「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the etching method of the thin plate comprises the process of forming the resist film of the prescribed pattern corresponding to an open hole to be etched on the thin plate as the mask, the process of etching the thin plate with the resist film as the mask and forming the open hole and the process of peeling the resist film by spraying the resist release agent to which the chemically stable particles are added.例文帳に追加

また、薄板上にエッチングしようとする開孔に対応する所定のパターンのレジスト膜をマスクとして形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記薄板をエッチングして開孔を形成する工程と、前記レジスト膜を、化学的に安定な微粒子が添加されたレジスト剥離剤をスプレーすることによって剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the nano-pattern structure formed with the continuous ultrafine patterns 12 composed of the ultrafine particles 10, on the substrate 2, the ultrafine patterns 12 are formed of the ultrafine particles 10 composed of mask constitutive atoms or constitutive molecules detached by the oblique irradiation of high energy beams to a mask 4 arranged on the substrate 2 and formed of a target material with fine clearances 6 for providing the patterns.例文帳に追加

基板２上に超微粒子１０によって構成される連続的な超微細パターン１２を形成してなるナノパターン構造体において、かかる超微細パターン１２が、前記基板２上に配置された、該パターンを与える細隙６を有するターゲット材からなるマスク４への高エネルギービームの斜め照射によって離脱した、該マスクの構成原子又は構成分子からなる超微粒子１０により形成されるようにした。 - 特許庁

To provide a method for producing a letterpress plate in which a photosensitive resin layer in a portion freed of a mask layer is not affected by oxygen in the air, and by which a letterpress plate having a good fine pattern can be obtained after development, with respect to a method for producing a letterpress plate from a multilayer laminate for producing a letterpress plate including a photosensitive resin layer and a mask layer.例文帳に追加

感光性樹脂層とマスク層とを有する凸版印刷版製造用多層積層体から凸版印刷版を製造する凸版印刷版の製造方法であって、マスク層が除去された部位の感光性樹脂層が空気中の酸素の影響を受けず、現像後に微細で良好なパターンを有する凸版印刷版を得ることができる凸版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The exposure mask is used to irradiate an object to be processed with light from a light irradiating device to form a pattern, and the mask comprises a photocatalyst layer 101 formed of a photocatalyst that develops a catalytic function by light from the light irradiating device and a light shielding layer 102 in contact with the photocatalyst layer and having an opening to selectively block the light from the light irradiating device.例文帳に追加

光照射装置から光を照射し、被処理物にパターンを形成する際に用いる露光用マスクであって、 前記光照射装置からの光によって触媒機能を発現する光触媒によって形成された光触媒層１０１と、 前記光触媒層に接し、前記光照射装置からの光を選択的に遮光する開口が形成された遮光層１０２と、を備えている構成とする。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a mask formed in a partial region on the first semiconductor layer, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer and mask in a predetermined pattern shape in a direction crossing the mask, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and the metallic material layer, and a cavity formed in the first semiconductor layer at a layer portion below the metallic material layer.例文帳に追加

本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

To provide a channel coding and decoding device for a wireless unit, that reduces the quantity of a parameter arithmetic operation for coding/ decoding processing including a rate so as to reduce the current consumption and uses a memory of a small capacity and a decoder with a small scale to cope with a mask pattern for different coding.例文帳に追加

無線装置におけるチャネル符号化及び復号化装置に関し、レートを含む符号／復号処理のパラメータ演算を削減して消費電流を削減し、また、異なる符号化用のマスクパターンに対して、小容量のメモリ及び小規模の復号器よって対応可能にする。 - 特許庁

Ordering 1303 of the likeliness of the occurrence of a failure and weighting of failures are executed in consideration of physical information of a mask pattern in a chip and actual performances of a cell and a functional block, thereby performing highly accurate and efficient failure inspection 1306 and laying out based on an actual failure.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed.例文帳に追加

