例文帳に追加

カーボンナノ構造体１３は、電子放出素子１の動作中に発生するガスや電子放出素子１の製造時に除去出来なかったガスを吸着するガス吸着材料として機能する物質である。 - 特許庁

To this end, the two-dimensional electron gas layer is provided within a mesa 111 (mesa structure) for coupling the bit elements, and the superconducting quantum box electrodes 101, 102 and an electron gas excluding electrode 112 are located on the two-dimensional electron gas layer of the mesa 111 (mesa structure).例文帳に追加

このため、ビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）内に２次元電子ガス層が備えられ、超伝導量子箱電極１０１、１０２と電子ガス排除電極１１２とがビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）の２次元電子ガス層上に配置されている。 - 特許庁

DEVICE FOR PURIFYING EXHAUST GAS BY ADDING ELECTRON TO OXYGEN AND IMPROVING COMBUSTION EFFICIENCY例文帳に追加

酸素に電子を付加し、燃焼効率を向上させ、排気ガスの浄化を図る装置 - 特許庁

NUCLEAR SPIN MANIPULATING METHOD USING TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS AND NUCLEAR SPIN MANIPULATION DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

二次元電子ガスによる核スピン操作方法、及び、その方法を用いた核スピン操作装置 - 特許庁

(2) The method for production described in (1) composes irradiating the film with the electron beams in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

(2) 不活性気体雰囲気下にて電子線を照射することを特徴とする上記(1)の製造方法。 - 特許庁

FORMING METHOD OF METAL OXIDE FILM AND FORMING METHOD OF SECONDARY ELECTRON EMISSION FILM FOR GAS DISCHARGE TUBE例文帳に追加

金属酸化膜の形成方法及びガス放電管の２次電子放出膜形成方法 - 特許庁

To dissolve the generation insufficiency of a two-dimensional electron gas layer near a source electrode.例文帳に追加

ソース電極近傍における２次元電子ガス層の生成不足を解消すること。 - 特許庁

Two-dimensional electron gas is generated on the interface of the Mg_XZnO layer 2 and an Mg_YZnO layer 3.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can increase the concentration of two-dimensional electron gas.例文帳に追加

二次元電子ガスの濃度を高めることが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR ANALYZING HEATED AND DESORBED GAS USING ELECTRON ATTACHMENT MASS SPECTROMETRY例文帳に追加

電子付着質量分析法を利用した昇温脱離ガス分析装置及び分析方法 - 特許庁

The electron beam is preferably cast from the vertical direction against the moving direction of the object gas.例文帳に追加

電子線の照射は、被処理ガスの移動方向に対して垂直方向から照射することが好ましい。 - 特許庁

Injection of a reaction gas into the dense electron space produces dense plasma.例文帳に追加

この高密度電子空間に反応ガスを噴出させることで高密度のプラズマを生成する。 - 特許庁

The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.例文帳に追加

Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁

To provide a field emission electron source device in which effect of gas and ion in the field emission electron source device on the field emission electron source array is eliminated or reduced and which has a high reliability.例文帳に追加

電界放出型電子源装置内のガスやイオンの電界放出型電子源アレイに対する影響をなくし、又は少なくした、高信頼性の電界放出型電子源装置を提供する。 - 特許庁

An electron transfer layer 3 made of an insulating porous structure mixed of a gas phase and a solid phase is inserted between an electron supply layer 2 and an electron emitting layer 4.例文帳に追加

電子供給層２と電子放射層４間に、気相と固相が混在した絶縁性多孔質構造からなる電子伝達層３を挿入する。 - 特許庁

When an electron beam 5 is irradiated under this state, the electron beam 5 strikes against molecules of the inert gas and is dispersed, so that the electron beam 5 is uniformly irradiated across the container 3.例文帳に追加

この状態で電子線５が照射されると電子線５が不活性ガスの分子と衝突して散乱するので、容器３１内外に均一に電子線５が照射される。 - 特許庁

Furthermore, widening of the electron beam due to a space-charge effect of the primary electron beam is reduced by anions generated by the collision of the primary electron beam with the gas introduced from the sample chamber, and so accurate irradiation is possible.例文帳に追加

さらに一次電子線と試料室から入射した気体との衝突で発生した正イオンによって、一次電子線の空間電荷効果による電子線の拡がりが低減されており、正確な照射が可能となる。 - 特許庁

The apparatus for treating exhaust gas comprising NOx by electron beam irradiation includes a cathode comprising an electron emitter constituted of a field-emission device, an anode, a chamber for generating an electron beam, a window attached thereto for taking out the electron beam, and a device for supplying a nitrogen gas to the outside of the window for taking out the electron beam.例文帳に追加

