「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

The aligner irradiates a substrate to be exposed by using light from a light source via a projection optics having a uniform proximity gap to transfer a mask pattern, wherein a composite mirror composed of a plurality of mirror groups making one reflection plane is used in the projection optics.例文帳に追加

光源からの光を利用して、マスクのパターンをマスクのパターンを均一なプロキシミティギャップを有する投影光学系を介して被露光基板に照射する露光装置において、複数のミラー群で一つの反射面を構成する集成ミラーを前記投影光学系に用いたことを特徴とする露光装置。 - 特許庁

When successively transferring the pattern of a mask R on those partition regions on the substrate via a projection optical system PL, by making accurate alignment of the partition regions on the substrate with the image surface of the projection optical system, based on the measurement results, defective exposures caused by defocusing can be prevented.例文帳に追加

従って、基板上の複数の区画領域に投影光学系ＰＬを介してマスクＲのパターンを順次転写する際に、前記計測結果に基づいて、基板上の区画領域を投影光学系の像面に精度良く位置合わせすることにより、デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

A resist mask 56 having a resist pattern having opening parts 54 of a width the same as a width of a ribbon member 19 of the MEMS device at intervals the same as intervals of the ribbon members 19 is formed on a sacrifice layer 24, when a ribbon member forming layer is formed on the sacrifice layer 24 in manufacturing the MEMS device.例文帳に追加

本方法では、ＭＥＭＳデバイスを製造する際、リボン部材形成層を犠牲層２４上に成膜する前に、先ず、ＭＥＭＳデバイスのリボン部材１９の幅と同じ幅の開口部５４をリボン部材１９の間隔と同じ間隔で有するレジストパターンを備えたレジストマスク５６を犠牲層２４上に形成する。 - 特許庁

In order to take out the embedded information data, a covering ratio of the pattern to the mask area is calculated from image data obtained by photographing a generated image, to detect corresponding information data, and entire embedded information data are decoded in accordance with the layout order of block areas and the like.例文帳に追加

埋め込まれた情報データを取り出すためには、生成された画像を撮影することによって得られる画像データから、マスク領域に対する図柄の被覆割合を計算して相当する情報データを検出し、さらにブロック領域の配置順等から埋め込まれた全情報データを復号する。 - 特許庁

After forming a second insulating film 33 made of carbon containing silicon oxide just on a first insulating film 32 on a silicon substrate 31, the second insulating film 33 is etched with a mask of resist pattern 34 to form a wiring groove 35 in the film 33 and then a resist film 36 is embedded in the groove 35.例文帳に追加

シリコン基板３１の上に第１の絶縁膜３２を介して炭素含有シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜３３を形成した後、第２の絶縁膜３３に対してレジストパターン３４をマスクにエッチングを行なって、第２の絶縁膜３３に配線溝３５を形成し、その後、配線溝３５にレジスト膜３６を埋め込む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A density distribution mask 10 in which patterns 6 of a translucent film are provided on a transparent substrate 1, fine dot figures 4 of pattern of a light-shielding film are provided on the patterns 6 of the translucent film and a opening ratio W of gaps between the fine dots figures 4 is set as the square root of a light transmittance T is produced.例文帳に追加

透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。 - 特許庁

The reflection type mask includes a first reflection portion 41 formed on a substrate 40 and reflecting incident light to a first direction, and a second reflection portion 43 formed on the first reflection portion 41, shaped in a prescribed pattern, and reflecting the incident light to a second direction different from the first direction.例文帳に追加

基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。 - 特許庁

In the stencil mask blank, openings corresponding to the transfer pattern are provided on the amorphous silicon layer, the supporting substrate and the intermediate insulating layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

The pellicle glue removing device comprises a cover that covers a mask pattern inside the glue that remains in the section of a photomask from which pellicle is removed, means for supplying fluid in the cover, and means for applying cleaning liquid to the glue, and the pellicle glue removing device is configured such that the cleaning liquid does not infiltrate the cover by the fluid pressure.例文帳に追加

本発明は、フォトマスクのペリクル跡に残るグルーの内側にマスクパターンを覆うように被せるカバーと、前記カバー内に流体を送る手段と、前記グルーに洗浄液をかける手段とからなり、流体圧により前記カバー内に洗浄液が浸入しないことを特徴とするペリクル・グルーの除去装置の構成とした。 - 特許庁

