「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the etching method of the thin plate comprises the process of forming the resist film of the prescribed pattern corresponding to an open hole to be etched on the thin plate as the mask, the process of etching the thin plate with the resist film as the mask and forming the open hole and the process of peeling the resist film by spraying the resist release agent to which the chemically stable particles are added.例文帳に追加

また、薄板上にエッチングしようとする開孔に対応する所定のパターンのレジスト膜をマスクとして形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記薄板をエッチングして開孔を形成する工程と、前記レジスト膜を、化学的に安定な微粒子が添加されたレジスト剥離剤をスプレーすることによって剥離する工程と、を備えることを特徴とする薄板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a letterpress plate in which a photosensitive resin layer in a portion freed of a mask layer is not affected by oxygen in the air, and by which a letterpress plate having a good fine pattern can be obtained after development, with respect to a method for producing a letterpress plate from a multilayer laminate for producing a letterpress plate including a photosensitive resin layer and a mask layer.例文帳に追加

感光性樹脂層とマスク層とを有する凸版印刷版製造用多層積層体から凸版印刷版を製造する凸版印刷版の製造方法であって、マスク層が除去された部位の感光性樹脂層が空気中の酸素の影響を受けず、現像後に微細で良好なパターンを有する凸版印刷版を得ることができる凸版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the nano-pattern structure formed with the continuous ultrafine patterns 12 composed of the ultrafine particles 10, on the substrate 2, the ultrafine patterns 12 are formed of the ultrafine particles 10 composed of mask constitutive atoms or constitutive molecules detached by the oblique irradiation of high energy beams to a mask 4 arranged on the substrate 2 and formed of a target material with fine clearances 6 for providing the patterns.例文帳に追加

基板２上に超微粒子１０によって構成される連続的な超微細パターン１２を形成してなるナノパターン構造体において、かかる超微細パターン１２が、前記基板２上に配置された、該パターンを与える細隙６を有するターゲット材からなるマスク４への高エネルギービームの斜め照射によって離脱した、該マスクの構成原子又は構成分子からなる超微粒子１０により形成されるようにした。 - 特許庁

The exposure mask is used to irradiate an object to be processed with light from a light irradiating device to form a pattern, and the mask comprises a photocatalyst layer 101 formed of a photocatalyst that develops a catalytic function by light from the light irradiating device and a light shielding layer 102 in contact with the photocatalyst layer and having an opening to selectively block the light from the light irradiating device.例文帳に追加

光照射装置から光を照射し、被処理物にパターンを形成する際に用いる露光用マスクであって、 前記光照射装置からの光によって触媒機能を発現する光触媒によって形成された光触媒層１０１と、 前記光触媒層に接し、前記光照射装置からの光を選択的に遮光する開口が形成された遮光層１０２と、を備えている構成とする。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a reflective mask blank for EUV lithography where a layer 12 reflecting EUV light, a layer 14 for absorbing EUV light, and a low reflection layer 15 for the inspection light (wavelength 190-260 nm) of a mask pattern are formed on a substrate 11 in this order, the low reflection layer 15 contains hafnium Hf, nitrogen N and oxygen O at content in total of 80 at% or more.例文帳に追加

基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、マスクパターンの検査光（波長１９０〜２６０ｎｍ）に対する低反射層１５が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、ハフニウム（Ｈｆ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を合計含有率で８０ａｔ％以上含有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a mask formed in a partial region on the first semiconductor layer, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer and mask in a predetermined pattern shape in a direction crossing the mask, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and the metallic material layer, and a cavity formed in the first semiconductor layer at a layer portion below the metallic material layer.例文帳に追加

本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine and accurate pattern even on a substrate having high reflectivity, a substrate or the like in which a transparent film is interleaved by solving a problem (deterioration of a dimensional accuracy) due to halation or interference of a reflected light from the substrate and conducting an accurate mask alignment.例文帳に追加

基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題（寸法精度劣化）を解決し、精度の高いマスクアライメントを行うことで、反射率の高い基板，透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a new screen printing plate, with which the screen printing plate having a mask layer excellent in fixture to screen and plate wearability can be manufactured at all times irrespective of the kinds of fibers or the like making the screen thereof by forming a pattern by utilizing an inkjet printing method.例文帳に追加

