「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

Plasma treatment is carried out for the stress distortion formation film 24 using the third resist pattern 25 as a mask to reform the upper side portion of a first active region 11a in the stress distortion formation film 24 so that a tensile stress containing portion 24A is formed.例文帳に追加

第３のレジストパターン２５をマスクにして、応力歪み生成膜２４に対してプラズマ処理を行うことにより、応力歪み生成膜２４における第１の活性領域１１ａの上側部分を改質して引っ張り応力を生じる引っ張り応力含有部２４Ａを形成する。 - 特許庁

Whether to make a comparison between a threshold and an updated pixel value with an accumulated error added to a pixel value of a pixel to be processed in noted multivalued image data is determined based on data corresponding to the pixel to be processed in the mask pattern data corresponding to the noted multivalued image data.例文帳に追加

着目多値画像データ中の処理対象画素の画素値に累積誤差を加算した更新済み画素値と閾値との大小比較を行うか否かを、着目多値画像データに対応するマスクパターンデータ中の処理対象画素に対応するデータに基づいて判断する。 - 特許庁

After etching the first sacrifice layer, the electrode metal layer and the insulating film using the resist 5 as a mask, the resist 5 is removed to form a pattern of the laminated material of the insulating film 2, the electrode metal layer 3, and the first sacrifice layer 4 on the first diamond semiconductor region 1.例文帳に追加

そして、レジスト５をマスクとして、第１の犠牲層、電極金属層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去することにより、第１のダイヤモンド半導体領域１の上に、絶縁膜２と電極金属層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。 - 特許庁

At this time, the reading operation is controlled according to the recording mode alternatively utilized among two or more recording modes, and the control is performed so that the AND operation may be performed with commonly applying the same mask pattern read to the recording data corresponding to the plural different nozzle trains read.例文帳に追加

ここで、複数の記録モードから選択的に用いられる記録モードに従って、読込動作を制御し、読込まれた同じマスクパターンを、読込まれた複数の異なるノズル列に対応する記録データに対して共通に適用してＡＮＤ演算を行なうよう制御する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for ink jet recording whereby recording pixels to be recorded are determined by applying a mask pattern for recording images by a higher resolution than a predetermined resolution to a pixel region, with respect to at least one of a horizontal scanning direction and a vertical scanning direction.例文帳に追加

主走査方向及び副走査方向の少なくとも一方に関して、所定解像度よりも高い解像度で画像を記録するためのマスクパターンを画素領域に適用して、記録される記録画素を決定するインクジェット記録装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition whose deformation can be easily prevented, to provide a method for producing a spontaneous light emitting panel capable of forming a film deposition pattern at high precision, and to provide a spontaneous light emitting panel in which film deposition panels of high precision are formed.例文帳に追加

簡単に成膜用マスクの変形を防止することができる成膜用マスクを提供すること、高精度に成膜パターンを形成することができる自発光パネルの製造方法を提供すること、高精度な成膜パターンが形成された自発光パネルを提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of initial multi-pass print processing, the print object area is enlarged sequentially for each pass from the nozzle area on the downstream side of sheet carriage to the nozzle area on the upstream side and a mask pattern being assigned to the nozzle area of print object is switched sequentially for each pass.例文帳に追加

初期マルチパス印字処理時には、パス毎に用紙搬送下流側のノズル領域から順次上流側のノズル領域まで印字対象領域を拡大していくとともに、パス毎に印字対象のノズル領域に割り当てるべきマスクパターンを順次切り替えていく。 - 特許庁

Then a dummy spacer film 143 and a side-wall pattern on a side wall of the core material film 13 are formed, by using lithography technique and etching technique, so that the spacer film 14 is positioned within a range of a predetermined distance from a position where the spacer film 14 is left as a mask for subsequent etching.例文帳に追加

ついで、スペーサ膜１４を後のエッチング時のマスクとして残す位置から所定の距離の範囲にスペーサ膜１４が位置するようにダミーのスペーサ膜１４３と、芯材膜１３の側壁に側壁パターンとをリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a stage apparatus the degradation of control accuracy of which is prevented, an exposure apparatus transferring a mask pattern on a substrate on the stage apparatus without incurring deterioration in the exposure accuracy, and a device manufacturing method for using the exposure apparatus to manufacture devices.例文帳に追加

ステージ装置の制御精度の低下を防止することができるステージ装置、当該ステージ装置上の基板にマスクのパターンを露光精度の悪化を招かずに転写することができる露光装置、並びに当該露光装置を用いてデバイスを製造するデバイス製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask set contains: a pair of phase inversion regions which consist of two phase inversion regions having different phases arranged adjacent to each other to induce extinction interference and which define an access line; and a first opaque pattern formed on a transparent substrate to define the above phase inversion region pair.例文帳に追加