To provide an optical three-dimensional shaping apparatus capable of manufacturing a three-dimensional shaped product excellent in dimensional precision, appearance and strength by irradiating a shaping surface, which comprises a photosetting resin composition, with light enhanced in energy intensity and having a uniform optical intensity distribution in a predetermined shape pattern through a sheet drawing mask.例文帳に追加

エネルギー強度が高く、光強度の分布が均一な光を面状描画マスクを介して所定の形状パターンで光硬化性樹脂組成物よりなる造形面に照射して、寸法精度、外観、強度などに優れる立体造形物を速い造形速度で製造できる光学的立体造形装置の提供。 - 特許庁

Each flag of the condition code setting register is converted by a flag conversion part 340, according to respective values of a mask register (Reg_MASK), an inversion register (Reg_XCR), a comparison pattern register (Reg_MATCH) and a function register (Reg_FUNC), so as to be output as a converted condition code set rF_out.例文帳に追加

条件コードセットレジスタの各フラグは、設定レジスタ３２０のマスクレジスタ（Ｒｅｇ＿ＭＡＳＫ）、反転レジスタ（Ｒｅｇ＿ＸＯＲ）、比較パターンレジスタ（Ｒｅｇ＿ＭＡＴＣＨ）および機能レジスタ（Ｒｅｇ＿ＦＵＮＣ）の各値に従って、フラグ変換部３４０によって変換されて、変換条件コードセットｒＦ＿ｏｕｔとして出力される。 - 特許庁

The membrane 3 is equipped with a plurality of local circuits 6 which are deformed by electrical signals, and the mask pattern 2 is corrected for a coordinate position by the deformation of the local circuits 6.例文帳に追加

Ｘ線吸収体または電子線吸収体からなるマスクパターン２を形成したメンブレン３及びこのメンブレン３を支持するための支持体４を備え、メンブレン３は電気信号によって変形する複数個の局部回路６を有し、この局部回路６の変形によってマスクパターン２の座標位置が補正されるようにした。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that can be selectively etched, can adopt an HBT layer structure containing a semiconductor material with improved adhesion with a mask pattern, forms a guard ring with improved reproducibility without losing the easiness of a guard ring formation process, and has the improved reproducibility of HBT element characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

選択エッチング可能であり、マスクパターンとの密着性の良好な半導体材料を含むＨＢＴ層構造を採用し、ガードリング形成工程の容易さを損なうことなくガードリングを再現性よく形成し、ＨＢＴ素子特性の再現性が良好なヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

A light projection part 15 receives a print finish detection signal when a squeegee 13 detects the finish of print by a detecting part 14, and emits light toward a cream solder 12 of an inspection object filled in an inspection hole 111a, out of pattern holes 11a formed in a printing mask 11.例文帳に追加

検出部１４によりスキージ１３が印刷を終了したことを検出すると、投光部１５は印刷完了検知信号を受け取り、印刷用マスク１１に形成されたパターン孔１１ａのうち検査孔１１１ａに充填された検査対象のクリーム半田１２に対し光を照射する。 - 特許庁

After this, a resist pattern 12 having openings 13 and 14 is formed at a part on an area with the gate electrode 6 of a desired NMOS within a memory cell array area A, and at a part on the film 4 positioned another circuit and the main circuit by using a mask for writing revised data.例文帳に追加

その後、改訂済みのデータ書き込み用マスクを用いて、メモリセルアレイ領域Ａ内の所望のＮＭＯＳのゲート電極６を中心とする領域上の部分及び他の回路と主回路との間に位置するフィールド酸化膜４上の部分に開口１３，１４を有するレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

The vacuum film deposition system where a film is deposited by vapor deposition on a substrate 10 in a vacuum by using a mask having a prescribed pattern formed comprises a moving means of moving a vapor deposition source 22 relative to and in parallel with the substrate 10 in a plurality of different directions.例文帳に追加

本発明の真空成膜装置は、所定のパターンが形成されたマスクを介して真空中で基板１０上に蒸着によって成膜を行う真空成膜装置において、当該蒸着を行うための蒸着源２２を、基板１０に対し、異なる複数の方向へ相対的に平行移動させる移動手段を有する。 - 特許庁

To provide a tiling method, a tiling exposure mask and a method for producing a multi-layer wiring board by using them in which intra-plane pattern densities on the front side and the rear side of a tiling substrate can be made uniform and the number of the exposure masks to be used can be decreased when producing the multi-layer wiring board by tiling.例文帳に追加

