「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2.例文帳に追加

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。 - 特許庁

The index detecting body 54 has an independent plate material 56 and an index phosphor pattern 58 formed/stuck on a surface of the plate material, and is mounted on the mask frame in the vacuum enclosure in the final stage of the cathode-ray tube manufacturing process.例文帳に追加

インデックス検出体は、独立した板材５６と、板材の表面に被着形成されたインデックス蛍光体パターン５８と、を有し、陰極線管の製造工程の終盤において、真空外囲器内のマスクフレームに取付けられる。 - 特許庁

The mask 2 for vapor deposition consists of a one-layered metal sheet having an aperture 2a for depositing a vapor deposition material 4 evaporated from a vapor deposition source 3 on a vapor-deposited member (a translucent substrate) 1 with a predetermined pattern.例文帳に追加

蒸着源３から蒸発した蒸着材料４を被蒸着部材（透光性基板）１に所定のパターンで蒸着させるための開口部２ａを有する１層の金属板からなる蒸着用マスク２である。 - 特許庁

To realize an appropriate illumination condition, which is necessary to transfer faithfully a mask pattern having a variety of characteristics, for example, an illumination condition having a diversity in a light intensity distribution and a polarization state of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.例文帳に追加

半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in the adaptability for a halftone phase difference shift mask and resolution for the formation of a contact hole pattern and to provide a positive resist composition having little deformation of a hole during etching and a wide exposure margin for under exposure.例文帳に追加

コンタクトホールパターン形成時のハーフトーン位相差シフトマスク適性と解像力に優れたポジ型レジスト組成物、更には、エッチング時のホール変形が少なく、アンダー露光時の露光マージンが広いポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

As to a device for ink jet recording of using multi-pass type, one scanning and recording area is divided into predetermined pitches and recording duties to be determined according to the thinned mask pattern corresponded to each divided area are set to a different value.例文帳に追加

マルチパス記録方式を用いたインクジェット記録装置において、同一走査記録領域内を所定のピッチにて分割し、各分割領域に対し前記間引きマスクパターンによって定まる記録デューティーを異なる値に設定する。 - 特許庁

A table of correlation between three-dimensional information of a glass defect 11 of the phase shift mask 10 and a CD (minute dimension) error of a transfer pattern is created and a specification in which the glass defect 11 is allowed is determined based on the table.例文帳に追加

位相シフトマスク１０のガラス欠陥１１の３次元情報と転写パターンのＣＤ（微細寸法）誤差との相関関係のテーブルを作成し、このテーブルを基にしてガラス欠陥１１の許容される仕様を決定する。 - 特許庁

Thereafter, the base film is subjected to an exposure process through a mask from its other surface, a plurality of conduction holes 25 are bored in the solder resist 24 so as to reach the conductive layer 23, and a circuit pattern 41 is formed of the conductive layer 23 to obtain a tape carrier.例文帳に追加

その後、基材フィルムの他面側からマスクを介して露光し、フォトソルダレジストに、導電層に達する複数の電気導通孔２５をあけるとともに、導電層で配線パターン４１を形成してテープキャリアを得る。 - 特許庁

Printing image data is taken in from a color camera 121 to be stored in a memory 132 and masked with the reference data of the background pattern in a preprint mask part 140 through a gray scale synthesizing part 136 and only the variable data is converted to image data.例文帳に追加

印刷画像データはカラーカメラ１２１より取込まれ、メモリ１３２に記憶され、グレースケール合成部１３６を経てプレプリントマスク部１４０で背景絵柄の基準データでマスクされ可変データのみ画像データに変換される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a mask blank having a thin film for forming a transfer pattern on the substrate, the reflectance control film is formed by forming a thin film on the substrate and then subjecting the thin film surface to the effect of ozone gas.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを作用させることにより反射率調整膜を形成する。 - 特許庁

Then, after the shielding film is removed, etched with coated by the shielding film based on the predetermined mask pattern, a copper film is formed in the groove structure by forming a groove structure in the first region and the second region.例文帳に追加

その後、遮蔽膜を除去した後、所定のマスクパターンに基づく遮蔽膜で被覆した状態でエッチング処理を行って、第１領域及び第２領域内に溝構造を形成し、当該溝構造内に銅膜を成膜する。 - 特許庁

Thus, it becomes possible to curtail a formation-removal process of a mask pattern and the number of reticles in use, and the MOSFETs having the different operating voltage can be formed efficiently at a low cost with a constant performance being ensured.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの形成・除去工程並びに使用するレチクル枚数の削減が可能になり、動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを、一定の性能を確保しつつ、効率的に低コストで形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a device for purging an ultraviolet ray path in an aligner partially effectively by inert gas in the aligner that applies a mask pattern to a photosensitive substrate via a projection optical system by using ultraviolet rays as exposure light.例文帳に追加

