「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method which can improve the degree of production margin in a phase shift mask manufacturing process and takes the actual width and length of a linear pattern into consideration as a correcting method for photomask data for a drawing device for manufacturing a substrate digging type Levenson phase shift photomask.例文帳に追加

基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供する。 - 特許庁

After removing the ion implantation mask pattern, a transfer gate electrode, an NMOS gate electrode, and a PMOS gate electrode are formed on a semiconductor substrate in a pixel region, on that of the NMOS region, and on that of the PMOS region, respectively, by patterning the polysilicon film.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを除去した後にポリシリコン膜をパターニングして画素領域の半導体基板上に転送ゲート電極、ＮＭＯＳ領域の半導体基板上にＮＭＯＳゲート電極及びＰＭＯＳ領域の半導体基板上にＰＭＯＳゲート電極を形成する。 - 特許庁

This mask for reflection type exposure includes: a first layer formed on a support substrate 100 and having a low-reflection processing pattern absorbing exposure light and a reflective multilayer film 101 reflecting exposure light; and a second layer formed on the reflective multilayer film 101 and having an absorber layer 120 absorbing exposure light.例文帳に追加

支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 - 特許庁

To enable highly accurate and effective failure inspection based on an actual failure, and laying out, and contribute to reducing failures such as an initial failure, in consideration of physical information of a mask pattern in the chip of a semiconductor integrated circuit, and actual performances of a cell and a functional block.例文帳に追加

半導体集積回路のチップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、セルや機能ブロックの実績を考慮し、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査やレイアウトを行なう事を可能として、初期不良などの故障の低減に寄与できるようにする。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。 - 特許庁

In a mask pattern 60 in the jet of the liquid, a jet ratio is maximized near the center in a sub-scanning direction, and gradually decreased toward both ends in the sub-scanning direction; and a decreased part is set to be an overlap area between respective main scannings.例文帳に追加

液体を噴射する際のマスクパターン６０は、噴射比率が副走査方向における中央付近で最大となり、前記副走査方向における両端に向かうに従って徐々に減少し、かつ当該減少部分が各主走査間の重複領域となるように設定されている。 - 特許庁

To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.例文帳に追加

フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁

After a film layer 6 consisting of the die attach film 4 and a UV tape 5 is provided on a semiconductor wafer 1 as a mask, border grooves 7 for dividing semiconductor elements 2 from one another formed on a circuit pattern forming surface 1a are formed on the film layer 6 to have the surface of the wafer 1 exposed.例文帳に追加

半導体ウエハ１にダイアタッチフィルム４及びＵＶテープ５から成るフィルム層６をマスクとして設けた後、そのフィルム層６に、回路パターン形成面１ａに形成された半導体素子２同士を区分する境界溝７を形成して半導体ウエハ１の表面を露出させる。 - 特許庁

To improve use efficiency of light while maintaining good accuracy in exposing a subject by irradiating it with a light beam having a viewing angle in one axial direction larger than a viewing angle in the other axial direction through a mask having a stripe pattern.例文帳に追加

一方の軸方向の視角が他方の軸方向の視角より大きい光を照射できるようにし、ストライプ状のパターンが形成されたマスクを介して被処理物に光を照射し被処理物を露光するに際し、良好な露光精度を維持しながら、光の利用効率を向上させること。 - 特許庁

To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、ＭＯＳ半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁

To provide an aligner that supports, aligns, and controls an object such that the reaction forces and the vibrations caused by the motion of the object are not transferred to other elements, such as a projection optical device for exposing a pattern of a mask onto the object, and to provide a method of exposure using the apparatus.例文帳に追加

対象物の運動により生ずる反力及び振動が、マスクのパターンを対象物に露光するための投影光学装置の如き他の要素に伝達しないように、対象物を支持、位置決め、及び、制御する露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inline-type vapor deposition apparatus which can control a film thickness with high accuracy and also requires only few sheets of masks for vapor deposition even when continuously conducting the vapor deposition onto articles each having a different vapor deposition pattern; a vapor deposition method using a mask; and a method for manufacturing an organic-electroluminescence device.例文帳に追加