その語、第２配線用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１配線層４ａを形成するのと同時に第２配線層７を形成する。 - 特許庁

A different wafer temperature within the surface of the wafer mounted on the plasma etching device is induced according to a shape value (a width or the like) distrubution within the wafer surface, during etching by plasma the film of the wafer to be etched by measuring the shape value of the resist pattern to be the mask within the wafer surface.例文帳に追加

マスクとなるレジストパターンの形状値（幅など）のウエハ面内分布を測定し、そのウエハをプラズマで被エッチング膜をエッチングする際に、そのウエハ面内の形状値分布に応じて、プラズマエッチング装置に載置されたウエハの面内に異なるウエハ温度を生じるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate which can prevent variation of capacity and reduction of aperture ratio caused by misalignment of a mask pattern, when the substrate is used for a planar display device and which can maintain good display characteristics even in a large-size high-definition planar display device.例文帳に追加

平面表示装置用のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンの位置合わせズレに起因する容量変動や開口率の低下を防止することができ、大型かつ高精細の平面表示装置にあっても良好な表示特性を確保できるものを提供する。 - 特許庁

To reduce image quality degradation due to beating caused by ink overlap by planning a mask pattern used for completing an image in a predetermined region of a recording medium with a plurality of times of scanning of a first and a second nozzle group (C nozzle group, M nozzle group).例文帳に追加

インクを吐出するための第1および第２のノズル群（Ｃノズル群、Ｍノズル群）の複数回の走査によって記録媒体の所定領域の画像を完成させるために用いるマスクパターンを工夫することによって、インクの重なりに起因するビーディングによる画質劣化を軽減する。 - 特許庁

To provide an exposure method, and exposure apparatus, a method of manufacturing a device, and a device, where a pattern having a line width larger than resolution limit is transferred in desired contrast to secure desired resolution when a projection optical system clearing in midsection and a phase shift mask are used.例文帳に追加

本発明は、中抜けのある投影光学系と位相シフトマスクを使用した場合に、限界解像よりも大きな線幅のパターンを所望のコントラストで転写して所望の解像度を確保する露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of initial multi-pass print processing, the print object area is enlarged sequentially for each pass from the nozzle area on the downstream side of sheet carriage to the nozzle area on the upstream side and a mask pattern being assigned to the nozzle area of print object is switched sequentially for each pass.例文帳に追加

初期マルチパス印字処理時には、パス毎に用紙搬送下流側のノズル領域から順次上流側のノズル領域まで印字対象領域を拡大していくとともに、パス毎に印字対象のノズル領域に割り当てるべきマスクパターンを順次切り替えていく。 - 特許庁

Then a dummy spacer film 143 and a side-wall pattern on a side wall of the core material film 13 are formed, by using lithography technique and etching technique, so that the spacer film 14 is positioned within a range of a predetermined distance from a position where the spacer film 14 is left as a mask for subsequent etching.例文帳に追加

ついで、スペーサ膜１４を後のエッチング時のマスクとして残す位置から所定の距離の範囲にスペーサ膜１４が位置するようにダミーのスペーサ膜１４３と、芯材膜１３の側壁に側壁パターンとをリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a stage apparatus the degradation of control accuracy of which is prevented, an exposure apparatus transferring a mask pattern on a substrate on the stage apparatus without incurring deterioration in the exposure accuracy, and a device manufacturing method for using the exposure apparatus to manufacture devices.例文帳に追加

ステージ装置の制御精度の低下を防止することができるステージ装置、当該ステージ装置上の基板にマスクのパターンを露光精度の悪化を招かずに転写することができる露光装置、並びに当該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair.例文帳に追加

消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域２つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第１不透明パターンを含む。 - 特許庁

A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.例文帳に追加

第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16.例文帳に追加

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。 - 特許庁

To provide an illuminating optical device which can provide illumination conditions which are highly diverse regarding proper illumination conditions such as a secondary light source shape, light intensity and polarization state required for transferring a mask pattern with various characteristics truly when mounted on an aligner.例文帳に追加