インクジェット印刷法を利用したパターン形成によって、スクリーンのもとになる繊維等の種類に関係なく、常に、前記スクリーンに対する定着性や耐刷性に優れたマスク層を有するスクリーン印刷版を製造することができる、新規なスクリーン印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal mask screen plate has a pattern-like hole 8 formed in a metal plate 2, the meshes 4 having a thicknes smaller than that of a metal plate 2 is formed to the hole 8, the mesh 4 is disposed flush with the metal plate 2, and the flush surface constitutes a squeegee surface.例文帳に追加

金属板２にパターン状の孔８が設けられ、かつ、当該孔８に、金属板２よりも薄膜のメッシュ４が形成されてなり、その一方の面において、メッシュ４が金属板２と面一になるように配され、当該面がスキージ面を構成することを特徴とするメタルマスクスクリーン版。 - 特許庁

A sheet having a through-hole 12 with a definite aperture ratio is fixed on a plate frame 3, and after the whole face of the sheet 2 is coated with a photosensitive emulsion 4 and is dried, a mask film on which a printing pattern is drawn is hermetically stuck under vacuum, it is irradiated with ultraviolet rays, and an unexposed part is developed and removed.例文帳に追加

版枠３に一定の開孔率の透孔１２を有するシート２を版枠３に固定し、シート２の全面に感光性乳剤４を塗布し乾燥した後、印刷パターンが描画されたマスクフィルムを真空密着し紫外線照射した後未露光部を現像除去する。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

The problems are resolved by a light emitting layer laminating process laminating a light emitting layer 4A like a buffer layer 2A or an organic fluorescent body layer 3A on a substrate 1 through an electrode, and a dry etching process obtaining a light emitting layer 4A' in a pattern shape by dry-etching the light emitting layer 4A through a mask 5A.例文帳に追加

基板１上に電極等を介し、バッファー層２Ａ、有機蛍光体層３Ａ等の発光層４Ａを積層する発光層積層工程、発光層４Ａをマスク５Ａを介しドライエッチングしてパターン状の発光層４Ａ’を得るドライエッチング工程とにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16.例文帳に追加

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。 - 特許庁

To provide an illuminating optical device which can provide illumination conditions which are highly diverse regarding proper illumination conditions such as a secondary light source shape, light intensity and polarization state required for transferring a mask pattern with various characteristics truly when mounted on an aligner.例文帳に追加

露光装置に搭載された場合に、様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の形状や光強度や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。 - 特許庁

To provide a blank for a reflective photomask and a manufacturing method thereof, and a reflective photomask and a manufacturing method thereof, in and by which the blank and the photomask are clean against an outgas component present in a resin-made mask case and a clean room environment, cause no contamination of the inside of an exposure device and allow a fine pattern to be formed.例文帳に追加

樹脂製マスクケースやクリーンルーム環境中に存在するアウトガス成分に対して清浄で露光装置内部を汚染することのなく、微細なパターン形成ができる、反射型フォトマスク用ブランク及びその製造方法並びに反射型フォトマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this manufacturing method, a silicon nitride film 7 of about 4 nm or smaller in thickness is formed on a silicon oxide film 6 formed on the top surface of a semiconductor substrate 1 and then the silicon nitride film 7 and silicon oxide film 6 in an region B where a thin gate insulating film is formed are removed in the order, by using a resist pattern 8 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に約４ｎｍ以下の窒化シリコン膜７を形成し、次いでレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの窒化シリコン膜７および酸化シリコン膜６を順次除去する。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

In the case of any change in part of a plurality of unit processes (e.g. mass processes) constituting a unit process group, an OPC rule/model is newly set on the basis of proximity effect data before and after the change on the unit process subjected to the change and proximity effect correction of the pattern of a mask for exposure is carried out.例文帳に追加

ユニットプロセス群を構成する複数のユニットプロセス（例えばマスクプロセス）の一部に変更が生じた場合、変更が生じたユニットプロセスについての変更前および変更後の近接効果データに基づいてＯＰＣルール／モデルを新たに設定し、露光マスクのパターンの近接効果補正を行う。 - 特許庁

To provide a photoresist composition having sufficient basic characteristics such as sensitivity and excellent lithographic performances represented by an MEEF (mask error enhancement factor) and LWR (line width roughness) as an indicator, to provide a method for forming a resist pattern using the photoresist composition, and to provide a polymer and a compound to be used for the resist composition.例文帳に追加

感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ及びＬＷＲを指標とするリソグラフィー性能に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法、上記フォトレジスト組成物に用いられる重合体、及び化合物の提供。 - 特許庁

