「Electron gas」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To stabilize the electron density of a plasma which is generated in a vacuum chamber by supplying reactive gas into the vacuum chamber and supplying a high frequency power into the vacuum chamber from a high fre quency power supply intermittently via an impedance matching device.例文帳に追加

真空チャンバー内に反応性ガスを供給すると共に高周波電源からインピーダンス整合器を介して真空チャンバー内に高周波電力を間欠的に繰り返し供給することにより、真空チャンバー内にプラズマを発生させる場合において、発生するプラズマの電子密度を安定させる。 - 特許庁

To provide a device configuration which securely maintains an atmospheric gas in a region where an object is treated within a low oxygen concentration region and enables efficient consecutive treatments in an electron beam EB irradiation treatment device which treat objects consecutively.例文帳に追加

複数の被処理物を連続的に処理する電子線照射処理装置において、被処理物を処理する領域における雰囲気ガスを低酸素濃度域に確実に維持し、かつ、効率的に連続処理を行うことが可能な装置構成を提供する。 - 特許庁

The quantum operation circuit adjusts a coupling force between a pair of superconducting charge quantum bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102) by electrically controlling a two-dimensional electron gas layer electrostatically coupled to the pair of bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102).例文帳に追加

この量子演算回路では、一対の超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）に対して静電的に結合された２次元電子ガス層を電気的に制御することによって、超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）間の結合の強さを制御する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁

To provide a PDP having excellent durability against alteration of a protective film due to the atmosphere and impurity gas, and thereby capable of reducing power consumption well by exerting an excellent secondary electron emission characteristic over a long time.例文帳に追加

大気や不純物ガスによる保護膜の変質に対する良好な耐久性を有し、これにより優れた二次電子放出特性を長期的に発揮させることにより、良好に消費電力の低減を図ることが可能なＰＤＰとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma image screen has a protection layer 5, made of the material with low electron affinity and high sputtering resistance, chosen from crystalline diamond, AlN, AlGaN, BN, or tetrahedral amorphous carbon, and a sealed gas contains more than 7 volume % xenon.例文帳に追加

プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐スパッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有すること。 - 特許庁

Gate voltage can be increased because a pn junction produced by two-dimensional electron gas generated at an interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer, and the p-type GaN layer 105 is formed in a gate region.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

To execute gas absorption with high efficiency and to aim elongation of a life of an electron emitter by arranging properly getter materials in a vacuum container, and to facilitate manufacture, and to obtain reduction of a production cost.例文帳に追加

ゲッタ材を真空容器内で適正に配置することにより、ガスの吸収を高効率に行えて電子放射源の長寿命化を図れ、製造を容易に行うことができて生産コストの低減を図れる画像形成装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device having a channel layer composed of a group III nitride semiconductor containing Al and capable of improving current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and to provide a group III nitride semiconductor stacked wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

Hydrogen gas 18 is allowed to flow into a vessel 16 covered with a catalyst metal heated to 300-600°C, so that it is converted into hydrogen radicals and further is allowed to pass into the vessel 16 comprising a metal surface which is applied with free electron, so that it is converted into hydrogen negative ions.例文帳に追加

水素ガス１８を、３００から６００℃に加熱された触媒金属に覆われた容器１６の中を流して水素ラジカルに変え、更に自由電子を供給できる金属表面を持つ容器１６の中を通すことによって水素負イオンに変える。 - 特許庁

In the short-arc type xenon lamp in which a xenon gas is sealed into a light emitting tube made of quartz glass and in which a pair of cathode and anode are oppositely arranged in the light emitting tube, the cathode is composed of pure tantalum which does not contain an electron easily-emissive material.例文帳に追加

石英ガラス製の発光管内にキセノンガスが封入され、該発光管内に一対の陰極および陽極が対向配置されたショートアーク型キセノンランプにおいて、該陰極が易電子放射物質を含まない純タンタルからなることを特徴とするショートアーク型キセノンランプとする。 - 特許庁

In the method for producing high purity chromium, crude chromium is charged into a crucible, and is irradiated with an electron beam to melt and vaporize chromium, and high purity chromium condensed, e.g., on the ceiling of a condensation vessel is recovered, and is further degassed by using reducing gas.例文帳に追加

坩堝中に粗クロムを入れ、該粗クロムに電子ビームを照射してクロムを溶解揮発させ、凝縮容器の天井等に凝縮した高純度クロムを回収し、これをさらに還元性ガスにより脱ガスすることを特徴とする高純度クロムの製造方法。 - 特許庁

