「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An area of an AlAs layer 15 to be oxidized is irradiated with laser light according to the pattern of a mask layer 18 and the difference in reactivity between the laser irradiated part and an unirradiated part is used to generate a difference in oxidation speed, thereby making the oxidation stop at a laser light irradiation boundary.例文帳に追加

ＡｌＡｓ層１５の酸化させる領域へマスク層１８のパターンに従ってレーザ光を照射し、レーザ光照射部と非照射部に生じる反応性の違いを利用して酸化速度に差をつけ、レーザ光照射境界において酸化を自己停止させる。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

A second mold mask having projection-like projecting parts is used, parts other than parts corresponding to via holes are hardened by being irradiated with UV light, thereafter the via holes are formed in a developing/baking process S23, and the photosensitive silver paste in an upper layer is connected to the conductor pattern through the via holes in an upper-layer application process S24.例文帳に追加

突起状の凸部を有する第２のモールドマスクを用い、ＵＶ光を照射してビアホールに対応する部分以外を硬化させた後、現像焼成過程Ｓ２３でビアホールを形成し、上層塗布過程Ｓ２４で上層の感光性銀ペーストをビアホールを介して導体パターンに接続する。 - 特許庁

To enable accurate prediction of local flares by evaluating the local flare quantity with extremely high accuracy, even when mask patterns in a size equal to the exposure wavelength or smaller than that are mixed, and to easily and accurately correct the pattern dimension based on the prediction to realize a device with very high reliability.例文帳に追加

露光波長と同等もしくはそれ以下のマスクパターンが混在する場合でも、極めて高い精度でローカルフレア量を見積もり正確なローカルフレア予測を可能とし、これに基づいてパターン寸法を容易且つ正確に補正して、極めて信頼性の高いデバイスを実現する。 - 特許庁

A region 14a in a CGS film 14, subjected to gettering with phosphorus element, is defined by an opening pattern 16a of a photoresist 16 and a region 14b in the CGS film 14 subjected to silicon etching is defined by an opening 15a of a gettering mask film 15.例文帳に追加

ＣＧＳ膜１４中のリン元素がゲッタリングされるゲッタリング領域１４ａは、フォトレジスト１６の開口部１６ａのパターンにより規定され、ＣＧＳ膜１４中のシリコンエッチングを行うエッチング領域１４ｂは、ゲッタリングマスク膜１５の開口部１５ａにより規定される。 - 特許庁

The device is also provided with a calculator 130 which calculates the area density in the prescribed area of a pattern drawn by the stored pattern information whenever the prescribed area is moved based on the stored pattern information, and a preparing section 140 which prepares dummy pattern information to be arranged on the mask based on the calculated area density.例文帳に追加

マスクに配置するためのパターン情報を記憶する記憶部１７０と、上記マスク上に所定の領域を仮想配置する仮想配置部１１０と、仮想配置された所定の領域を前回の領域と重なるように所定の距離だけ移動させる移動部１２０と、記憶されたパターン情報に基づいて、上記所定の領域が移動させられるごとにパターン情報により描かれるパターンの所定の領域における面積密度を計算する計算部１３０と、計算された面積密度に基づいて、上記マスクに配置するためのダミーパターン情報を生成する生成部１４０とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

With respect to the array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display device, a structure which is manufactured through four mask steps and exposes semiconductor layers at both sides of a data line has a first feature that a first blocking pattern for blocking light is formed under the semiconductor layer, and a second feature that a second blocking pattern for blocking an influence of the semiconductor layer is formed over and in contact with the data line.例文帳に追加

本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第１特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、第２特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

Upper electrodes 21a, 21b consisting of the polycrystalline silicon film 17 are formed via the insulating film 8 as a capacitance insulating film on the lower electrodes 11a, 11b to form capacitors 36a, 36b by forming the antireflection film and a photoresist pattern on the cap protection film, and sequentially performing dry etching of the cap protection film and the polycrystalline silicon film 17 using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

