「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

That is, a first mask covering an area (first area DCa) from the edge of a semiconductor wafer 1 of the dummy chip DC to about a few mm and a second mask layer to be formed in the area (second area DCb) of the dummy chip DC other than the first area DCa and the area of a main body chip SC for forming a desired pattern are formed.例文帳に追加

すなわち当該ダミーチップＤＣの半導体ウエハ１のエッジから約数ｍｍ程度までの領域（第１の領域ＤＣａ）を覆う第１のマスク層と、第１の領域ＤＣａ以外のダミーチップＤＣの領域（第２の領域ＤＣｂ）および本体チップＳＣの領域に形成される、所望のパターンを形成するための第２のマスク層とを形成する。 - 特許庁

At this time, the relation between exposure conditions and the surface shape of the unevenness forming layer 119 or light reflecting layer is previously simulated according to a simulation result of the relation between exposure conditions including the mask pattern of the exposure mask 102 and a proximity gap G and a distribution of the quantity of exposure to the photosensitive resin 101, and exposure conditions are determined according to the simulation result.例文帳に追加

その際、露光マスク１０２のマスクパターン、およびプロキシミティギャップＧを含めた露光条件と、感光性樹脂１０１に対する露光量分布との関係のシミュレーション結果に基づいて、露光条件と凹凸形成層１１９あるいは光反射層１１２の表面形状との関係を予めシミュレーションしておき、そのシミュレーション結果に基づいて、露光条件を決定する。 - 特許庁

To provide a photosensitive film for circuit formation which does not contaminate a mask since it follows up surface unevenness of a substrate to be laminated well and is very small in the viscosity of a photosensitive layer on a surface coming into contact with a pattern mask, as a photosensitive film for circuit formation which is adaptive to higher density of wiring of a printed wiring board and high resolution.例文帳に追加

プリント配線板の配線の高密度化及び高解像度化に対応した回路形成用感光性フィルムを提供するものであって、ラミネートすべき基板の表面の凹凸に対して追従性が良く、且つパターンマスクと密着する面の感光層の粘着性が極めて小さいため、マスクを汚染しない回路形成用感光性フィルムを提供する。 - 特許庁

A mask 1 housed in a chamber 2 containing an organic substance environment is locally irradiated with far UV rays by the effect of a far UV lamp 5 and a shielding plate 6 to locally deposit the organic substance on the opposite face of the mask 1 to the face where the light shielding pattern 12 is formed so as to arbitrarily control the transmittance at the wavelength of the exposure light in the shot region.例文帳に追加

有機物雰囲気下にあるチャンバ２に収容されたマスク１に対し、遠紫外線ランプ５および遮光板６の作用により遠紫外線を局所的に照射して、マスク１の遮光パターン１２が形成された面とは反対側の面上に、有機物を局所的に堆積させて、露光波長に対する透過率をショット内で自由に制御する。 - 特許庁

The mask blank comprises: a thin film 13 which is formed on a substrate 12 and for forming a mask pattern; and a chemically amplified resist film 20 formed above the thin film, wherein a protective film 20 preventing a substance inhibiting the chemical amplification function of the resist film from moving from the bottom of the resist film into the resist film, is provided between the thin film and the resist film.例文帳に追加

基板１２上に成膜されたマスクパターンを形成するための薄膜１３と、この薄膜の上方に成膜された化学増幅型のレジスト膜２０を備えるマスクブランクであって、レジスト膜の化学増幅機能を阻害する物質がレジスト膜の底部からレジスト膜内へ移動することを阻止する保護膜２０を、前記薄膜とレジスト膜との間に備えている。 - 特許庁

The alignment method comprises a process of fixing the substrate 1 with the magnetic layer 2 formed thereon to the substrate holder 3 by the magnetic force generated from the electromagnet, and setting the position of the mask 4 to the flexible substrate 1 in the above state, a process of forming a pattern using the mask 4, and a process of separating the flexible substrate 1 from the substrate holder 3 by turning-off the electromagnet.例文帳に追加

