「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.例文帳に追加

透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁

A thin film pattern 10 is formed by preforming a water-soluble polymer film 4 on the surface of a film 2 to be processed, provided on a substrate 1, then performing ablation processing by irradiating the surface of the polymer film 4 with laser beam 8 through a pattern mask 7, and removing resin decomposed matters 6 and remaining water-soluble polymer film 5 by washing.例文帳に追加

基材１上に設けられた被加工膜２の表面に、予め水溶性の高分子膜４を形成し、その高分子膜形成面にパターンマスク７を介してレーザー光８を照射してアブレーション加工を行い、その後水洗を行うことにより、樹脂分解物６と残った水溶性高分子膜５を除去し、薄膜パターン１０を形成する。 - 特許庁

To provide a spot resist film peeling machine which can continuously perform etching added to a quartz substrate 1 and peel a resist film pattern 3' of only a pattern for phase difference measurement without repeating the formation of a resist film, electron beam drawing, and development when it becomes evident that the depth of a shifter is insufficient when a Revenson type phase shift mask 60 is manufactured.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスク６０の製造において、シフターの深さが不足していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続して行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜機を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of a transparent conductive film where a mask is placed on a substrate, a pattern shaped transparent conductive layer is formed on the substrate by a sputtering method, a grid having a magnet is placed between a target and a substrate, and a pattern shaped transparent conductive film comprising the target material is formed over the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device includes a step of forming a pattern by using a mask for exposure having a frame-like light shielding film 2 formed on the peripheral portion of the surface of the side, where the pattern is to be formed of a substrate 10, where the film 2 is divided into square light shielding portions by slits 3.例文帳に追加

基板１０のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜２を有し、該周辺部の枠状の遮光膜をスリット３によって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Moreover, among the patterns required to form a liquid crystal display, such as a conductive layer for wiring layer or electrode, a mask for forming a predetermined pattern and the like, at least one or more of them is formed by a method, by which a pattern can be formed selectively, and a liquid crystal display is manufactured.例文帳に追加

また本発明は、配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスクなど半導体装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を作製することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a technique for easily discriminating sticking of residues consisting of an organic component when inspecting whether the residues stick on a pattern by irradiating with an electron beam a substrate on which a photoresist mask consisting of an organic film and having the pattern formed, an antireflective film consisting of an organic component, and a metal compound film are stacked in this order.例文帳に追加

有機膜からなり、パターンの形成されたフォトレジストマスクと、有機成分からなる反射防止膜と、金属化合物膜と、が上側からこの順番で積層された基板に対して、電子線を照射することによって、当該パターン上への有機成分からなる残渣の付着の有無を検査するにあたり、容易に残渣の付着を判別する技術を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal driver 101 of a liquid crystal display device provided with a mechanism which performs the switching between the image data for the partial displays from a partial storage device and non-display (background pattern), the change of the partial display area is detected from the setting command of the partial display area and a mask switch 112 is controlled so as to select the background pattern.例文帳に追加

パーシャル用記憶装置からのパーシャル表示用の画像データと、非表示（背景パターン）との切り替えを行う仕組みを備える液晶表示装置の液晶ドライバ１０１において、パーシャル表示領域の変化をパーシャル表示領域の設定コマンドより検知し、背景パターンを選択するようにマスクスイッチ１１２を制御する。 - 特許庁

The method for forming a mask includes steps of forming a film which can be sheared on a deformable or elastic organic substance layer, pressing a die having a pattern on its surface to the film to shear a part of the film along the boundary of the pattern, releasing the die from the film, and removing the sheared portion in the film.例文帳に追加

本発明のマスクの形成方法は、変形可能または弾性を有する有機物層上に、剪断可能な膜を形成する工程と、表面にパターンが形成された型を膜に押圧し、パターンの境界部により膜の一部を剪断加工した後、型を膜から離す工程と、膜における剪断加工された部分を除去する工程とを有する。 - 特許庁

An image enhancing mask 6 for pattern formation includes a transmissive substrate which transmits exposure light and a semi-light-shielding portion 8 which is formed on the transmissive substrate and has transmittance allowing the exposure light to be partially transmitted and corresponds to an isolation line pattern, and a phase shifter 9 which is provided at an opening in the semi-light-shielding portion 8.例文帳に追加

パターン形成用のイメージ強調マスク６は、露光光に対して透過性を有する透過性基板７と、透過性基板７上に形成され、露光光の一部分を透過させる透過率を持ち且つ孤立ラインパターンと対応する半遮光部８と、半遮光部８の内部の開口部に設けられた位相シフター９とを備えている。 - 特許庁

