「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist material containing the nitrogen-containing organic compound provides high resolution and satisfactory mask coverage dependency, is useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation, and is suitable for use as a fine pattern forming material for VLSI production.例文帳に追加

（Ｒ^1は両端で結合する窒素原子と共に含窒素へテロ脂肪族環又は含窒素ヘテロ芳香族環を形成する炭素数２〜２０の２価の置換基を表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はハロゲン原子を含んでもよい。Ｒ^2は炭素数２〜１０のカルボニル基を含んでもよいアルキレン基。Ｒ^3は炭素数２２〜５０の水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はシアノ基を含んでもよいアルキル基又はアシル基。） - 特許庁

The radio receiver in a radio communication system having a transmission diversity measures a reception information level inherent to symbol by antenna of transmission from the radio transmitter, estimates the number of transmission antennas from the reception information level, performs demodulation of the estimated number of transmission antennas preferentially, performs a CRC test by using a CRC mask pattern, and detects the number of transmission antennas.例文帳に追加

送信ダイバーシティを有する無線通信システムにおける無線受信装置は、無線送信装置からの送信の送信アンテナ毎の固有シンボルごとの受信情報レベルを測定し、その受信情報レベルから送信アンテナ数を推定し、推定された送信アンテナ数に対する復調を優先的に行い、ＣＲＣマスクパターンを使ってＣＲＣ検査を行い、送信アンテナ数を検出する。 - 特許庁

The thin plate-shaped mask 10 having openings for passing a vapor deposition material corresponding to a pattern of a vapor deposition film to be formed on the substrate has a plurality of openings 12a formed along a prescribed direction, and crosspieces 15 formed along a prescribed direction on a plane opposite to the plane facing the substrate.例文帳に追加

被処理基板上に蒸着成膜するパターンに対応して、蒸着材料を通過させるための開口部を設けた薄板状のマスク１０であって、一定の方向に沿って開口された複数の開口部１２ａと、被処理基板と対向する一方の面の反対側となる他方の面に一定の方向に沿って設けられた桟部１５とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The carrier film having a polyimide resin film 3 having a conductor wiring pattern 2 and a heat UV curing resin film 1 formed on the polyimide resin film is made such that conducting openings such as vias 4, film cut parts 5 and the heat UV curing resin film at film punching parts are optically shielded with a photo mask during UV ray exposure and removed by developing.例文帳に追加

導体配線パターン２を有するポリイミド樹脂フィルム３に熱紫外線硬化型樹脂層１を形成したキャリアフィルムにおいて、ヴィア４のような導通用の開口部と共にフィルム切断部５及びフィルム打ち抜き部分の熱紫外線硬化型樹脂層が、紫外線露光時にフォトマスクにより遮光され、現像により除去されていることを特徴とする半導体キャリアフィルム。 - 特許庁

A photoreceptor 11 charged by a charging mechanism 13 is irradiated with light while an irradiation region in a preliminarily determined repetition pattern is formed on the photoreceptor 11 by partially blocking the light exiting from an emitting means 14 by a mask 15 present between the photoreceptor 11 and the emitting means 14, so as to form an electrostatic latent image in the irradiated region.例文帳に追加

帯電機構１３によって帯電された感光体１１に対し、当該感光体１１と出射手段１４との間に介在するマスク１５によって、出射手段１４から出射される光の一部を遮光し、予め定める繰返しパターンの照射領域を感光体１１上に形成して光を照射し、その照射領域に静電潜像を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask having a mask pattern formed of step parts of two or more kinds of height, includes, before a stage of forming at least one kind of step part in 2nd order or later, a stage of making the substrate surface smooth by coating the step parts formed in the previous stage with the photosensitive resin and then polishing the photosensitive resin.例文帳に追加

マスクパターンが２種類以上の高さの段差部から形成されるフォトマスクの製造方法において、２番目以降に形成される少なくとも１種類の段差部形成工程の前に、前工程によって形成された段差部に感光性樹脂を塗布し、次いで研磨を行うことにより基板表面を平滑にする工程を含むフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁

After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁

The aligner for transferring a mask pattern to an wafer coated with resist comprises means for setting a light exposure based on the intensity of X-rays passed through a filter and the intensity of X-rays not passed through a filter wherein the filter is made of such a material as not causing chemical reaction in the exposure wavelength region of X-rays.例文帳に追加

本発明の露光装置は、レジストを塗布したウエハーにマスクパターンを転写する露光装置において、フィルターを透過したＸ線の強度とフィルターを介さないＸ線の強度に基づいて露光量を設定する手段を備え、該フィルターは、前記Ｘ線の露光波長領域において、化学反応を起こさない材料で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The pattern forming method for group III nitride semiconductor substrate includes steps of irradiating a first area A of a group III nitride semiconductor substrate 100 with laser to convert the first area A having nitrogen polarity to a group III element polarity, and using the first area A converted to the group III element polarity by the laser irradiation as a mask to wet-etch a second area B.例文帳に追加

本発明のIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法は、III族窒化物半導体基板１００の第１領域Ａ上にレーザを照射して、窒素極性の第１領域ＡをIII族元素極性に変換する段階と、レーザが照射されてIII族元素極性に変換された第１領域Ａをマスクとして利用して第２領域Ｂをウェットエッチングする段階とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a stage device capable of preventing bad affection affected mutually in a constitution equipped with a plurality of stages, an aligner and a method capable of transferring the pattern of a mask onto a substrate disposed on the stage device without inviting the deterioration of the accuracy of exposure, and to provide a device manufacturing method for manufacturing a device by employing the aligner and its method.例文帳に追加

複数のステージを備える構成において互いに及ぼしあう悪影響を防止することができるステージ装置、当該ステージ装置上に載置された基板上にマスクのパターンを露光精度の悪化を招かずに転写することができる露光装置及び方法、並びに当該露光装置及び方法を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching method comprises the steps of: forming a resist 10 on the surface of a masking material 9 layered on an electroconductive foil 11 of a material to be etched; forming a pattern on the resist 10; etching the masking material 9 by using the resist 10 as a mask; removing the resist 10; and etching the electroconductive foil 11 of the material to be etched, through the masking material 9.例文帳に追加

本実施の形態のエッチング方法は、被エッチング材である導電箔１１に積層されたマスク材９の表面にレジスト１０を形成する工程と、レジスト１０をパターニングする工程と、レジスト１０をマスクとして用いてマスク材９をエッチングする工程と、レジスト１０を除去する工程と、マスク材９を介して被エッチング材である導電箔１１をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming bump electrodes required at the time of mounting a semiconductor chip on a circuit board by facedown mounting, in which the bump electrodes can be formed accurately on an electrode pattern formed on the circuit board without requiring a highly accurate mask or a process hard to implement even in the case of fine pitch.例文帳に追加

フェースダウン実装工法により、半導体チップを回路基板に実装するような場合に必要な突起電極の形成に際して、狭ピッチにおいても高精度のマスクや実現が困難なプロセスを必要とすることなく、突起電極を回路基板上の電極パターン上に精度よく形成することができる半導体実装用基板における突起電極形成方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problems, in a method where a mask is provided on a substrate, and a transparent conductive film is pattern-formed on the substrate by a sputtering process, that, since the energy of particles made incident on the substrate is the extremely high one of about 600 eV, the particles infiltrate into the substrate, and the atoms composing the substrate are beaten out or defects are occurred in the substrate.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、基板に入射する粒子のエネルギーは６００ｅＶ程度と非常に高く、粒子が基板内に入り込んだり、基板を構成する原子が叩き出されたり、あるいは基板に欠陥を発生させるといった問題が発生する。 - 特許庁