露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can secure a gate width as designed even when a relative positional deviation occurs between a field region and each mask forming a gate pattern, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

フィールド領域とゲートパターンを形成する各マスクに相対的位置ずれが生じても、ゲート幅を設計通りに確保できるゲート形状を備えた半導体装置及びそれを用いた半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A simulation figure data generating unit 13 generates simulation figure data 36A to 36D expressing a simulation figure as a circuit pattern to be formed on a wafer based on a mask figure by simulation using a simulation model.例文帳に追加

シミュレーション図形データ生成部１３は、シミュレーションモデルを用いるシミュレーションにより、マスク図形に基づいてウェハに形成されるべき回路のパターンとしてのシミュレーション図形を示すシミュレーション図形データ３６Ａ〜３６Ｄを生成する。 - 特許庁

Subsequently, using the resist pattern as a mask, the conductive film and the mixing film are etched to form a gate electrode having a conductive film 15a and to leave the mixing film 20x on the side surfaces in the gate width direction of the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとして、導電膜及びミキシング膜をエッチングし、導電膜１５ａを有するゲート電極を形成すると共に、ゲート電極のゲート幅方向の側面の上に、ミキシング膜２０ｘを残存させる。 - 特許庁

A figure extracting unit 14 extracts a differential figure group as an exclusive OR between a real figure as a pattern of a real circuit formed on the wafer and the simulation figure by using a photomask on which the mask figure is formed.例文帳に追加

図形抽出部１４は、前記マスク図形が形成されたフォトマスクを使用してウェハに形成された実回路のパターンとしての実図形と前記シミュレーション図形との排他的論理和としての差分図形群を抽出する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a silicon oxide film 2 directly or through other layer on a base substrate 4, forming a photoresist 1 on the film 2, and exposing the photorestst to transfer a mask pattern.例文帳に追加

下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

When a cylinder bore 10 is used as a sliding member in manufacturing the cylinder bore 10, a mask having a pattern extending in a sliding direction X is formed on a sliding surface 11, and a seizure-resistant coating 12 is formed on the sliding surface 11.例文帳に追加

摺動部材としてシリンダボア１０を用いる場合、シリンダボア１０の製造では、摺動面１１に、摺動方向Ｘに延在するパターンを有するマスクを形成し、摺動面１１に耐焼付き性を有する被膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The control means detects a rising edge and a falling edge of the pattern based on the differential profile, and creates mask data of a multi-step structure based on data of the edges and the image data created by the image processing means.例文帳に追加

制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the lift-off defects are minimized by forming a protective layer pattern using a sputtering method at the time of the lift-off process which is the core process of the 3 mask process.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。 - 特許庁

The three- dimensional dispenser has a dispenser head 5 movable three-dimensionally relative to the installed planar photomask 1 and a thermosetting resin is applied near the mask pattern 2 on the installed planar photomask 1 by the dispenser head 5.例文帳に追加

また、３次元ディスペンサは、設置された板状のフォトマスク１に対して３次元移動が可能なディスペンサヘッド５を有し、ディスペンサヘッド５により設置された板状のフォトマスク１上のマスクパターン２近傍に熱硬化性樹脂が塗布される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good resolution performance and being excellent particularly in property of uniformly forming a resist pattern and in mask reproducibility, and to provide a polymer suitably used in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

良好な解像性能を有し、特に、レジストパターンの均一形成性及びマスク再現性にすぐれた感放射線性樹脂組成物及びその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having excellent sensitivity, resolution and adhesion property as a mask material for sand blasting with which a fine pattern can be worked with high yield in a base material to be worked, and to provide a method of sand blast surface working by using the laminate.例文帳に追加

感度、解像度、密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。 - 特許庁

In the metal film transfer film for the electronic component, a release agent layer and the metal film are formed in this order on the plastic film, and the metal film has a prescribed pattern shape formed by an oil mask method.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、その金属膜がオイルマスク法によって形成された所定のパターン形状を有している電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁

A resist film 102 consisting of a resist containing 4-pentane lactam which is a heterocyclic ketone is formed on a base material 101, and the pattern exposure is implemented by irradiating an exposure light 103 on the resist film 102 through a mask 104.例文帳に追加

基板１０１の上に、ヘテロ環式ケトンである4−ペンタンラクタムを含むレジストからなるレジスト１０２膜を形成し、続いて、レジスト膜１０２に対して露光光１０３をマスク１０４を通して照射することによりパターン露光を行なう。 - 特許庁

Titanium (chromium) and gold (platinum) are vacuum-deposited on a glass plate in two layers and also a photoresistor is applied on the vacuum-deposited two layers of titanium (chromium) and gold (platinum), and exposure is performed with a desired pattern mask placed on the photoresistor.例文帳に追加

