「InGaAs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

EPITAXIAL WAFER CONTAINING InGaAs LAYER例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層を含むエピタキシャルウエハ - 特許庁

A first InGaAs well layer 404 is grown on the first barrier layer.例文帳に追加

該第１の障壁層上には、第１のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁

An InGaAs photocathode Image Intensifier is used to pass an amplified signal from a screen.例文帳に追加

InGaAs光電陰極イメージ増強管はスクリーンからの増幅信号を送信するために使用される。 - 特許庁

The step bunching of the InGaP lower clad layer is formed, and variation arises in the layer thickness of the InGaAs active layer.例文帳に追加

InGaP下部クラッド層のステップバンチングが形成され、InGaAs活性層の層厚にばらつきが生じる。 - 特許庁

The InGaAs image intensifier tube is optically coupled to an imaging device for passing output light.例文帳に追加

InGaAsイメージ増強管は出力光を伝送するためのイメージ素子へ光学的に接続されている。 - 特許庁

A pseudo InGaAs substrate is formed by forming an InGaAs buffer layer 121 and InGaAs 122 subjected to lattice relaxation on a GaAs substrate 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。 - 特許庁

A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots.例文帳に追加

前記量子ドットを埋め込むために、前記InAs島上に第２のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁

A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands.例文帳に追加

InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。 - 特許庁

The output light from the InGaAs tube is transformed by an electronic circuit producing a desired signal output.例文帳に追加

InGaAsイメージ増強管からの出力光は所望の信号出力を生成する電子回路により変換される。 - 特許庁

An InGaAs quantum wire 13 having a relatively narrow energy band gap as a high mobility channel is formed at the bottom of the trench.例文帳に追加

トレンチ底面に、高移動度チャネルとして、相対的に狭いエネルギバンドギャップを有するInGaAs量子細線13を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF SURFACE-COUPLED InGaAs PHOTODETECTOR例文帳に追加

表面結合されたＩｎＧａＡｓ光検出装置の製造方法 - 特許庁

The base material preferably comprises one kind or a combination of two or more kinds selected from the group consisting of AlN, GaN, AlGaAs, SiC, InGaN and InGaAs as the constituent components.例文帳に追加

母体材料は、AlN、GaN、AlGaAs、SiC、InGaN、InGaAsの群から選ばれる１種、または２種以上の組み合わせを構成成分とすることが好ましい。 - 特許庁

On the other hand, band gap wavelength of the n-type InGaAs layer 12b is smaller than the wavelength λ of the incident light, and the n-type InGaAs layer 12b absorbs the incident light.例文帳に追加

一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収する。 - 特許庁

The strain layer 5 includes an InGaAs layer 3 and a GaAs layer 4.例文帳に追加

歪層５はＩｎＧａＡｓ層３およびＧａＡｓ層４を含む。 - 特許庁

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。 - 特許庁

A distorted quantum well structure α is formed on an InGaAs substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ基板１の上に、歪量子井戸構造αを構成する。 - 特許庁

In the multilayered quantum dot structure having InGaAs quantum dot laminate structures provided on a GaAs buffer layer, an arbitrary number of InGaAs quantum dot laminate structures 6 are laminated, each of the laminate structures 6 including an InGaAs thin-film layer 3 provided with a plurality of InGaAs quantum dots 4 and a GaAs buffer layer 5 provided on the InGaAs thin-film layer 3 so as to bury the InGaAs quantum dots 4.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 - 特許庁

The composition of InGaAs of an InGaAs quantum well active layer is changed between a gain area and a DBR area and then light emitted in the gain area suppresses the absorption loss of the InGaAs quantum well active layer in the DBR area.例文帳に追加

利得領域とＤＢＲ領域でＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層のＩｎＧａＡｓの組成を変えることによって、利得領域で発光した光が、ＤＢＲ領域のＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層での吸収損失を抑制する。 - 特許庁

A surface is thereby flat and an InGaAs quantum dot 5 of uniform thickness is formed in a hole part at high density by forming InGaAs to a layer at least to a depth of a hole.例文帳に追加

孔の深さ以上までInＧaＡsを層状成長させることによって、表面が平坦となり、孔部に厚さの均一なInＧaＡs量子ドットが高密度に形成される。 - 特許庁

The method for growing the SiC layer comprises the steps of growing an InGaAs channel layer 104, then switching a carrier gas to a hydrogen containing the nitrogen of 20% from a hydrogen, and heating a board to 1,000°C.例文帳に追加

InGaAsチャネル層１０４を成長した後、AsH_3を供給したままで、キャリアガスを水素から20％の窒素を含む水素に切り換え、基板温度を1000℃まで昇温する。 - 特許庁

The luminescent labeling reagent emits a light, which is detected by Si-CCD or InGaAs-PD and transmits a sample rich in H_2O in a region of red-near infrared at a wavelength of 650-1,600 nm, by the excitation.例文帳に追加

そして、この励起によりSi-CCDもしくはInGaAs-PDで検出可能でかつ、H_2Oリッチな試料中を透過できる波長650nm〜1600nmの赤〜近赤外領域の光を発光する。 - 特許庁

An n-type InP layer 36 is provided on the n-type InGaAs layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。 - 特許庁

The quantum dot 611 is made of InAs, and the quantum dot 621 is made of InGaAs.例文帳に追加

量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、量子ドット６２１は、ＩｎＧａＡｓからなる。 - 特許庁

The constituent element layer 6 includes an InGaAs layer 61A and a DBR film 62A.例文帳に追加

構成要素層６はＩｎＧａＡｓ層６１ＡおよびＤＢＲ膜６２Ａを含む。 - 特許庁

The i-InGaAsP non-light absorbing layer 28a is inserted between the neighboring i-InGaAs light absorbing layer 26a and i-InGaAs light absorbing layer 26b.例文帳に追加

