「MOSFET current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To control both of a charging current and a discharging current with one MOSFET.例文帳に追加

ひとつのＭＯＳＦＥＴで充電電流と放電電流の両方をコントロールする。 - 特許庁

The monitor unit includes an N-type MOSFET for leak current cancellation which adds a source-drain current to the drain of the monitor N-type MOSFET when a gate and a source of the N-type MOSFET for leak current cancellation have substantially equal potential.例文帳に追加

モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 - 特許庁

The infrared sensor comprises a MOSFET sensor 3 and a current source MOSFET 5 which is connected to the MOSFET sensor 3 in series between a power source Vdd and a ground GND.例文帳に追加

電源ＶｄｄとグランドＧＮＤの間にセンサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５が直列に接続されている。 - 特許庁

The MOSFET sensor 3 and the current source MOSFET 5 are the same conductivity type MOSFET, which operates in a subthreshold region.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。 - 特許庁

A thyristor withstands an excessive current since the maximum rated current is larger than that of the MOSFET, so in case that an excessive current continues, a fuse 2 blows off to break the current before the thyristor breaks down.例文帳に追加

サイリスタはMOSFETよりも最大定格電流が大きいので過大電流に耐え、過大電流が継続した場合にはサイリスタが破損する前にヒューズ２が溶断して電流を遮断する。 - 特許庁

The rush-current suppression circuit is provided with a Zener diode D4, which decides the operation (ON/OFF) of a MOSFET Q2 according to the charging state of the input capacitor Cin.例文帳に追加

入力コンデンサCinの充電状況によりMOSFET Q2の動作(ON/OFF)を決定するツェナーダイオードD4を備える - 特許庁

To automate extraction, verification, and display of MOSFETs constituting a current mirror circuit.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成するMOSFETの抽出、検証、表示を自動化する。 - 特許庁

The current sensing circuit comprises a first circuit coupled to the power MOSFET for sensing the current through the power MOSFET in the saturated region of operation of the power MOSFET and a second circuit coupled to the power MOSFET for sensing the current through the MOSFET in the MOSFET's linear region of operation.例文帳に追加

電流センス回路は、パワーＭＯＳＦＥＴに結合しパワーＭＯＳＦＥＴの飽和動作領域でパワーＭＯＳＦＥＴを流れる電流をセンスする第１回路と、パワーＭＯＳＦＥＴに結合しＭＯＳＦＥＴの線形動作領域でＭＯＳＦＥＴを流れる電流をセンスする第２回路とを備える。 - 特許庁

To demonstrate the performance of a p-type MOSFET to the maximum extent while controlling the leakage current of an n-type MOSFET in a semiconductor device provided with the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのリーク電流を抑制しつつ、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴの性能を最大限に発揮させる。 - 特許庁

A terminal between the MOSFET sensor 3 and the current source MOSFET 5 constitutes a sensor output terminal Vout.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５の間の端子がセンサー出力端子Ｖｏｕｔを構成する。 - 特許庁

To provide a method for detecting a current of a DC-DC converter for detecting the current by using a protective MOSFET switched on in a normal time, and to provide the DC-DC converter.例文帳に追加

常時スイッチオンしている保護用のMOSFETを用いて、電流検出を行うDC・DCコンバータの電流検出方法およびそのDC・DCコンバータを提供する。 - 特許庁

A P-MOSFET M1 is always conductive by its bias voltage and a current Icc corresponding to a current flowing to the P-MOSFET M1 is supplied to an amplifier 3.例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳＦＥＴＭ１は、バイアス電圧により常にオンし、これに流れる電流に対応した電流Ｉｃｃを増幅器３に供給する。 - 特許庁

When a current is applied to an MOSFET 7, the current flows through an MOSFET 13 and a resistor 15 and a voltage is generated in the resistor 15.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ７に電流が流れると、ＭＯＳＦＥＴ１３および抵抗１５を通して電流が流れ、抵抗１５に電圧が発生する。 - 特許庁

To provide a current sensing circuit for sensing the current through a power MOSFET in both the linear and saturated regions of operation of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの線形および飽和の両方の動作領域でパワーＭＯＳＦＥＴを流れる電流をセンスする電流センス回路を提供する。 - 特許庁