そして、磁性膜２が形成されたフレキシブル基板１を電磁石から発生する磁力により基板ホルダ３に固定し、この状態でフレキシブル基板１とマスク４との位置合わせを行う工程と、上記マスク４を用いてパターン形成を行う工程と、上記電磁石をオフして上記フレキシブル基板１を基板ホルダ３から分離する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus which can faithfully transfer a mask pattern to a photosensitive substrate surface with higher throughput by using a light source unit which can collect the light beam without absorption by plasma of the EUV light beam reflected by an auxiliary light condensing mirror.例文帳に追加

補助集光ミラーで反射されたＥＵＶ光がプラズマにより吸収されずに集光される光源ユニットを用いて、マスクパターンを感光性基板上に忠実に且つ高スループットで転写することのできる露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This illuminance-measuring device measures the illuminance of illumination light on an image-forming surface of the projection optical system of an aligner for allowing the image of a pattern from a lighted mask to project on a substrate that is retained on a substrate stage by the projection optical system.例文帳に追加

照明されたマスクからのパターンの像を、基板ステージ上に保持される基板上に投影光学系により投射するようにした露光装置の該投影光学系の結像面における照明光の照度を計測する照度計測装置である。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

In a reticle for forming the reproducing track width of the magnetic head of a magnetic disk device, a track width of 0.24 μm is formed by using an edge emphasis phase shift mask in which the phase of the transmissive light of one electrode pattern is reversed from that of the other transmissive light.例文帳に追加

磁気ディスク装置の磁気ヘッドの再生トラック幅を形成するためのレチクルに、一方の電極パターンの透過光の位相が他方の透過光の位相と反転するエッジ強調型位相シフトマスクを用い、０．２４μｍ以下のトラック幅を形成する。 - 特許庁

The hologram reflector is produced by dividing a hologram into a plurality of regions based on the desired image information, controlling the direction of the exiting light in the divided region and recording a mask pattern by exposure so as to add the image information to the reflected light.例文帳に追加

ホログラムを、所望の画像情報に基づいて複数の領域に分割し、前記分割した領域における出射光の方向を制御して、マスクパターンを露光記録するなどして、反射光に前記画像情報を付加したホログラム反射板とする。 - 特許庁

To provide a device and a method for exactly and highly accurately measuring and evaluating a form and a recording medium recording form measuring and evaluating program by quantitatively measuring the pattern form of a photo-mask containing fine patterns.例文帳に追加

微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を可能にすることにより、正確かつ高精度な形状計測評価装置及び形状計測評価方法並びに形状計測評価プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a photosensitive silazane film 52 is exposed and developed, and a hard mask 52A which is formed of the photosensitive silazane film 52 and regulates positions of a wiring pattern and a contact hole 60 of a wiring layer 66A is formed on an interlayer insulating film 50.例文帳に追加

本製造方法では、感光性シラザン膜５２を露光及び現像することにより、層間絶縁膜５０上に、配線層６６Ａの配線パターン及び接続孔６０の位置を規定する、感光性シラザン膜５２からなるハードマスク５２Ａを形成する。 - 特許庁

Then contact holes 310 are formed in the silicon oxide film 303 by etching the silicon oxide film 305, SOG film 304, and silicon oxide film 303 by using a second resist pattern 309 as a mask.例文帳に追加

第２の有機含有シリコン酸化膜３０５、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第１の有機含有シリコン酸化膜３０３に対して第２のレジストパターン３０９をマスクとしてエッチングを行なって、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３にコンタクトホール３１０を形成する。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 is exposed by removing the film 2 by performing the dry etching treatment of about 15 s of a time by using a gas containing, for example, CF_4 and O_2 with the pattern 3 as a mask on the exposed film 2.例文帳に追加

そのレジストパターン３をマスクとして、たとえばＣＦ_4とＯ_2とを含むガスを用いて時間約１５秒間のドライエッチング処理を、露出している有機ＡＲＣ膜２に施すことにより、有機ＡＲＣ膜２を除去して半導体基板１の表面を露出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color-filter substrate which reduces deflection of a photomask by a simple method and forms a plurality of color filters by performing patterning processes, such as pattern exposure and developing, by using the photomask that is fixed and held in a mask holder.例文帳に追加

