「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

At this time, the dummy gate electrodes are also shaped so that their widthwise lengths change in the film thickness direction, become minimum near the interface with a silicon oxide film 5 formed as a dummy gate insulating film and near the interface with a silicon nitride film pattern 9 formed as a hard mask, and gradually increase toward the vicinities of their centers.例文帳に追加

この際、併せて、ダミーゲート電極を幅方向の長さが膜厚方向に変化する形状であって、この幅方向の長さがダミーゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜５との界面付近およびハードマスクとしてのシリコン窒化膜パターン９との界面付近で最小となり、中心付近に向かうにしたがって漸次増大する形状にする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.例文帳に追加

光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer laminate for producing a letterpress plate capable of reducing the effect of oxygen in the air on a photosensitive resin layer in exposure and capable of obtaining a good pattern after development, with respect to a multilayer laminate for producing a letterpress plate including a photosensitive resin layer and a mask layer, and to provide a method for producing a letterpress plate using the multilayer laminate.例文帳に追加

感光性樹脂層とマスク層とを有する凸版印刷版製造用多層積層体において、露光時に、感光性樹脂層に対する空気中の酸素の影響を低減でき、現像後に良好なパターンを得ることができる凸版印刷版製造用多層積層体、及びこれを用いて行う凸版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor substrate having a limited active region where a first portion for forming a gate electrode and a second portion for forming a bit line contact and a third portion for forming a storage node contact of a capacitor are included, a mask pattern which covers a top surface of the semiconductor substrate so that only the first and the second portions are exposed is used.例文帳に追加

ゲート電極を形成するための第１部分と、ビットラインコンタクトを形成するための第２部分と、キャパシタのストレージノードコンタクトを形成するための第３部分とを含む活性領域が限定された半導体基板において、前記第１及び第２部分のみを露出させるように前記半導体基板の上面を覆うマスクパターンを用いる。 - 特許庁

A mask blank is characterized in when a chemistry amplification type resist film 4 for electron beam exposure is formed on a shading type film 3 and a resist pattern 4a is formed, a deactivation suppression film (not illustrated) having higher film density than film density near the front surface of the shading film 3 at least and suppressing the deactivation of the resist film 4.例文帳に追加

遮光性膜３上に電子線露光用化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

In the stepwise movement of the substrate stage, the stand-by time from the time when the position change from the target position where the substrate stage should stop is in a predetermined tolerance, until the time when exposure of the mask pattern image onto each exposure region of the photosensitive substrate is started is controlled depending on the time for exposure onto each exposure region on the photosensitive substrate.例文帳に追加

基板ステージのステッピング移動において基板ステージの停止すべき目標位置からの位置変動が所定の許容範囲内に収まった時点から感光性基板上の各露光領域へのマスクのパターンの像の露光を開始する時点までの待機時間を感光性基板上の各露光領域への露光時間に基づいて制御する。 - 特許庁

To provide a photomask material capable of rapidly forming a mask pattern with high sensitivity and high resolution by using a light of ≥405 nm wavelength and capable of producing a high quality photomask in which defective parts can be corrected, which has excellent mechanical strength, hardness and solvent resistance, a low reflectance to light of <405 nm wavelength and which is free of voids.例文帳に追加

波長４０５ｎｍ以上の光で高感度かつ高速に、しかも高解像度でのマスクパターンの形成が可能であって、欠陥修正が可能でかつ機械的強度や硬度、耐溶剤性に優れ、波長４０５ｎｍ未満の光反射率が低く、白抜け欠陥のない高品質なフォトマスクを作製し得るフォトマスク材料を提供する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of the reflection type electrooptic device 100, an unevenness formation layer 6g in the same layer the a data line 6a is formed in a specified pattern below a light reflecting film 8a and a photosensitive resin layer 7a is formed of photosensitive resin 7 above it by half-exposure through an exposure mask 200, development, and heating.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０において、光反射膜８ａの下層側には、データ線６ａと同層の凹凸形成層６ｇが所定のパターンで形成され、その上層には、感光性樹脂７に対して、露光マスク２００を介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って感光性樹脂層７ａを形成してある。 - 特許庁