キャップ保護膜上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて反射防止膜、キャップ保護膜および多結晶シリコン膜１７を順次ドライエッチングすることで、下部電極１１ａ，１１ｂ上に容量絶縁膜としての絶縁膜８を介して多結晶シリコン膜１７からなる上部電極２１ａ，２１ｂを形成してキャパシタ３６ａ，３６ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a projection aligner for forming a specified pattern on a printed wiring board by transferring the image of a mask where a specified pattern is formed to the printed wiring board, where the height of a mask's image forming surface or the height of the photosensitive surface of a printed board need not be manually adjusted even in the case of exposing several kinds of printed boards having different thicknesses.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスクの像をプリント配線基板に転写してプリント配線基板に所定のパターンを形成する投影露光装置であって、異なる厚さを有する複数種類のプリント基板に露光する場合であっても手動でマスクの像の結像面の高さまたはプリント基板の感光面の高さを調整する必要のない投影露光装置を提供することである。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

An IP address where the number of valid bids is variable and a flag column for identifying whether each bit is valid or invalid corresponding to each bit of the IP address are stored, and longest matching retrieval is executed by a binary search method by using retrieval key data for retrieving the longest matched IP address from the stored IP addresses and the pattern of a retrieval mask key global mask indicating a valid bit area.例文帳に追加

有効ビット数が可変なＩＰアドレスとともに、そのＩＰアドレスの各ビットに対応して各ビットが有効なビットであるか無効なビットであるかを識別するフラグ列を記憶しておき、検索にあたっては、記憶されているＩＰアドレスの中から最長に一致するＩＰアドレスを検索するための検索キーデータと有効ビット領域を表わす検索マスクキーグローバルマスクのパターンとを用いて二分検索法により検索を行なう。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor single crystal includes steps of: forming a nitride seed layer on a substrate for growing a nitride single crystal; forming a dielectric mask having a stripe pattern on the nitride seed layer; and growing a nitride semiconductor single crystal containing Al on the nitride seed layer where the dielectric mask is formed while injecting Cl-based gas or Br-based gas.例文帳に追加

本発明は、窒化物単結晶成長用基板上に窒化物シード層を形成する段階と、上記窒化物シード層上にストライプパターンを有する誘電体マスクを形成する段階と、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入しながら、上記誘電体マスクが形成された窒化物シード層上にAlを含んだ窒化物半導体単結晶を成長させる段階を含む窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

In this enclosed aligner, an exposure light from an exposure light source 1 is projected via an illuminating optical system on a mask 8 serving as the original plate, and the pattern formed on the mask 8 is then projected via a projection lens 11 on a wafer 12 for the exposure of the wafer 12 serving as the photosensitive substrate.例文帳に追加

露光光源１からの露光光により照明光学系を介して原版としてのマスク８を照明し、マスク８に形成されたパターンを投影レンズ１１を介して感光基板としてのウエハ１２上に投影露光する露光装置であって、露光光源１から投影レンズ１１に至る露光光の光路上に配置される光学系素子を内部に配置した複数の筐体３，４，５，６，７と、該複数の筐体３〜７をガス置換するガス置換手段とを有する。 - 特許庁

A mask blank has a thin film for forming a pattern on a light transmitting substrate, wherein the thin film comprises an upper layer made of a material containing Cr and oxygen and a lower layer made of a material that contains Ta or its compound and can be etched by a dry etching process that uses a fluorine-based gas.例文帳に追加

透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、薄膜は、Ｃｒと酸素を含む材料で形成されている上層と、Ｔａまたはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されている下層とからなる。 - 特許庁

An image processing means 121 changes a method of processing an image (such as changing the mask pattern used in the edge emphasizing process as the image processing) for a read image obtained by a microfilm scanner 110 based on the information on the optical system (such as about the type or the zoom magnification of a projection lens, etc.), of the microfilm scanner 110.例文帳に追加

画像処理手段１２１は、マイクロフィルムスキャナ１１０が有する光学系に関する情報（投影レンズのタイプ又はズーム倍率等）に基づいて、マイクロフィルムスキャナ１１０で得られた読取画像に対する画像処理方法を変更（画像処理としてのエッジ強調処理で使用するマスクパターンの変更等）する。 - 特許庁

When using the photosensitive dry film resist, by light-shielding only the holes to be filled by a film mask or a straight drawing device and executing full exposure, the dry film resist of a hole part to be filled is removed in development processing, and only the holes desired to be filled are selectively exposed with high accuracy equivalent to a pattern forming technology.例文帳に追加

感光性ドライフィルムレジストを使用する場合には、フィルムマスクまたは直描装置にて埋める穴部のみを遮光し全面露光することで、現像処理にて埋める穴部のドライフィルムレジストが除去され、パターン形成技術と同等の高精度で埋めたい穴のみを選択的に露出させることができる。 - 特許庁