多層配線板を多面付けで作製する際多面付け基板の表裏の面内パターン密度を均一化し、且つ露光マスクの使用枚数を減少できる多面付け方法、多面付け露光マスク及びそれらを用いた多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the screen printing machine for applying paste on a substrate through pattern holes by moving a closed squeegee head 13 on a mask plate 12, a storage film member 33 formed by molding a flexible film material into a bag-shaped container is set in a storage part 31, and creamy solder 5 is housed below the member 33.例文帳に追加

マスクプレート１２上で密閉型のスキージヘッド１３を移動させることによりパターン孔を介して基板にペーストを印刷するスクリーン印刷装置において、貯溜部３１に可撓性の膜状材を袋状容器に成形した貯溜膜部材３３を設け、この貯溜膜部材３３の下方にクリーム半田５を収容する。 - 特許庁

A mask blank substrate has a conductive light-shielding body 12 that is opaque to exposure light for forming a pattern by a process including charge beam lithography, formed on one main surface of a substrate 11 transparent to exposure light, and the entire surface of the substrate 11 including four corners on the main surface is coated with a conductive material.例文帳に追加

露光光に対して透明な基板１１上の一主面に荷電ビームリソグラフィーを含むプロセスによりパターンを形成するための露光光に対して不透明な導電性の遮光体１２を形成したマスクブランクス基板であって、基板１１の一主面上の４隅を含む全面がく導電性材料で覆われている。 - 特許庁

This manufacturing method for the printed board includes a printing process wherein a paste material 4 is extruded toward one printing matter 5 through a cavity part by scanning a screen mask 1 with the cavity part while pressing it by means of a plurality of squeegees 2 and 3, so that a pattern can be formed on the surface of the printing matter 5.例文帳に追加

印刷基板の製造方法は、空隙部を有するスクリーンマスク１を複数のスキージ２，３で押圧しながら走査することによって、ペースト材料４を上記空隙部を通して一つの被印刷物５に向けて押し出して、被印刷物５の表面にパターンを形成する印刷工程を含む。 - 特許庁

Pattern connection of a soldered surface and a component surface is made excellent by subjecting a metal mask processing only to a component surface side land 3 of a through-hole 2 formed in the board, applying a cream solder 5, and soldering a chip component 6 by melting the cream solder 5 by reflowing and simultaneously solder-plating the through-hole 2.例文帳に追加

基板に形成したスルーホール２の部品面側ランド３のみにメタルマスク処理を施し、クリーム半田５を塗布し、リフローにより前記クリーム半田５を溶解させてチップ部品６を半田付けし、同時に前記スルーホール２にハンダメッキすることで、半田面、部品面のパターン接続を良好なものにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device using SiC for the substrate comprises: a process for forming an alignment mark 2 on a {0001} plane in the SiC substrate 1; and a process for forming a prescribed pattern on the SiC substrate 1 by aligning a transfer mask and the SiC substrate 1, based on the alignment mark 2.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、ＳｉＣ基板１の｛０００１｝面に、アライメントマーク２を形成する工程と、アライメントマーク２に基づき、転写マスクとＳｉＣ基板１との位置合わせを行いＳｉＣ基板１上に所定のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the mask layout pattern verification method of a semiconductor integrated circuit, predetermined rectangular data is selected by examining the number of vertexes and the presence of a long side for data to be verified, the coordinates of four vertexes are extracted for the selected rectangular data, and the long side direction and the coordinate of the center of the rectangular data are calculated.例文帳に追加

半導体集積回路のマスクレイアウトパターン検証方法において、検証対象データに対して頂点数と長辺の存在を調べることにより、所定の矩形データを選別し、選別された矩形データに対して、４頂点の座標を抽出し、矩形データの長辺方向及び中心座標を算出する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition free of safety problem to a living body, having good suitability to application even to a large substrate, capable of faithfully reproducing the design size of a mask pattern with high sensitivity, and capable of forming spacers for a display panel excellent in adhesion to the substrate and excellent also in strength, heat resistance, etc.例文帳に追加

生体に対する安全性に問題がなく、しかも大型基板に対しても良好な塗布性を有し、高感度でマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性に優れ、また強度、耐熱性等にも優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

Since white streaks caused by "end kink" in the first recording element array C1 can be interpolated by the recording elements of the second recording element array SC2, streaks caused by "end kink" can be corrected effectively even if the recording rate distribution of mask pattern in multipass recording is not biased.例文帳に追加