膜厚を高い精度で制御できるとともに、蒸着パターンが異なる蒸着を連続して行なう場合でも蒸着用マスクの枚数が少なく済むインライン式蒸着装置、マスク蒸着方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a mask pattern is formed by making the layout of a cell library subjected to the OPC processing, the correction amount of the OPC is adjusted by taking into consideration the influences of patterns of other cell libraries laid around the cell library on the peripheral region of the cell library.例文帳に追加

あらかじめＯＰＣ処理が施されたセルライブラリをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、セルライブラリの周囲に配置された他のセルライブラリのパターンがセルライブラリの周辺領域に及ぼす影響を考慮することによって、上記ＯＰＣ補正の補正量を調整する。 - 特許庁

Then, the semiconductor crystal is dry-etched by using the mask to form a primary fine pattern on the semiconductor crystal.例文帳に追加

次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.例文帳に追加

ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

To provide a reflective mask for EUV exposure, which has a light shielding band superior in cleaning resistance, by improving light shielding performance at an overlapping portion of fields of a transfer pattern in EUV exposure to suppress leakage of exposure light, resulting in reduced effect of shadowing of exposure light, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制し、露光光のシャドーイングの影響を低減し、かつ耐洗浄性に優れた遮光帯を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alignment method for precisely aligning each one of shots S1 to S32 a substrate P with a pattern image of a mask M by obtaining an array of the shots S1 to S32 based on the condition of a temperature distribution on upper surface of a first holding section 26 of a substrate table PT.例文帳に追加

基板テーブルＰＴの第１保持部２６上面の温度分布に基づいた条件で、ショットＳ１〜Ｓ３２の配列を求めることで、基板ＰのショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

According to certain aspects, the present invention enables full chip pattern coverage while lowering the computation cost by intelligently selecting a small set 306 of critical design patterns from the full set 302 of clips to be used in light source and mask optimization.例文帳に追加

いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合３０２から重要な設計パターンの小さな集合３０６をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter provided with a laminate photospacer including a color pixel of at least ≥3 layers and a color pattern of at least one or more layers on a glass substrate, the color pixel and the laminate spacer are formed using a small-sized mask continuous exposure system.例文帳に追加

ガラス基板上に、少なくとも３レイヤー以上の着色画素と、少なくとも１レイヤー以上の着色パターンを含む積層フォトスペーサを設けるカラーフィルタの製造方法において、前記着色画素と前記積層スペーサとを小型マスク連続露光方式を用いて形成する。 - 特許庁

The mask original plate 1 includes: a substrate 2; a pattern 3 provided on the substrate 2; a measuring means 4 provided on the substrate 2 to measure the environment of the substrate 2; and a power generation means 7 provided on the substrate 2 to generate electricity supplied to the measuring means 4 by power generation.例文帳に追加

マスク原板１は、基板２と、基板２上に設けられたパターン３と、基板２に設けられ、基板２の環境を計測するための計測手段４と、基板２に設けられ、計測手段４に供給する電力を発電により発生する発電手段７とを具備している。 - 特許庁

This plasma display panel is formed by a process for providing a barrier rib forming layer on a substrate 11 and by forming a barrier rib shape by performing blast working after the barrier rib material used as the blast mask in dispersed with colored pigment on the barrier rib forming layer is coated in a pattern shape.例文帳に追加

このようなプラズマディスプレイパネルは、基板１１上にバリアーリブ形成層を設ける工程と、当該バリアーリブ形成層上に着色顔料を分散させたブラストマスク兼バリアーリブ材料をパターン状に塗工した後に、ブラスト加工を行ってバリアーリブ形状を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。 - 特許庁

When exposure heads 30a-30d are scanned for exposure over a first scan region As1 to a fourth scan region As4, respectively, a unit pattern group SLG having a width united with each width of the drawing object region in each scan region is beforehand formed on a mask.例文帳に追加

露光ヘッド３０ａ〜３０ｄそれぞれが第１走査領域Ａｓ１から第４走査領域Ａｓ４へかけて露光走査する際、各走査領域内の描画対象領域の幅それぞれに合わせた幅を有した単位パターン群ＳＬＧを予めマスク上に形成する。 - 特許庁

The data processing apparatus is provided with a loading process means for loading a plurality of pieces of data in a batch to a register, by matching to a mask pattern for higher-order partial autocorrelation features from inputted image data and an addition process means for carrying out processings of the addition of a plurality of pieces of data in the register, in batch.例文帳に追加