The optical diffusing film wherein the columnar minute area having the refractive index varied in the perpendicular direction of the resin layer is formed to change the scattering property by an angle of incidence of light is manufactured by using the mask which has the pattern consisting of areas for transmitting light and the pattern intercepting light and in which black defects which occur are partially removed.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを、光を透過する領域からなるパターンと、光を遮断するパターンを有し、かつ発生した黒欠陥を部分的に除去したマスクを用いることにより解決した。 - 特許庁

A manufacturing method of a grayscale mask having a variable density pattern corresponding to change of optical transmissivity has a step of forming a dry plate by applying a photoemulsion onto a transparent substrate and a step of irradiating the dry plate with laser beams which are subjected to a plurality of gradations of intensity modulation corresponding to the variable density pattern.例文帳に追加

本発明に係るグレイスケールマスクの製造方法は、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して乾板を形成するステップと、濃淡模様に対応して複数階調の強度変調を行ったレーザー光を乾板に照射するステップと、を備える。 - 特許庁

The mask has an opening pattern 8, which is positioned and laid on a work, i.e., a printing wiring board 11 having integrated circuit elements 12, etc., mounted thereon and an ink 7 filled by a squeegee 5 pressed and slid on a main surface is extruded from the opening pattern 8 onto printing regions 14 for printing.例文帳に追加

開口パターン部８を有し、この開口パターン部８を集積回路素子１２等が実装されたプリント配線基板１１からなる被印刷体に対して位置決めして載置されるとともに主面上を加圧摺動するスキージ５によって充填されたインキ７を開口パターン部８から印刷領域１４上に押し出して印刷する。 - 特許庁

Attribute information is imparted to each pattern in a mask production data 4, the attribute information relating to whether the pattern corresponds to an active region where an electrically active region is to be formed, or corresponds to a nonactive region where an electrically nonactive region is to be formed upon fabricating on the semiconductor substrate by photolithography.例文帳に追加

マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

According to the embodiment, the charged particle beam device can be provided in which the high precision and high speed measurements, or inspections can be carried out even in the sample deposited with a large static charge on a face different from the pattern face such as the photo-mask.例文帳に追加

当該態様によれば、ホトマスクのようなパターン面とは異なる面に大きな帯電が付着する試料であっても、高精度且つ高速に測定、或いは検査を行うことができる荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 - 特許庁

In this color cathode-ray tube, a stress relaxation pattern 59 formed on the skirt portion 51 of a shadow mask is etched together with electron beam passing holes in the main face at one etching treatment so as to have the same aperture opening that electron beam passing holes have.例文帳に追加

シャドウマスクのスカート部５１に形成する応力緩和パターン５９を当該シャドウマスクの主面５０の電子ビーム通過孔と同様の開口として１段エッチング処理で電子ビーム通過孔と同時に応力緩和パターン５９を形成する。 - 特許庁

To provide a practicable method for setting a design margin of mask patterns which determines the cross relations of the design margin, dimensional errors and superposition errors while studying an actual semiconductor process, a method for setting pattern accuracy and a method for setting the design margin of wafer patterns.例文帳に追加

実際の半導体プロセスを検討しながら、設計マージン、寸法誤差、重ね合わせ誤差の相互関係を求める実用的なマスクパターンの設計マージン設定方法、パターン精度設定方法およびウェハパターンの設計マージン設定方法の提供。 - 特許庁

To provide an X-ray mask which can be manufactured by relatively simple facilities, is not strained against heat generation in exposure to hardly have its X-ray absortpion pattern broken, and optical transparent to facilitate multiple exposure.例文帳に追加

比較的簡単な設備で作製でき、露光時の発熱によっても歪むことがなく、Ｘ線吸収体パターンが破壊され難く、光学的に透明で多重露光を容易に行なうことができるＸ線マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure device that can always maintain a high-quality exposure pattern by inspecting the irradiating angle distribution of a particle source in advance, and to provide a charged particle beam forming mask and a method of inspecting a charged particle beam used for the exposure device.例文帳に追加

粒子源の放射角分布を事前に検査し常に高品質な露光パターンを維持することが可能な荷電粒子線露光装置と、これに用いる荷電粒子線成形マスク、および荷電粒子線検査方法を提供する。 - 特許庁

A laser beam 11 emitted from an excimer laser oscillator 10 is shaped to a pattern of a projection mask 20 through a total reflection mirror 12 and an optical system 13, and then is reductively projected by a lens 14 to be cast on a substrate 17 in a processing chamber 16.例文帳に追加

エキシマレーザ発振器１０から発せられたレーザ光１１は、全反射ミラー１２や光学系１３を通り、投影マスク２０のパターンに従って成形され、レンズ１４により縮小投影されプロセスチャンバ１６内の基板１７に照射される。 - 特許庁