フォトマスクのたわみを簡易な方法で減少させ、マスクホルダーに固定保持さしたフォトマスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.例文帳に追加

共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

A metal film is formed on an Si(i) film 13 and an Si(n) film 14 formed successively on a gate electrode 12 via a gate insulating film 12, and etched using a photoresist pattern 22 as a mask to form a source electrode 15 and a drain electrode 16.例文帳に追加

ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１２を介して順次形成されるＳｉ（ｉ）膜１３およびＳｉ（ｎ）膜１４上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン２２をマスクとしてエッチングし、ソース電極１５およびドレイン電極１６を形成する。 - 特許庁

The method for forming the pattern formation buried oxide film comprises a step of carrying out implantation into a substrate, a step of forming a mask at least on part of the substrate in order to control implantation diffusion, and a step of annealing the substrate and forming a buried oxide.例文帳に追加

パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、基板をアニールして埋込み酸化物を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The mask formed by etching a silicon wafer is equipped with a membrane 13, where a pattern is formed and wall-like supports 3 which support the membrane 13, for which a contact angle which the support 3 makes with the membrane 13 is 10° or larger to 45° or smaller.例文帳に追加

このメンブレンマスクは、シリコンウエハをエッチングすることにより形成されるものであり、該パターンが形成されるメンブレン１３と、該メンブレン１３を支持する壁状の支持部３と、を具備し、該メンブレン１３と該支持部３との接触角が１０°以上４５°以下である。 - 特許庁

A light from a surface light source 1 irradiates the diffusion plate 3 through a pattern mask 2, the diffusion plate 3 is photographed by a camera 4, and the degree of dispersion of the pixel outputs of the taken image is calculated and processed to evaluate the quality of the diffusion plate, based on the degree of dispersion thereof.例文帳に追加

面光源１の光をパターンマスク２を通して拡散板３に当て、その拡散板３をカメラ４で撮像し、撮像された像の各画素出力のばらつきの程度を算出処理し、このばらつきの程度に基づいて、拡散板を品質評価する。 - 特許庁

In the peeling method, first, the adhesive tape 1 is partially heated through an opening 102 of a mask 101 for heating having an opening pattern that can heat only a desired portion without simultaneously, uniformly heating the entire surface of the adhesive tape 1.例文帳に追加

本発明の剥離方法は、粘着テープ１全面を一斉に均一に加熱するのではなく、先ず、最初に、所望の部分だけが加熱できるような開口パターンを有する加熱用マスク１０１の開口部１０２を通して、部分的に粘着テープ１を加熱する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a minute structure that prevents variations in the dimensions of a peripheral oxide film or the like, and cannot be achieved merely by lithography, even in removal of a reflection prevention film and a mask pattern, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

反射防止膜の除去の際にも、マスクパターンの除去の際にも、周辺の酸化膜等の寸法変動を生じず、リソグラフィのみでは実現できない微細構造を有する半導体装置の製造方法およびその半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having a wide defocus latitude when orbicular illumination is used and less liable to generate a side lobe in pattern formation using a halftone phase shifting mask and to provide a positive type photosensitive composition having the above characteristics and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

Since filtering of scale light, containing a scale grid pattern image performed by a phase mask 120 having a light shielding-featured periodic structure, enables acquisition of more detailed information on the relative displacement, measurement accuracy can be improved.例文帳に追加

スケール格子パターンの画像を含むスケール光を、遮光要素を含んだ周期構造を有する位相マスク１２０によってフィルタリングすることによって、前記相対変位に関するより詳細な情報を取得できるから、測定精度を向上させることができる。 - 特許庁