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁

The bus electrode 13 and the exposed electrode 15 can be formed so that the respective positions of the side edge parts of the bus electrode 13 and the exposed electrode 15 nearly coincide with each other without strictly controlling pattern accuracy and alignment accuracy, since the bus electrode 13 is utilized as a part of an exposure mask when the exposure from the rear side of a first glass substrate 11 is performed.例文帳に追加

第１のガラス基板１１の裏面側からの露光に際して、バス電極１３を露光マスクの一部として利用するため、パターン精度及びアライメント精度を厳密に制御することなく、バス電極１３の側縁部の位置と、露出電極１５の側縁部の位置とをほぼ一致するように形成することができる。 - 特許庁

Then, isotropic etching is made by reducing bias output applied to a wafer without containing N_2 or O_2, or etching under the conditions of a high mask selection ratio containing N_2 or O_2 for machining the grooves or holes slightly thinner than the pattern dimensions and isotropic etching while reducing bias output applied to the wafer without containing N_2 or O_2 are made periodically.例文帳に追加

その後N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを行う、又はパターン寸法よりも溝又は孔をやや細く加工するN_２またはO_２を含む高マスク選択比条件と、N_２またはO_２を含まず、ウエハに印加するバイアス出力を低下させて等方的なエッチングを周期的に行う。 - 特許庁

A hole transport/injection layer or a light-emitting hole transport layer, with a high heat resistance having crosslinking group, having a pattern formed by mask exposure, can be effectively formed by using a hole transporting condensate with a high Tg formed by addition condensation of aromatic tertiary amine having a triarylamine structure and a carbonyl compound like aldehyde.例文帳に追加

トリアリールアミン構造を有する芳香族第三級アミンとアルデヒド等のカルボニル化合物との付加縮合により生成されるＴｇの高い正孔輸送性縮合物を用いると、耐熱性が高く、架橋基を有することもでき、マスク露光によるパターン形成した正孔輸送注入層や正孔輸送発光層を形成するのに効果がある。 - 特許庁

A dither mask pattern table 52 formed by making a plurality of positional deviation assumption patterns where the direction and distance of the positional deviation of printing head chips HT1 to HT15 are assumed correspond to dither masks where dot dispersibility is optimized for the positional deviation is stored in a ROM 50 of a line head type printer 10 where the printing head chips HT1 to HT15 are connected.例文帳に追加

印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５が連結されたラインヘッドタイプのプリンタ１０のＲＯＭ５０には、印刷ヘッドチップＨＴ１〜ＨＴ１５の位置ずれの方向及び距離を想定した複数の位置ずれ想定パターンと、当該位置ずれに対してドット分散性を最適化したディザマスクとが対応付けられたディザマスクパターンテーブル５２が記憶されている。 - 特許庁

To provide an optical system manufacturing method by which high optical performance is secured without restraining the accuracy of individual parts or assembling accuracy very strictly, a projection optical device whose extant aberration is easily adjusted and which realizes high optical performance and an aligner capable of excellently projecting and exposing the image of the pattern of a mask on a substrate.例文帳に追加

個々の部品の精度や組立の精度を非常に厳しく抑えることなく，高い光学性能を確保可能な光学系の製造方法，および残存する収差の調整が容易に可能であり，高い光学性能を達成可能な投影光学装置，ならびにマスクのパターンの像を基板に良好に投影露光し得る露光装置を提供すること。 - 特許庁

This mask for exposure comprises: a substrate; the photocatalyst containing layer formed on the substrate and at least containing the photocatalyst; an inorganic oxide layer formed on the photocatalyst containing layer; and a shielding portion formed in a pattern on the inorganic oxide layer.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層と、前記光触媒含有層上に形成された無機酸化物層と、前記無機酸化物層上にパターン状に形成された遮蔽部とを有することを特徴とする露光用マスクを提供する。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