露光装置に搭載された場合に、様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の形状や光強度や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。 - 特許庁

To provide a blank for a reflective photomask and a manufacturing method thereof, and a reflective photomask and a manufacturing method thereof, in and by which the blank and the photomask are clean against an outgas component present in a resin-made mask case and a clean room environment, cause no contamination of the inside of an exposure device and allow a fine pattern to be formed.例文帳に追加

樹脂製マスクケースやクリーンルーム環境中に存在するアウトガス成分に対して清浄で露光装置内部を汚染することのなく、微細なパターン形成ができる、反射型フォトマスク用ブランク及びその製造方法並びに反射型フォトマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this manufacturing method, a silicon nitride film 7 of about 4 nm or smaller in thickness is formed on a silicon oxide film 6 formed on the top surface of a semiconductor substrate 1 and then the silicon nitride film 7 and silicon oxide film 6 in an region B where a thin gate insulating film is formed are removed in the order, by using a resist pattern 8 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に約４ｎｍ以下の窒化シリコン膜７を形成し、次いでレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜６を順次除去する。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

In the case of any change in part of a plurality of unit processes (e.g. mass processes) constituting a unit process group, an OPC rule/model is newly set on the basis of proximity effect data before and after the change on the unit process subjected to the change and proximity effect correction of the pattern of a mask for exposure is carried out.例文帳に追加

ユニットプロセス群を構成する複数のユニットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターンの近接効果補正を行う。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

To provide a photoresist composition having sufficient basic characteristics such as sensitivity and excellent lithographic performances represented by an MEEF (mask error enhancement factor) and LWR (line width roughness) as an indicator, to provide a method for forming a resist pattern using the photoresist composition, and to provide a polymer and a compound to be used for the resist composition.例文帳に追加

感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ及びＬＷＲを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine and accurate pattern even on a substrate having high reflectivity, a substrate or the like in which a transparent film is interleaved by solving a problem (deterioration of a dimensional accuracy) due to halation or interference of a reflected light from the substrate and conducting an accurate mask alignment.例文帳に追加

基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題（寸法精度劣化）を解決し、精度の高いマスクアライメントを行うことで、反射率の高い基板，透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a new screen printing plate, with which the screen printing plate having a mask layer excellent in fixture to screen and plate wearability can be manufactured at all times irrespective of the kinds of fibers or the like making the screen thereof by forming a pattern by utilizing an inkjet printing method.例文帳に追加

インクジェット印刷法を利用したパターン形成によって、スクリーンのもとになる繊維等の種類に関係なく、常に、前記スクリーンに対する定着性や耐刷性に優れたマスク層を有するスクリーン印刷版を製造することができる、新規なスクリーン印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal mask screen plate has a pattern-like hole 8 formed in a metal plate 2, the meshes 4 having a thicknes smaller than that of a metal plate 2 is formed to the hole 8, the mesh 4 is disposed flush with the metal plate 2, and the flush surface constitutes a squeegee surface.例文帳に追加

金属板２にパターン状の孔８が設けられ、かつ、当該孔８に、金属板２よりも薄膜のメッシュ４が形成されてなり、その一方の面において、メッシュ４が金属板２と面一になるように配され、当該面がスキージ面を構成することを特徴とするメタルマスクスクリーン版。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

A sheet having a through-hole 12 with a definite aperture ratio is fixed on a plate frame 3, and after the whole face of the sheet 2 is coated with a photosensitive emulsion 4 and is dried, a mask film on which a printing pattern is drawn is hermetically stuck under vacuum, it is irradiated with ultraviolet rays, and an unexposed part is developed and removed.例文帳に追加

