「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure apparatus irradiates a workpiece W with a light beam of exposure light from an illumination optical system 160 through a mask M, and transfers a pattern Pa of the mask M to the workpiece W.例文帳に追加

露光装置は、照明光学系１６０からの露光光の光束をマスクＭを介してワークＷに照射し、マスクＭのパターンＰａをワークＷに転写する。 - 特許庁

To provide a management method of an EUV exposure mask and an exposure method which can judge adequately the cleansing period of an EUV exposure mask and which can contribute to improvement of a pattern transfer precision and throughput improvement of an exposure equipment.例文帳に追加

ＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を適切に判定することができ、パターン転写精度の向上及び露光装置のスループット向上に寄与する。 - 特許庁

The exposure system is equipped with a lighting system (1 to 9) illuminating a mask (M), and a projection optical system (PL) which projects the image of a pattern provided on the mask (M) onto a photosensitive substrate (W) for exposure.例文帳に追加

マスク（Ｍ）を照明する照明系（１〜９）と、マスクのパターン像を感光性基板（Ｗ）上に投影露光する投影光学系（ＰＬ）とを備えた露光装置。 - 特許庁

While adjusting the temperature of the mask holding part 5 and/or that of the substrate holding part 3, the mask pattern is transferred to the surface of the substrate 2 by exposure by light emitted from a light source 9.例文帳に追加

マスク保持部５及び／又は基板保持部３の温度を調整しつつ、光源９から照射された光により、マスクパターンを基板２の表面に露光する。 - 特許庁

Further, the print mask to be set on the substrate is extended so that the size of the aperture pattern forming area of the print mask 2 is adjusted to the size of the print object area in the substrate.例文帳に追加

また、印刷マスク２の開口パターン形成領域のサイズを基板の印刷対象領域のサイズに合わせるように、基板上にセットする印刷マスクを伸張させる。 - 特許庁

The beams passed through the mask 6 exposes the wafer 9 and transfers the image of a pattern formed in the subfield of the mask 6 to the wafer 9 by forming images on the wafer 9 through an optical transfer system 8.例文帳に追加

マスク６を通過したビームは、転写光学系８により、ウエハ９上に結像し、マスク６のサブフィールドに形成されたパターンの像をウエハ９に露光転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask with which an appropriate pattern can be formed through one time of exposure in a case where fine patterns and rough patterns coexist, and to provide a method of manufacturing the mask.例文帳に追加

微細なパターンと粗大なパターンとが混在する場合において、１回の露光で適正なパターンが形成できるステンシルマスク及びその製法を提供する。 - 特許庁

A design pattern reduces complementary patterns SP1, SP2, which are divided complementarily, by an amount of a size variation, and mask patterns CP1, CP2 after reducing are formed on the mask.例文帳に追加

設計パターンが相補分割された相補パターンＳＰ１，ＳＰ２を寸法変動量だけ縮小させ、縮小後のマスクパターンＣＰ１，ＣＰ２をマスクに形成する。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which is equipped with a circuit pattern for transfer, having high position precision and can be manufactured through a simplified manufacturing process and the manufacturing method for the mask.例文帳に追加

高い位置精度を有する転写用回路パターンを備え、簡略化した製造工程で製造することが可能なＸ線マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, by using a mask where a mask pattern to be exposed to a resist film R2 is formed, the resist film R2 formed on the substrate W is exposed with the decided exposure.例文帳に追加

そして、レジスト膜Ｒ２に露光すべきマスクパターンが形成されたマスクを用いて、基板Ｗに形成されたレジスト膜Ｒ２を決定された露光量により露光する。 - 特許庁

In the mask that is complementarily divided in the electron beam projection exposure, a pattern requiring high dimensional accuracy and the other patterns are arranged at one mask and the other masks, respectively.例文帳に追加

電子線投影露光における相補分割されたマスクにおいて、一つのマスクに高い寸法精度が要求されるパターンを、他方のマスクにそれ以外のパターンを配置する。 - 特許庁

This halftone phase shift mask consists of a halftone phase shift mask structure having resist deposited on the halftone films of wafer alignment mark parts and the light shielding belt parts existing on the outside of pattern forming regions.例文帳に追加

