「InGaAs」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer.例文帳に追加

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。 - 特許庁

In a semiconductor laser using a semiconductor quantum well structure on an InP substrate as an active layer, a well layer contains any of InGaAsP, InAsP, or InGaAs not containing Sb, and a barrier layer contains InGaPSb or InGaAsPSb containing Sb.例文帳に追加

InP基板上の半導体量子井戸構造を活性層とする半導体レーザにおいて、井戸層にはSbを含まないInGaAsPまたはInAsPまたはInGaAsのいずれかを用い、障壁層にはSbを含むInGaPSbまたはInGaAsPSbのいずれかを用いる。 - 特許庁

To provide an InGaAs light-receiving element array which has photosensitivity in a wavelength region exceeding 1.7 μm, and a low dark current, and to provide its fabrication process and a detection apparatus using the InGaAs light-receiving element array.例文帳に追加

１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法およびそのＩｎＧａＡｓ受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。 - 特許庁

A p-type InGaAs contact layer 30 is laminated on the waveguide and InP layers 40.例文帳に追加

活性層導波路とＦｅドープＩｎＰ層４０との上には、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０が積層される。 - 特許庁

The N--InGaAs light absorbing layer 3 is larger in lattice constant than the InP substrate 1 by 1% or more.例文帳に追加

ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３は、ＩnＰ基板１との間の格子定数差が１％以上大きい。 - 特許庁

By this setup, it is advantageous for an increase in the current density of the MOSFET that the potential well of the InGaAs channel layer is increased in depth.例文帳に追加

これにより、ＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さが深くなり高電流密度化に有利である。 - 特許庁

Optical layer thickness of the n-type InP layer 12a is larger than optical layer thickness of the n-type InGaAs layer 12b.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１２ａの光学層厚はｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの光学層厚より大きい。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is an InGaAs/InAlAs quantum cascade-type, and it emits a laser beam 31 of a wavelength of 9.6μm.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子カスケード型レーザであり、波長９．６μｍのレーザ光３１を放出する。 - 特許庁

A resonance tunnel diode has an emitter layer 92 made of InGaAs doped with an impurity, a first barrier layer 94 made of AlAs, a well layer 95 made of electrically neutral InGaAs, a second barrier layer 96 made of AlAs, electron transit layers 97 to 99, and a collector layer 100 made of InGaAs doped with an impurity.例文帳に追加

共鳴トンネルダイオードは、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるエミッタ層９２と、ＡｌＡｓからなる第１の障壁層９４と、電気的に中性なＩｎＧａＡｓからなる井戸層９５と、ＡｌＡｓからなる第２の障壁層９６と、電子走行層９７〜９９と、不純物がドープされたＩｎＧａＡｓからなるコレクタ層１００とを有する。 - 特許庁

The optical switch comprises an InP substrate 11, an InGaAs layer 12 that is a semiconductor layer formed on the InP substrate 11 by In_xGa_(1-x)As (0.45≤x≤1), a first electrode 13 provided on the InGaAs layer 12, and a second electrode 14 that is provided on the InGaAs layer 12 so that it opposes the first electrode 13.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板１１の上に、Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０．４５≦ｘ≦１）により形成された半導体の層であるＩｎＧａＡｓ層１２と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に設けられた第１の電極１３と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に、第１の電極１３と対向するように設けられた第２の電極１４とを備える。 - 特許庁

An active layer 14 of a quantum well structure is constructed on an InP board 11, using an InGaAs film having a tensile distortion as a barrier layer 14b and an InGaAs film having a compression distortion as a well layer 14w.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１１上に量子井戸構造の活性層１４を、障壁層１４ｂとして引張歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜、井戸層１４ｗとして圧縮歪みを有するＩｎＧａＡｓ膜を用いて構成する。 - 特許庁

In a highly effective single photon detector of wavelength of 1550 nm band, an InGaAs-APD having sensitivity in the neighborhood of wavelength of 1550 nm is operated by Geiger mode and in the process, the APD is cooled, and the APD is operated by a gate mode by GPQC.例文帳に追加

波長１５５０nm付近に感度を有するInGaAs-APDをガイガーモードで動作させ、その際に該APDを冷却し、かつ該APDをGPQCによってゲートモードで動作させるようにしたことを特徴とする、波長１５５０nm帯の高効率な単一光子検出器。 - 特許庁

Moreover, the small band gap layer 10 comprises a material, having oxidation resistance, e.g. GaAs or InGaAs.例文帳に追加

また、スモールバンドギャップ層１０を、耐酸化性を有する材料例えばＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓによって構成する。 - 特許庁

After that, epitaxial growth of a semiconductor film 36 (e.g. an InAs film or an InGaAs film) is performed in the trench 27.例文帳に追加

