「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。 - 特許庁

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device.例文帳に追加

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露光する。 - 特許庁

At this point, the TFT and a wiring act as a mask, the photosensitive resin 10 lying on the TFT and the wiring is removed in an etching stage and a contact hole and a gently-sloping rugged pattern are formed on the drain electrode 8 and at the pixel aperture part, respectively.例文帳に追加

このとき、ＴＦＴおよび配線がマスクとして作用し、ＴＦＴおよび配線上の感光性樹脂層１０はエッチング工程で除去され、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に感光性樹脂層１０によるなだらかな凹凸パターンが、それぞれ形成される。 - 特許庁

When a wiring groove is formed by dry etching an insulating film 21 with a photoresist film 23 patterned in a groove pattern as a mask, an etching ending point of the film 21 is detected by using an optical reflection interference waveform monitor or a plasma luminescence ending point monitor, thereby dry-etching only the film 21.例文帳に追加

溝パターンにパターニングされたフォトレジスト膜２３をマスクとして絶縁膜２１をドライエッチングし、配線溝を形成する際、光学式反射干渉波形モニタまたはプラズマ発光終点モニタを用いて絶縁膜２１のエッチング終点検出を行うことにより、絶縁膜２１のみをドライエッチングする。 - 特許庁

The cleaning device 150 cleans optical elements M1-M6 in an exposure apparatus 100 that exposes an object to be treated, using second light of which a wavelength is different from that of first light, by projecting, with the first light, the pattern of a mask 2 through the optical elements to the object 4 to be treated.例文帳に追加

洗浄装置１５０は、第１の光によりマスク２のパターンを光学素子Ｍ１〜Ｍ６を介して被処理体４に投影することにより該被処理体を露光する露光装置１００における該光学素子を、第１の光とは波長が異なる第２の光を用いて洗浄する。 - 特許庁

When exposure heads 30a-30d are scanned for exposure over a first scan region As1 to a fourth scan region As4, respectively, a unit pattern group SLG having a width united with each width of the drawing object region in each scan region is beforehand formed on a mask.例文帳に追加

露光ヘッド３０ａ〜３０ｄそれぞれが第１走査領域Ａｓ１から第４走査領域Ａｓ４へかけて露光走査する際、各走査領域内の描画対象領域の幅それぞれに合わせた幅を有した単位パターン群ＳＬＧを予めマスク上に形成する。 - 特許庁

The data processing apparatus is provided with a loading process means for loading a plurality of pieces of data in a batch to a register, by matching to a mask pattern for higher-order partial autocorrelation features from inputted image data and an addition process means for carrying out processings of the addition of a plurality of pieces of data in the register, in batch.例文帳に追加

データ処理装置は、入力された画像データから、高次局所自己相関特徴のマスクパターンに合わせて複数データを一括してレジスタにロードするロード処理手段と、レジスタの複数データを一括して積算の処理を行う積算処理手段とを備える。 - 特許庁

The photo mask 5 for phase shift focus monitor has first and second light transmission parts 5c and 5d adjacent to each other across a light shielding pattern 5b between them and is so constituted that a phase difference other than 180° may be given for respective exposure light transmitted through the first and second light transmission parts 5c and 5d.例文帳に追加

この位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５は、遮光パターン５ｂを挟んで隣り合う第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを有し、かつ第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを透過した各露光光に１８０°以外の位相差が生じるように構成されている。 - 特許庁

This plasma display panel is formed by a process for providing a barrier rib forming layer on a substrate 11 and by forming a barrier rib shape by performing blast working after the barrier rib material used as the blast mask in dispersed with colored pigment on the barrier rib forming layer is coated in a pattern shape.例文帳に追加

このようなプラズマディスプレイパネルは、基板１１上にバリアーリブ形成層を設ける工程と、当該バリアーリブ形成層上に着色顔料を分散させたブラストマスク兼バリアーリブ材料をパターン状に塗工した後に、ブラスト加工を行ってバリアーリブ形状を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymeric compound as a resist material, especially a chemically amplified positive-type resist material, having high resolution tendency greater than that of conventional positive-type resist materials, good in the in-plane size uniformity on a substrate(e.g. mask blanks) of a resist pattern after developed, and having high etching resistance as well.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