To provide a method for detecting failure of database patterns of a photomask in which different space widths are applied according to critical dimensions of lines of the patterns of the photo mask to detect patterning failure varied according to illuminating systems, sub-films and thicknesses of resist, and to preliminarily detect failure, such as collapse or bridges, generated from the different lengths of pattern lines having the same critical dimension.例文帳に追加

フォトマスクパターンのライン臨界大きさ別に差等的なスペース幅を適用することで、照明系、サブ膜、レジスト厚さなどによって変わるパターニング不良を検査することができ、同一の臨界大きさを有するが、パターンラインの相異なる長さにより発生する崩れまたはブリッジなどの不良を予め検査できるフォトマスクデータベースパターンの不良検査方法を提供する。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Then the calculation accuracy of the OPC object pattern is determined based on the adjusted area data and OPC additional calculation is carried out to generate mask data.例文帳に追加

ＯＰＣ精度が必要な領域と必要ではない領域の境界部分で精度が必要な領域を精度の高い領域に適した領域分拡張し、精度が必要ではない領域は精度の高い領域に適した領域分縮小する領域調整を行って、調整された領域データに基づいてＯＰＣ対象パターンの計算精度を決めてＯＰＣ付加計算を行ってマスクデータを生成する。 - 特許庁

To solve the technical problem in microfabrication of a photomask and semiconductor element, especially providing a chemically amplified positive resist composition which satisfies high sensitivity, high resolution (for instance, high resolution power), excellent exposure latitude (EL) and excellent line edge roughness (LER) simultaneously, and a resist film, a resist-coated mask blank and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性（例えば、高い解像力）、良好な露光ラチチュード（ＥＬ）及び良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

This aligner has a light source 1, an illumination optical system 6 for illuminating a pattern drawn on a mask 5 by a light source light, and a projection optical system 11 for projecting the illuminated pattern to a substrate 13.例文帳に追加

光源１と、マスク５に描かれたパターンを光源光で照明する照明光学系６と、照明されたパターンを基板１３に投影する投影光学系１１を有する露光装置であって、光源１から基板１３までの全体または一部を外気から遮蔽する容器７、１４、１７と、容器に接続された不活性ガスの供給ラインおよび排出ラインと、容器上若しくは容器と圧力的に等価な位置および／または供給若しくは排出ライン上若しくは供給若しくは排出ラインと圧力的に等価な位置に圧力調整手段２１〜２３を具備する。 - 特許庁

This laser irradiation device includes a stage 110 for mounting a first substrate 101, a laser oscillation member 120 irradiating a joining member 103 arranged between the first substrate 101 and a second substrate 102 with laser, a temperature keeping member 150 for keeping the temperature of the first substrate 101 at a predetermined temperature, and a mask 140 having a pattern formed in a part corresponding to the joining member 103.例文帳に追加

本発明のレーザ照射装置は、第１基板１０１を載置するステージ１１０と、第１基板１０１と第２基板１０２との間に配置される接合部材１０３にレーザを照射するレーザ発振部材１２０と、第１基板１０１の温度を所定の温度に維持する温度維持部材１５０と、接合部材１０３に対応する部分にパターンが形成されたマスク１４０とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加

薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The HLAC feature quantity extracting method includes: a step of mapping one dimensional signal in a time-frequency plane; a step of accumulating the HLAC by moving a two dimensional local mask pattern in a block region for each segmented block by dividing its time axis and frequency axis; and a step of extracting and combining each term from the HLAC feature quantity calculated from blocks which are lined up along the frequency axis.例文帳に追加

１次元信号を時間−周波数平面に写像するステップ、その時間軸及び周波数軸を分割して区分けされたブロック毎に、その領域内で２次元局所マスクパターンを移動させてＨＬＡＣを累積するステップ及び周波数軸に沿って並ぶブロックから求めたＨＬＡＣ特徴量から各次数項を抜き出して結合するステップを含むＨＬＡＣ特徴量の抽出方法 - 特許庁