To prevent the formation of a step cut and to sufficiently prevent the generation of a defect caused by the step cut in the case of a thin-film transistor or other semiconductor devices in which multilayer films are patterned collectively by using one mask pattern.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、薄膜トランジスタその他の半導体装置の製造方法において、段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the tapered optical waveguide, a photoresist pattern having an inclined tapered profile is formed on a core layer by using a gray scale mask and etched to form a core layer which has the tilted profile on a horizontal surface.例文帳に追加

本発明によるテーパ型光導波路製造方法は、グレースケールマスク（ｇｒａｙ ｓｃａｌｅ ｍａｓｋ）を利用してコア層上に傾斜したテーパプロフィールを有するフォトレジストパターンを形成してエッチングし、水平面に傾斜プロフィールを有するコア層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light-emitting device capable of preventing light extraction efficiency from being degraded while securing an excellent bondability by subjecting a p-clad layer located on a surface layer to wet etching according to a mask pattern, and to provide a light-emitting device.例文帳に追加

表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。 - 特許庁

After a positive type resist is coated on a test substrate and it is brought into a focus by using a mask original plate for a test pattern to expose at a plurality of parts, development is carried out to form the test patterns composed of remaining patterns at the plurality of parts on the test substrate, respectively (step S11).例文帳に追加

テスト基板上にポジ型レジストを塗布し、テストパターン用マスク原版を用いてフォーカスを振って複数個所に露光した後、現像を行なって、テスト基板上の複数個所にそれぞれ残しパターンからなるテストパターンを形成する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

The pellicle frame 21 includes an inner wall tacky adhesive material 33 on the inner wall and is placed at a position where the pellicle frame 21 has never been directly irradiated with the first order diffracted light 51 diffracted by the grating portion of the mask pattern 12.例文帳に追加

ペリクルフレーム２１は、内壁面に内壁粘着材３３が設けられており且つ露光光５０の、マスクパターン１２の格子状の部分において回折された１次回折光５１が、ペリクルフレーム２１に直接照射されることがない位置に設けられている。 - 特許庁

A fifth insulating film 11, a fourth insulating film 10 and a third insulating film 9 formed on a first buried wiring 8, and a second insulating film 3 are etched by using a resist pattern 13 as a mask; and a contact hole 14 is formed on the first buried wiring 8.例文帳に追加

第一埋め込み配線８および第二絶縁膜３の上に形成した第五絶縁膜１１、第四絶縁膜１０、および第三絶縁膜９をレジストパターン１３をマスクとしてエッチングして、第一埋め込み配線８の上にコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

During such a process that a solder resist 4a is applied and tentatively hardened onto an insulated substrate 2 on which a conductor pattern 3 is formed and the solder resist 4a is exposed to ultraviolet radiation through an exposure mask film 5, ultraviolet light is selectively diffused to form a solder resist 4.例文帳に追加

導体パターン３が形成された絶縁基板２上にソルダレジスト４ａを塗布、仮硬化し、露光用マスクフィルム５を介しソルダレジスト４ａを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジスト４を形成する。 - 特許庁

The reticle is constituted by forming a mask pattern 2 in a recess 3 disposed on the surface of a reticle substrate 1, disposing a pellicle 4 on the reticle substrate 1 so as to cover the recess 3, and adhering the end of the pellicle 4 to the surface of the reticle substrate 1 via an adhesive layer 5.例文帳に追加

レチクル基板１の表面に配置された凹部３にマスクパターン２を形成するとともに、凹部３を覆うように配置されたペリクル４をレチクル基板１上に設け、接着層５を介してペリクル４の端部をレチクル基板１の表面に接着する。 - 特許庁

Thereafter, a conductor plating layer 14 is formed by electrolytic plating on the exposed part of the substrate conductor layer 11, the conductor plating layer 14 is formed higher than the resist pattern mask, and the conductor line 2 is formed as a sectional shape having a rounded upper part and no corner.例文帳に追加

その後、下地導体層１１の露出部分に電解めっきにより導体めっき層１４を形成し、該導体めっき層１４を前記レジストマスクパターンよりも高くかつ上部が丸みを帯びた角の無い断面形状として導体線路２を形成する。 - 特許庁