The method of patterning the converted film comprises a step for laying a pattern mask in the presence of air over the ordinal pressure on a surface of polysilazan applied to a base surface, exposing it to short-wavelength UV rays having wavelengths of 100-280 nm, and dissolving and removing unexposed portions by an developing solution.例文帳に追加

該転化膜をパタ−ン化する方法は、基体面に塗膜されたポリシラザン面に、常圧以上の空気の存在下でパタ−ンマスクを載置し、これに１００〜２８０ｎｍの波長を有する短波長紫外線を露光して後、未露光部分を現像溶剤にて溶解除去すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of surely connecting the divided patterns together, lessening a width change in a line at a joint between the transferred patterns, when the divided patterns are formed on a mask and then transferred to a resist for the formation of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for forming the refractive index pattern, a hybrid material comprising a polysilane compound and an inorganic compound is irradiated with an active energy line via a mask, a polysilane decomposition product of the irradiated part is removed, and then the whole hybrid material is hardened by heating.例文帳に追加

ポリシラン化合物と無機化合物からなるハイブリッド材料にマスクを介して活性エネルギー線を照射し、この照射部分のポリシラン分解物を除去した後に、ハイブリッド材料全体を加熱して硬化させることを特徴とする屈折率パターンの形成方法。 - 特許庁

This invention concretely provides the method for forming the semiconductor structure including a plurality of fin FET devices, and provides a method for using a mask getting across it together with a chemical oxide removing (COR) process when a rectangular pattern is formed to demarcate a relatively fine fin.例文帳に追加

具体的には本発明は、複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法であって、長方形のパターンを形成して相対的に細いフィンを画定する際に、これを横切るマスクを、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスとともに使用する方法を提供する。 - 特許庁

After making contact holes for exposing a substance containing silicon formed on a semiconductor substrate using a photoresist pattern as an etching mask, the semiconductor substrate is loaded in a cluster system where a plasma pretreatment module and a deposition module are coupled under vacuum state.例文帳に追加

フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置にローディングさせる。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which is used for forming a pattern by utilizing an action of a photocatalyst by an energy irradiation, and has a photocatalyst containing layer capable of forming patterns different in characteristic efficiently with high resolution.例文帳に追加

本発明は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用してパターンを形成する際に用いられ、特性の異なるパターンを効率的に、また高解像度で形成することが可能な、光触媒含有層を有する露光用マスクを提供することを主目的としている。 - 特許庁

A third hydrogen barrier film 104 is deposited to cover the exposed film 4, the film 4 and the film 30 are sequentially etched by using a mask formed thereon, and the film 4 and a lower electrode 3 self-aligned with the film 4 are pattern formed.例文帳に追加

露出した強誘電体膜４を覆って第３の水素バリア膜１０４を堆積し、この上に形成したマスクを用いて強誘電体膜４及び下部電極膜３０を順次エッチングして、強誘電体膜４とこれに自己整合された下部電極３をパターン形成する。 - 特許庁

A plurality of frames are selectively positioned in an irradiation region 228 of the incident light by feeding an array of the plurality of frames, a sheet-like mask 200 extended in a longitudinal direction in a longitudinal direction for sequentially projecting the plurality of pattern light beams to the object.例文帳に追加

複数のパターン光を順次、物体に投影するために、シート状を成して長さ方向に延びるマスク２００であって複数のフレームが並んだものを長さ方向に送ることにより、複数のフレームを選択的に前記入射光の照射領域２２８に位置決めする。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

An illuminance correcting filter 3 and a light source 2 for sensitizing a photosensitive resist having a reciprocity characteristic are arranged in order through a shutter device 4 for turning on and off an exposure on the outside of a CRT panel P having inside a color selecting mask 1 being an aperture grille forming a phosphor pattern between black stripes.例文帳に追加

ＣＲＴパネルの内面にブラックストライプを形成する際に用いるレジストパターンを、均一なブラックストライプ間の開口幅の寸法に応じて形成する際、パターンの転写を行う複数回の本露光の前に、感光性レジスト膜に対して、パネル外面から短時間の外面露光を行う。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

To provide a channel coding and decoding device for a wireless unit, that reduces the quantity of a parameter arithmetic operation for coding/ decoding processing including a rate so as to reduce the current consumption and uses a memory of a small capacity and a decoder with a small scale to cope with a mask pattern for different coding.例文帳に追加