The aligner comprises a projection optical system having a plurality of reflectors (M1-M6) performing exposure and transfer of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate using extreme ultravoilet light wherein at least one of the plurality of reflectors is held in a state insulated from the outside.例文帳に追加

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡（Ｍ１−Ｍ６）を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つの反射鏡を外部と絶縁した状態で保持することを特徴とする露光装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal mask for screen printing which can meet the requirements of an ultrafine and high definition pattern by significantly improving the followability in case a second dry film resist is formed on a first metallic film through the procedure to positively remove a first dry film resist after the first metallic film is formed by plating using the first dry film resist.例文帳に追加

第１のドライフィルムレジストを利用して第１の金属膜メッキを形成した後、第１のドライフィルムレジストを積極的に除去することにより、第２のドライフィルムレジストを第１金属膜上に形成する場合の追従性を著しく改善して、極微細でかつ高精細なパターンの要求に答えられるスクリーン印刷用メタルマスクの製造方法を得る。 - 特許庁

The intensity computation is performed on a forward scatter term and a backward scatter term of an exposure intensity distribution function, the proximity effect is corrected by varying the size of a mask pattern so that the width of an exposure intensity distribution of specific energy intensity becomes equal to design size, and an area density method is used for the backward scatter intensity computation.例文帳に追加

露光強度分布関数における前方散乱項及び後方散乱項の強度計算を行い、所定のエネルギー強度における露光強度分布の幅が設計寸法と一致するようにマスクパターンの寸法を変更して近接効果補正を行うこと、また、後方散乱強度計算に面積密度法を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The mask stage to be mounted on the stepper for transferring a fine pattern on the resist of a substrate by photolithography for holding the gas for preventing the resist of the substrate from oxidation is characterized, by forming with ceramics-metal composite material and by forming a compacted film over the surface of the ceramics-metal composite.例文帳に追加

微細なパターンをフォトリソグラフィーにより基板のレジストに転写する露光装置に搭載されるマスクステージであって、該基板のレジストの酸化防止をするための気体を収容するマスクステージがセラミックス−金属複合材料からなり、かつ、該セラミックス−金属複合材の表面に緻密質の膜が形成されていることを特徴とする露光装置用マスクステージ。 - 特許庁

In the exposure device equipped with a projection optical system having a plurality of reflectors for exposure transferring a pattern formed on a mask to a photosensitive substrate by using extreme UV-light, at least one of the plurality of reflectors is provided with an apparatus 111 for monitoring the reflectivity of exposure light.例文帳に追加

極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写するための複数の反射鏡を有する投影光学系を備えた露光装置であって、前記複数の反射鏡のうち、少なくとも１つに露光光の反射率を監視する機器１１１を備えたことを特徴とする露光装置である。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.例文帳に追加

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are deposited sequentially on a silicon substrate 1 through an insulation film 2 and then the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 are etched sequentially using a mask 103 to form the pattern of an upper electrode 5.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

The mask for lithography has divided patterns B1 to B5, and B9 formed by dividing an exposure pattern into a plurality of patterns and combines divided patterns for exposure, and divided parts of the divided patterns are characterized in that the divided patterns S1 and S2 mesh each other and opposite sides of the divided patterns are inverse patterns S2 and S3 which can mesh each other.例文帳に追加

露光パターンを複数に分割して形成される分割パターンＢ１〜Ｂ５、Ｂ９を有し、分割パターンを組み合わせて露光を行うためのリソグラフィ用マスクであって、分割パターンの分割部は分割パターンどうしＳ１、Ｓ２がかみ合う形状となっており、分割パターンの対向する辺は互いにかみ合わせ可能な逆パターンＳ２、Ｓ３となっている。 - 特許庁