The optical element is irradiated with a UV radiation beam from a radiation source LA for mask pattern projection or a radiation source 7 exclusive for purge whereby the beam of radiation decomposes oxygen and produces an oxygen radical which cleans the optical element very effectively.例文帳に追加

マスクパターン投影用の線源ＬＡからの、またはパージ専用線源７からのＵＶ放射線ビームをこの光学要素に照射するので、この放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常に効果的に光学要素をクリーニングする。 - 特許庁

Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a resist mask having an opening pattern whose aspect ratio is one or more is formed on one substrate of a first substrate constituting a semiconductor element, and a second substrate having a circuit wiring by using a dry film resist.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体素子を構成する第１基板または回路配線を有する第２基板のいずれか一方の基板上に、ドライフィルムレジストを用いて、アスペクト比が１以上の開口パターンを有するレジストマスクを形成する。 - 特許庁

After the photoresist pattern and antireflective film are removed, the silicon nitride film 29 is etched by plasma etching using the silicon nitride film 30 as an etching mask while a light emission spectrum due to byproducts of reaction between nitrogen in the silicon nitride film 29 and etchant gas is monitored.例文帳に追加

フォトレジストパターンおよび反射防止膜を除去した後、窒化シリコン膜２９中の窒素とエッチャントガスとの反応生成物に起因した発光スペクトルをモニタしながら、酸化シリコン膜３０をエッチングマスクとして用いて窒化シリコン膜２９をプラズマエッチングによりエッチングする。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

To provide a print mask manufacturing method capable of suppressing significant disruption in a print pattern due to low removal performance of a print material from a through hole while avoiding the disruption in the shape of a through hole due to irradiation of laser for half-etching processes.例文帳に追加

ハーフエッチング加工用のレーザーを照射してしまうことによる貫通孔の形状の乱れを回避しつつ、貫通孔からの印刷材抜け性の悪さによる印刷パターンの著しい乱れを抑えることが可能な印刷マスク製造方法を提供する。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

In the pattern correcting method, when correction paste 7 is applied to an open defect portion 2a of an electrode 2 using a film 3 with a hole 3a as a mask, the thickness Ft of the film 3 and the short-axis length Sw of the hole 3a are so related that Ft>Sw.例文帳に追加

このパターン修正方法では、孔３ａの開いたフィルム３をマスクとして電極２のオープン欠陥部２ａに修正ペースト７を塗布する場合に、フィルム３の厚さＦｔと孔３ａの短軸長Ｓｗとの関係をＦｔ＞Ｓｗにする。 - 特許庁

The negative photosensitive resin composition is spin-coated and dried on a semiconductor substrate 1 on which a first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulating film 4 have been formed, and light is illuminated through a mask of a pattern for forming a window 6C in a predetermined portion.例文帳に追加

第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成された半導体基板１に、ネガ型感光性樹脂組成物をスピンコートして乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンのマスク上から光を照射する。 - 特許庁

For the formation of a lower layer wire, a thin pattern is formed using a halftone mask and a wire 50 which is located immediately under a pad 48 and which connects the pad and the lower layer wire and a pad reinforcement wire 52 that connects to the pad are formed so that they are wide using a normal photomask.例文帳に追加

下層配線の形成には、ハーフトーンマスクを用いて細いパターンを形成し、パッド４８直下に位置するパッドと下層配線とを連絡する配線５０と、パッドと接続するパッド補強用配線５２とを、ノーマルフォトマスクを用いて大きい幅で形成する。 - 特許庁

To provide a mask for forming a thin film pattern, which prevents the occurrence of a display failure in a liquid crystal display and provides uniform film characteristics, by inhibiting a substrate from being bruised, and preventing the peeling of a protective film and a white spot on a black matrix layer.例文帳に追加

基板へのキズの発生を抑制し、保護膜の剥離、ブラックマトリックス層の白ヌケを防止することで、液晶表示装置の表示不良発生を防止することができ、かつ均一の膜特性を得ることができる薄膜パターン形成用マスクを提供する。 - 特許庁