版枠３に一定の開孔率の透孔１２を有するシート２を版枠３に固定し、シート２の全面に感光性乳剤４を塗布し乾燥した後、印刷パターンが描画されたマスクフィルムを真空密着し紫外線照射した後未露光部を現像除去する。 - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor device, the impurity ion implantation which is performed for forming a well, and the impurity ion implantation which is performed for adjusting the threshold of a transistor formed in the well, are performed on the active area of a silicon substrate by using the same resist pattern as a mask.例文帳に追加

シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

After removing the mask pattern 19 and forming a metal film 25 on the silicon substrate 1 on which the silicide block film 21 is formed, a silicide layer is selectively formed by performing heat treatment on the surface layer of the silicon substrate in the silicide region other than the sensor region 1s.例文帳に追加

マスクパターン１９を除去してシリサイドブロック膜２１が形成されたシリコン基板１上に金属膜２５を成膜した後、熱処理を行うことによりセンサ領域１ｓ以外のシリサイド領域におけるシリコン基板の表面層に選択的にシリサイド層を成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the mask for sandblasting includes a resin layer forming process of forming a photosensitive resin layer on a substrate, and a pattern forming process of forming the patterns consisting of a photosensitive resin material by subliminating the unnecessary portions of the photosensitive resin layer.例文帳に追加

本発明に係るサンドブラスト用マスクの製造方法は、基材の上に感光性樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記感光性樹脂層の不要部分を昇華させて、感光性樹脂部材からなるパターンを形成するパターン形成工程と、を含むものである。 - 特許庁

A method for evaluating a thin film for a transfer mask having a thin film in which a pattern is formed on a transparent substrate by irradiating with ArF excimer laser exposure light includes a step of evaluating light resistance of the thin film by intermittently irradiating the thin film with pulsed laser light.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた転写用マスクのための薄膜の評価方法であって、パルスレーザ光を前記薄膜に間欠的に照射することによって薄膜の耐光性を評価する工程を備える。 - 特許庁

Taking into consideration physical information of a mask pattern within a chip and the actual results of cells or functional blocks, sorting 1303 failures and weighting of failures are carried out, and a failure inspection 1306 with high precision and high efficiency based on an actual failure or a layout is carried out.例文帳に追加

チップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、また、セルや機能ブロックの実績を考慮して、故障の起こりやすさの順番づけ１３０３及び故障の重みづけを行ない、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査１３０６やレイアウトを行なう。 - 特許庁

At first, until forming beams 21 reach from a region at a lower left corner of a circuit pattern 16a to an upper left region, a substrate stage 12 and a mask stage 17 are continuously moved to a -Y direction, while the forming beams 21 are irradiated, thereby obtaining a partial irradiation region 22.例文帳に追加

まず、成形ビーム２１を回路パターン１６ａの左下隅の領域から左上の領域に達するまで、基板ステージ１２及びマスクステージ１７を連続的に−Ｙ方向に移動させながら、成形ビーム２１を照射することにより部分照射領域２２を得る。 - 特許庁

This thin tabular mask 100 for vapor deposition having such an opening 10 as to match a pattern to be vapor-deposited on the article formed therein has a protrusion 14 formed on the surface which faces the surface to be vapor-deposited of the article.例文帳に追加

被蒸着対象物への蒸着パターンに対応する開口部１０が形成された薄板状の蒸着用マスク１００であって、被蒸着対象物の蒸着対象面と向かい合う対向面に突起１４を形成することによって上記課題を解決できる。 - 特許庁

An exposure apparatus using an immersion lithography method includes a projection lens 31 for projecting an exposure light which transmits through the mask 22 having a design pattern to a resist film, and a solution supply unit 40 for temporarily storing an immersion solution 21A disposed between the resist film and the lens.例文帳に追加

浸漬リソグラフィ法を用いる露光装置は、設計パターンを有するマスク２２を透過した露光光をレジスト膜に投影する投影レンズ３１と、レジスト膜とレンズとの間に配する浸漬溶液２１Ａを一時的に貯留する溶液供給部４０とを含んでいる。 - 特許庁