これにより、第１の記録素子列Ｃ１で生じる「端部よれ」に起因する白スジを、第２の記録素子列ＳＣ２の記録素子によって補間することができるので、マルチパス記録のマスクパターンの記録率分布に偏りを持たせなくとも、「端部よれ」に起因する白スジを効果的に補正することが可能となる。 - 特許庁

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are arranged so that the detection of the alignment information on the other substrate W2 (W1) can be performed in parallel when exposing a mask pattern on one substrate W1 (W2) out of substrates retained side by side on a substrate stage ST.例文帳に追加

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

In the method for forming the organic EL thin film, a screen mask in which a photosensitive agent 3 having a prescribed pattern is formed in a wire mesh 2 is arranged above a substrate 4 to prevent the wire mesh 2 from coming into contact with the substrate 4, and a raw material solution containing an organic EL material is sprayed by a microsprayer 10.例文帳に追加

ワイヤメッシュ２に所定のパターンを有する感光剤３を形成してなるスクリーンマスクを、基板４の上方に、ワイヤメッシュ２が基板４に接触しないように設け、上方からマイクロスプレー１０により有機ＥＬ材料を含む原料液を噴霧する有機ＥＬ薄膜の形成方法である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a conductor pattern, a step of printing mask portions on a board by using a printing material containing a solvent-soluble resin as a main component, a step of laminating a conductive member upon the whole surface of the substrate, and a step of removing the printing material with a solvent, are successively performed in this order.例文帳に追加

支持体上に溶剤溶解性の樹脂を主成分とする印刷材料でマスク部分を印刷する工程と、導電性部材を全面に積層する工程と、前記印刷材料を溶剤で除去する工程とをこの順に有することを特徴とする導電性パターン製造方法。 - 特許庁

The design data of an edge in either a portion to be left on a substrate 6 or a portion not to be left on the substrate 6, in a pattern 5 to be formed on the substrate 6 to be processed by using two masks 1, 2 is extracted from the design data of mask patterns 3, 4 formed on masks 1, 2, respectively.例文帳に追加

２枚のマスク１，２を用いて被処理基板６上に形成されるパターン５のうち、基板６上に残す部位および基板６上に残さない部位のいずれか一方の部位のエッジ部の設計データを各マスク１，２に形成されているそれぞれのマスクパターン３，４の設計データから抽出する。 - 特許庁

A mask 31 includes a membrane layer 37 made of a first material, scattering regions 39 made of a second material which forms a pattern and scatters charged particles more strongly than the membrane layer 37, and a plurality of linear support column groups 37, which are arranged at intervals and support the membrane layer 37 together with the scattering regions 39.例文帳に追加

マスク31は、第１の材料から構成されるメンブレン層37と、パターンを形成し、メンブレン層37よりも荷電粒子を強く散乱させる第２の材料から構成される散乱領域39と、互いに間隔を空けて配置され、散乱領域39とともにメンブレン層37を支持する、複数の直線状に延びる支持支柱群33とを含む。 - 特許庁

A mask 10 having an opening 11 of a fixed thickness is brought into contact with a substrate 30, having a concave portion 32 and a pattern 31 on the top surface, and the opening 11 is filled with solder 50 by squeegee equipment 20, having many segmented squeegees 21, with their vertical and movement directions limited to form a solder junction 51.例文帳に追加

凹部３２を有し、上面にパターン３１を有する基板３０に、厚さが一定の開口部１１を有するマスク１０を当接させ、上下及び移動方向を制限した複数の分割スキージ２１を有するスキージ装置２０により、開口部１１に半田５０を充填し、半田接合部５１を形成する。 - 特許庁

The mask blank is characterized in that chemically amplified resist film 4 is formed on a light shielding film 3 and deactivation suppressing film (not illustrated) having film density at least higher than the film density in the vicinity of the surface of the light shielding film 3 and for suppressing deactivation of the resist film 4 is formed when a resist pattern 4a is formed.例文帳に追加

遮光性膜３上に化学増幅型レジスト膜４を形成し、レジストパターン４ａを形成する際に、少なくとも前記遮光性膜３の表面近傍の膜密度よりも高い膜密度を有し、前記レジスト膜４の失活を抑制する失活抑制膜（図示せず）が形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric vibration piece in which developer is sufficiently immersed into a fork portion to form a mask pattern with good accuracy and formation failure of an electrode can be prevented, a piezoelectric vibration piece manufactured by the manufacturing method, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic apparatus and an electric wave clock using the piezoelectric vibration piece.例文帳に追加