その後、半導体膜３６（例えば、ＩｎＡｓ膜又はＩｎＧａＡｓ膜）を溝２７内にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a reliable ohmic electrode formed on a compound semiconductor having InGaAs as the main component.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓを主成分とした化合物半導体上に形成された信頼性の高いオーミック電極を提供する。 - 特許庁

The n-type dopant is introduced so that the n-type semiconductor region 50 reaches an InGaAs semiconductor layer 34.例文帳に追加

ｎ型ドーパントは、ｎ型半導体領域５０がＩｎＧａＡｓ半導体層３４に到達するように導入される。 - 特許庁

Two InGaP spacer layers 14, 16 for preventing the diffusion of In atoms, contained in the i-InGaAs channel layer 5 to the n-AlGaAs carrier supply layer sides, are inserted between the i-InGaAs channel layer and the n-AlGaAs carrier supply layers 3, 7.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層３、７の間に、チャネル層のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのＩｎＧａＰスペーサ層１４、１６を挿入する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子のＧａＡｓ基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ超格子層を挿入する。 - 特許庁

The solution can be used to selectively etch AlGaAs layer or GaAs layer with respect to an InGaAs layer.例文帳に追加

この溶液により、ＡｌＧａＡｓ層またはＧａＡｓ層をＩｎＧａＡｓ層に対して選択的にエッチングすることができる。 - 特許庁

In each of the photodetectors 2a to 2d, an n-type InGaAs conductive layer, an n-type InP conductive layer, an i-type InGaAs optical absorption layer and an i-type InP window layer are laminated in order on the Fe-InP semi-insulating substrate 1.例文帳に追加

各受光素子２ａ〜２ｄにおいて、Ｆｅ−ＩｎＰ半絶縁性基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓ導電層、ｎ型ＩｎＰ導電層、光電変換するｉ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層、及びｉ型ＩｎＰ窓層が順に積層されている。 - 特許庁

Growth is discontinued before the supply of raw material is switched from InGaAs to GaInP, to be terminated at group III atom covering arsenic atom remaining in the surface of InGaAs crystal and trimethyl aluminum TMA alone is supplied.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ結晶の表面に残留している砒素原子を覆って III族原子で終端させるために、ＩｎＧａＡｓからＧａＩｎＰに原料の供給を切り替える前に成長中断を行い、トリメチルアルミニウムＴＭＡだけを供給するものである。 - 特許庁

A duty rate is continuously made smaller toward a rear edge part 26 in the neighborhood of the rear edge part 26 of the InGaAs diffraction grating 15.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ回折格子１５の後端部２６の近傍では、後端部２６に向かってデューティ比を連続的に小さくする。 - 特許庁

The p-type InGaAs contact layer 14 has: a Be-doping concentration of ≥7×10^18 cm^-3; and a thickness of <300 nm.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４は、Ｂｅドーピング濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上、厚みが３００ｎｍより薄い。 - 特許庁

A substrate produced by sequentially growing an undoped InGaAs layer, an n-type InP layer on an n-type InP substrate by MOVPE is employed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板上に、順次、アンドープＩｎＧａＡｓ層，ｎ型ＩｎＰ層をＭＯＶＰＥ法により成長した基板を用いた。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a high performance HBT wherein doping can be applied to an InGaAs base layer to provide a required acceptor concentration as the base layer, even when In is added to GaAs and the InGaAs base layer provides an excellent current amplification factor and an excellent high frequency characteristic.例文帳に追加

ＧａＡｓにＩｎを添加してもベース層として必要なアクセプタ濃度を示すＩｎＧａＡｓベース層へのドーピングが可能で、さらに該ＩｎＧａＡｓベース層によって電流増幅率および高周波特性に優れた高性能ＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

On an InP substrate 1, an N-containing InGaAs-based layer 3 is grown by an MBE method and then heat treatment is carried out between 600 to 800°C to set the average hydrogen concentration of the N-containing InGaAs-based layer 3 to be 2×10^17 number/cm^3 or lower by the heat treatment.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

Here, the floating layer 22 has a three-layer structure, comprising p-AlGaAs layer 31/i-InGaAs layer 32/p-AlGaAs layer 33.例文帳に追加

ここで、フローティング層２２をｐ−ＡｌＧａＡｓ層３１／ｉ−ＩｎＧａＡｓ層３２／ｐ−ＡｌＧａＡｓ層３３の３層構造に形成する。 - 特許庁

An InGaAs-APD is used as the APD 1, and a coupling distance L between the APD 1 and the SMF 2 is made 100 μm or less.例文帳に追加

