「MOS FET」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To actualize a deep trench MOS FET which is high in breakdown voltage and is reducible in ON resistance.例文帳に追加

耐圧が高く、オン抵抗のより低減化が可能なディープトレンチMOS FETを実現する。 - 特許庁

A short circuit unit 23 short circuits the gate circuit of the MOS-FET, when the MOS-FET switching unit 21 is at off operation.例文帳に追加

短絡部２３はＭＯＳ・ＦＥＴスイッチ部２１のオフ動作時にこのゲート回路を短絡する。 - 特許庁

By using actually measured data for which thresholds to a plurality of the MOS FETs of different gate lengths manufactured under the same process condition are actually measured and the analysis model of the threshold of the MOS FET, the impurity density distribution within the substrate of the channel surface of the MOS FET is calculated.例文帳に追加

同一プロセス条件で製造されたゲート長の異なる複数のMOS FET に対する閾値を実測した実測データとMOS FET の閾値の解析モデルを用いて、MOSFET のチヤネル表面の基板内不純物濃度分布を算出する。 - 特許庁

MOS/FET POWER AMPLIFICATION CIRCUIT FOR AUDIO例文帳に追加

オーディオ用ＭＯＳ・ＦＥＴ電力増幅回路 - 特許庁

SWITCHING MOS-FET DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

スイッチングＭＯＳ−ＦＥＴドライブ回路 - 特許庁

REVERSE FLOW PREVENTION CIRCUIT USING MOS-TYPE FET例文帳に追加

ＭＯＳ型ＦＥＴを用いた逆流阻止回路 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MOS TYPE FET例文帳に追加

ＭＯＳ型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To easily execute the extraction of impurity density distribution at a high speed from the electric characteristics of a MOS FET at the time of extracting the impurity density distribution in the horizontal direction of the channel surface of the MOS FET.例文帳に追加

MOS FET のチヤネル表面の横方向における不純物濃度分布を抽出する際、MOS FET の電気的特性から不純物濃度分布の抽出を高速かつ簡便に実行する。 - 特許庁

VERTICAL DOUBLE DIFFUSION MOS FET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型二重拡散ＭＯＳＦＥＴとその製造方法 - 特許庁

If the MOS structure is a MOS- FET, then a metal contact is formed in the conventional manner.例文帳に追加

もし、ＭＯＳ構造がＭＯＳ−ＦＥＴなら、従来の方式で金属接触が形成される。 - 特許庁

The MOS FET 3 is brought to a discontinuity state by the transistor 9 in the case of the application of reverse polarity, and the MOS FET 3 is turned off.例文帳に追加

逆極性印可時にはトランジスタ９によりＭＯＳ ＦＥＴ３を非導通にして、ＭＯＳＦＥＴ３をオフとする。 - 特許庁

MOS-FET DRIVE CIRCUIT, DRIVER CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR TESTING DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ駆動回路、ドライバ回路及び半導体試験装置 - 特許庁

This drain current is copied by the MOS-FET 31.例文帳に追加

このドレイン電流はＭＯＳ−ＦＥＴ３１にコピーされる。 - 特許庁

To obtain a vertical double diffusion MOS FET which has a stable quality.例文帳に追加

品質の安定した縦型二重拡散ＭＯＳＦＥＴを得る。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 has a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁

The switching transistor 406a is an N-channel MOS-FET.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ４０６ａは、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴとする。 - 特許庁

A drain voltage of a MOS-FET 2 is detected, and when the abnormality exists in the drain voltage of the MOS-FET 2, the MOS-FET 2 is disconnected by turning on a protection transistor 3, and the supply of power to the load 1 is blocked.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン電圧を検出し、ＭＯＳ−ＦＥＴ２のドレイン電圧に異常があると、保護トランジスタ３をオンさせて、ＭＯＳ−ＦＥＴ２を遮断し、負荷１への電源の供給を遮断する。 - 特許庁

The switching speed of the MOS-FET is higher than that of the thermal permanent current switch 20, and the resistance value of the MOS-FET drops when the MOS-FET is parallelized or cooled.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴは、熱式永久電流スイッチ２０よりもスイッチング速度が速く、かつ、並列化されたり冷却されたりすると抵抗値が低下する。 - 特許庁

An air layer A is formed between a MOS type FET 11 having a large heating value and an electrolytic capacitor 12 which is easily influenced by heat generated from the MOS type FET 11 to reduce heat to be transmitted from the MOS type FET 11 to the electrolytic capacitor 12.例文帳に追加

更に、発熱量の大きなＭＯＳ型ＦＥＴ１１と、このＭＯＳ型ＦＥＴ１１が発する熱の影響を受け易い電解コンデンサ１２と、の間に空気層Ａを介在させて、ＭＯＳ型ＦＥＴ１１から電解コンデンサ１２へ伝達する熱を低減させた。 - 特許庁

The source (or the drain) of the MOS-FET (Q11) is connected to a second terminal T2.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑ11）のソース（あるいはドレイン）が第２の端子Ｔ2に接続される。 - 特許庁

