「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

A laser light 5 whose pattern is shaped through a mask 4 is given to a transparent conductive film 3 formed on a resin layer 2 on a substrate 1, and a part emitted by the laser light 5 in the transparent conductive film 3 is removed from the resin layer 2 for patterning.例文帳に追加

基板１上の樹脂層２上に成膜された透明導電膜３に、マスク４を介してパターン成形されたレーザ光５を照射し、この透明導電膜３のこのレーザ光５照射部分をこの樹脂層２上から除去してパターニングするようにしたものである。 - 特許庁

When varying the patterns for successively stopping a variation of the patterns in a prescribed order by variably displaying the plural patterns, semitransparentizing processing for thinly showing the varying pattern is applied by thinning-out processing using a mask or VDP processing having a function for changing transmissivity.例文帳に追加

複数の図柄を変動表示させ、図柄の変動を所定の順番で順次停止させる図柄変動中の場合に、マスクを用いた間引き処理、または透過率を変化させる機能を持ったＶＤＰ処理により、変動中の図柄を薄く見せる半透明化処理を施す。 - 特許庁

The mask pattern 10 is divided into two areas: a center area extended along the center line; and a peripheral area 12 with a constant width W surrounding the center area.例文帳に追加

マスクパターン１０は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Ｗで取り囲む周辺領域１２との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域１１に分割される。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

The condensing/diverging element (3) converts light fed from the lighting system (2) to light having a light intensity distribution of a concave pattern showing that the light is reduced to a minimum in intensity at the phase-shifting part or its vicinity and increases in intensity toward its periphery, and irradiates the phase shifting mask (1) with the above light.例文帳に追加

集光発散素子は、照明系から供給された光を、位相シフト部またはその近傍において光強度が最も小さく且つその周囲に向かって光強度が増加する凹型パターンの光強度分布を有する光に変換して位相シフトマスクに照射する。 - 特許庁

The mask assembly comprises: a frame 20 provided with a pair of first supporting parts 22 and a pair of second supporting parts 24 surrounding an opening part 201; and a plurality of unit masks 40 in which at least a set of pattern opening parts 401 are formed, and fixed to the first supporting parts 22 in a state where tension force is applied.例文帳に追加

マスク組立体は、開口部２０１を囲む一対の第１支持部２２及び一対の第２支持部２４を備えたフレーム２０と、少なくとも一組のパターン開口部４０１を形成し、引張力が加わった状態で第１支持部２２に固定される複数の単位マスク４０と、を含む。 - 特許庁

In forming an image by carrying out recording scanning of a recording head by N times (N is an integer not smaller than 1) to the same image region of the recording medium, the number of times of the recording scanning and a mask pattern to be used at the time of multi pass are set in accordance with glossiness of the recording medium.例文帳に追加

記録ヘッドを記録媒体の同一画像領域に対しＮ（Ｎは１以上の整数）回の記録走査を行うことによって画像を形成するにあたって、記録媒体の光沢度に応じて記録走査の回数やマルチパスの際の用いられるマスクパターンを設定する。 - 特許庁

The color filter for a solid-state image pickup device is produced by applying the colored photosensitive composition onto a support to form a colored photosensitive composition layer, exposing the colored photosensitive composition layer through a mask, and developing the layer to form a pattern on the support.例文帳に追加

前記着色感光性組成物を、支持体上に塗布して着色感光性組成物層を形成し、前記着色感光性組成物層を、マスクを通して露光し、現像して前記支持体上にパターンを形成することにより固体撮像素子用カラーフィルターを製造する。 - 特許庁

The process for making the orthopedic bearing material includes applying X rays to a raw material hardened through an irradiation mask having a puncture pattern for cross-linking selected regions on the raw material, and optionally forming the raw material into the bearing material.例文帳に追加

例えば、原材料の選択された領域を架橋するための穿孔パターンを有する照射マスクを通して固められた形態の原材料を放射線照射し、任意で、原材料をベアリング材料に成形することによって、整形外科用ベアリング材料を作製するためのプロセスも開示されている。 - 特許庁

To obtain an arch-like or ring-like irradiation beam by providing a scattering device, which checks diffusion of irradiation beam to a projection system with which the pattern image of a mask in a lithography projection system is irradiated on a substrate and forming a fan-like curved line by reflecting a fine collimated incident beam.例文帳に追加

リソグラフ投影装置におけるマスクのパターンイメージを基板に照射する投影システムに照射ビームの拡散を制御する散乱装置を設けて、細いコリメート入射ビームを反射させて扇曲線形とすることにより、アーチ状あるいはリング状の照射ビームを得る。 - 特許庁