また、ＡＰＤ１としてＩｎＧａＡｓ−ＡＰＤを用いるとともに、ＡＰＤ１とＳＭＦ２との結合距離Ｌを１００μｍ以下とする。 - 特許庁

On an n-type InP substrate 1, a multilayered structure consisting of an InGaAs light absorption layer 2 and an InP window layer 5 is formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の上には、ＩｎＧａＡｓ光吸収層２およびＩｎＰ窓層５を含む積層構造が形成されている。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device in which selective oxidation constriction structure is introduced into a substrate consisting of semiconductor crystal InGaAs of ternary mixed crystal.例文帳に追加

３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓからなる基板に、選択酸化狭窄構造を導入した光半導体装置を提供する。 - 特許庁

The photoelectric converter 4 consists of a buffer layer 14 containing InP, a photo detector layer 16 containing InGaAs, and a window layer 18 containing InP.例文帳に追加

光電変換部４は、ＩｎＰを含むバッファ層１４、ＩｎＧａＡｓを含む受光層１６、及びＩｎＰを含む窓層１８を含む。 - 特許庁

Two InGaAs quantum well layers 5A and 5B are different in light-emitting peak wavelengths from each other by 50 nm or more to 120 nm or less.例文帳に追加

そして、二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下となっている。 - 特許庁

Irregularities on the surface are suppressed by doping C dopant to a contact layer 16 of III-V compound semiconductor, i.e., InGaAs.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６にＣドーパントをドーピングすることにより、表面の凹凸が減少する。 - 特許庁

A semiconductor device having a photo-refractive effect or optical switching function comprises an AlGaAs/GaAs compound semiconductor or InGaAs/GaAs compound semiconductor.例文帳に追加

また、フォトリフラクティブ効果または光スイッチ機能を有する半導体デバイスが当該ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系化合物半導体薄膜を備える。 - 特許庁

To decrease a dark current by reducing an InGaAs photodetection layer in As concentration and improving an InP window layer in crystallinity at the same time.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ受光層でのＡｓ抜け低減と、ＩｎＰ窓層での結晶性の向上との両立により、暗電流を低減することができるようにする。 - 特許庁

In another embodiment, a strained (compressed) very thin InGaP, InGaAs or AlInGaP layer is grown on a GaAs substrate.例文帳に追加

別の実施形態では、歪んだ（圧縮された）非常に薄いＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、又はＡｌＩｎＧａＰ層をＧａＡｓ基板上に成長させる。 - 特許庁

To increase efficiency in a multijunction solar cell by adjusting the Al composition ratio of an (Al)InGaP cell in three multijunction solar cells of InGaP/InGaAs/Ge.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの３接合太陽電池において、（Ａｌ）ＩｎＧａＰセルのＡｌ組成比を調整して多接合太陽電池の効率の向上を図ること。 - 特許庁

To increase the potential well of an InGaAs channel layer in depth to improve a MOSFET in current density when InGaP is used for a Schottky layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＰをショットキー層に用いる場合におけるＩｎＧａＡｓチャネル層のポテンシャル井戸深さを深くして、ＭＯＳＦＥＴの高電流密度化を図る。 - 特許庁

To suppress surface irregularities of an epitaxial wafer in a III-V compound semiconductor element using InGaAs in a contact layer.例文帳に追加

コンタクト層にＩｎＧａＡｓを使用したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子におけるエピタキシャルウェハの表面の凹凸を小さくすることを可能とする。 - 特許庁

The active layer of the semiconductor laser element 220 has a quantum well structure comprised of a well layer made of InGaAs and barrier layers pinching the well layer.例文帳に追加

上記半導体レーザ素子２２０の活性層は、ＩnＧaＡsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。 - 特許庁

Since carriers, produced in the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, pass through the reflector layer 23 as it is, an effect on a photo-response rate does not occur.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４で発生したキャリアは、反射鏡層２３をそのまま通過するため光応答速度への影響は発生しない。 - 特許庁

A degree of lattice defect Δa/a of the InGaAs contained in the photo detector layer 16 and the InP is controlled to not less than 0.1% nor more than 0.25%.例文帳に追加

受光層１６に含まれるＩｎＧａＡｓと上記のＩｎＰの格子不整度Δａ／ａは、０．１％以上０．２５％以下の間で調整されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

The level of integration of a semiconductor optoelectronic device is improved by the semiconductor cap layer, such as an InGaAs cap layer having a thickness of ≤200 nm together with the pure metal layer and, in addition, fewer impurities are introduced in the formation of an ohmic contact than with prior art alloy contacts.例文帳に追加

本発明では、厚さ200nm以下のInGaAs保護膜層のような半導体保護膜層を厚さ10nm以下の極薄の純金属層と共に用いて、これにより半導体光電子デバイスの集積レベルを向上させると共に、オーミック接触の形成において従来法の合金接触よりも少量の不純物が導入されるに過ぎない。 - 特許庁