ガラス板上にチタニウム（クロム）とゴールド（白金）とを２層に真空蒸着し、且つ、２層に真空蒸着されたチタニウム（クロム）、ゴールド（白金）の上部にフォトレジスタを塗布し、該フォトレジスタ上に所望のパターンマスクをのせて露光を行う。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

Consequently the pattern of the mask patterns appearing by the slippage between recording scannings is not accentuated between the odd number columns and the even number columns, so that the uniform image which enables the perception of no texture can be output at high speed.例文帳に追加

これにより記録走査間のずれによって現れるマスクパターンの模様が、奇数カラムと偶数カラムとの間で強調されることがなくなり、テクスチャの確認されない一様な画像を高速に出力することが出来る。 - 特許庁

To achieve illuminating conditions abounding in a diversity regarding proper illuminating conditions required for accurately transferring a mask pattern having various characteristics such as the light intensity distribution, polarization state or the like of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for more appropriately measuring the thickness of a polished and planarized insulating film, a design method of a mask pattern for exposure used for the manufacturing method, and a program for the design method.例文帳に追加

研磨・平坦化された絶縁膜の膜厚をより適切に測定することができる半導体装置の製造方法、この製造方法に用いる露光用のマスクパターンの設計方法及びそのためのプログラムを提供する。 - 特許庁

The film 11 to be etched is plasma-etched with plasma having ≥1×1010/cm3 plasma density through the hole-patterned photosensitive material film 12 as a mask to form the objective hole pattern comprising the film to be etched.例文帳に追加

被エッチング膜１１に対してホールパターン化された感光性材料膜１２をマスクとして、１×１０^10／ｃｍ^3 以上のプラズマ密度を有するプラズマを用いてプラズマエッチングを行なうことにより、被エッチング膜からなるホールパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of preventing pattern deviation from occurring on a transparent conducting film formed on a substrate even though bending occurs in a mask used when the transparent conducing film is formed.例文帳に追加

透明導電膜を形成する際に使用されるマスクに反りを発生しても、基板上に形成される透明導電膜に、パターンずれが発生するのを防止することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A coil 23 applied with high-frequency electric power and the base 10 having a silicon film formed as the photoelectric conversion layer are arranged opposite each other, and a mask 24 having an opening 241 provided corresponding to the pattern of the photoelectric conversion layer is arranged therebetween.例文帳に追加

高周波電力を与えられたコイル２３と、光電変換層としてのシリコン膜を形成する基材１０とを対向配置し、その間に、光電変換層のパターンに対応する開口部２４１を設けたマスク２４を配置する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which a resist film can be made thin by using a lower layer film formed by a coating method, the required mask thickness is maintained, and the difference caused by conversion in processes is suppressed to process the objective film with high dimensional accuracy.例文帳に追加

塗布法により成膜できる下層膜を用いてレジスト膜の薄膜化を図るとともに必要なマスク厚を確保し、加工変換差を抑制して寸法精度よく被加工膜を加工し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A path division section 104 divides input image data into image data for each of a plurality of times of scanning by using a mask pattern which is formed from the gap of scanning position of a light beam from each light emitting element of a recording means.例文帳に追加

パス分割処理部104は、記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、入力された画像データを複数回走査の各走査用の画像データに分割する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern inspection apparatus forming the min. hole mask highly accurately even with respect to a non-viahole, and suppressing the generation of the false report caused by the non-viahole while ensuring the reliability of inspection in the periphery of the non-viahole.例文帳に追加

非貫通穴についても高精度に最小限の穴マスクを生成し，非貫通穴の周辺における検査の信頼性を確保しつつ，非貫通穴に起因する虚報の発生を抑えた配線パターン検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents a resist pattern shape from becoming an inverted tapered shape, while a resist sidewall is prevented from being rounded and a resist bottom opening is prevented from varying in opening length, and to provide a method of manufacturing a mask.例文帳に追加

レジスト側壁が丸みをおびること及びレジストボトム開口長が変動することを防止しつつ、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避する半導体装置の製造方法及びマスクの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask for vapor deposition which permits use of a thin metallic sheet, makes it possible to obtain high working accuracy, is excellent in workability, and can reproduce pattern dimensions accurately as designed.例文帳に追加

厚みの薄い金属薄板材を使用することが可能で、高い加工精度が得られ、作業性も良好であり、設計通りのパターン寸法を精度良く再現することができる蒸着用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can accurately reproduce the designed size of a mask pattern even by proximity exposure and which can give a spacer for a display panel having excellent adhesiveness with a substrate, transparency, strength, heat resistance and so on.例文帳に追加

プロキシミティー露光を行ってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性、透明性、強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