無線装置におけるチャネル符号化及び復号化装置に関し、レートを含む符号／復号処理のパラメータ演算を削減して消費電流を削減し、また、異なる符号化用のマスクパターンに対して、小容量のメモリ及び小規模の復号器よって対応可能にする。 - 特許庁

Ordering 1303 of the likeliness of the occurrence of a failure and weighting of failures are executed in consideration of physical information of a mask pattern in a chip and actual performances of a cell and a functional block, thereby performing highly accurate and efficient failure inspection 1306 and laying out based on an actual failure.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

A different wafer temperature within the surface of the wafer mounted on the plasma etching device is induced according to a shape value (a width or the like) distrubution within the wafer surface, during etching by plasma the film of the wafer to be etched by measuring the shape value of the resist pattern to be the mask within the wafer surface.例文帳に追加

マスクとなるレジストパターンの形状値（幅など）のウエハ面内分布を測定し、そのウエハをプラズマで被エッチング膜をエッチングする際に、そのウエハ面内の形状値分布に応じて、プラズマエッチング装置に載置されたウエハの面内に異なるウエハ温度を生じるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate which can prevent variation of capacity and reduction of aperture ratio caused by misalignment of a mask pattern, when the substrate is used for a planar display device and which can maintain good display characteristics even in a large-size high-definition planar display device.例文帳に追加

平面表示装置用のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンの位置合わせズレに起因する容量変動や開口率の低下を防止することができ、大型かつ高精細の平面表示装置にあっても良好な表示特性を確保できるものを提供する。 - 特許庁

To reduce image quality degradation due to beating caused by ink overlap by planning a mask pattern used for completing an image in a predetermined region of a recording medium with a plurality of times of scanning of a first and a second nozzle group (C nozzle group, M nozzle group).例文帳に追加

インクを吐出するための第1および第２のノズル群（Ｃノズル群、Ｍノズル群）の複数回の走査によって記録媒体の所定領域の画像を完成させるために用いるマスクパターンを工夫することによって、インクの重なりに起因するビーディングによる画質劣化を軽減する。 - 特許庁

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used.例文帳に追加

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

Taking into consideration physical information of a mask pattern within a chip and the actual results of cells or functional blocks, sorting 1303 failures and weighting of failures are carried out, and a failure inspection 1306 with high precision and high efficiency based on an actual failure or a layout is carried out.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

At first, until forming beams 21 reach from a region at a lower left corner of a circuit pattern 16a to an upper left region, a substrate stage 12 and a mask stage 17 are continuously moved to a -Y direction, while the forming beams 21 are irradiated, thereby obtaining a partial irradiation region 22.例文帳に追加

まず、成形ビーム２１を回路パターン１６ａの左下隅の領域から左上の領域に達するまで、基板ステージ１２及びマスクステージ１７を連続的に−Ｙ方向に移動させながら、成形ビーム２１を照射することにより部分照射領域２２を得る。 - 特許庁

This thin tabular mask 100 for vapor deposition having such an opening 10 as to match a pattern to be vapor-deposited on the article formed therein has a protrusion 14 formed on the surface which faces the surface to be vapor-deposited of the article.例文帳に追加

被蒸着対象物への蒸着パターンに対応する開口部１０が形成された薄板状の蒸着用マスク１００であって、被蒸着対象物の蒸着対象面と向かい合う対向面に突起１４を形成することによって上記課題を解決できる。 - 特許庁

An exposure apparatus using an immersion lithography method includes a projection lens 31 for projecting an exposure light which transmits through the mask 22 having a design pattern to a resist film, and a solution supply unit 40 for temporarily storing an immersion solution 21A disposed between the resist film and the lens.例文帳に追加

浸漬リソグラフィ法を用いる露光装置は、設計パターンを有するマスク２２を透過した露光光をレジスト膜に投影する投影レンズ３１と、レジスト膜とレンズとの間に配する浸漬溶液２１Ａを一時的に貯留する溶液供給部４０とを含んでいる。 - 特許庁

The upper layer after the pattern formation is used as a mask for the optical ozone ashing of the lower layer and then a peeling process for the upper layer, a conductive film forming process, an electroforming process, a peeling process for an electroformed film (stamper layer 12), and a specific postprocess for the electroformed film are carried out to obtain a desired original disk.例文帳に追加

パターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、電鋳工程、電鋳膜（スタンパ層１２）の剥離工程および、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の原盤を得る。 - 特許庁

The method further comprises the steps of passing a printing substance 7 carried on the mask 3 through the openings 3 while moving the substance 7 by a print head 8 to adhere the substance onto the base 1 to print and form a predetermined wiring pattern 10 with the substance 7 adhered onto the base 1.例文帳に追加

マスク３上に乗せた印刷物質７を、印刷ヘッド８により移動させながら配線用開口部３ａを通過させて被印刷基材１上に付着させることにより、被印刷基材１上に付着した印刷物質７によって所定の配線パターン１０を印刷形成する。 - 特許庁

Then, when each of the out-in shots is exposed, not only a mask R of the shot is aligned with a pattern image according to the determined alignment of the shots, but also a face position of the wafer is adjusted according to the relative position detected during the measurement of the coordinate position.例文帳に追加

そして、上記の外内ショットを各々露光するときには、上で決定されたショットの配列に基づいて該ショットのマスクＲのパターン像との位置合わせが行われるとともに、座標位置の計測の際に検出された相対位置に基づいてウエハの面位置が調整される。 - 特許庁

To provide an exposure mask for an aligner capable of approaching to a photoresist film with a light shielding pattern formed on a surface of a substrate to be processed when exposed, closely thereto or under a condition near to a close contact, even when protruded contamination exists on the surface of the substrate to be treated, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The process for making the orthopedic bearing material includes applying X rays to a raw material hardened through an irradiation mask having a puncture pattern for cross-linking selected regions on the raw material, and optionally forming the raw material into the bearing material.例文帳に追加

例えば、原材料の選択された領域を架橋するための穿孔パターンを有する照射マスクを通して固められた形態の原材料を放射線照射し、任意で、原材料をベアリング材料に成形することによって、整形外科用ベアリング材料を作製するためのプロセスも開示されている。 - 特許庁

To obtain an arch-like or ring-like irradiation beam by providing a scattering device, which checks diffusion of irradiation beam to a projection system with which the pattern image of a mask in a lithography projection system is irradiated on a substrate and forming a fan-like curved line by reflecting a fine collimated incident beam.例文帳に追加

リソグラフ投影装置におけるマスクのパターンイメージを基板に照射する投影システムに照射ビームの拡散を制御する散乱装置を設けて、細いコリメート入射ビームを反射させて扇曲線形とすることにより、アーチ状あるいはリング状の照射ビームを得る。 - 特許庁

In the exposing method where a substrate P is sucked to a substrate stage 23 and the pattern of a mask R is transferred to the exposing region of the substrate P, the region to be sucked is specified for the substrate P depending on the exposing region and the specified region is sucked to the substrate stage 23.例文帳に追加

基板ステージ２３に基板Ｐを吸着し、マスクＲのパターンを基板Ｐの露光領域に転写する露光方法において、基板Ｐに対して吸着対象の領域を露光領域に応じて特定し、特定した対象領域を基板ステージ２３に吸着する。 - 特許庁

The mask 109 for exposure having a micro opening pattern is elastically deformed and contacted to or exfoliated from an object 110A to be exposed with the pressurizing and depressurizing operation by a pressurizing and depressurizing means 51, and a controlling means 200 controls the pressurizing and depressurizing operation by the pressuring and depressuring means 51.例文帳に追加

加減圧手段５１により、微小開口パターンを有する露光用マスク１０９を加減圧により弾性変形させて被露光物１１０Ａに接触、又は剥離させると共に、制御手段２００により加減圧手段５１による加減圧動作を制御する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the integrated optical element having the three or more optical element portions integrated in a manner of connecting them one after another by using the butt joint technique twice or more, a dielectric mask pattern used for the second butt joint process is shaped such that a tip portion is made thinner.例文帳に追加

２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for relaxing the difference in heating occurring between an illumination part and a nonillumination part, accordingly, a stress difference, when forming the image of the pattern of a mask on a resist layer by electrons, ions or radiation such as an X ray or an ultraviolet ray, using a lithography projector.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置で、マスクのパターンを電子、イオン、Ｘ線または紫外線のような放射線によってレジスト層上に結像する際、照射部と非照射部の間に生ずる加熱差、従って応力差を緩和するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