In the exposing method where a substrate P is sucked to a substrate stage 23 and the pattern of a mask R is transferred to the exposing region of the substrate P, the region to be sucked is specified for the substrate P depending on the exposing region and the specified region is sucked to the substrate stage 23.例文帳に追加

基板ステージ２３に基板Ｐを吸着し、マスクＲのパターンを基板Ｐの露光領域に転写する露光方法において、基板Ｐに対して吸着対象の領域を露光領域に応じて特定し、特定した対象領域を基板ステージ２３に吸着する。 - 特許庁

The mask 109 for exposure having a micro opening pattern is elastically deformed and contacted to or exfoliated from an object 110A to be exposed with the pressurizing and depressurizing operation by a pressurizing and depressurizing means 51, and a controlling means 200 controls the pressurizing and depressurizing operation by the pressuring and depressuring means 51.例文帳に追加

加減圧手段５１により、微小開口パターンを有する露光用マスク１０９を加減圧により弾性変形させて被露光物１１０Ａに接触、又は剥離させると共に、制御手段２００により加減圧手段５１による加減圧動作を制御する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the integrated optical element having the three or more optical element portions integrated in a manner of connecting them one after another by using the butt joint technique twice or more, a dielectric mask pattern used for the second butt joint process is shaped such that a tip portion is made thinner.例文帳に追加

２回以上のバットジョイント技術を用いて３つ以上の光素子部を次々と継ぎ足していく要領で集積する集積光デバイスの製造方法において、第二のバットジョイントプロセスに用いる誘電体マスクパターンの形状を、先端部が細くなった形状とする。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for relaxing the difference in heating occurring between an illumination part and a nonillumination part, accordingly, a stress difference, when forming the image of the pattern of a mask on a resist layer by electrons, ions or radiation such as an X ray or an ultraviolet ray, using a lithography projector.例文帳に追加

リソグラフィ投影装置で、マスクのパターンを電子、イオン、Ｘ線または紫外線のような放射線によってレジスト層上に結像する際、照射部と非照射部の間に生ずる加熱差、従って応力差を緩和するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The mask has a quartz-made transparent substrate Q and an absorber layer AB where a pattern is formed of, for example, chromium or chromium oxide, wherein the thickness (t) of the absorber layer AB is larger than the wavelength λ of a projection beam PB and three to four times as large as the width (b) of the absorber layer.例文帳に追加

石英製の透明な基板Ｑ及び、例えばクロム又は酸化クロムからなるパターン形成された吸収体層ＡＢを備えるマスクにおいて、吸収体層ＡＢの厚さｔを投影ビームＰＢの波長λよりも大きく、吸収体層の幅ｂの３倍又は４倍以下とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

In the method for formation of wiring structure, a first organic matter-bearing silicon oxide film 303, an SOG film 304 having a low specific inductive capacity, and a second organic matter-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, and then, a mask pattern 308 is formed on the silicon oxide film 305.例文帳に追加

半導体基板３００上に、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第２の有機含有シリコン酸化膜３０５を順次堆積した後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５の上にマスクパターン３０８を形成する。 - 特許庁

A display list converting device 2 fetches a mask pattern and the bitmap of a transmission object from an external storage device 1, prepares a black image drawn in black and a white image drawn in white for images of a frame buffer 5 and respectively adds the black and whit images as objects for a black image and a white image to a display list 3.例文帳に追加

ディスプレイリスト変換装置２では、外部記憶装置１からマスクパターンと透過オブジェクトのビットマップを取り出してフレームバッファ５のイメージに黒で描く黒イメージと白で描く白イメージとを作成し、それぞれ、黒イメージ用、白イメージ用のオブジェクトとしてディスプレイリスト３に追加する。 - 特許庁

To provide a method and a device for inspecting patterns and a mask manufacturing device using thereof correcting effects to pattern inspection caused by polarization of intensity distribution due to beam shape, size, and optical axis deviation of an illumination light source illuminating a body to be inspected for obtaining a constantly stable inspection result.例文帳に追加

被検査体を照明する照明光源のビーム形状、サイズ、光軸ずれによる強度分布の偏りから生ずる、パターン検査への影響を補正して、常に安定した検査結果が得られるパターン検査方法とその装置およびそれを用いたマスク製造装置を提供すること。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

A mask 1 comprises a base substrate 10 having an aperture part, a chip 20 having an aperture pattern to be positioned at the aperture part of the base substrate 10, a plug 30 to be detachably arranged on the base substrate 10, and a joining material 40 for joining the chip 20 and the plug 30.例文帳に追加