Given that a direction in which solvent gas flows on the substrate and a direction in which drying gas flows on the substrate match each other, spots in plane of the substrate which are supplied with more solvent than the other are dried sooner by drying gas, and given that supply of solvent gas and supply of drying gas are repeated, penetration of the solvent into the inside of the pattern mask can be restricted.例文帳に追加

溶剤ガスが基板上を流れる方向と、乾燥用のガスが基板上を流れる方向とが互いに揃うことで基板の面内で溶剤が多く供給される箇所が乾燥用のガスにより早く乾燥し、溶剤ガスの供給と乾燥用のガスの供給とを繰り返すことで、パターンマスク内部への溶剤の浸透を抑えることができる。 - 特許庁

A mask RT for measurement is provided with a glass base plate 60 having a pattern surface where patterns 67i,j for measurement are formed, an opening plate 66 in which a plurality of pinholes 70i,j individually corresponding to the respective patterns for measurement are formed, condensing lenses 65i,j disposed individually corresponding to the patterns for measurement on the incident side of the glass base plate and the like.例文帳に追加

計測用マスクＲ_Tは、計測用パターン６７_i,jが形成されたパターン面を有するガラス基板６０、該ガラス基板の射出側に配置され、各計測用パターンに個別に対応する複数のピンホール７０_i,jが形成された開口板６６、ガラス基板の入射側に計測用パターンに個別に対応して配置された集光レンズ６５_i,_j等を備える。 - 特許庁

Between a laser beam oscillator 10 and a printed wiring board 20 being a member to be worked, a polygon mirror 11, a mask 12 having a plurality of holes in a line providing for a working pattern, a galvanomirror 16, and a working lens 17 are arranged successively, and then laser beam from the laser beam oscillator is made to project on the printed wiring board successively through the forementioned elements.例文帳に追加

レーザ発振器１０と被加工部材としてのプリント配線基板２０との間に、ポリゴンミラー１１、加工パターンを規定する一列状の複数の穴を持つマスク１２、ガルバノミラー１６、加工レンズ１７を順に配置して、レーザ発振器からのレーザ光が前記各要素を順に経由してプリント配線基板に照射されるようにする。 - 特許庁

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern.例文帳に追加

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The phase shift mask is provided with a shielded region having a line pattern formed therein and first and second transparent regions disposed on both sides of the shielded region on a substrate transparent to irradiated light, wherein a phase shifter is formed below the first transparent region and a side wall of the phase shifter has a curved portion convex to the outside.例文帳に追加

照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The defect which has a pixel in a region surrounded by two gate lines 31 and two drain lines 33 and in which an adjacent pixel electrode 34 is short-circuited is irradiated with a laser via a mask having a transmission pattern corresponding to the patterns of the gate lines 31, the drain lines 33, and the pixel electrode 34 at the short-circuited portion, thereby removing the short-circuited portion 21.例文帳に追加

２本のゲート配線３１と２本のドレイン配線３３で囲まれた領域に画素を有し、隣接する画素電極３４が短絡している欠陥に対し、該短絡部分のゲート配線３１とドレイン配線３３および画素電極３４のパターンに対応した透過パターンを有するマスクを介してレーザを照射することで、短絡部分２１を除去する。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank 20 storing a liquid resist agent 21 to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤２１を収容した液槽２０からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask blank comprises the steps of causing a resist agent coming from a liquid tank storing a liquid resist agent to the opening at the end of a nozzle 22 through the nozzle 22 to touch the coated surface of a substrate having a thin film on which a transfer pattern is formed, moving the substrate and the nozzle relatively, and thus forming a resist film on the coated surface.例文帳に追加

転写パターンを形成するための薄膜を有する基板の被塗布面に、液状のレジスト剤を収容した液槽からノズル２２を通過してノズル先端開口部に到達したレジスト剤を接液させ、基板とノズルとを相対的に移動させることによって、被塗布面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する工程を含むマスクブランクの製造方法である。 - 特許庁