To provide a curable composition for an etching resist giving a cured film excellent in etching resistance even in secondary etching at a high temperature and excellent also in suitability to subsequent alkali dissolution and removal and in pattern forming property and suitable for use as a backing material particularly in the manufacture of a shadow mask.例文帳に追加

高温下の２次エッチングにおいてもその硬化膜が耐エッチング性に優れ、その後のアルカリ溶解・剥離性及びパターン形成性のいずれにも優れる、特にシャドウマスク製造時の裏止め材に適したエッチングレジスト用硬化型組成物の提供。 - 特許庁

When an image to be a pattern material is subjected to geometrical conversion and is laid out, a covering ratio in a mask area is intentionally operated to lay out and embed arbitrary information data, for example, a character string code of a URL after divided.例文帳に追加

図柄の素材となる画像に幾何的な変換を施して配置する際に、マスク領域における被覆割合を意図的に操作することにより、任意の情報データ、例えばＵＲＬの文字列コード、を分割してから配置して埋め込む。 - 特許庁

The calculator 100 calculates a concentration of a light absorbing substance in the space LS on the basis of a calculated result of the measuring device 10, and the controller 9 judges whether or not to transfer an image of a pattern of a mask M onto a substrate W according to the concentration.例文帳に追加

算出部１００は計測器１０の計測結果に基づいて光路空間ＬＳの吸光物質の濃度を算出し、制御部９はこの濃度に応じて基板ＷへのマスクＭのパターンの像の転写を行うか否かを判断する。 - 特許庁

In the mask for exposure for forming a circuit pattern obtained, by disposing at least a nickel-containing light-shielding film on a transparent substrate, the light-shielding film is held by a metal oxide layer on the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に少なくともニッケルを含有する遮光膜を設けてなる、回路パターンを形成するための露光用マスクにおいて、該遮光膜が金属酸化物層によって透明基板上に保持されていることを特徴とする露光用マスク。 - 特許庁

In a local interconnection type element having open bit line cell arrangement where a pattern interval of 1F is formed by an element having minimum line width of 1F, a hard mask is formed on each conductive layer and an insulation spacer is formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

１Ｆの最小線幅を有する素子でパターン間隔を１Ｆに形成したオープンビットラインセル配列されたローカルインターコネクション方式の素子において、それぞれの導電層上にハードマスクを形成しその側壁に絶縁スペーサを形成する。 - 特許庁

The polarization direction of the illumination beam is aligned with a polarizing conversion optical system 20 in a direction parallel to an edge 1a of the mask pattern 1A, so that the slopes caused by the diffraction of the diffraction images formed on the exposure object substrate 2 are made sharper.例文帳に追加

また、偏光変換光学系２０により、照明光の偏光方向を、マスクパターン１Ａのエッジ１ａと平行な方向に揃えて、露光対象基板２上に形成される回折像の回折によるスロープを急峻化する構成としてある。 - 特許庁

To provide a substrate positioning apparatus improved in accuracy and the yield of a reticle by correcting a reticle precursor position by measuring slippage of a pattern center with respect to a reticle center in a mask drawing apparatus, and to provide a substrate positioning method.例文帳に追加

マスク描画装置内でレチクル中心に対するパターン中心のズレを測定し、レチクル原版位置を修正することができ、レチクルの精度と収率の向上を図ることができる基板位置決め装置及び基板位置決め方法を提供する。 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask which can be manufactured without complicating the manufacturing processes or increasing the factors of defects, which prevents deterioration in the transfer accuracy caused by unnecessary light reflecting from the photomask surface and which improves the resolution of a transfer pattern.例文帳に追加

製造プロセスを複雑にせず、欠陥の要因を増やさず製造でき、また、フォトマスク面で反射する不必要な光に起因する転写精度の劣化を防止し、転写パターンの解像力を向上させるレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。 - 特許庁

To achieve processing of high quality and high precision by preventing a light component of 0th order from being generated strongly to form an uneven light intensity distribution when a beam is split by a hologram and put one over the other on an irradiated part or pattern mask to make the light intensity uniform.例文帳に追加

ホログラムでビームを分割し、被照射部、またはパターンマスク上で重畳して光強度を均一化する際に、０次光成分が強く発生し不均一な光強度分布となることを防止し、高品質、高精度な加工を達成する。 - 特許庁

To provide a black membrane forming method of a display device that does not require a substantial facility and can be resource saving and energy saving, and can form a black membrane pattern precisely with ease, and its device and an aperture mask used for it.例文帳に追加