A composition of InAlGaN constituting an InAlGaN barrier layer formed on a channel layer is selected to prevent generation of a secondary electron gas on a heterojunction interfacial surface between the barrier layer and the channel layer even in a state without forming the gate in a part immediately under the gate.例文帳に追加

ゲート直下となる部分では、ゲートを設けていない状態でも、障壁層とチャネル層とのヘテロ接合界面には、二次元電子ガスは発生しないように、チャネル層上に形成されるＩｎＡｌＧａＮ障壁層を構成する、ＩｎＡｌＧａＮの組成を選択する。 - 特許庁

The fluorescent lamp comprises an optical transmission tube filled with mercury and noble gas, a fluorescent material layer provided on an inner surface of the optical transmission tube and a pair of electrodes, and comprises an electron-emissive material formed of an ion crystal substance in the vicinity of an electrode surface or the electrode.例文帳に追加

水銀及び希ガスを封入した透光管と、該透光管の内面に設けられた蛍光体層と、１対の電極を有する蛍光ランプにおいて、電極表面又は電極の近傍にイオン結晶物質で形成された電子放出物質を有する。 - 特許庁

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor device that includes a channel layer comprising a group III nitride-based semiconductor containing Al, and improves current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and also to provide a group III nitride semiconductor laminate wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device.例文帳に追加

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。 - 特許庁

A low-melting-point alloy 100 which is solid within a controlled temperature range, melts or plasticizes below temperature at which the fuel cell ND generates abnormalities and ceases to work normally, and yet, with electron conductivity in a gas diffusion layer 24.例文帳に追加

ガス拡散層２４内には、制御温度範囲内では固体であり、燃料電池ＮＤに異常が発生し正常に動作できなくなる温度未満で融解あるいは可塑化し、かつ、電子伝導性を有する低融点合金１００が設けられている。 - 特許庁

To provide sterilization paper excellent in air permeability, peelability, and heat-sealability, usable not only as a combination-type sterilizing package bag but also as a cap for molded sterilizing container, to be used for gaseous sterilization using ethylene oxide gas or the like, and further, also usable for electron beam sterilization.例文帳に追加

通気性、ピール性、ヒートシール性に優れ、コンビネーションタイプの滅菌用包装袋のみならず成型滅菌容器の蓋剤としても使用出来る、エチレンオキサイドガス等を用いたガス滅菌に用いられる滅菌紙、さらに電子線滅菌にも用いることができる滅菌紙を提供することを課題とする。 - 特許庁

The lower part of each ohmic electrode 14 is formed to pierce the second group III-V nitride semiconductor layer 13 and the third group III-V nitride semiconductor layer 21 and to reach a region on the lower side than a two-dimensional electron-gas layer of the first group III-V nitride semiconductor layer 12.例文帳に追加

第１のオーミック電極１４は、下部が第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３及び第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１を貫通し且つ第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２における２次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。 - 特許庁

The microorganism power generation device includes: an anode chamber 32 equipped with an anode 34 and retaining liquid containing microorganisms and electron donors; a cathode chamber 33 equipped with a cathode 35 and separated from the anode chamber 32 through an ion-transmitting nonconductive film 35A; and a means of supplying oxygen-containing gas into the cathode chamber 33.例文帳に追加

負極３４を有し、微生物及び電子供与体を含む液を保持する負極室３２と、正極３５を有し、負極室３２に対しイオン透過性非導電性膜３５Ａを介して隔てられた正極室３３と、正極室３３に酸素含有ガスを供給する手段とを備えた微生物発電装置。 - 特許庁

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28.例文帳に追加

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。 - 特許庁

This fluorescent substance is produced by keeping a fluorescent substance body 16 capable of emitting light by excitation with the ultraviolet rays or electron beams in a gas atmosphere containing hydrogen 1 or fluorine element under the atmospheric pressure or above, diffusing the hydrogen 1 or the fluorine element into the fluorescent substance body 16 and then irradiating the resultant fluorescent substance body 16 with ultraviolet radiations.例文帳に追加

紫外線または電子線励起によって発光する蛍光体本体１６を水素１またはフッ素元素を含む大気圧以上のガス雰囲気中に保持して、蛍光体本体１６に水素１またはフッ素元素を拡散させた後、紫外光を照射する。 - 特許庁