In bidirectional multi-pass recording of odd-numbered passes, a mask pattern wherein recording permission pixels and non recording permission pixels are arranged so that a proportion of pixels in which predetermined two kinds of ink can be recorded by scan in different directions becomes higher than a proportion of pixels in which the two kinds of ink can be recorded by scan in the same direction.例文帳に追加

奇数パスの双方向マルチパス記録において、所定の２種類のインクを異なる方向の走査で記録可能な画素の割合が上記２種類のインクを同じ方向の走査で記録可能な画素の割合よりも高くなるように記録許容画素と非記録許容画素が配列されたマスクパターンを用いる。 - 特許庁

The distributed density mask comprises a plurality of masks formed for separate exposure regions, the exposure region of each of the masks has a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity distribution formed on the transparent substrate and each of the exposure regions is divided by unit cells of appropriate shape and size without leaving a gap.例文帳に追加

この濃度分布マスクは異なる露光領域ごとに作成された複数枚のマスクにより構成され、各マスクの露光領域は透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものであり、各露光領域は適当な形状及び大きさの単位セルにより隙間なく分割されている。 - 特許庁

In this state, the substrate 2 and resist 3 are etched together by using an etching system capable of etching the substrate 2 and resist 3 at the same time to transfer the resist pattern in (b) to the substrate 2 as shown in (c), and the substrate 2 has unevenness corresponding to the patterns of the mask 1 and is usable as a diffusion plate.例文帳に追加

この状態で、基板２とレジスト３を同時にエッチング可能なエッチング方式を使用し、基板２とレジスト３を同時にエッチングすると、（ｃ）に示すように、（ｂ）のレジストパターンが基板２に転写され、マスク１のパターンに対応した凹凸を有する基板２が得られ、これが拡散板として使用できる。 - 特許庁

To prevent the position of a via contact from deviating with repeat to metal wiring, even if deviation of alignment occurs in a mask pattern for forming a via hole in the case of designing the wiring width of the metal wiring and the diameter of the via hole which is connected with the upper surface of that metal wiring into the same dimension.例文帳に追加

金属配線の配線幅と、該金属配線の上面と接続されるビアホールの径とが同一寸法に設計される半導体装置の製造方法において、ビアホールを形成するためのマスクパターンにアライメントずれが発生しても、ビアコンタクトが金属配線に対して位置ずれしないようにする。 - 特許庁

When transferring a mask pattern to a wafer via a projection optical system, first, a prescribed imaging properties of the environmental conditions and the projection optical system with a prescribed timing are measured, and environmental correction coefficients for correcting the variation varied by the environmental conditions of the imaging property are calculated, based on the measured result (step 409).例文帳に追加

マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する（ステップ４０９）。 - 特許庁

The optical element, used for an aligner 11 for transferring the pattern formed in a mask R to a photosensitive substrate W, comprises a base material for comprising a transmitting optical element, and a surface smoothing film 29, at least on a part of the surface of the effective region of the base material comprising the transmitting optical element.例文帳に追加

マスクＲに形成されたパターンを感光性基板Ｗに転写する露光装置１１に使用される光学素子であって、透過光学素子を構成する基材と、前記透過光学素子を構成する基材の有効領域外の表面の少なくとも一部に表面平滑化膜２９とを備える。 - 特許庁

A Fresnel lens 8 for turning light for exposure 7a from a light source 6 into a parallel light 7b is arranged between a mask for exposure 4 and the light source 6, and a light sensing film at the inner plane of a substrate 3 is exposed in an intended pattern by making the Fresnel lens 8 rock in a direction of the inside of the plane by a rocking means 9.例文帳に追加

露光用マスク４と光源６との間に、該光源６からの露光光７ａを平行光７ｂにするためのフレネルレンズ８を配置し、フレネルレンズ８を揺動手段９により面内方向に揺動させて、平行光７ｂにより基板３の内面の感光性塗膜を所要パターンに露光する。 - 特許庁

The color filter substrate 100 is fabricated by forming the black matrix 21a on the transparent substrate 11 by using the exposure mask having a corrected pattern width of the black matrix adjacent to a specified position, and further by forming coloring color filter layers 30 composed of a red color filter 31R, a green color filter 31G, and a blue color filter 31B.例文帳に追加