又部に現像液を十分に浸入させてマスクパターンを精度よく形成し、電極の形成不良を防止できる圧電振動片の製造方法と、この製造方法により製造された圧電振動片、この圧電振動片を用いた圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises the steps of forming an oxide film 14 having a trench forming pattern on the surface of an n-type silicon semiconductor substrate 11, forming a trench 16 for a super junction on the semiconductor substrate 11 with a mask of the oxide film 14, and conducting an epitaxial growing to bury the trench 16 with a p-type semiconductor 17.例文帳に追加

ｎ型シリコン半導体基板１１の表面にトレンチ形成パターンを有する酸化膜１４を形成し、この酸化膜１４をマスクとして半導体基板１１に超接合用トレンチ１６を形成し、エピタキシャル成長をおこなって超接合用トレンチ１６をｐ型半導体１７で埋める。 - 特許庁

Since the cleaning device 1 can make the suction port 21 correspond to the range of a pattern hole 7 formed on the mask 2 easily by the rotation, attachment/detachment, insertion, and exchange of the adjusting means 19 to the container 18, the removal of the creamy solder C is possible for all the masks 2.例文帳に追加

また、前記クリーニング装置１は、前記調整手段１９を前記吸引用容器１８に対して回動・着脱・挿嵌・交換することで容易に前記マスク２上に形成されたパターン孔７の範囲に前記吸引口２１を合わせることができるので、あらゆるマスク２に対してクリームはんだＣの除去が可能である。 - 特許庁

In this plasma display panel, a top layer of the barrier ribs 8 is constituted of blast remaining layers of a barrier rib material used as a blast mask provided by being printed in a stripe pattern in the plasma display panel constituted by arraying the barrier rib 8 constituted of base layers 8b of bright colors and top layers 8t of dark colors.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、バリアーリブの基部層８ｂが明色で頂部層８ｔが暗色からなるバリアーリブ８が配列してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、当該バリアーリブの頂部層が、ストライプパターン状に印刷して設けたブラストマスク兼バリアーリブ材料のブラスト残層からなることを特徴とする。 - 特許庁

An exposure system projects a mask pattern onto a photosensitive substrate using a fluorine excimer laser as a light source, where the beam of the excimer laser whose wavelengths are in a wavelength range of vacuum ultraviolet rays are used as an exposure light, and an optical axis aligning means in which visible light or infrared beams emitted from the fluorine excimer laser at the same time are used is provided.例文帳に追加

フッ素エキシマレーザを光源とし、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、前記フッ素エキシマレーザ光の真空紫外域の波長を露光光とし、前記フッ素エキシマレーザ光が同時に発光する可視光または赤外光を用いた光軸合わせ手段を設ける。 - 特許庁

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁

However, since an extremely low contrast part R114 is produced near the bent part, bias correction is carried out in a part B115 on the mask layout corresponding to the low contrast part to correct thinning of the pattern, so that the transfer accuracy in the bent part and its nearby region (R115) can be increased to much as possible.例文帳に追加

一方、屈曲部近傍に極めて低い光コントラスト部Ｒ１１４が生じる為、マスクレイアウト上この当該部に当たる部位Ｂ１１５にバイアス補正を行いパターンの極細りを修正することで、屈曲部ならびにその近傍の転写精度を最大限に高めることができる（Ｒ１１５）。 - 特許庁

To provide an apparatus for applying a coating agent in which the coating agent is surely and precisely applied with a prescribed pattern on the surface of each material to be coated via a mask by a simple structure even when each material to be coated has uneven height or is deformed or inclined, and a method of applying the same.例文帳に追加

簡単な構成で、各塗布対象が均一な高さでない場合や変形あるいは傾斜している場合であっても、各塗布対象の表面にマスクを介してそれぞれ塗布剤を確実にかつ精度良くそれぞれ所定のパターンで塗布することができる塗布剤の塗布装置およびその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to suppress roughening or production of a rugged pattern on the surface of a substrate of a halftone phase shift mask consisting of a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or consisting of a multilayer film comprising a transparent layer and a light shielding layer.例文帳に追加

金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化膜のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜で構成するハーフトーン型位相シフトマスクの基板表面の荒れや凹凸の発生を抑制した製造方法を提供すること。 - 特許庁