A power supply voltage V_CC is applied to a first current terminal of the first MOSFET 11 and a first current terminal of the second MOSFET 13.例文帳に追加

第１ＭＯＳ型ＦＥＴ１１の第１の電流端子及び第２ＭＯＳ型ＦＥＴ１３の第１の電流端子に電源電圧Ｖ_ＣＣが印加される。 - 特許庁

A current mirror circuit is composed of a second MOSFET and a third MOSFET each of a second conductivity type which are provided on the side of a second voltage, and an output current corresponding to the drain current of the first MOSFET is generated.例文帳に追加

第２電圧側に設けられた第２導電型の第２ＭＯＳＦＥＴと第３ＭＯＳＦＥＴで電流ミラー回路を構成し、上記第１ＭＯＳＦＥＴのドレイン電流に対応した出力電流を形成する。 - 特許庁

The display driving circuit comprises an output MOSFET for forming the display voltage, a sense MOSFET of which the gate and source are connected to the output MOSFET, and a current sense circuit for extracting a difference between a drain current of the sense MOSFET and a prescribed current.例文帳に追加

上記表示駆動回路は、上記表示電圧を形成する出力ＭＯＳＦＥＴと、上記出力ＭＯＳＦＥＴとゲート及びソースが接続されたセンスＭＯＳＦＥＴと、上記センスＭＯＳＦＥＴのドレイン電流と所定の基準電流との差分を取り出す電流センス回路とを有する。 - 特許庁

The first MOSFET, a current mirror-type second MOSFET, and a third MOSFET which is provided in series between a drain of the second MOSFET and an output terminal and to which a current corresponding to the input current flows, are provided to constitute the current mirror circuit.例文帳に追加

上記第１ＭＯＳＦＥＴと電流ミラー形態にされた第２ＭＯＳＦＥＴと、上記第２ＭＯＳＦＥＴのドレインと出力端子との間に直列形態に設けられ、上記入力電流に対応した電流が流れるようにされた第３ＭＯＳＦＥＴを設けて電流ミラー回路を構成する。 - 特許庁

A current limiting circuit limiting a current flowing through the power MOSFET by receiving an output signal from a current detecting means detecting the current flowing through the power MOSFET is fitted between the gate for the power MOSFET and the second terminal.例文帳に追加

上記パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検出する電流検出手段の出力信号を受けて上記パワーＭＯＳＦＥＴに流れる電流を制限する電流制限回路を上記パワーＭＯＳＦＥＴのゲートと上記第２端子との間に設ける。 - 特許庁

To realize a rush current prevention circuit employing an N-channel MOSFET.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを用いて突入電流防止回路を実現する。 - 特許庁

CURRENT SENSING FOR POWER MOSFET OPERABLE IN LINEAR AND SATURATED REGIONS例文帳に追加

線形および飽和領域で動作可能なパワーＭＯＳＦＥＴ用電流センス - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

As a result, a gate voltage of the MOSFET 24 drops and the MOSFET becomes the OFF state and the driving current A4 is cut off.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ２４のゲート電圧が下がり、ＭＯＳＦＥＴ２４がオフ状態になり駆動電流Ａ４が遮断される。 - 特許庁

The property of the MOSFET sensor 3 and the property of the current source MOSFET 5 substantially equally change relative to the change in the ambient temperature.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は周囲温度変化に対して特性がほぼ等しく変化する。 - 特許庁

The semiconductor element for controlling a current 100 includes: a MOSFET 100H; two constant current sources Ic1 and Ic2; and a current detecting circuit 120 for detecting a current of the MOSFET and a current of the constant current sources on an identical semiconductor chip.例文帳に追加

電流制御用半導体素子１００は、同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴ１００Ｈと、２つの定電流源Ｉｃ１，Ｉｃ２と、ＭＯＳＦＥＴの電流および定電流源の電流を検出する電流検出回路１２０とを備える。 - 特許庁