特定部位に隣接するブラックマトリクスのパターン幅を補正した露光マスクを用いて透明基板１１上にブラックマトリクス２１ａを形成し、さらに赤色カラーフィルタ３１Ｒ、緑色カラーフィルタ３１Ｇ及び緑色カラーフィルタ３１Ｂからなる着色カラーフィルタ層３０を形成してカラーフィルタ基板１００を作製する。 - 特許庁

To solve the problem such that misregistration occurs in a solder terminal which is formed by a reduction in residual stress of a mask, when a high-resolution pattern is repeatedly printed in a high-dense state, in the case where the solder terminal for mounting an electronic component in a high-density state is formed by screen printing of conductive paste such as cream solder.例文帳に追加

電子部品を高密度に搭載するためのはんだ端子を、クリームはんだ等の導電性ペーストのスクリーン印刷により形成するに当たり、高精細なパターンを高密度に、且つ繰り返し印刷すると、マスクの残留応力の緩和により形成されたはんだ端子に位置ずれが生じる。 - 特許庁

An alignment layer 1 is provided on a transparent substrate 5 on which a transparent electrode 4 is formed, an optical mask 6 wherein a light transmission part and a light shielding part with respect to UV are disposed in a prescribed pattern is covered on the alignment layer and the alignment layer is irradiated with UV 7 to remove the alignment layer 1 positioned in a region corresponding to the UV light transmission part ((a) of Fig.).例文帳に追加

透明電極４が形成された透明基板５上に、配向膜１を設け、その上に、紫外線に対する透光部と遮光部が所定のパターンで配されてなる光学マスク６を被せ、紫外線７を照射し、紫外線透光部に対応する領域に位置する配向膜１を除去する（図１（ａ））。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a pressing plate 42 for pressing the body to be exposed, an image recognition part 54 for observing a first alignment mark formed on the body to be exposed and a second alignment mark formed on the circuit pattern mask, and a first moving part 43 for simultaneously moving the pressing plate and the image recognition part in the prescribed width direction of the body to be exposed.例文帳に追加

被露光体を押さえる押さえ板４２と、被露光体に形成された第１アライメントマークと回路パターンマスクに形成された第２アライメントマークとを観察するための画像認識部５４と、押さえ板と画像認識部とを被露光体の所定幅方向に同時に移動させる第１移動部４３とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes processes of: forming the negative type films 18 by using green, blue and red colored compositions in accordance with a plurality of photo-electric conversion elements 12 in an imaging device 14; performing pattern-exposure of the films via a density distribution mask; and thereafter, developing the film to form the outer surface of each color filter into a convex lens shape.例文帳に追加

カラーフィルター製造方法は：撮像素子１４の複数の光電変換素１２に対応して緑，青，赤色組成物によりネガ型膜１８を形成し、この膜を濃度分布マスクを介してパターン露光した後に現像し、現像後に各色フィルターの外表面が凸レンズ形状に形成されている。 - 特許庁

Since this method allows the mask pattern 46 of high precision to be formed on the imprint resin layer 42 by impression of the nano-stamper 43, the monolithic semiconductor lens 23 having a desired shape is formed more easily than conventional methods which use wet etching or form resist patterns by baking.例文帳に追加

この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。 - 特許庁

The device comprises a infrared lamp 41 which irradiates a substrate for treatment W with a light beam to heat the substrate W and a mask M placed between the infrared lamp 41 and the substrate W, made of copper which reflects wavelength of irradiated light with apertures Ma of prescribed pattern.例文帳に追加

処理基板Ｗに向けて照射光を照射することで処理基板Ｗを昇温させる赤外線ランプ４１と、赤外線ランプ４１と処理基板Ｗとの間に配置され、照射光の波長に対し反射する銅材で形成されるとともに所定のパターンで開口部Ｍａが形成されたマスクＭとを備えている。 - 特許庁

The mask is equipped with a light absorption layer having light absorption characteristics appropriate for light intensity distribution with inverted peak pattern, a light scattering layer having light scattering characteristics, a light reflection layer having light reflection characteristics, a light refraction layer having light refraction characteristics, or a light diffraction layer having light diffraction characteristics.例文帳に追加