隣接するｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａとｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂの間にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａが挿入されている。 - 特許庁

A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加

選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁

In a hetero-junction semiconductor having spacer layers 4 and 6 on upper and lower sides of a channel layer 5, the channel layer 5 is structured to have a pair of InGaAs 51 and 52 and an inserted channel layer inserted between both of the InGaAs layers 51 and 52 and composed of a compound semiconductor layer GaAs or InGaAs.例文帳に追加

チャネル層５の上下にスペーサ層４，６を有するヘテロ接合型の半導体装置において、チャネル層５が一対のＩｎＧａＡｓ５１，５２と、両ＩｎＧａＡｓ層５１、５２に挟まれた化合物半導体層ＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓから挿入チャネル層を有する構造にする。 - 特許庁

The semiconductor modulator has such a configuration that an InGaAs/InAlAs quantum well layer 3 is formed by arranging an InAlAs barrier layer which is lattice-matched with a substrate on both sides of an InGaAs compressively-strained quantum well layer which is formed as light absorption layer, on a semiconductor crystal InGaAs substrate 1 of ternary mixed crystal.例文帳に追加

半導体変調器を、３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓ基板１上に、光吸収層として、ＩｎＧａＡｓ圧縮歪量子井戸層の両側に、基板に格子整合するＩｎＡｌＡｓ障壁層を配したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層３を形成する構成とした。 - 特許庁

The light passing through the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, in light incident from the p-type diffusion region 32, is reflected to the i-type InGaAs photo-absorption 24 by the reflector layer 23, and a film thickness of the i-type InGaAs photo-absorption layer 24 may increase in appearance.例文帳に追加

ｐ型拡散領域３２より入射した光のうち、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４を通過した光は、反射鏡層２３によりｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４に反射され、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４の膜厚が見かけ上増加する。 - 特許庁

The electron transient layers comprise a first electron transit layer 97 made of electrically neutral InGaAs, a spike dope layer (second electron transit layer) 98 made of InGaAs doped with an impurity, and a third electron transit layer 99 made of electrically neutral InGaAs.例文帳に追加

電子走行層は、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる第１の電子走行層９７と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるスパイクドープ層（第２の電子走行層）９８と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる第３の電子走行層９９とから構成される。 - 特許庁

An InGaAs epitaxial layer is provided continuously between the optical semiconductor elements, and a part (more specifically, an aperture or a groove) for exposing a layer underlying the InGaAs epitaxial layer at least to a layer overlying the InGaAs epitaxial layer is provided.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。 - 特許庁

An n-type InGaAs layer 34 is provided on the first surface of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。 - 特許庁

As the semiconductor material, one of Ge, InGaAs, and InGaAsP is preferably used.例文帳に追加

半導体材料としては、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰのいずれかを用いるのが好ましい。 - 特許庁

The N--InGaAs light absorbing layer 3 generates light generation carriers while absorbing infrared rays.例文帳に追加

ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３は、赤外光を光吸収し光生成キャリアを発生する。 - 特許庁

A GaAs layer 4 is grown on an InGaAs layer 3 for forming a strained semiconductor layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３上にＧａＡｓ層４を成長させて歪系半導体層を形成する。 - 特許庁

To selectively etch an AlGaAs layer or a GaAs layer with respect to an InGaAs layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層またはＧａＡｓ層をＩｎＧａＡｓ層に対して選択的にエッチングする。 - 特許庁

The InGaAs layer 12 is a layer in which electrons can be excited by light having a wavelength of approximately 1.5 μm.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層１２は、波長１．５μｍ程度の光で電子が励起可能な層である。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF n-InGaAs SEMICONDUCTOR AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓ半導体及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

Each light receiving surface of the InGaAs photodiode 141 and the Si photodiode 142 is faced to the same side, and the InGaAs photodiode 141 is arranged on the surface of the Si photodiode 142.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓフォトダイオード１４１およびＳｉフォトダイオード１４２それぞれの受光面は同一側に向けられており、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード１４１はＳｉフォトダイオード１４２の面上に配置されている。 - 特許庁

Consequently, the diode can obtain the InGaAs active layer 105 prevented from being deteriorated and capable of emitting light having the central wavelength of the range of 0.95 to 1.2 μm, and the p-type GaAs window area layer 111 having fine crystal film quality.例文帳に追加

これにより、劣化のない０．９５μｍ以上かつ１．２μｍ以下の中心波長で発光するInGaAs活性層105と良好な結晶膜質を有するｐ型GaAsウインドウ領域層111が得られる。 - 特許庁

The n-type InGaAs layer 34 has a smaller bandgap than that of the n-type InP substrate 32.例文帳に追加

このｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４は、ｎ型ＩｎＰ基板３２のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ。 - 特許庁

The N-InAsP window layer 4 has larger band gap energy Eg than the N--InGaAs light absorbing layer 3.例文帳に追加

ｎ−ＩnＡsＰ窓層４は、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３に比してバンドギャップエネルギーＥ_gが大きい。 - 特許庁

InGaAs is formed to a layer t fill a hole formed by removing the dot by thermal etching.例文帳に追加

このドットを熱エッチングで取り除いて形成した孔を満たすようにInＧaＡsを層状成長させる。 - 特許庁

Finally, the LED layer is grown on the thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer.例文帳に追加

次に、ＬＥＤ層を薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層の上に成長させる。 - 特許庁

In one embodiment, an InGaAs or InGaP layer is grown stepwise on a GaAs substrate.例文帳に追加

一実施形態では、段階的ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板の上に成長させる。 - 特許庁