A semiconductor element 1 for current control has a main MOSEFT 7 for driving current on the same semiconductor chip, and a sense MOSFET 8 which is connected to the main MOSFET 7 in parallel and distributes current of the main MOSFET to perform current detection.例文帳に追加

電流制御用半導体素子１は、同一半導体チップ上に、電流を駆動するメインＭＯＳＦＥＴ７と、メインＭＯＳＦＥＴ７に並列に接続し、メインＭＯＳＦＥＴの電流を分流して電流検出を行うためのセンスＭＯＳＦＥＴ８とを有する。 - 特許庁

The monitor unit includes a current source 12B and a monitor N-type MOSFET 11B.例文帳に追加

モニタ部は、電流源１２Ｂ及びモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１Ｂを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of detecting the operating current and diode current of a MOSFET in the fine MOSFET, in a trench gate type, or the like.例文帳に追加

トレンチゲート型などの微細ＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの動作電流とダイオード電流を検出することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

The N-type MOSFET 2 having a same current-voltage characteristic as the MOSFET in the controlled circuit 5 converts a sub-threshold leakage current to a voltage VB of the contact B.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２は、被制御回路５のＭＯＳＦＥＴと同じ電流−電圧特性を有し、サブスレショールドリーク電流を接点Ｂの電圧ＶＢに変換する。 - 特許庁

If the voltage level passes a threshold voltage VT of the fourth P-MOSFET 19, drain current flows and increases the gate voltage of the first P-MOSFET 6, which limits the load current.例文帳に追加

第４Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１９の閾値電圧ＶＴを超えるとドレイン電流が流れ、第１Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ６のゲート電圧が上昇し負荷電流を制限する。 - 特許庁

To make uniform a current flowing to a MOSFET constituting a power semiconductor.例文帳に追加

パワー半導体を構成するＭＯＳＦＥＴに流れる電流を均一化させる。 - 特許庁

To solve such a problem that in a solenoid current control device including a high-side MOSFET for turning ON/OFF a voltage and a low-side MOSFET for current return, a current measuring circuit is required for each of the high-side MOSFET and the low-side MOSFET in order to measure both currents when driving the solenoid and during the current return, thereby increasing costs and heat generation.例文帳に追加

電圧をオン，オフするハイサイドＭＯＳＦＥＴと、電流還流用のローサイドＭＯＳＦＥＴを備えるソレノイド電流制御装置において、ソレノイド駆動時と還流時の両電流を測定するために、ハイサイドＭＯＳＦＥＴとローサイドＭＯＳＦＥＴの両方に電流測定回路が必要となり、コストや発熱が増大する。 - 特許庁

The control voltage VDRV to a P channel MOSFET driving circuit 12 is provided with an amplitude of almost equal to potential width |VDD-VSS| of an external power supply voltage by the operation of the cross coupling type amplifier circuit 14 and the P channel MOSFET driving circuit 12 has the high load current ability.例文帳に追加

ＰチャネルMOSFET駆動回路１２への制御電圧（VDRV）は、前記交差結合型アンプ回路１４の動作により、ほぼ外部電源電圧の電位幅｜VDD—VSS｜の振幅を得て、ＰチャネルMOSFET駆動回路１２は大負荷電流能力を持つ。 - 特許庁

To reduce a leak current in an MOSFET connected between a pad and the ground.例文帳に追加

パッドと接地間に接続されるＭＯＳＦＥＴにおけるリーク電流を減少させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a MOSFET having a high current driving ability.例文帳に追加

電流駆動能力が高いＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a drain current I_OUT1 of a second MOSFET 2 and a sum value I_OUT2 of a drain current of a third MOSFET 3 and a drain current of a fourth MOSFET 4 is equal to each other, temperature is detected on the basis of an output voltage V_OUT of a transistor circuit.例文帳に追加

第２のＭＯＳＦＥＴ２のドレイン電流Ｉ_OUT1と、前記第３のＭＯＳＦＥＴ３のドレイン電流と第４のＭＯＳＦＥＴ４のドレイン電流の合計値Ｉ_OUT2が等しくなるときに、前記トランジスタ回路の出力電圧Ｖ_OUTから温度を検知する。 - 特許庁