The manufacturing method of the wiring structure comprises a process for forming a conductive film made of an oxidation-resistant metal or its nitride, a process for eliminating a natural oxide film on the conductive film, a process for forming a conductive oxide film on the conductive film, and a process for machining the conductive film and the conductive oxide film to the same pattern by the same mask.例文帳に追加

耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

"functional design" means any design applied to any article, whether for the pattern or the shape or the configuration thereof, or for any two or more of those purposes, and by whatever means it is applied, having features which are necessitated by the function which the article to which the design is applied, is to perform, and includes an integrated circuit topography, a mask work and a series of masks works;例文帳に追加

「機能的意匠」とは，物品に応用される意匠であって，その模様，形状若しくは輪郭の何れかに係るものであるか又はこれらの目的の2 以上に係るものであるかを問わず，かつ，如何なる方法によって応用されているかを問わず，当該意匠が応用される物品が果たす機能によって必要とされる特徴を有するものであり，集積回路の回路配置，マスクワーク及び連続マスクワークを含む。 - 特許庁

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。 - 特許庁

A transparent substrate is coated with negative type black resist, which is exposed through the photomask formed of a small opening part-light blocking part composite pattern equipped with many rectangular light blocking patterns arrayed in matrix longitudinally and laterally on the transparent mask substrate mutually at intervals so that many rectangular small opening parts having short sides along the light blocking patterns are successive across the light blocking parts.例文帳に追加

透明基板上にネガ型ブラックレジストを塗布し、透明マスク基板上に縦横に互いに間隔をおいてマトリックス配列で配列された多数の矩形の遮光パターンを備え、隣接する遮光パターンの間は、多数の、遮光パターンの辺に沿う短辺を有する矩形の小開口部が遮光部を介して連なる小開口部−遮光部複合パターンからなるフォトマスクを介して前記ネガ型レジストに露光する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming an organic antireflection film containing a photoacid generating agent on a film to be etched; heat treating the organic antireflection film at a predetermined temperature; forming a chemically amplified photoresist layer on the organic antireflection film; transferring a pattern on a mask by using a light source at a single wavelength onto the chemically amplified photoresist layer; and developing the chemically amplified photoresist layer.例文帳に追加

被エッチング膜上に、光酸発生剤を含む有機反射防止膜を形成する工程と、有機反射防止膜を所定温度で熱処理する工程と、有機反射防止膜上に化学増幅型フォトレジスト層を形成する工程と、化学増幅型フォトレジスト層に単一波長の光源を用いてマスク上のパターンを転写する工程と、化学増幅型フォトレジスト層を現像する工程とを有する。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

The exposure device includes a mask holder which fixes a photomask; a chuck which fixes the periphery of the substrate; a work stage having one or more pressure adjustment portions which adjust the pressure to the substrate; an image acquisition portion which obtains the images of the photomask pattern and the substrate; and a control portion which adjusts the pressure of the pressure adjustment portion against the substrate, based on the information from the image acquisition portion.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る露光装置は、フォトマスクを固定するマスクホルダと、基板の外周部を固定するチャック及び前記基板に対する圧力を調整する１つ以上の圧力調整部を有するワークステージと、前記フォトマスクのパターン及び前記基板の画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部からの情報に基づき、前記圧力調整部の前記基板に対する圧力を調整する制御部と、を備える。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

A separation wall is formed by coincidentally removing a photosensitive paste film and a transparent film by development after a process of forming the photosensitive paste film composed of organic component and inorganic particles and curing them, a process of forming the transparent film on the photosensitive paste film, and a process of exposing the photosensitive paste film through the transparent film by using a mask having a prescribed aperture pattern.例文帳に追加

基板上に有機成分と無機粒子とからなる感光性ペースト塗膜を形成した後キュアする工程と前記塗膜上に透明塗膜を形成する工程と、所定の開口パターンを有するマスクを用いて前記感光性ペースト塗膜を前記透明塗膜上から露光する工程を経た後に、前記感光性ペースト塗膜と前記透明塗膜を同時に現像によって除去することにより隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法である。 - 特許庁