A drive circuit by MOS-FET is constituted, and a bias current is set in about 0.1 mA.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴによる駆動回路を構成し、バイアス電流を０．１ｍＡ程度とする。 - 特許庁

A N-channel MOS-FET is used for a switching transistor 406a of a connection switching means 406.例文帳に追加

接続切換手段４０６のスイッチングトランジスタ４０６ａはＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴとする。 - 特許庁

A MOS- type FET can be formed in either of the regions 12 and 14.例文帳に追加

ＭＯＳ形ＦＥＴは領域１２および領域１４のいずれにおいても形成が可能である。 - 特許庁

The MOS-FET Q3 and Q4 have a trench structure and a low on-state resistance.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴＱ3，Ｑ4は、トレンチ構造を有しており低オン抵抗である。 - 特許庁

The series circuit of the MOS-FET and a capacitor is connected to the base of a switching element.例文帳に追加

そしてＭＯＳ−ＦＥＴとコンデンサの直列回路をスイッチング素子のベースに接続する。 - 特許庁

During normal operation, MOS type FETs 14, 15 are turned on and off by synchronization with the switching of MOS-type FET 2.例文帳に追加

通常の動作時には、ＭＯＳ型ＦＥＴ２のスイッチングに同期して、ＭＯＳ型ＦＥＴ14，15をオン，オフさせる。 - 特許庁

A collection electrode 19 collecting ions is connected to a gate terminal of a p-MOS type FET 181 via a rectifier diode 182, and direct current voltage is impressed to a drain terminal of the p-MOS type FET 181.例文帳に追加

イオンを捕集するための捕集電極１９は、整流用のダイオード１８２を介してｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のゲート端子に接続され、ｐ−ＭＯＳ型ＦＥＴ１８１のドレイン端子には直流電圧が印可される。 - 特許庁

When MOS FET 11 is in the on-state, a current flows through a path passing a primary coil 2 and a MOS FET 11 from the drive power supply, and electromagnetic energy is accumulated in the primary coil 2 of the flyback transformer 1.例文帳に追加

ＭＯＳ ＦＥＴ１１のオン時に駆動電源３から一次コイル２、ＭＯＳ ＦＥＴ１１を通る経路で電流を流し、フライバックトランス１の一次コイル２に電磁エネルギを蓄積する。 - 特許庁

To provide an MOS-FET amplifier circuit with sufficient amplifying functions by keeping the drain current of an MOS-FET for amplification optimal so as not to be changed over aging.例文帳に追加

増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴのドレイン電流を経時変化を受けないように最適に保ち増幅機能を十分に発揮できるＭＯＳ−ＦＥＴ増幅回路を提供する。 - 特許庁

To provide a controller of an electric power steering apparatus that can determine the failure of a parasite diode and reliably detect the failure of MOS-FET even when a MOS-FET is used for a power supply relay.例文帳に追加

電源リレーにＭＯＳ−ＦＥＴを使用した場合でも、寄生ダイオードの故障判別ができ、ＭＯＳ−ＦＥＴの故障を確実に検出できる電動パワーステアリング装置の制御装置を提供する。 - 特許庁

This MOS-FET amplifier circuit 200 amplifies an input signal by an amplifying MOS-FET 1 which has an operation point set by a drain current flowing between a source and a drain in the case of no-input.例文帳に追加

この発明のＭＯＳ−ＦＥＴ増幅回路２００は、無入力時にソース−ドレイン間に流れるドレイン電流によって動作点が設定される増幅用ＭＯＳ−ＦＥＴ１により、入力信号を増幅する。 - 特許庁

Moreover, a control means (4) is also provided to detect, when the main switch S1 turns OFF and the MOS-FET for synchronous rectification turns ON, that the MOS-FET is in the ON state and controls the main switch to be maintained in the OFF state.例文帳に追加

そして、主スイッチＳ１がオフし、同期整流用ＭＯＳ−ＦＥＴがオンした時、該ＭＯＳ−ＦＥＴがオンしていることを検出して、主スイッチがオフ状態を維持するように制御を行う制御手段 を備えた。 - 特許庁

This switching controller SC is formed so that MOS-FET packages 50L, 50S may turn on/off power supply to a large-current load LL and a small-current load LS by means of an ON/OFF signal outputted by a MOS-FET controlling means 30.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ制御手段３０が出力するオン／オフ信号によって、電力素子であるＭＯＳ−ＦＥＴパッケージ５０Ｌ，５０Ｓは、大電流用負荷ＬＬと小電流用負荷ＬＳへの電力供給をオン／オフする。 - 特許庁

Since high-temperature operation of the MOS-FET (4) is switched to operation in the safe operating region of lowered detection voltage, deterioration in the characteristics or breakdown of the MOS-FET (4) can be prevented at high-temperature operation.例文帳に追加

これにより、高温動作時のＭＯＳ-ＦＥＴ(4)が低下した安全動作領域内での動作に切り換わるので、高温動作時におけるＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の特性劣化や破壊を防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which stress can be imparted suitably for each of an n-type MOS-FET and a p-type MOS-FET while suppressing an increase in the number of processes and an influence on previous and following processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