上記課題は、電界放出型素子よりなる電子放出部を有する陰極と、陽極と、電子線を発生させるチャンバーと、それに取着された電子線取出窓と、該電子線取出窓の外側に窒素ガスを供給する装置よりなる、電子線照射による、ＮＯｘを含有する排ガスの処理装置によって解決される。 - 特許庁

In this manufacturing device of an electron source equipped with a plurality of electron emitting elements, a container is evacuated to a fixed gas pressure with a substrate 1 having the plurality of electron emitting elements formed thereon housed in the container 11, and voltage from a power supply 34 is impressed on each of the plurality of electron emitting elements 10.例文帳に追加

複数の電子放出素子を備える電子源の製造装置であって、複数の電子放出素子が形成された基板１を容器１１内に収容した状態で、容器内を排気して所定のガス圧とし、複数の電子放出素子１０のそれぞれに電源３４からの電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiation device preventing a window part of an electron beam tube from being polluted by an impurity gas, to hold the output of the electron beam constant, to prevent the window part from being broken, and to easily shift the electron beam relative to a material to be processed at a desired speed.例文帳に追加

電子ビーム管の窓部が不純ガスによって汚染されることがなく、電子ビームの出力を一定に保ち、かつ窓部の破損を防止するととともに、被処理物に対して電子ビームを所望の速度で容易に移動させることのできる電子ビーム照射装置を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode G forming a two-dimensional electron-gas layer 5 just under a hetero-junction interface between both layers of the electron transit layer 3 and the electron supply layer 4 is used as one having an Ni/Au structure containing an Ni layer 21 on the electron supply layer 4 side and an Au layer 22 laminated on the Ni layer 21.例文帳に追加

電子走行層３と電子供給層４両層のヘテロ接合界面の直下に２次元電子ガス層５が形成されるゲート電極Ｇは、電子供給層４側のNi層２１と該Ni層２１上に積層されたAu層２２とを含むNi/Au構造のゲート電極である。 - 特許庁

To provide HEMT which has a small contact resistance between a source and a drain electrode and 2DEG (two-dimensional electron gas) and has a large electron density for 2DEG, by depositing an electron supplying layer and an electron traveling layer in a [000-1] direction.例文帳に追加

電子供給層および電子走行層を［０００−１］方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と２ＤＥＧの接触抵抗が小さく、かつ２ＤＥＧの電子濃度の大きいＨＥＭＴを提供することができる。 - 特許庁

More ions and electrons are generated by more collisions of these ionized gas molecules with the peripheral gas molecules, resulting in an electron avalanche phenomenon.例文帳に追加

これらが更に周辺ガス分子に衝突することで更なるイオンや電子を生じさせ、電子雪崩現象を引き起こす。 - 特許庁

Gas diffusion layers 3, 3 having electron conductivity and gas permeability are arranged outside the catalyst layers 2, 2.例文帳に追加

触媒層２，２の外側には、電子伝導性及びガス透過性を有するガス拡散層３，３が配置される。 - 特許庁

The oxygen gas adsorbs electrons within the plasma 13, so that the oxygen gas itself becomes negative ions, and these negative ions act to decrease the electron density within the plasma 13.例文帳に追加

プラズマ１３中の電子を酸素ガスが吸着して自ら負イオンとなり、プラズマ１３中の電子密度を下げる作用をする。 - 特許庁

In the waste gas treating method, the gas containing at least one kind halogen is irradiated with the electron beam.例文帳に追加

少なくとも一種類のハロゲンを含有するガスに電子線を照射することを特徴とする排気ガスの処理方法。 - 特許庁

A material gas such as silane gas, or the like is led in from an inflow port 11b and is made into plasma by the electron beams to form radicals or ions.例文帳に追加

シランガスなどの原料ガスを流入口１１ｂから導入し、電子ビームによりプラズマ化してラジカルやイオンを形成する。 - 特許庁

An inert gas such as an argon gas or the like is introduced from an inflow port 11a, and is made into a plasma in an early plasma region to fetch out electron beams.例文帳に追加

アルゴンガスなどの不活性ガスを流入口１１ａから導入し、初期プラズマ領域５でプラズマ化して電子ビームを取り出す。 - 特許庁

The gas blowing section 30 blows off an inert gas 82 in nearly parallel to the window 14 of the electron beam irradiation section 10.例文帳に追加

ガス吹出部３０は、電子ビーム照射部１０の窓１４に対し略平行に不活性ガス８２を吹き出す。 - 特許庁

A fluorine compound gas having comparatively low toxicity and corrosiveness or the fluorine compound gas and 0_2 or the fluorine compound gas and H_20 gas are used as the reaction gas 7 employed for the electron-beam excitation dry etching.例文帳に追加

電子ビーム励起ドライエッチングに用いる反応ガス７として、毒性、腐食性が比較的低いフッ素化合物ガスまたはフッ素化合物ガスとＯ_２またはフッ素化合物ガスとＨ_２Ｏガスを用いる。 - 特許庁