ウェハ合わせマーク部のハーフトーン膜上とパターン形成領域の外側にある遮光帯部にレジストが被着されたハーフトーン位相シフトマスク構造とする。 - 特許庁

By using the metal mask for vapor deposition, the difference in the thermal expansion between the glass substrate and the mask is eliminated, and a vapor deposition pattern with high positional precision can be formed.例文帳に追加

この蒸着用メタルマスクを用いることにより、ガラス基板とマスクとの熱膨張差が無くなり、位置精度の良い蒸着パターンを形成することができる。 - 特許庁

To provide a mask vapor deposition method by which a desired thin film pattern can be formed even if a deposition layer sticks while a mask for vapor deposition is repeatedly used.例文帳に追加

蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに堆積層が付着した場合でも、所望の薄膜パターンを形成することができるマスク蒸着法を提供すること。 - 特許庁

The pattern part of the mask for near field exposure is filled with a transparent conductive substance (such as ITO) which is transparent for the exposure light to render the entire exposure mask into a conductive state.例文帳に追加

近接場露光用マスクのパターン部に露光光に対して透明である透明導電物質（ＩＴＯなど）充填し、露光用マスク全体を導電状態にした。 - 特許庁

To provide Model Based Optical Proximity Correction (MOPC) biasing techniques for optimizing a mask pattern, which takes into account the influence of neighboring features with respect to the mask.例文帳に追加

マスクに対する近傍の特徴構造の影響を考慮するマスク・パターンの最適化のためのモデル・ベースの光学的近接効果補正（ＭＯＰＣ）バイアス技術を提供する。 - 特許庁

To provide a near-field exposure mask, a resist pattern formation method, and a device manufacturing method capable of securing close contact between a mask and an exposure target over a large area.例文帳に追加

大面積にわたってマスクと被露光物との密着を確保することのできる近接場露光用マスク、レジストパターン形成方法、デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method which does not receive the influence of the minute particles remaining on a mask while being capable of certainly filling up the pattern of the mask with the minute particles, such as a solder ball.例文帳に追加

マスクのパターンに半田ボールなどの微小粒子を確実に充填できる共に、マスクに残存する微小粒子の影響もない方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the etching mask transfers, develops, and trims an exposure pattern 10 of linear shape in a photo resist 11 using a first reticle, then etches an SiO_2layer 12 making this as a mask.例文帳に追加

第１のレチクルを用いて、フォトレジスト１１に直線状の露光パターン１０を転写、現像、トリミングした後、これをマスクとしてＳｉＯ_2層１２をエッチングする。 - 特許庁

By using an unmagnified mask 12 formed so that a plurality of identical patterns 11 may be arranged in one vertical row, X-ray 10 is projected upon one pattern of the mask 12 at the same mgnification.例文帳に追加

複数の同じパターン１１が上下一列に並ぶように形成されている等倍マスク１２を用い、Ｘ線１０を等倍マスクの一つのパターンに照射される。 - 特許庁

An erect image of the wiring pattern of the mask is projected by a projection optical system 9 onto the wiring board 20 synchronously moving with the mask on a wiring board stage 10.例文帳に追加

そして、マスクの配線パターンの正立像が、投影光学系９によって配線基板ステージ１０上でマスクと同期して移動している配線基板２０に投影される。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

When aberration is measured by using the aberration measuring mask, the aberration measuring mask is irradiated with the exposure light, to transfer the pattern on a photosensitive agent so as to be developed.例文帳に追加

このような収差測定用マスクを用いて、収差を測定する場合、収差測定用マスクに、露光光を照射し、感光剤に、このパターンを転写し、現像する。 - 特許庁

A mask is lit up with the exposure light emitted by an optical integrator 14 which forms light source images and part of the pattern of the mask is repeatedly exposed on the substrate.例文帳に追加

複数の光源像を形成するオプティカルインテグレータ１４を射出した露光光によりマスクを照明し、マスクのパターンの一部を基板上で重複露光する。 - 特許庁

To provide a method of suppressing loss in critical dimension of a mask pattern during cleaning by irradiating the mask with UV rays.例文帳に追加

本発明は、マスクに紫外線を照射することにより、洗浄時におけるマスクパターンのクリティカルディメンジョンの損失を抑える方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

This mask manufacturing method is used for manufacturing a mask having a silicon substrate with an opening pattern formed thereon and has an etching process for thinning the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のマスク製造方法は、開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法であって、シリコン基板を薄くするためのエッチング工程を有する。 - 特許庁