工程数の増加や前後のプロセスへの影響を抑えて、ｎ型ＭＯＳ−ＦＥＴ、ｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴのそれぞれに適する応力を付与することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A MOS-FET is connected in parallel to a diode constituting a step-up chopper circuit, and means is provided which turns the MOS-FET on when a switching element of the step-up chopper circuit remains off.例文帳に追加

昇圧チョッパ回路を構成するダイオードに並列にＭＯＳ−ＦＥＴを並列に接続し、昇圧チョッパ回路のスイッチング素子がオフしている期間に、ＭＯＳ−ＦＥＴをオンする手段を設けた。 - 特許庁

A predriver 10 turns on/off a P channel MOS-FET 11 with the duty to output a drive signal turning off an N channel MOS-FET 12.例文帳に追加

プリドライバ１０は、ＰチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１を上記デューティでオン／オフさせ、ＮチャネルＭＯＳ−ＦＥＴ１２をオフさせる駆動信号を出力する。 - 特許庁

A MOS-FET amplifier circuit 100 amplifies an input signal by MOS-FET 103 where an operation point is set by idling current Ido.例文帳に追加

この発明のＭＯＳ−ＦＥＴ増幅回路１００は、アイドリング電流Ｉｄｏによって動作点が設定されるＭＯＳ−ＦＥＴ１０３により、入力信号を増幅する。 - 特許庁

At the same time, the gate charge of the MOS-FET (U2) is discharged through resistors 32, 30 and a collector-emitter of the transistor 31 to lower the gate voltage, and thereby turning off the MOS-FET (U2) in a short time.例文帳に追加

同時に、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｕ２）のゲート電荷は抵抗３２，３０，トランジスタ３１のコレクタ−エミッタを通して放電されることによってゲート電圧が低下し、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｕ２）を短時間でオフできる - 特許庁

At that time, a control unit 11 tends to expand a continuity width of a pulse supplied to a MOS-FET 7 to its maximum and a voltage generated between both terminals of the MOS-FET 7 is elevated over a normal voltage fluctuation range.例文帳に追加

このとき制御部11は、ＭＯＳ型ＦＥＴ７へのパルス導通幅を最大にまで広げようとし、ＭＯＳ型ＦＥＴ７の両端間に発生する電圧が通常の電圧変動範囲を超えて上昇する。 - 特許庁

To provide an electric power steering device surely stopping the operation of a MOS-FET of a motor drive circuit, even if a protector of the MOS-FET of the motor drive circuit is defective.例文帳に追加

モータ駆動回路のＭＯＳ−ＦＥＴの保護手段が異常となっても、モータ駆動回路のＭＯＳ−ＦＥＴの動作を確実に停止できる電動パワーステアリング装置を提供する。 - 特許庁

When the MOS-FET 12 is turned off, energy being accumulated in the choke coil 16 is outputted to the load side terminal 26 while charging the capacitor 24 via a current detection resistor 32 and a MOS-FET 18.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ１２がオフされると、チョークコイル１６に蓄積されたエネルギーが電流検出抵抗３２、ＭＯＳ−ＦＥＴ１８を経由してコンデンサ２４を充電しながら負荷側端子２６へ出力される。 - 特許庁

A gate of one MOS-FET in the first and second MOS-FET is connected to a circuit ground, a negative fixed voltage with a potential resulting from dividing the power supply voltage with resistance as a reference is applied to the gate of the other transistor, and ON resistance of these two MOS-FET is used as input resistance and feedback resistance of the operational amplifier.例文帳に追加

前記第１及び第２のＭＯＳ−ＦＥＴの一方のＭＯＳ−ＦＥＴのゲートは回路グランドに接続し、他方のトランジスタのゲートには前記電源電圧を抵抗で分割した電位を基準とした負の固定電圧を印加し、これら２つのＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗をそれぞれ演算増幅器の入力抵抗及び帰還抵抗として用いる。 - 特許庁

The abnormality detection device for the voltage driving element 1 for detecting the abnormality of an MOS-FET 10 comprises an abnormality detection means 6 which detects waveform of a gate voltage applied to the MOS-FET 10 in pulses through a resistor 3 at both sides of the resistor 3, and detects the abnormality of the MOS-FET 10 based on the detected waveforms.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴ１０の異常を検出するための電圧駆動素子の異常検出装置１であって、ＭＯＳ−ＦＥＴ１０に抵抗３を介してパルス状に印加されたゲート電圧の波形を抵抗３の両側でそれぞれ検出するとともに、検出した波形に基づき、ＭＯＳ−ＦＥＴ１０の異常を検出する異常検出手段６を備える。 - 特許庁

An MOS/FET switch part 19 controls the on/off of the AC power source supplied to the load 1, in the vicinity of zero potential by the switching signal.例文帳に追加

ＭＯＳ・ＦＥＴスイッチ部１９はその切換信号によって負荷１へ供給する交流電源をゼロ電位付近でオンオフ制御する。 - 特許庁