消滅干渉を起こせるように隣接配置された相異なる位相の位相反転領域２つよりなってアクセス配線を定義する位相反転領域対と前記位相反転領域対とを定義すべく透明基板上に形成された第１不透明パターンを含む。 - 特許庁

To provide a scanning exposure apparatus using microlens arrays capable of aligning an image of a mask pattern with a prescribed position, even if the size of a substrate to be exposed is changed due to changes in the characteristics of the exposure apparatus and manufacturing conditions such as temperature conditions.例文帳に追加

マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、露光装置特性及び温度条件等の製造条件の変動に起因して、被露光基板の大きさの変動が生じても、マスクパターンの像を所定位置に合わせることができるマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes: a step of forming a base film on a semiconductor substrate; a step of forming an amorphous carbon film on the base film; a step of forming a pattern of the amorphous carbon film; and a step of etching the base film using the amorphous carbon film as a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。 - 特許庁

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

In the method for formation of wiring structure, a first organic matter-bearing silicon oxide film 303, an SOG film 304 having a low specific inductive capacity, and a second organic matter-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, and then, a mask pattern 308 is formed on the silicon oxide film 305.例文帳に追加

半導体基板３００上に、第１の有機含有シリコン酸化膜３０３、低誘電率ＳＯＧ膜３０４及び第２の有機含有シリコン酸化膜３０５を順次堆積した後、第２の有機含有シリコン酸化膜３０５の上にマスクパターン３０８を形成する。 - 特許庁

A display list converting device 2 fetches a mask pattern and the bitmap of a transmission object from an external storage device 1, prepares a black image drawn in black and a white image drawn in white for images of a frame buffer 5 and respectively adds the black and whit images as objects for a black image and a white image to a display list 3.例文帳に追加

ディスプレイリスト変換装置２では、外部記憶装置１からマスクパターンと透過オブジェクトのビットマップを取り出してフレームバッファ５のイメージに黒で描く黒イメージと白で描く白イメージとを作成し、それぞれ、黒イメージ用、白イメージ用のオブジェクトとしてディスプレイリスト３に追加する。 - 特許庁

To provide a method and a device for inspecting patterns and a mask manufacturing device using thereof correcting effects to pattern inspection caused by polarization of intensity distribution due to beam shape, size, and optical axis deviation of an illumination light source illuminating a body to be inspected for obtaining a constantly stable inspection result.例文帳に追加

被検査体を照明する照明光源のビーム形状、サイズ、光軸ずれによる強度分布の偏りから生ずる、パターン検査への影響を補正して、常に安定した検査結果が得られるパターン検査方法とその装置およびそれを用いたマスク製造装置を提供すること。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

A mask 1 comprises a base substrate 10 having an aperture part, a chip 20 having an aperture pattern to be positioned at the aperture part of the base substrate 10, a plug 30 to be detachably arranged on the base substrate 10, and a joining material 40 for joining the chip 20 and the plug 30.例文帳に追加

マスク１は、開口部を有するベース基板１０と、ベース基板１０の開口部に位置決めされる開口パターンを有するチップ２０と、ベース基板１０に取り外し可能に配設されるプラグ３０と、チップ２０とプラグ３０とを接合する接合材４０とを備える。 - 特許庁

As a result, it is possible to suppress or prevent transfer errors (transfer position errors) of an extremely small pattern that cannot be observed with an interferometer, caused by strains or tiny deformations generated in the body 14 by moving the mask stage RST and the substrate stage WST, and the printing accuracy can be improved.例文帳に追加

これにより、マスクステージ及び基板ステージが移動することによりボディに生じる歪みもしくは微少変形に起因する干渉計では見えない微少なパターンの転写誤差（転写位置誤差）を抑制ないしは防止することが可能になり、焼き付け精度を向上させることができる。 - 特許庁

After applying RTA process higher than the film-forming temperature to a layer insulation film 15, composed of phosphorus-added silicon oxide film, this film 15 and a silicon nitride film 14 are etched through a mask having a photoresist pattern 16 to form contact holes 17.例文帳に追加

リンが添加された酸化シリコン膜によって構成される層間絶縁膜１５に、成膜温度以上の温度でＲＴＡ処理を施した後、フォトレジストパターン１６をマスクとして層間絶縁膜１５および窒化シリコン膜１４を順次エッチングし、コンタクトホール１７を形成する。 - 特許庁

A predetermined proximity gap is formed between a base plate 1C to be exposed and a photomask 3A for forming a pattern by relatively moving an exposure chuck 2 holding the base plate 1C to a mask holder 3 having a photomask 3A and an airtight chamber 3D at the upper surface of the photomask 3A.例文帳に追加