マスクは、逆ピークパターンの光強度分布に応じた光吸収特性を有する光吸収層、光散乱特性を有する光散乱層、光反射特性を有する光反射層、光屈折特性を有する光屈折層、または光回折特性を有する光回折層を備えている。 - 特許庁

The aligner irradiates a substrate to be exposed by using light from a light source via a projection optics having a uniform proximity gap to transfer a mask pattern, wherein a composite mirror composed of a plurality of mirror groups making one reflection plane is used in the projection optics.例文帳に追加

光源からの光を利用して、マスクのパターンをマスクのパターンを均一なプロキシミティギャップを有する投影光学系を介して被露光基板に照射する露光装置において、複数のミラー群で一つの反射面を構成する集成ミラーを前記投影光学系に用いたことを特徴とする露光装置。 - 特許庁

When successively transferring the pattern of a mask R on those partition regions on the substrate via a projection optical system PL, by making accurate alignment of the partition regions on the substrate with the image surface of the projection optical system, based on the measurement results, defective exposures caused by defocusing can be prevented.例文帳に追加

従って、基板上の複数の区画領域に投影光学系ＰＬを介してマスクＲのパターンを順次転写する際に、前記計測結果に基づいて、基板上の区画領域を投影光学系の像面に精度良く位置合わせすることにより、デフォーカスに起因する露光不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

A resist mask 56 having a resist pattern having opening parts 54 of a width the same as a width of a ribbon member 19 of the MEMS device at intervals the same as intervals of the ribbon members 19 is formed on a sacrifice layer 24, when a ribbon member forming layer is formed on the sacrifice layer 24 in manufacturing the MEMS device.例文帳に追加

本方法では、ＭＥＭＳデバイスを製造する際、リボン部材形成層を犠牲層２４上に成膜する前に、先ず、ＭＥＭＳデバイスのリボン部材１９の幅と同じ幅の開口部５４をリボン部材１９の間隔と同じ間隔で有するレジストパターンを備えたレジストマスク５６を犠牲層２４上に形成する。 - 特許庁

In order to take out the embedded information data, a covering ratio of the pattern to the mask area is calculated from image data obtained by photographing a generated image, to detect corresponding information data, and entire embedded information data are decoded in accordance with the layout order of block areas and the like.例文帳に追加

埋め込まれた情報データを取り出すためには、生成された画像を撮影することによって得られる画像データから、マスク領域に対する図柄の被覆割合を計算して相当する情報データを検出し、さらにブロック領域の配置順等から埋め込まれた全情報データを復号する。 - 特許庁

After forming a second insulating film 33 made of carbon containing silicon oxide just on a first insulating film 32 on a silicon substrate 31, the second insulating film 33 is etched with a mask of resist pattern 34 to form a wiring groove 35 in the film 33 and then a resist film 36 is embedded in the groove 35.例文帳に追加

シリコン基板３１の上に第１の絶縁膜３２を介して炭素含有シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜３３を形成した後、第２の絶縁膜３３に対してレジストパターン３４をマスクにエッチングを行なって、第２の絶縁膜３３に配線溝３５を形成し、その後、配線溝３５にレジスト膜３６を埋め込む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a process that forms one arbitrary lump of dopant regions off the surface of a semiconductor inside a semiconductor substrate, and a process that performs ion implantation a plurality of times with the disposition of a mask pattern end for the ion implantation changed.例文帳に追加

上記の課題を解決するため、本発明は、半導体表面から離れた任意の一固まりの不純物領域を半導体基板内部に形成する工程であって、イオン注入用のマスクパターン端の配置の変更を伴った、複数回のイオン注入を行う工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A density distribution mask 10 in which patterns 6 of a translucent film are provided on a transparent substrate 1, fine dot figures 4 of pattern of a light-shielding film are provided on the patterns 6 of the translucent film and a opening ratio W of gaps between the fine dots figures 4 is set as the square root of a light transmittance T is produced.例文帳に追加

透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。 - 特許庁

The reflection type mask includes a first reflection portion 41 formed on a substrate 40 and reflecting incident light to a first direction, and a second reflection portion 43 formed on the first reflection portion 41, shaped in a prescribed pattern, and reflecting the incident light to a second direction different from the first direction.例文帳に追加

基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。 - 特許庁

In the stencil mask blank, openings corresponding to the transfer pattern are provided on the amorphous silicon layer, the supporting substrate and the intermediate insulating layer.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