To a photo mask utilized at the time of forming a spiral coil conductor pattern on the surface of a mother board, plural mask patterns 14a are arranged in a matrix shape.例文帳に追加

マザー基板の表面にスパイラル状コイル導体パターンを形成する際に利用するフォトマスクには、複数のマスクパターン１４（１４ａ，１４ｂ）がマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

Then a mask 13 is disposed facing the photoresist 12, and the photoresist 12 is irradiated with UV rays through an opening 13a of the mask 13 to be exposed according to a specified pattern.例文帳に追加

ついで、フォトレジスト１２にマスク１３を対向させ、マスク１３の開口１３ａを通してフォトレジスト１２に紫外線を照射し、フォトレジスト１２を所定パターンに露光させる。 - 特許庁

The third mask pattern is allowed to function as an etching mask, and the polysilicon film 112 and an inter-layer insulator film 110 are etched so as to allow the etching inhibiting film to be exposed on the surface of a bottom.例文帳に追加

第３マスクパターンをエッチングマスクにして、エッチング阻止膜が底面に露出するようにポリシリコン膜１１２及び層間絶縁膜１１０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a reflective mask capable of preventing deterioration of defect detection sensitivity in mask pattern inspection while reducing an influence of a flare in exposure.例文帳に追加

露光時のフレアの影響を低減しつつ、マスクパターン検査の際に欠陥検出感度の低下を防止できる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for generating a mask pattern, generation unit of mask and management unit of offset are set separately and a table to be used is managed by the position of a nozzle.例文帳に追加

マスクの生成単位とオフセットの管理単位を別々に設定し、ノズルの位置によりどのテーブルを使用するかを管理することを特徴とするマスクパターン生成方法。 - 特許庁

To provide a method for exposing a resist layer on a substrate to an image of a pattern on a mask, and a lithographic projection apparatus.例文帳に追加

基板上のレジスト層をマスクの模様の像に露光する方法、およびリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁

A cleaning liquid is supplied to the surface where the pattern of the mask 2 is formed, and the cleaning liquid is removed by spin drying.例文帳に追加

マスク２のパターンが形成された面へ洗浄液を供給し、スピン乾燥により洗浄液を除去する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING LIFT-OFF MASK PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD BY THE METHOD例文帳に追加

リフトオフマスクパタン形成方法及びこれを使用した磁性体素子並びに薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can minimize the deformation of a pattern caused by damage to a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクの損傷によるパターンの変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND EXPOSURE MASK例文帳に追加

パターン形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び露光マスク - 特許庁

To provide a reflection type mask having high pattern transfer precision.例文帳に追加

本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The secondary area of the covering layer 3 is partially etched via the second etching mask to form a salient pattern.例文帳に追加

カバリング層３の副領域は、第２のエッチングマスクを介して部分的にエッチングされ、突出パターンが形成される。 - 特許庁

To provide a method for exposing a resist layer of a substrate to a mask pattern image, and provide a lithography projection apparatus.例文帳に追加

基板上のレジスト層をマスクの模様の像に露光する方法、およびリソグラフィ投影装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern, with which increase in a time period for drawing is suppressed and improvement of accuracy in drawing is possible.例文帳に追加

描画時間の増加を抑え、描画精度の向上が可能なマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure mask which highly accurately ensures dimensions of an exposure pattern, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

露光パターンの寸法を精度良く保証することができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce pattern drawing time for all of master masks in the process of preparing a mask from a plurality of the master masks.例文帳に追加

複数のマスターマスクからマスクを作成する場合に、マスターマスク全体のパターン描画時間を短縮する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the stencil mask for charged particle beam, a plurality of pattern-like plotting openings are formed in a film.例文帳に追加

膜上に複数のパターン状の描画用開口を形成する荷電粒子ビーム用ステンシルマスクの製法。 - 特許庁

To provide techniques for improving the extraction efficiency of repeated patterns in a method for forming a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの形成方法において、繰り返しパターンの抽出効率を向上できる技術を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 23 having an opening at a position for forming a contact hole 24 is then formed on the insulating film 22.例文帳に追加

次に、絶縁膜２２上に、コンタクトホール２４の形成位置に開口部を有するマスクパターン２３を形成する。 - 特許庁