「Ge-N」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

A Ge-concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or lower.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

The Ge concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or less.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

Each of unit processing sections U[n] creates a processing coefficient sequence Ge_n comprised of coefficient values Ge[1]_n to Ge[K] for each frequency from stereo acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

各単位処理部Ｕ[n]は、周波数毎の係数値Ｇe[1]_n〜Ｇe[K]で構成される処理係数列Ｇe_nをステレオ形式の音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rから生成する。 - 特許庁

Activation of Ge n-type dopants and reasonable SPER rates for Si provide a practical lower limit on temperature of 500°C, and the melting of Ge provides an upper limit of 937°C.例文帳に追加

Ｇｅのｎ型ドーパントの活性化と、Ｓｉの妥当なＳＰＥＲ速度は、５００℃の温度の実際の下限を与え、Ｇｅの溶融は、９３７℃の上限を与える。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

The Ge detector detects γ-rays of radionuclide (N-13, N-16, Mn-54, Co-60) in gas sampled through the respective sampling ports.例文帳に追加

Ｇｅ検出器は、各サンプリング口からサンプリングされたガス中の放射性核種（Ｎ−１３，Ｎ−１６，Ｍｎ−５４，Ｃｏ−６０）のγ線を検出する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

To provide a Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer which produces fewer pits, is excellent in evenness, and is of a low resistance.例文帳に追加

ピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, impurities consisting of Ge, Sn, C, or N are introduced onto a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ、及びＮのいずれかの不純物を半導体基板の表面に導入する。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

An NMOSFET is equipped with an Si-Ge layer 12 sandwiched in between N+ drain/source diffusion layers 11 formed inside an Si substrate 10.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴは、Ｓｉ基板１０の内部にトランジスタのソース又はドレインであるｎ^+ 拡散層１１に挟まれてＳｉ−Ｇｅ層１２が形成されている。 - 特許庁

The clad part contains at least elements selected from a group of boron(B), germanium(Ge), phosphorus(P), nitrogen(N) and fluorine (F) as an additive dopant of a quartz-based material.例文帳に追加

クラッド部は、石英系素材の付加ドーパントとして、少なくとも、硼素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、窒素（Ｎ）、およびフッ素（Ｆ）からなる群から選択される元素を含む。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

By utilizing high electron mobility for GeAs in an N-channel device and a high hole mobility for Ge in a P-channel device, a CMOS integrated circuit with GaAs/Ge is formed on an Si for improving the switching (propagation) delay of a transistor.例文帳に追加

Ｎチャンネル装置におけるＧａＡｓ用の高い電子移動度及びＰチャンネル装置におけるＧｅ用の高いホール移動度を利用することによってトランジスタのスイッチング（伝搬）遅延を改善するためにＳｉ上にＧａＡｓ／Ｇｅを有するＣＭＯＳ集積回路を形成する。 - 特許庁

Disclosed is an n-type Mg intermetallic compound(Mg_2X) having an inverse fluorite structure and expressed by general formula: Mg_2X (X denotes one kind or a plurality of elements selected from the group 4 elements, Si, Ge and Sn, and includes at least either Si or Ge), and P is added as a donor additive.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。 - 特許庁

By forming an N-channel MOS device 114 and a P-channel MOS device 116 in the GaAs well 106 and the Ge well 110, respectively, an integrated circuit is formed by interconnection.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳ装置１１４及びＰチャンネルＭＯＳ装置１１６を夫々ＧａＡｓウエル１０６及びＧｅウエル１１０内に形成し、相互接続して集積回路を形成する。 - 特許庁

After the n-channel MISFET region is masked by a silicon nitride film 6, the polycrystalline SiGe film 7 in the p-channel region is thermally oxidized selectively to increase its Ge concentration.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ領域をシリコン窒化膜６によりマスクして、ｐチャネル領域の多結晶ＳｉＧｅ膜７を選択的に熱酸化することにより、そのＧｅ濃度を高くする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which displays light emission properties, Vf properties, etc equal to or above those possessed by a nitride compound semiconductor where Si is used as an n-type dopant even when the compound semiconductor is a nitride compound semiconductor where Ge is used in place of Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。 - 特許庁