To overcome the problem of a prior art such that the reaction product of the atom of a metal film and the gas of dry etching is generated for preventing the patterning of the insulating film in a termination process when the insulating film on the metal film is subjected to dry etching by a mask made of a photosensitive resin that is subjected to pattern formation.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜を、パターン形成された感光性樹脂のマスクでのドライエッチングを行うと、終端工程で、上記金属膜の原子と上記ドライエッチングのガスとの反応生成物が生成され、上記絶縁膜のパターン化の支障になる。 - 特許庁

In this method of manufacturing semiconductor device, the impurity ion implantation which is performed for forming a well, and the impurity ion implantation which is performed for adjusting the threshold of a transistor formed in the well, are performed on the active area of a silicon substrate by using the same resist pattern as a mask.例文帳に追加

シリコン基板の活性領域に、同一のレジストパターンをマスクとして、ウエル形成用の不純物イオン注入と、該ウエル内に形成されるトランジスタの閾値調整用の不純物イオン注入とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

In a resist pattern forming method being employed in a fabrication method of semiconductor device, first optical images 13a-13d having width W0 shorter than the wavelength of light are projected onto the resist surface by irradiating the resist surface formed on a substrate with light through a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において用いるレジストパターン形成方法であって、マスクを介して、基板上に形成されたレジスト表面に光を照射することにより、レジスト表面に光の波長以下の幅Ｗ０を有する第１の光学像１３ａ〜１３ｄを投影する。 - 特許庁

To provide a method which can improve the degree of production margin in a phase shift mask manufacturing process and takes the actual width and length of a linear pattern into consideration as a correcting method for photomask data for a drawing device for manufacturing a substrate digging type Levenson phase shift photomask.例文帳に追加

基板掘り込みタイプのレベンソン型位相シフトフォトマスクを作製のための、描画装置用フォトマスクデータの補正方法であって、位相シフトマスク製造プロセスの製造余裕度を向上させることができ、且つ、線状パタンの実際の幅と長さを考慮した方法を提供する。 - 特許庁

After removing the mask pattern 19 and forming a metal film 25 on the silicon substrate 1 on which the silicide block film 21 is formed, a silicide layer is selectively formed by performing heat treatment on the surface layer of the silicon substrate in the silicide region other than the sensor region 1s.例文帳に追加

マスクパターン１９を除去してシリサイドブロック膜２１が形成されたシリコン基板１上に金属膜２５を成膜した後、熱処理を行うことによりセンサ領域１ｓ以外のシリサイド領域におけるシリコン基板の表面層に選択的にシリサイド層を成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the mask for sandblasting includes a resin layer forming process of forming a photosensitive resin layer on a substrate, and a pattern forming process of forming the patterns consisting of a photosensitive resin material by subliminating the unnecessary portions of the photosensitive resin layer.例文帳に追加

本発明に係るサンドブラスト用マスクの製造方法は、基材の上に感光性樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記感光性樹脂層の不要部分を昇華させて、感光性樹脂部材からなるパターンを形成するパターン形成工程と、を含むものである。 - 特許庁

A method for evaluating a thin film for a transfer mask having a thin film in which a pattern is formed on a transparent substrate by irradiating with ArF excimer laser exposure light includes a step of evaluating light resistance of the thin film by intermittently irradiating the thin film with pulsed laser light.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた転写用マスクのための薄膜の評価方法であって、パルスレーザ光を前記薄膜に間欠的に照射することによって薄膜の耐光性を評価する工程を備える。 - 特許庁

After removing the ion implantation mask pattern, a transfer gate electrode, an NMOS gate electrode, and a PMOS gate electrode are formed on a semiconductor substrate in a pixel region, on that of the NMOS region, and on that of the PMOS region, respectively, by patterning the polysilicon film.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを除去した後にポリシリコン膜をパターニングして画素領域の半導体基板上に転送ゲート電極、ＮＭＯＳ領域の半導体基板上にＮＭＯＳゲート電極及びＰＭＯＳ領域の半導体基板上にＰＭＯＳゲート電極を形成する。 - 特許庁

This mask for reflection type exposure includes: a first layer formed on a support substrate 100 and having a low-reflection processing pattern absorbing exposure light and a reflective multilayer film 101 reflecting exposure light; and a second layer formed on the reflective multilayer film 101 and having an absorber layer 120 absorbing exposure light.例文帳に追加

支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 - 特許庁

After a film layer 6 consisting of the die attach film 4 and a UV tape 5 is provided on a semiconductor wafer 1 as a mask, border grooves 7 for dividing semiconductor elements 2 from one another formed on a circuit pattern forming surface 1a are formed on the film layer 6 to have the surface of the wafer 1 exposed.例文帳に追加