マスク１は、開口部を有するベース基板１０と、ベース基板１０の開口部に位置決めされる開口パターンを有するチップ２０と、ベース基板１０に取り外し可能に配設されるプラグ３０と、チップ２０とプラグ３０とを接合する接合材４０とを備える。 - 特許庁

As a result, it is possible to suppress or prevent transfer errors (transfer position errors) of an extremely small pattern that cannot be observed with an interferometer, caused by strains or tiny deformations generated in the body 14 by moving the mask stage RST and the substrate stage WST, and the printing accuracy can be improved.例文帳に追加

これにより、マスクステージ及び基板ステージが移動することによりボディに生じる歪みもしくは微少変形に起因する干渉計では見えない微少なパターンの転写誤差（転写位置誤差）を抑制ないしは防止することが可能になり、焼き付け精度を向上させることができる。 - 特許庁

After applying RTA process higher than the film-forming temperature to a layer insulation film 15, composed of phosphorus-added silicon oxide film, this film 15 and a silicon nitride film 14 are etched through a mask having a photoresist pattern 16 to form contact holes 17.例文帳に追加

リンが添加された酸化シリコン膜によって構成される層間絶縁膜１５に、成膜温度以上の温度でＲＴＡ処理を施した後、フォトレジストパターン１６をマスクとして層間絶縁膜１５および窒化シリコン膜１４を順次エッチングし、コンタクトホール１７を形成する。 - 特許庁

A predetermined proximity gap is formed between a base plate 1C to be exposed and a photomask 3A for forming a pattern by relatively moving an exposure chuck 2 holding the base plate 1C to a mask holder 3 having a photomask 3A and an airtight chamber 3D at the upper surface of the photomask 3A.例文帳に追加

パターン形成用のフォトマスク３Ａを保持すると共に該フォトマスクの上面に気密室３Ｄを有するマスクホルダ３に対して、露光対象の基板１Ｃを保持する露光チャック２を相対的に移動することにより、該基板とフォトマスクとの間に所定のプロキシミティギャップを形成する。 - 特許庁

Successively, by changing the position on the substrate 1a where a solvent for exfoliating the mask layer 15 is supplied toward the edge of the substrate 1a while turning the substrate 1a, a source electrode and a drain electrode each having a prescribed pattern are formed on the substrate from a conductive film 19.例文帳に追加

引き続いて基板１のエッジに向けて、マスク層１５を剥離するための溶剤が提供される基板１ａ上の位置を基板１を回転させながら移動すると、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極を基板上に導電膜１９から形成する。 - 特許庁

This invention concretely provides the method for forming the semiconductor structure including a plurality of fin FET devices, and provides a method for using a mask getting across it together with a chemical oxide removing (COR) process when a rectangular pattern is formed to demarcate a relatively fine fin.例文帳に追加

具体的には本発明は、複数のフィンＦＥＴデバイスを含む半導体構造を形成する方法であって、長方形のパターンを形成して相対的に細いフィンを画定する際に、これを横切るマスクを、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスとともに使用する方法を提供する。 - 特許庁

After making contact holes for exposing a substance containing silicon formed on a semiconductor substrate using a photoresist pattern as an etching mask, the semiconductor substrate is loaded in a cluster system where a plasma pretreatment module and a deposition module are coupled under vacuum state.例文帳に追加

フォトレジストパターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板上に形成されたシリコン含有物質を露出させるコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板をプラズマ前処理モジュールおよび蒸着モジュールが真空状態で互いに連結される、クラスター装置にローディングさせる。 - 特許庁

The stencil mask for ion implantation has a through hole pattern for ion implantation formed at a thin film part supported on a support wherein an ion absorbing layer is formed at least on the side (surface side) of the thin film part being irradiated with an ion beam.例文帳に追加

支持体に支持された薄膜部にイオン注入用の貫通孔パターンを形成してなるイオン注入用ステンシルマスクであって、前記薄膜部の少なくともイオンビームが照射される側（表面側）に、イオン吸収層を形成したことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - 特許庁

A third hydrogen barrier film 104 is deposited to cover the exposed film 4, the film 4 and the film 30 are sequentially etched by using a mask formed thereon, and the film 4 and a lower electrode 3 self-aligned with the film 4 are pattern formed.例文帳に追加