大がかりな装置を必要とせず、かつ、省資源化および省エネルギー化を図れ、黒色膜のパターンを正確かつ容易に形成できるディスプレイ装置の黒色膜形成方法、および、その装置とそれに用いるアパチャマスクを提供すること。 - 特許庁

To reduce time necessary for second plasma processing to remove a by-product produced by first plasma processing for forming an uneven structure in substrate plasma processing for forming, on a surface of a sapphire substrate, the uneven structure corresponding to a mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第１プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第２プラズマ処理の時間を短縮化する。 - 特許庁

The tracking pattern data in which the information such as the model or serial number of the image forming apparatus is encoded are stored in a register 56, and are sequentially read from the register 56 in a timing synchronized with a line/page start signal and outputted to a data mask circuit 66.例文帳に追加

画像形成装置の機種や製造番号等の情報をコード化した追跡パターンデータはレジスタ５６に記憶されており、ライン／ページ開始信号に同期したタイミングでレジスタ５６から順次読み出されてデータマスク回路６６へ出力される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method for a minutely working mold, in which working can be done with a comparatively weak laser strength by employing the laser in visible range and a minute and clear pattern can be formed in an open air without employing a mask.例文帳に追加

可視域のレーザを用いて比較的弱いレーザ強度を加工することができ、かつマスクを使用することなく大気中で微細で鮮明なパターンを形成することができる微細加工型の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the dislocation of two different directions of the mask can be detected properly by a single TEG, having a pair of contact holes and one reference wiring pattern, the area of TEG can be reduced, and as a result, the semiconductor device can be micronized.例文帳に追加

一対のコンタクトホール及び一つの基準配線パターンを備える単一のＴＥＧによりマスクの異なる２方向の位置ずれが適切に検出されるため、ＴＥＧの面積が縮小され、その結果、半導体装置が微細化される。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition, which can cope with highly precise patterning by correcting nonuniformity such as a temperature change and a temperature distribution due to an effect of radiant heat, in order to remove the adverse effect of the radiant heat on pattern location accuracy.例文帳に追加

蒸着用マスクにおいて、輻射熱によるパターン位置精度に対する悪影響を極力排除すべく、その輻射熱の影響による温度変化や温度分布等の不均一化を是正して、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor crystal (an epitaxial substrate) capable of improving the alignment precision for a mask pattern with reference to an orientation flat in a device manufacturing process without reducing the device forming region of a substrate.例文帳に追加

基板のデバイス形成領域を狭めることなく、デバイス製造プロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準とするマスクパターンの位置合わせの精度を向上させることができる化合物半導体結晶（エピタキシャル基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask blank for obtaining uniformity of desired film thickness in a plane of a resist film (≤100 Å) in a prescribed critical area, even when the critical area (substantial pattern forming area) for uniformity of film thickness in a plane of a resist film is enlarged.例文帳に追加

レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask blank includes a transparent substrate 1 and a light-shielding film 2 formed on the transparent substrate, and the light-shielding film made of a material composed mainly of a metal that is dry-etchable with a chlorine-based gas, wherein a resist film is used upon forming a transfer pattern in the light-shielding film 2.例文帳に追加

透光性基板１上に、塩素系ガスでドライエッチング可能な金属を主成分とする材料で形成される遮光膜２を備え、該遮光膜２に転写パターンを形成する際にレジスト膜を用いるマスクブランクである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a halftone type phase shift mask in which black defects of a light shield layer are removed and black defects in a phase shift layer are not generated and transmissivity is not deduced due to gallium stain and phase difference due to decrease in thickness of a phase shift layer pattern is not varied.例文帳に追加

遮光層の黒欠陥は除去され、位相シフト層の黒欠陥は発生させず、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層パターンの厚みの低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

A plurality of pairs of aligning marks 12 to 14 are formed on a plurality of positions on a glass substrate 11, a mat layer 15 consisting of an emulsion layer is formed on a part other than the marks 12 to 14 and a shadow mask pattern is printed on the mat layer 15.例文帳に追加

ガラス基板１１上の複数箇所に複数対の位置合せマーク１２，１３，１４を形成し、この位置合せマーク１２，１３，１４以外の部分に乳剤層からなるマット層１５を形成し、このマット層１５にシャドウマスクパターンを焼き付ける。 - 特許庁

A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

A concavo-convex pattern is formed on a sapphire substrate 10 and only the faces 10c-1 having the same normal vector direction in the c-plane or side faces making an angle of not more than 20 degrees with the c-plane are exposed while other faces are covered with an epitaxially grown mask 20 comprising SiO_2 (3.A).例文帳に追加

サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ_2から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。 - 特許庁