パターン形成用のフォトマスク３Ａを保持すると共に該フォトマスクの上面に気密室３Ｄを有するマスクホルダ３に対して、露光対象の基板１Ｃを保持する露光チャック２を相対的に移動することにより、該基板とフォトマスクとの間に所定のプロキシミティギャップを形成する。 - 特許庁

Successively, by changing the position on the substrate 1a where a solvent for exfoliating the mask layer 15 is supplied toward the edge of the substrate 1a while turning the substrate 1a, a source electrode and a drain electrode each having a prescribed pattern are formed on the substrate from a conductive film 19.例文帳に追加

引き続いて基板１のエッジに向けて、マスク層１５を剥離するための溶剤が提供される基板１ａ上の位置を基板１を回転させながら移動すると、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極を基板上に導電膜１９から形成する。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体１９を作製するに際して、最初に前記構造体１９の側面２０に一致する輪郭を備えている細い溝１０を形成するための第１マスクパターン１を用いて第１のエッチング処理を行う。 - 特許庁

The exposure device irradiates a resist film with exposure light through a mask 72 at an exposure section 20 while arranging immersion liquid 71 on the resist film formed on a wafer 70, and an immersion liquid supply section 30 supplies the liquid 71 to the pattern exposure section 20.例文帳に追加

露光装置は、露光部２０において、ウェハ７０上に形成されたレジスト膜の上に液浸用の液体７１を配した状態で、レジスト膜にマスク７２を介した露光光を照射し、液浸用液体供給部３０は液体７１をパターン露光部２０に供給する。 - 特許庁

A laser light 5 whose pattern is shaped through a mask 4 is given to a transparent conductive film 3 formed on a resin layer 2 on a substrate 1, and a part emitted by the laser light 5 in the transparent conductive film 3 is removed from the resin layer 2 for patterning.例文帳に追加

基板１上の樹脂層２上に成膜された透明導電膜３に、マスク４を介してパターン成形されたレーザ光５を照射し、この透明導電膜３のこのレーザ光５照射部分をこの樹脂層２上から除去してパターニングするようにしたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

After a gate oxide film 4 and a gate electrode film 5 are formed on a P-type semiconductor substrate 1, a highly concentrated impurity diffusion region 7 is formed by implanting highly concentrated N-type impurity ions using a first masking means 6a having a pattern width wider than that of a gate electrode 5a as a mask.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上に、ゲート酸化膜４及びゲート電極膜５を形成後、ゲート電極５ａよりもパターン幅を拡げて形成された第１マスク手段６ａをマスクとして、高濃度のＮ型不純物イオンを注入して高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

The condensing/diverging element (3) converts light fed from the lighting system (2) to light having a light intensity distribution of a concave pattern showing that the light is reduced to a minimum in intensity at the phase-shifting part or its vicinity and increases in intensity toward its periphery, and irradiates the phase shifting mask (1) with the above light.例文帳に追加

集光発散素子は、照明系から供給された光を、位相シフト部またはその近傍において光強度が最も小さく且つその周囲に向かって光強度が増加する凹型パターンの光強度分布を有する光に変換して位相シフトマスクに照射する。 - 特許庁

The mask assembly comprises: a frame 20 provided with a pair of first supporting parts 22 and a pair of second supporting parts 24 surrounding an opening part 201; and a plurality of unit masks 40 in which at least a set of pattern opening parts 401 are formed, and fixed to the first supporting parts 22 in a state where tension force is applied.例文帳に追加

マスク組立体は、開口部２０１を囲む一対の第１支持部２２及び一対の第２支持部２４を備えたフレーム２０と、少なくとも一組のパターン開口部４０１を形成し、引張力が加わった状態で第１支持部２２に固定される複数の単位マスク４０と、を含む。 - 特許庁

When varying the patterns for successively stopping a variation of the patterns in a prescribed order by variably displaying the plural patterns, semitransparentizing processing for thinly showing the varying pattern is applied by thinning-out processing using a mask or VDP processing having a function for changing transmissivity.例文帳に追加

複数の図柄を変動表示させ、図柄の変動を所定の順番で順次停止させる図柄変動中の場合に、マスクを用いた間引き処理、または透過率を変化させる機能を持ったＶＤＰ処理により、変動中の図柄を薄く見せる半透明化処理を施す。 - 特許庁

The mask pattern 10 is divided into two areas: a center area extended along the center line; and a peripheral area 12 with a constant width W surrounding the center area.例文帳に追加

マスクパターン１０は、その中心線上に伸びる中央領域と、この中央領域の周囲を一定の幅Ｗで取り囲む周辺領域１２との二つの領域に分割され、中央領域は更に、中心線上に互いに隣接して並ぶ正方形の複数の単位領域１１に分割される。 - 特許庁

In forming an image by carrying out recording scanning of a recording head by N times (N is an integer not smaller than 1) to the same image region of the recording medium, the number of times of the recording scanning and a mask pattern to be used at the time of multi pass are set in accordance with glossiness of the recording medium.例文帳に追加