データ処理装置は、入力された画像データから、高次局所自己相関特徴のマスクパターンに合わせて複数データを一括してレジスタにロードするロード処理手段と、レジスタの複数データを一括して積算の処理を行う積算処理手段とを備える。 - 特許庁

The photo mask 5 for phase shift focus monitor has first and second light transmission parts 5c and 5d adjacent to each other across a light shielding pattern 5b between them and is so constituted that a phase difference other than 180° may be given for respective exposure light transmitted through the first and second light transmission parts 5c and 5d.例文帳に追加

この位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５は、遮光パターン５ｂを挟んで隣り合う第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを有し、かつ第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを透過した各露光光に１８０°以外の位相差が生じるように構成されている。 - 特許庁

The method of patterning the converted film comprises a step for laying a pattern mask in the presence of air over the ordinal pressure on a surface of polysilazan applied to a base surface, exposing it to short-wavelength UV rays having wavelengths of 100-280 nm, and dissolving and removing unexposed portions by an developing solution.例文帳に追加

該転化膜をパタ−ン化する方法は、基体面に塗膜されたポリシラザン面に、常圧以上の空気の存在下でパタ−ンマスクを載置し、これに１００〜２８０ｎｍの波長を有する短波長紫外線を露光して後、未露光部分を現像溶剤にて溶解除去すること。 - 特許庁

When a wiring groove is formed by dry etching an insulating film 21 with a photoresist film 23 patterned in a groove pattern as a mask, an etching ending point of the film 21 is detected by using an optical reflection interference waveform monitor or a plasma luminescence ending point monitor, thereby dry-etching only the film 21.例文帳に追加

溝パターンにパターニングされたフォトレジスト膜２３をマスクとして絶縁膜２１をドライエッチングし、配線溝を形成する際、光学式反射干渉波形モニタまたはプラズマ発光終点モニタを用いて絶縁膜２１のエッチング終点検出を行うことにより、絶縁膜２１のみをドライエッチングする。 - 特許庁

The cleaning device 150 cleans optical elements M1-M6 in an exposure apparatus 100 that exposes an object to be treated, using second light of which a wavelength is different from that of first light, by projecting, with the first light, the pattern of a mask 2 through the optical elements to the object 4 to be treated.例文帳に追加

洗浄装置１５０は、第１の光によりマスク２のパターンを光学素子Ｍ１〜Ｍ６を介して被処理体４に投影することにより該被処理体を露光する露光装置１００における該光学素子を、第１の光とは波長が異なる第２の光を用いて洗浄する。 - 特許庁

In a manufacturing process for a semiconductor integrated circuit device using electron beam exposure at least in part of the process, a dummy chip area is exposed to light using a mask having a dummy chip pattern of a size equal to or smaller than a maximum opening area allowable in an electron beam exposure device.例文帳に追加

プロセス工程の少なくとも一部で電子ビーム露光を用いる半導体集積回路装置の製造工程において、ダミーチップ領域を露光する際に、電子ビーム露光装置で許容される最大開口面積以下のサイズのダミーチップ用パターンを有するマスクを用いて露光する。 - 特許庁

At this point, the TFT and a wiring act as a mask, the photosensitive resin 10 lying on the TFT and the wiring is removed in an etching stage and a contact hole and a gently-sloping rugged pattern are formed on the drain electrode 8 and at the pixel aperture part, respectively.例文帳に追加

このとき、ＴＦＴおよび配線がマスクとして作用し、ＴＦＴおよび配線上の感光性樹脂層１０はエッチング工程で除去され、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に感光性樹脂層１０によるなだらかな凹凸パターンが、それぞれ形成される。 - 特許庁

To provide a polymeric compound as a resist material, especially a chemically amplified positive-type resist material, having high resolution tendency greater than that of conventional positive-type resist materials, good in the in-plane size uniformity on a substrate(e.g. mask blanks) of a resist pattern after developed, and having high etching resistance as well.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of surely connecting the divided patterns together, lessening a width change in a line at a joint between the transferred patterns, when the divided patterns are formed on a mask and then transferred to a resist for the formation of the pattern of a semiconductor device.例文帳に追加

分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for forming the refractive index pattern, a hybrid material comprising a polysilane compound and an inorganic compound is irradiated with an active energy line via a mask, a polysilane decomposition product of the irradiated part is removed, and then the whole hybrid material is hardened by heating.例文帳に追加