The concentration of a two-dimensional electron gas to be stored in the vicinity of the hetero-junction interface between the GaN layer and the AlGaN layer is preferably controlled, thereby achieving the magnetic sensor operating with substantially the same measurement sensitivity at a temperature ranging from a room temperature to a high temperature.例文帳に追加

ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。 - 特許庁

The zinc alloy to be used as the electron emission material 4 raises its melting point in comparison with zinc, its dissipation due to spattering is restrained, and accordingly, electric discharge starting time is shortened for a longevity guaranteeing period, and as gas emission is reduced, rise of electric discharge starting voltage is extremely small.例文帳に追加

電子放射性物質４として用いる亜鉛合金は、亜鉛に比べると、融点が高くなるので、スパッタによる消失が抑制されるので、寿命保証期間中にわたって放電開始時間が短縮されるとともに、またガス放出が少なくなるので、放電開始電圧の上昇がすこぶる少ない。 - 特許庁

To provide a material of low gas emission and low secondary electron emission to be favorably used as a material for any apparatus capable of enhancing the sensitivity and accuracy of an electronic spectroscope to work in a super-high vacuum environment and also as a super-high vacuum or ultra-high vacuum structural material.例文帳に追加

超高真空環境下で稼動する電子分光器の感度、精度の向上が図れる機器用材料として、また、超高真空及び極高真空構造材料として有望視される低ガス放出及び低２次電子放出材料を提供する。 - 特許庁

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34.例文帳に追加

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。 - 特許庁

High-voltage plus ion electrons are loaded by a discharge needle 4 via a high-voltage cord 3 from a high-voltage ion electron generating machine 2 to inside the suction air duct 1 of an engine, and the suction air is ion activated, and coupling of the mixture gas and atomization are promoted, and the horse-power and fuel consumption are improved by the perfect combustion.例文帳に追加

エンジン吸入空気ダクト内（１）に高電圧イオン電子発生機（２）から高圧コード（３）を介して放電針（４）により高電圧プラスイオン電子を負荷、吸入空気をイオン活性化し、混合ガスの結合微粒化を促進、着火完全燃焼による馬力アツプと燃費改善を図った。 - 特許庁

To prevent degradation of electron emission performance of a field emission cold cathode by reducing a generation quantity of a gas of H_2O or the like in heating an exhaust tube formed of a glass material, in a chip-off process for separating an exhaust pump system and a cathode-ray tube from each other.例文帳に追加

排気ポンプ系と陰極線管とを切り離すチップオフ工程において、ガラス材料からなる排気管を加熱したときのＨ_2Ｏ等のガスの発生量を低減し、電界放出冷陰極の電子放出性能の劣化を防止する。 - 特許庁

After irradiating an electron ray toward a desired position on a material and forming a mask while passing on the material the gas containing elements used as the materials of the mask, micro-processing is performed to the material so that materials other than the portion covered with the mask may be removed by irradiating an energy beam.例文帳に追加

マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 - 特許庁

Hydrogen ions which are accelerated by a gas discharge plasma or which are extracted from an ion source are injected into the surface of a mixed molten metal of a nuclear fusion substance and an electron donor catalyst inside an electrode, united atoms are formed by a cohesive force acting between atoms inside the molten metal, and a nuclear fusion reaction is induced.例文帳に追加

電極内の核融合物質と電子ドナー触媒の混合溶融金属表面にガス放電プラズマで加速又はイオン源から引出した水素イオンを注入して、前記溶融金属内の原子間に働く凝集力による融合原子形成で核融合反応を誘発させること。 - 特許庁

Because of this, although the fuel gas is supplied and a reaction related to the deterioration of the fuel cell stack 10 tends to occur because of presence of hydrogen front or the like, since the current (electron) is taken out from the fuel cell stack 10, the reaction is suppressed.例文帳に追加

このため、燃料ガスが供給されて水素フロント等の存在により燃料電池スタック１０の劣化につながる反応が生じようとするが、燃料電池スタック１０から電流（電子）を取り出しているため、この反応が抑制されることとなる。 - 特許庁

A solution of a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound having a degree of polymerization of <20 is coated on a substrate layer and then the polyvalent metal salt of the unsaturated carboxylic acid compound is irradiated with electron beams in the presence of a solvent to manufacture the gas barrier film.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩に溶媒の存在下で電子線を照射することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method and a new manufacturing device manufacturable with arbitrary materials and crystallinity while controlling a position and a size freely in the fine structure of the same size (nanometer order) with an object manufactured by a gas deposition method using an electron ray.例文帳に追加