露出した強誘電体膜４を覆って第３の水素バリア膜１０４を堆積し、この上に形成したマスクを用いて強誘電体膜４及び下部電極膜３０を順次エッチングして、強誘電体膜４とこれに自己整合された下部電極３をパターン形成する。 - 特許庁

A plurality of frames are selectively positioned in an irradiation region 228 of the incident light by feeding an array of the plurality of frames, a sheet-like mask 200 extended in a longitudinal direction in a longitudinal direction for sequentially projecting the plurality of pattern light beams to the object.例文帳に追加

複数のパターン光を順次、物体に投影するために、シート状を成して長さ方向に延びるマスク２００であって複数のフレームが並んだものを長さ方向に送ることにより、複数のフレームを選択的に前記入射光の照射領域２２８に位置決めする。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

An illuminance correcting filter 3 and a light source 2 for sensitizing a photosensitive resist having a reciprocity characteristic are arranged in order through a shutter device 4 for turning on and off an exposure on the outside of a CRT panel P having inside a color selecting mask 1 being an aperture grille forming a phosphor pattern between black stripes.例文帳に追加

ＣＲＴパネルの内面にブラックストライプを形成する際に用いるレジストパターンを、均一なブラックストライプ間の開口幅の寸法に応じて形成する際、パターンの転写を行う複数回の本露光の前に、感光性レジスト膜に対して、パネル外面から短時間の外面露光を行う。 - 特許庁

To provide a photomask for a semiconductor device which can maintain high pattern precision and lower manufacture costs even when a plurality of mask patterns corresponding to photolithography processes of two or more different layers of the semiconductor device are formed in one photomask in different areas.例文帳に追加

半導体装置の２層以上の異なる層のフォトリソグラフィ工程に対応した複数のマスクパターンを１枚のフォトマスク内に領域を分けて形成する場合であれ、パターン精度を高く維持して且つ、製造コストも削減することのできる半導体装置用フォトマスクを提供する。 - 特許庁

The inner diameter D_v of a via hole in a dielectric layer considered for the CAD data is converted into the outer diameter D_p of a via hole pattern in a photolithographic exposure mask as the CAM data, namely the outer diameter D_p smaller than the inner diameter Dv of the via hole.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径Ｄ_Ｖを、該ビアホール内径Ｄ_Ｖより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ_Ｐに、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁

The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.例文帳に追加

除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁

To reduce the error of an operation associated with assembly at the time of automatically assembling the mask pattern of a printed wiring board, and to largely shorten the preparing time of an assembly picture, and to instantaneously evaluate the legality of the assembly dimensions, and to provide a clarified confirmation reference with a picture.例文帳に追加

プリント配線板のマスクパターン自動面付において、面付に関する作業の誤りが減少し、面付図面の作成時間を大幅に短縮し、即座にその面付寸法の妥当性を評価することができ、明確化された確認基準を図面で提供する。 - 特許庁

To reliably prevent generation of an organic haze on a photomask, particularly, on the surface where a mask pattern is formed, without inspecting whether an organic haze generates, or without resticking a pellicle film when the haze generates, and to use a photomask without generating an organic haze, even in a conventional exposure environment.例文帳に追加

有機ヘイズの発生有無の検査や発生した際のペリクル膜の再度貼作業を行うことなく、フォトマスクの特にマスクパターン形成面における有機ヘイズの発生を確実に防止し、従来の露光環境でも有機ヘイズを発生させることなく、フォトマスクを使用する。 - 特許庁

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

A resist mask is formed and subsequently, a metallic thin resistor 11a, a low resistance metallic interconnection 5a positioning at the both side of the metallic thin film resister 11a, a low resistance metallic interconnection 5b of the other circuit and a thin film metallic pattern 11b (D).例文帳に追加

レジストマスク１３を形成し、続いてドライエッチングにより金属薄膜抵抗体１１ａ、金属薄膜抵抗体１１ａの両端側に位置する低抵抗金属配線５ａ、他の回路の低抵抗金属配線５ｂ及び薄膜金属パターン１１ｂを形成する（Ｄ）。 - 特許庁

In the exposure method, a photosensitive resin 2 provided on an upper surface of a substrate 1 is irradiated with light through a mask member disposed above the photosensitive resin 2 to form a specified exposure pattern comprising an exposed part and an unexposed part on the photosensitive resin 2.例文帳に追加

この露光方法は、基板１の上面に設けた感光性樹脂２に、当該感光性樹脂２の上方に配したマスク部材を介して光を照射することで、感光性樹脂２に露光部分と未露光部分とからなる特定の露光パターンを形成するものである。 - 特許庁

To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.例文帳に追加

フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