ポリシラン化合物と無機化合物からなるハイブリッド材料にマスクを介して活性エネルギー線を照射し、この照射部分のポリシラン分解物を除去した後に、ハイブリッド材料全体を加熱して硬化させることを特徴とする屈折率パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which is used for forming a pattern by utilizing an action of a photocatalyst by an energy irradiation, and has a photocatalyst containing layer capable of forming patterns different in characteristic efficiently with high resolution.例文帳に追加

本発明は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用してパターンを形成する際に用いられ、特性の異なるパターンを効率的に、また高解像度で形成することが可能な、光触媒含有層を有する露光用マスクを提供することを主目的としている。 - 特許庁

To carry out failure inspection with high precision or high efficiency based on an actual failure or carry out layout in consideration of physical information of a mask pattern and the actual results of cells or functional blocks within a chip of a semiconductor integrated circuit, to contribute to reduction of failures such as initial failures, etc.例文帳に追加

半導体集積回路のチップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、セルや機能ブロックの実績を考慮し、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査やレイアウトを行なう事を可能として、初期不良などの故障の低減に寄与できるようにする。 - 特許庁

After resist is applied on a substrate, a region where a logic with patterns arranged at random is formed is subjected to a first exposure process, using the interference of light penetrating through slit grooves 3 and 4 located on each side of the line of a pattern provided on a Levenson phase shift mask.例文帳に追加

基盤上にレジストを塗布した後、レベンソン位相シフトマスクに設けられたパターンにおける線幅方向の両側のスリット溝３とスリット溝４とをそれぞれ透過する光の干渉を用いて、ランダムに配置されたパターン形状を有するロジック部の形成領域に対して１回目の露光を行う。 - 特許庁

Plating process is performed to form plating on a material surface of an un-mask part 1b after supplying ink 12 containing fluororesin to an outer circumference surface 2a1 of material 2a' of a shaft member and forming a masking pattern 1 corresponding to a shape of a dynamic pressure generation part by an aggregate of minute ink.例文帳に追加

軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１に、フッ素樹脂を含有したインク１２を供給して、微量インクの集合体で動圧発生部の形状に対応したマスキングパターン１を形成した後、めっき処理を行い、非マスク部１ｂの素材表面にめっきを形成する。 - 特許庁

Whether to make a comparison between a threshold and an updated pixel value with an accumulated error added to a pixel value of a pixel to be processed in noted multivalued image data is determined based on data corresponding to the pixel to be processed in the mask pattern data corresponding to the noted multivalued image data.例文帳に追加

着目多値画像データ中の処理対象画素の画素値に累積誤差を加算した更新済み画素値と閾値との大小比較を行うか否かを、着目多値画像データに対応するマスクパターンデータ中の処理対象画素に対応するデータに基づいて判断する。 - 特許庁

After etching the first sacrifice layer, the electrode metal layer and the insulating film using the resist 5 as a mask, the resist 5 is removed to form a pattern of the laminated material of the insulating film 2, the electrode metal layer 3, and the first sacrifice layer 4 on the first diamond semiconductor region 1.例文帳に追加

そして、レジスト５をマスクとして、第１の犠牲層、電極金属層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去することにより、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、絶縁膜２と電極金属層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。 - 特許庁

To provide a scanning exposure apparatus using microlens arrays capable of aligning an image of a mask pattern with a prescribed position, even if the size of a substrate to be exposed is changed due to changes in the characteristics of the exposure apparatus and manufacturing conditions such as temperature conditions.例文帳に追加

マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、露光装置特性及び温度条件等の製造条件の変動に起因して、被露光基板の大きさの変動が生じても、マスクパターンの像を所定位置に合わせることができるマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

At this time, the reading operation is controlled according to the recording mode alternatively utilized among two or more recording modes, and the control is performed so that the AND operation may be performed with commonly applying the same mask pattern read to the recording data corresponding to the plural different nozzle trains read.例文帳に追加

ここで、複数の記録モードから選択的に用いられる記録モードに従って、読込動作を制御し、読込まれた同じマスクパターンを、読込まれた複数の異なるノズル列に対応する記録データに対して共通に適用してＡＮＤ演算を行なうよう制御する。 - 特許庁