記録ヘッドを記録媒体の同一画像領域に対しＮ（Ｎは１以上の整数）回の記録走査を行うことによって画像を形成するにあたって、記録媒体の光沢度に応じて記録走査の回数やマルチパスの際の用いられるマスクパターンを設定する。 - 特許庁

The color filter for a solid-state image pickup device is produced by applying the colored photosensitive composition onto a support to form a colored photosensitive composition layer, exposing the colored photosensitive composition layer through a mask, and developing the layer to form a pattern on the support.例文帳に追加

前記着色感光性組成物を、支持体上に塗布して着色感光性組成物層を形成し、前記着色感光性組成物層を、マスクを通して露光し、現像して前記支持体上にパターンを形成することにより固体撮像素子用カラーフィルターを製造する。 - 特許庁

To provide a photomask for a semiconductor device which can maintain high pattern precision and lower manufacture costs even when a plurality of mask patterns corresponding to photolithography processes of two or more different layers of the semiconductor device are formed in one photomask in different areas.例文帳に追加

半導体装置の２層以上の異なる層のフォトリソグラフィ工程に対応した複数のマスクパターンを１枚のフォトマスク内に領域を分けて形成する場合であれ、パターン精度を高く維持して且つ、製造コストも削減することのできる半導体装置用フォトマスクを提供する。 - 特許庁

To reduce the error of an operation associated with assembly at the time of automatically assembling the mask pattern of a printed wiring board, and to largely shorten the preparing time of an assembly picture, and to instantaneously evaluate the legality of the assembly dimensions, and to provide a clarified confirmation reference with a picture.例文帳に追加

プリント配線板のマスクパターン自動面付において、面付に関する作業の誤りが減少し、面付図面の作成時間を大幅に短縮し、即座にその面付寸法の妥当性を評価することができ、明確化された確認基準を図面で提供する。 - 特許庁

To reliably prevent generation of an organic haze on a photomask, particularly, on the surface where a mask pattern is formed, without inspecting whether an organic haze generates, or without resticking a pellicle film when the haze generates, and to use a photomask without generating an organic haze, even in a conventional exposure environment.例文帳に追加

有機ヘイズの発生有無の検査や発生した際のペリクル膜の再度貼作業を行うことなく、フォトマスクの特にマスクパターン形成面における有機ヘイズの発生を確実に防止し、従来の露光環境でも有機ヘイズを発生させることなく、フォトマスクを使用する。 - 特許庁

To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.例文帳に追加

少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁

A mold release layer 3 containing a matting agent is formed all over a base sheet 2, a mask layer 4 containing an active energy beam curable resin is formed partially and cured by the active energy beam and an exfoliation layer 5 and a pattern layer 6 are formed as transfer layers 8.例文帳に追加

基体シート２上にマット剤を含有する離型層３を全面的に形成し、活性エネルギー線硬化性樹脂を含有するマスク層４を部分的に形成した後に活性エネルギー線で硬化させ、次いで転写層８として剥離層５と図柄層６とを形成する。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

A resist mask is formed and subsequently, a metallic thin resistor 11a, a low resistance metallic interconnection 5a positioning at the both side of the metallic thin film resister 11a, a low resistance metallic interconnection 5b of the other circuit and a thin film metallic pattern 11b (D).例文帳に追加

レジストマスク１３を形成し、続いてドライエッチングにより金属薄膜抵抗体１１ａ、金属薄膜抵抗体１１ａの両端側に位置する低抵抗金属配線５ａ、他の回路の低抵抗金属配線５ｂ及び薄膜金属パターン１１ｂを形成する（Ｄ）。 - 特許庁

In the exposure method, a photosensitive resin 2 provided on an upper surface of a substrate 1 is irradiated with light through a mask member disposed above the photosensitive resin 2 to form a specified exposure pattern comprising an exposed part and an unexposed part on the photosensitive resin 2.例文帳に追加

この露光方法は、基板１の上面に設けた感光性樹脂２に、当該感光性樹脂２の上方に配したマスク部材を介して光を照射することで、感光性樹脂２に露光部分と未露光部分とからなる特定の露光パターンを形成するものである。 - 特許庁

To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.例文帳に追加

フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The inner diameter D_v of a via hole in a dielectric layer considered for the CAD data is converted into the outer diameter D_p of a via hole pattern in a photolithographic exposure mask as the CAM data, namely the outer diameter D_p smaller than the inner diameter Dv of the via hole.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程により誘電体層のビアホールを形成するために、ＣＡＤデータに反映された誘電体層のビアホール内径Ｄ_Ｖを、該ビアホール内径Ｄ_Ｖより小さいフォトリソグラフィー用露光マスクのビアホールパターン外径Ｄ_Ｐに、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