A current mirror circuit 1A comprises a first MOSFET 11, a second MOSFET 13, a third MOSFET 15, a first operational amplifier 20, a second operational amplifier 22, an input terminal, and a detection terminal from which a current corresponding to a current input is output.例文帳に追加

カレントミラー回路１Ａは、第１ＭＯＳ型ＦＥＴ１１、第２ＭＯＳ型ＦＥＴ１３及び第３ＭＯＳ型ＦＥＴ１５と、第１オペアンプ２０及び第２オペアンプ２２と、入力端と、電流入力に応じた電流を出力する検出端と、を備える。 - 特許庁

From the joint of the sub-battery 31 and the power MOSFET 35, a sense MOSFET 43 shunts the current at a specified ratio and on/off control or chopping control of the power MOSFET 35 is performed by detecting the current shunted by the sense MOSFET 43.例文帳に追加

サブバッテリ３１とパワーＭＯＳＦＥＴ３５との接続点から、センスＭＯＳＦＥＴ４３で所定の分流比で分流を行い、このセンスＭＯＳＦＥＴ４３で分流された電流を検出することで、パワーＭＯＳＦＥＴ３５のオンオフ制御やチョッピング制御を行う。 - 特許庁

The efficiency of the amplifier is also improved since a current flowing into the current monitoring MOSFET flows through the speaker.例文帳に追加

電流モニタリングＭＯＳＦＥＴに流れる電流もスピーカを通じて流れるので、増幅器の効率も改善される。 - 特許庁

The MOSFET sensor 3 is disposed on a heat-insulated structure 1, and the current source MOSFET 5 is disposed outside the heat-insulated structure 1.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３は断熱構造体１上に配置され、電流源ＭＯＳＦＥＴ５は断熱構造体１の外部に配置されている。 - 特許庁

Therefore, current by the body diode of the third MOSFET 5 will not flow, because the current flows in the order of a chalk coil 6, a smoothing capacitor 7, the second MOSFET 4, and a transformer 3.例文帳に追加

この結果、チョークコイル６→平滑コンデンサ７→第２ＭＯＳＦＥＴ４→トランス３のルートで電流が流れるため、第３ＭＯＳＦＥＴ５のボディダイオードによる電流が流れることはない。 - 特許庁

When an ignition switch 3 is turned on, an electric current ID1 flows from a battery 2 to an MOSFET 33 through a resistor 23 and in response thereto, an electric current ID2 also flows through an MOSFET 34.例文帳に追加

イグニッションスイッチ３がオンすると、バッテリ２から抵抗２３を通してＭＯＳＦＥＴ３３に電流ＩD1が流れ、それに応じてＭＯＳＦＥＴ３４にも電流ＩD2が流れる。 - 特許庁

A power MOSFET for switching on and off a load current of a load connected to the drain, and a MOSFET for receiving a fed constant current at the drain as a reference for detecting the current, are wired in the source-common and drain-common connection to form a current mirror circuit.例文帳に追加

ドレインに接続された負荷の負荷電流を開閉するパワーＭＯＳＦＥＴと、電流検出の基準となる定電流の供給をドレインに受けるＭＯＳＦＥＴとをソース共通、ドレイン共通に接続してカレントミラー回路を構成する。 - 特許庁

The control circuit 30 reduces the time during which a current flows back to the MOSFET 141 by turning off the MOSFET 141, to prevent breakdown of the MOSFET 18.例文帳に追加

制御回路３０は、ＭＯＳＦＥＴ１４１をオフにすることによって、電流がＭＯＳＦＥＴ１４１を逆流する時間を短くすることができ、ＭＯＳＦＥＴ１８の破壊を防止することができる - 特許庁

To provide a vertical MOSFET which can have a larger current and a higher breakdown voltage, by circumventing concentrations of electric field concentration and current, even when the cells of the MOSFET having a vertical structure are integrated highly, and to provide a manufacturing method of the vertical MOSFET.例文帳に追加

縦型構造のＭＯＳＦＥＴにおいてセルの高集積化を図った場合でも電界集中および電流集中を回避して大電流化および高耐圧化を図ることができるＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