The first region 4g is formed of SiGe having a group IV element, i.e., Si, and a different group IV element, i.e., Ge.例文帳に追加

nチャネルMISFETＱｎのゲート電極４Ｎが、少なくとも２種類の第１及び第２四族元素で形成された第１領域４ｇと第１四族元素で形成された第２領域４ｎとで構成される。 - 特許庁

The clathrate compound exhibits the properties as those of a P type semiconductor or the properties as those of an N type semiconductor by changing the blending ratio between Au and Ge.例文帳に追加

Ｂａ_8Ａｕ_aＧｅ_46-a （０＜a＜１６／３） （１） 本発明のクラスタレート化合物は、ＡＵおよびＧｅの配合比率を変えることによりＰ型半導体としての性質又はＮ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

The n-type Mg intermetallic compound (Mg_2X) has an inverse fluorite structure and is expressed in general formula: Mg_2X (X denotes one element or a plurality of elements selected from the group 4 elements, Si, Ge and Sn), and as a donor additive, As is added.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素）であって、ドナー添加物として、Ａｓを添加するようにした。 - 特許庁

The boundary between the n-type well region NWR and the p-type well region PLD is arranged at a position closer to the first p-type impurity region PR than an end part of the gate electrode GE on the side close to the first p-type impurity region PR.例文帳に追加

上記ｎ型ウェル領域ＮＷＲとｐ型ウェル領域ＰＬＤとの境界部は、ゲート電極ＧＥの、第１のｐ型不純物領域ＰＲに近い側の端部よりも、第１のｐ型不純物領域ＰＲに近い位置に配置される。 - 特許庁

The antireflection film comprises a laminate of an Y2O3 film and a layer composed of a material having refractive index of √(ns) where ns is the refractive index of GaAs and a layer having refractive index of ns/n above where is the refractive index of that layer, or a laminate of a Ge film and a ZnS film.例文帳に追加

反射防止膜としては、Ｙ_2Ｏ_3膜、ＧａＡｓの屈折率をｎ_sとして屈折率が√（ｎ_s）より小さい材料よりなる層と、この層の屈折率をｎとして屈折率がｎ_s／ｎよりも大きい層との積層膜、又は、Ｇｅ膜とＺｎＳ膜との積層膜を適用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The active compounds are substituted triaryl methane compounds or analogues thereof where one or more of the aryl groups are replaced with a heteroaryl, cycloalkyl or heterocycloalkyl group and/or the tertiary carbon atom is replaced with a different atom such as Si, Ge, N or P.例文帳に追加

活性化合物は、置換されたトリアリールメタン化合物又はこれらの類似体であって、１以上のアリール基がヘテロアリール、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル基で置換され、及び／又は四級炭素原子がＳｉ、Ｇｅ、Ｎ又はＰのような異なった原子で置換されるものである。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

A codoped layer 13 made of GaN, in which one of silicon (Si) and germanium (Ge) as impurities serving as a donor and one of magnesium (Mg) and zinc (Zn) as impurities serving as an acceptor are codoped, is provided between a substrate 11 and a buffer layer 12, and a first n-type cladding layer 14.例文帳に追加

基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。 - 特許庁

The electrode structure includes an ohmic metal layer 11 which is made of a compound containing Au and Ge, and provided on an n-type GaAs semiconductor substrate 10, a first Pt layer 13 provided on the ohmic metal layer 11, and a Ti layer 14 provided on the first Pt layer 13.例文帳に追加

本発明に係る電極構造は、Ａｕ及びＧｅを含む化合物から成り、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１０上に設けられたオーミック金属層１１と、オーミック金属層１１上に設けられた第１のＰｔ層１３と、第１のＰｔ層１３上に設けられたＴｉ層１４とを備える。 - 特許庁

(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加

（化１） Ｃａ_２−ｘ−ｙ−ｚＭｘＳｉＯ_４：ｙＣｅ^３＋，ｚＮ（０≦ｘ＜０.５、０＜ｙ≦０.１、０≦ｚ＜０.１５）…（１）化学式（１）で、Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ及びＦｅからなるグループから選択された少なくとも１つを含み、ＮはＥｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｔｂ^３＋、Ｙｂ^２＋及びＴｍ^３＋からなるグループから選択された少なくとも１つを含む。 - 特許庁