電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。 - 特許庁

As for the halo component in the corrected part 3 of the white defect 3, the site 6 where the halo component is present is detected and etched with electron beams 4 while introducing water vapor into near the beam irradiation position from a gas gun 5 to remove the halo component 6.例文帳に追加

白欠陥修正個所３のハロー成分に関しては、ハロー成分が存在する個所６を認識し、ガス銃５からビーム照射位置近傍に水蒸気を導入して電子ビーム４でエッチングを行い、ハロー成分６の除去を行う。 - 特許庁

During a sealing work of the electron gun, a round part of heat sealing part is photographed by a camera 22, and this shape is recognized by an image recognition part 23, and signals are sent to a mass flow controller 21 so that this place has a suitable roundness, and a flow rate of N2 gas sent into a bulb is always adjusted.例文帳に追加

電子銃を封止作業中、加熱封止部のネック２の丸み部分をカメラ２２で捉え、画像認識部２３でその形状を認識し、そこが適当な丸みをおびるように、マスフローコントローラ２１に信号を送り、バルブ内に送りこむＮ_２ガスの流量を常に調整する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier.例文帳に追加

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Concentrations of P and N injected into the channel layer are controlled to optimize a band structure so that a two-dimensional electron gas improved in its mobility and concentrated in its carrier density is generated and ionization due to a ionization collision is suppressed when it is driven.例文帳に追加

チャネル層に導入するＰとＮの濃度を調節してバンド構造を最適化することにより、駆動時には従来よりも高い移動度が高く、キャリア濃度が高い二次元電子ガスを生じるとともに、電離衝突によるイオン化が抑制される。 - 特許庁

To heighten the display quality of a plasma display panel depending on a gas discharge, and realize a high-precision display by providing a manufacturing method and a manufacturing device of a plasma display panel to which, an MgO thin film with high electron emitting property is formed.例文帳に追加

電子放出性能の高いＭｇＯ薄膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法と製造装置を提供することにより、ガス放電に基づくプラズマディスプレイパネルの表示品質を高め、高精細表示を可能にする。 - 特許庁

Accordingly, a discharge inhibition layer 20 is formed at the gap 19 of each partition 34 among discharge cells 41a, 41b and 41c having different hues to prevent electron, charge or gas movement among these discharge cells 41a, 41b, 41c for crosstalk protection.例文帳に追加

そこで、色相の異なる放電セル４１ａ、４１ｂ、４１ｃ間の隔壁３４上の空隙部１９に放電抑止層２０を形成することで、放電セル４１ａ、４１ｂ、４１ｃ間の電子、電荷、またはガス等の移動が遮られクロストークを防止することができる。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

To enhance a display quality of a plasma display panel based on a gas discharge and enhance durability of a display lighting by providing a manufacturing method and a manufacturing device of the plasma display panel to form an MgO thin film having a high electron emitting characteristic and a high density.例文帳に追加

電子放出性が高く、密度の高いＭｇＯ薄膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法と製造装置を提供することにより、ガス放電に基づくプラズマディスプレイパネルの表示品質を高め、かつ表示点灯の耐久性を高める。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a long life image forming device equipped with electron emitting elements operating stably for hours, and to provide a manufacturing method of an airtight container removing the gas emitted at the time of sealing an exhaust tube exhausting the container.例文帳に追加

長時間安定に動作する電子放出素子を具備する長寿命な画像形成装置の製造方法、および容器内部を排気する排気管を封止する際に放出されるガスを除去する気密容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is that in a heat-resistant and radiation-resistant cable provided with an insulator layer and/or a sheath that mainly has thermoplastic polyimide on the outer periphery of a conductor, an electron beam higher than 5 MGy under an inert gas environment is radiated on to the insulator layer and/or the sheath which mainly has thermoplastic polyimido.例文帳に追加

導体外周に熱可塑性ポリイミドを主体とする絶縁体層および／またはシースを具備してなる耐熱・耐放射線性ケーブルにおいて、前記熱可塑性ポリイミドを主体とする絶縁体層および／またはシースに、不活性ガス雰囲気下で5MGy を超える電子線を照射する。 - 特許庁

The device includes a first crystalline substance layer, a second crystalline substance layer disposed in the vicinity of the first crystalline substance layer and forming electron gas at a first interface, and a first ferroelectric layer having a ferroelectric domain to impart an electric field to a part of the first interface.例文帳に追加

装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 - 特許庁