To provide an electron tube capable of avoiding the adsorption of gas to the surface of an emitter by the discharge of gas produced in an electron tube manufacturing process by supplying, for heating, a current to a heater installed in the electron tube without installing a new stem pin for potential supply.例文帳に追加

電子管内に設けたヒーターに対して、新たな電位供給用のステムピンを設けることなく電流を供給して発熱させ、電子管の製造工程中に発生するガス放出によるエミッタ表面へのガス吸着を回避できる電子管を提供する。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。 - 特許庁

Herein, a ballistic electron face release type electron source is used to control the energy of the electrons irradiated on the gas below the ionization energies of atoms or molecules constituting the gas.例文帳に追加

ここにおいて、電子源１０として、弾道電子面放出型電子源を用いることで、ガスへ照射される電子のエネルギがガスを構成する原子もしくは分子の電離エネルギ未満とする。 - 特許庁

Preferably, nitrogen gas is employed as source gas, and the material to be treated is arranged in parallel with a flowing direction of electron, away from the center of electron current.例文帳に追加

窒素ガスを原料ガスとして使用すること、処理材料は電子の流入方向に対して平行に、かつ電子流の中心から離れて配置されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a gas electron amplifier stably operating even if continuing a long-term operation, its manufacturing method and a radiation detector using a gas electron amplifier.例文帳に追加

長時間動作を継続しても安定して動作するガス電子増幅器、その製造方法及びガス電子増幅器を使用した放射線検出器を提供する。 - 特許庁

In this structure, an electrostatic capacity between the two-dimensional electron gas and the ground is variably controlled by setting a voltage to the electron gas excluding electrode 112 at a suitable level and applying the voltage thereto.例文帳に追加

この構造では、電子ガス排除電極１１２へ電圧を適当に設定して印加することにより、２次元電子ガスとグランドとの間の静電容量が可変制御される。 - 特許庁

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.例文帳に追加

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiator for generating electron beam over a large area by low voltage, and a gas treatment apparatus for decomposing gas by non-equilibrium plasma generated using the same.例文帳に追加

低電圧および大面積で電子ビームを発生する電子ビーム照射装置、ならびにそれを用いて発生させた非平衡プラズマによりガスを分解するガス処理装置を提供する。 - 特許庁

The gas treatment apparatus is equipped with the electron beam irradiator and gas 5 to be decomposed is decomposed by the non-equilibrium plasma 3 generated by the electron beam 13.例文帳に追加

また、ガス処理装置は、上記電子ビーム照射装置を備え、電子ビーム１３によって発生する非平衡プラズマ３により、分解対象ガス５を分解する。 - 特許庁

A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed.例文帳に追加

ヘテロ界面１３５において２次元電子ガス層１３７を生じている半導体基体に、ソース電極１５１を、２次元電子ガス層１３７との接触部１７１が生じる深さまで埋め込む。 - 特許庁

Further, a shape of the electron emitter 1 may be set along a shape of an equipotential surface, or a gas removal means may be provided for removing gas released from the electron emitter 1 out of the vacuum vessel 5.例文帳に追加

さらに、電子エミッタ１の形状を等電位面の形状に沿ったものにしたり、電子エミッタ１から放出されるガスを真空容器５から排除するガス排除手段を設けてもよい。 - 特許庁

To surely and efficiently fill inert gas into a tray, in an electron beam irradiation device for storing a treated object in the tray, for filling the inert gas into the tray, and for irradiating an irradiated object in the tray with an electron beam.例文帳に追加

被処理物をトレイに収容し、トレイ内に不活性ガスを充填し、該トレイ内の被照射物に電子線を照射する電子線照射装置において、トレイ内への不活性ガス充填を確実化し、さらには効率よく行う。 - 特許庁

Then, the electron gas obtains an extremely high mobility, so electrons can be transferred at a high speed in the two-dimensional electron gas layer so that current may be supplied uniformly to the light emission plane.例文帳に追加

電子ガスは極めて高い移動度を有することとなり、発光面に均一に電流が供給されるように２次元電子ガス層において電子を高速に輸送することが可能となる。 - 特許庁

The electron beam exposure apparatus for exposing a desired pattern on a sample mounted on a wafer stage 124 with an electron beam generated from an electron gun 101 comprises a means 129 for injecting reducing gas into a column 100 containing the electron gun 101 and the wafer stage 124, and a control means 209 for sustaining injection of reducing gas into the column 100 for a predetermined time.例文帳に追加

電子銃１０１から発生させた電子ビームでウエハステージ１２４に載置した試料上に所望のパターンを露光する電子ビーム露光装置において、前記電子銃１０１及びウエハステージ１２４が収納されているコラム１００内に還元性ガスを注入する手段１２９と、前記コラム１００内に前記還元性ガスの注入を所定の時間継続して行わせる制御手段２０９とを有する。 - 特許庁