半導体ウエハ１にダイアタッチフィルム４及びＵＶテープ５から成るフィルム層６をマスクとして設けた後、そのフィルム層６に、回路パターン形成面１ａに形成された半導体素子２同士を区分する境界溝７を形成して半導体ウエハ１の表面を露出させる。 - 特許庁

To enable highly accurate and effective failure inspection based on an actual failure, and laying out, and contribute to reducing failures such as an initial failure, in consideration of physical information of a mask pattern in the chip of a semiconductor integrated circuit, and actual performances of a cell and a functional block.例文帳に追加

半導体集積回路のチップ内におけるマスクパターンの物理的な情報、セルや機能ブロックの実績を考慮し、実際の故障に基づく高精度かつ高効率の故障検査やレイアウトを行なう事を可能として、初期不良などの故障の低減に寄与できるようにする。 - 特許庁

To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.例文帳に追加

フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁

In a mask pattern 60 in the jet of the liquid, a jet ratio is maximized near the center in a sub-scanning direction, and gradually decreased toward both ends in the sub-scanning direction; and a decreased part is set to be an overlap area between respective main scannings.例文帳に追加

液体を噴射する際のマスクパターン６０は、噴射比率が副走査方向における中央付近で最大となり、前記副走査方向における両端に向かうに従って徐々に減少し、かつ当該減少部分が各主走査間の重複領域となるように設定されている。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。 - 特許庁

To improve use efficiency of light while maintaining good accuracy in exposing a subject by irradiating it with a light beam having a viewing angle in one axial direction larger than a viewing angle in the other axial direction through a mask having a stripe pattern.例文帳に追加

一方の軸方向の視角が他方の軸方向の視角より大きい光を照射できるようにし、ストライプ状のパターンが形成されたマスクを介して被処理物に光を照射し被処理物を露光するに際し、良好な露光精度を維持しながら、光の利用効率を向上させること。 - 特許庁

To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、ＭＯＳ半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁

To provide an aligner that supports, aligns, and controls an object such that the reaction forces and the vibrations caused by the motion of the object are not transferred to other elements, such as a projection optical device for exposing a pattern of a mask onto the object, and to provide a method of exposure using the apparatus.例文帳に追加

対象物の運動により生ずる反力及び振動が、マスクのパターンを対象物に露光するための投影光学装置の如き他の要素に伝達しないように、対象物を支持、位置決め、及び、制御する露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inline-type vapor deposition apparatus which can control a film thickness with high accuracy and also requires only few sheets of masks for vapor deposition even when continuously conducting the vapor deposition onto articles each having a different vapor deposition pattern; a vapor deposition method using a mask; and a method for manufacturing an organic-electroluminescence device.例文帳に追加

膜厚を高い精度で制御できるとともに、蒸着パターンが異なる蒸着を連続して行なう場合でも蒸着用マスクの枚数が少なく済むインライン式蒸着装置、マスク蒸着方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a mask pattern is formed by making the layout of a cell library subjected to the OPC processing, the correction amount of the OPC is adjusted by taking into consideration the influences of patterns of other cell libraries laid around the cell library on the peripheral region of the cell library.例文帳に追加

あらかじめＯＰＣ処理が施されたセルライブラリをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、セルライブラリの周囲に配置された他のセルライブラリのパターンがセルライブラリの周辺領域に及ぼす影響を考慮することによって、上記ＯＰＣ補正の補正量を調整する。 - 特許庁

Then, the semiconductor crystal is dry-etched by using the mask to form a primary fine pattern on the semiconductor crystal.例文帳に追加

次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a processing method having sufficient etching resistance and capable of closely transferring a formed pattern formed by self-organization and obtain a formed body in a fine processing technology using an etching mask formed by self-organization of a block copolymer.例文帳に追加

ブロックコポリマーの自己組織化より形成されるエッチングマスクを用いた微細加工技術において、十分なエッチング耐性を有し、しかも自己組織化により形成されるパターンを忠実に転写することができる加工方法及び成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

To provide a reflective mask for EUV exposure, which has a light shielding band superior in cleaning resistance, by improving light shielding performance at an overlapping portion of fields of a transfer pattern in EUV exposure to suppress leakage of exposure light, resulting in reduced effect of shadowing of exposure light, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制し、露光光のシャドーイングの影響を低減し、かつ耐洗浄性に優れた遮光帯を有するＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