The method includes steps of forming a silicon nitride film 103 on a p-type silicon substrate 101, forming an aperture of a predetermined pattern on the silicon nitride film 103, forming a gate trench 104 on a semiconductor substrate 101 with a silicon nitride film 108 used as a mask, and thereafter embedding a polysilicon film 106 inside the gate trench 104 and in the aperture thereby self-alignedly forming a gate electrode.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン窒化膜１０３を形成し、シリコン窒化膜１０３に所定のパターンの開口を形成し、シリコン窒化膜１０８をマスクとして用いて半導体基板１０１にゲートトレンチ１０４を形成した後、ゲートトレンチ１０４の内部および開口内にポリシリコン膜１０６を埋め込むことにより、ゲート電極を自己整合的に形成する。 - 特許庁

In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.例文帳に追加

チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, excellent in adhesion to a substrate, capable of obtaining a satisfactory spacer shape and film thickness under an exposure energy of ≤1,500 J/m^2, excellent also in strength and heat resistance, and excellent in controllability of spacer shape and film thickness in a low exposure energy region.例文帳に追加

高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、１，５００Ｊ/ｍ^2以下の露光量で十分なスペーサー形状および膜厚を得ることを可能とし、また強度、耐熱性等にも優れ、低露光量領域におけるスペーサーの形状、膜厚の制御性に優れている感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the photomask for near field exposure having a transparent base material and a light shielding body having an aperture constituting the mask pattern on the base material with the aperture width made equal to or smaller than the wavelength of the light source, the light shielding body is constituted to have a thickness to give a desired intensity of light directly under the aperture in consideration of the relationship with the width of the aperture in the light shielding body.例文帳に追加

透明な母材と、該母材上にマスクパターンを構成する開口部の開口幅が光源波長以下に形成された遮光体を有する近接場光露光用のフォトマスクにおいて、前記遮光体は、その厚さが前記遮光体の開口部の開口幅との関係において該開口部直下で所望の光強度を与える厚さに構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a plasma display panel and the green sheet include a step exposing a first green sheet containing a cover film using a first mask on which a black matrix pattern is formed, a black matrix dry film and a base film, a step removing the cover film and laminating the first green sheet on a substrate, and a step removing the base film and forming a black matrix on the substrate.例文帳に追加

本発明は、ブラックマトリックスパターンが形成された第１マスクを利用してカバーフィルム、ブラックマトリックスドライフィルム及びベースフィルムを含む第１グリーンシートを露光するステップと、前記カバーフィルムを除去して基板上に前記第１グリーンシートをラミネーティングするステップと、前記ベースフィルムを除去して前記基板上にブラックマトリックスを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

This device is provided with a first correction value decision means S150 dividing a mask pattern based on the data for the lithography at every prescribed part (S120, S130) and deciding a correction value based on deterioration due to exposure of its devided part and correction value adjustment means (S160, S170) adjusting the correction value based on the layout environment in the vicinity of its devided part.例文帳に追加

リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定の部分ごとに分割し（Ｓ１２０，Ｓ１３０）、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段（Ｓ１５０）と、補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正値調整手段（Ｓ１６０，１７０）とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal plating material using a polymer material is characterized in that a polymer electrolytic material is used as the polymer material, ion injection is carried out onto the surface of the polymer electrolytic material via a mask having a predetermined pattern, and thereafter the polymer electrolytic material is subjected to nonelectrolytic plating.例文帳に追加

高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 - 特許庁

A defect repairing device for electronic components includes an ultrashort pulse laser light emitting device which suitably adjusts and emits ultrashort pulse laser light, a flexible mask pattern generator that forms the ultrashort pulse laser light emitted by the ultrashort pulse laser light emitting device into a prescribed shape, an optical system which converges the ultrashort pulse laser light, and a first stage where an electronic component to be repaired is mounted and positioned.例文帳に追加

超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 - 特許庁