「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after the shielding film is removed, etched with coated by the shielding film based on the predetermined mask pattern, a copper film is formed in the groove structure by forming a groove structure in the first region and the second region.例文帳に追加

その後、遮蔽膜を除去した後、所定のマスクパターンに基づく遮蔽膜で被覆した状態でエッチング処理を行って、第１領域及び第２領域内に溝構造を形成し、当該溝構造内に銅膜を成膜する。 - 特許庁

Thus, it becomes possible to curtail a formation-removal process of a mask pattern and the number of reticles in use, and the MOSFETs having the different operating voltage can be formed efficiently at a low cost with a constant performance being ensured.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの形成・除去工程並びに使用するレチクル枚数の削減が可能になり、動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを、一定の性能を確保しつつ、効率的に低コストで形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a device for purging an ultraviolet ray path in an aligner partially effectively by inert gas in the aligner that applies a mask pattern to a photosensitive substrate via a projection optical system by using ultraviolet rays as exposure light.例文帳に追加

露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can secure a gate width as designed even when a relative positional deviation occurs between a field region and each mask forming a gate pattern, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device.例文帳に追加

フィールド領域とゲートパターンを形成する各マスクに相対的位置ずれが生じても、ゲート幅を設計通りに確保できるゲート形状を備えた半導体装置及びそれを用いた半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A simulation figure data generating unit 13 generates simulation figure data 36A to 36D expressing a simulation figure as a circuit pattern to be formed on a wafer based on a mask figure by simulation using a simulation model.例文帳に追加

シミュレーション図形データ生成部１３は、シミュレーションモデルを用いるシミュレーションにより、マスク図形に基づいてウェハに形成されるべき回路のパターンとしてのシミュレーション図形を示すシミュレーション図形データ３６Ａ〜３６Ｄを生成する。 - 特許庁

Subsequently, using the resist pattern as a mask, the conductive film and the mixing film are etched to form a gate electrode having a conductive film 15a and to leave the mixing film 20x on the side surfaces in the gate width direction of the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとして、導電膜及びミキシング膜をエッチングし、導電膜１５ａを有するゲート電極を形成すると共に、ゲート電極のゲート幅方向の側面の上に、ミキシング膜２０ｘを残存させる。 - 特許庁

A figure extracting unit 14 extracts a differential figure group as an exclusive OR between a real figure as a pattern of a real circuit formed on the wafer and the simulation figure by using a photomask on which the mask figure is formed.例文帳に追加

図形抽出部１４は、前記マスク図形が形成されたフォトマスクを使用してウェハに形成された実回路のパターンとしての実図形と前記シミュレーション図形との排他的論理和としての差分図形群を抽出する。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a silicon oxide film 2 directly or through other layer on a base substrate 4, forming a photoresist 1 on the film 2, and exposing the photorestst to transfer a mask pattern.例文帳に追加

下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

This resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 excimer laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed with a developing solution to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してマスク１２を介して、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 エキシマレーザ１３を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像液により現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

When a cylinder bore 10 is used as a sliding member in manufacturing the cylinder bore 10, a mask having a pattern extending in a sliding direction X is formed on a sliding surface 11, and a seizure-resistant coating 12 is formed on the sliding surface 11.例文帳に追加

摺動部材としてシリンダボア１０を用いる場合、シリンダボア１０の製造では、摺動面１１に、摺動方向Ｘに延在するパターンを有するマスクを形成し、摺動面１１に耐焼付き性を有する被膜１２を形成する。 - 特許庁

The control means detects a rising edge and a falling edge of the pattern based on the differential profile, and creates mask data of a multi-step structure based on data of the edges and the image data created by the image processing means.例文帳に追加

制御手段は、微分プロファイルを基に検出したパターンの立上がりエッジ及び立下りエッジを検出し、当該エッジのデータ及び画像処理手段で作成された画像データを基に多段構造のマスクデータを生成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the lift-off defects are minimized by forming a protective layer pattern using a sputtering method at the time of the lift-off process which is the core process of the 3 mask process.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good resolution performance and being excellent particularly in property of uniformly forming a resist pattern and in mask reproducibility, and to provide a polymer suitably used in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

良好な解像性能を有し、特に、レジストパターンの均一形成性及びマスク再現性にすぐれた感放射線性樹脂組成物及びその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin laminate having excellent sensitivity, resolution and adhesion property as a mask material for sand blasting with which a fine pattern can be worked with high yield in a base material to be worked, and to provide a method of sand blast surface working by using the laminate.例文帳に追加

感度、解像度、密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a design pattern capable of evaluating depending on the design conditions at a level requiring phase shift mask and a light proximity effect in manufacture a circuit of a wafer following the advanced microminiaturization of circuit wirings.例文帳に追加

回路配線の微細化が進み、ウエハの回路作製に光近接効果と同補正を必要とし、位相シフトマスクの使用を必要とするレベルにおいて、設計条件に対応し且つ実用レベルで評価できるテスト設計パタンを提供する。 - 特許庁

Line widths of photoresist pattern are compared in a light shielding region and a light transmitting region by executing the photolithography process using a mask including the light shielding region and light transmitting region having a plurality of light transmitting patterns (S2, S5).例文帳に追加

複数の光透過パターンを有する光遮断領域及び光透過領域を有するマスクを利用し、フォトリソグラフィ工程を実行して（Ｓ２、Ｓ５）、光遮断領域及び光透過領域でフォトレジストパターンの線幅を比較する。 - 特許庁

To provide the dual gate forming method of a semiconductor device for removing a photoresist film pattern for use as an ion implantation mask film without a residue and preventing a water mark generated in a cleaning step for the removal of a natural oxide film.例文帳に追加

イオン注入マスク膜として用いられるフォトレジスト膜パターンを残留物なしに除去し、自然酸化膜除去のための洗浄工程で発生するウォーターマークを防止する半導体素子のデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The reflecting mask comprises a substrate 1, an X-ray reflecting multilayer film 2 formed on the substrate 1, and an absorber layer 3 of a material of low X-ray transmissivity which is formed on it and has a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明の反射マスクは、基板１と、該基板１上に形成されたＸ線反射多層膜２と、その上に形成されたＸ線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層３とを具備する。 - 特許庁

In the metal film transfer film for the electronic component, a release agent layer and the metal film are formed in this order on the plastic film, and the metal film has a prescribed pattern shape formed by an oil mask method.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に離型層および金属膜がこの順に成膜された構造を有しており、その金属膜がオイルマスク法によって形成された所定のパターン形状を有している電子部品用金属膜転写フィルム。 - 特許庁

A resist film 102 consisting of a resist containing 4-pentane lactam which is a heterocyclic ketone is formed on a base material 101, and the pattern exposure is implemented by irradiating an exposure light 103 on the resist film 102 through a mask 104.例文帳に追加

基板１０１の上に、ヘテロ環式ケトンである4−ペンタンラクタムを含むレジストからなるレジスト１０２膜を形成し、続いて、レジスト膜１０２に対して露光光１０３をマスク１０４を通して照射することによりパターン露光を行なう。 - 特許庁

Titanium (chromium) and gold (platinum) are vacuum-deposited on a glass plate in two layers and also a photoresistor is applied on the vacuum-deposited two layers of titanium (chromium) and gold (platinum), and exposure is performed with a desired pattern mask placed on the photoresistor.例文帳に追加

ガラス板上にチタニウム（クロム）とゴールド（白金）とを２層に真空蒸着し、且つ、２層に真空蒸着されたチタニウム（クロム）、ゴールド（白金）の上部にフォトレジスタを塗布し、該フォトレジスタ上に所望のパターンマスクをのせて露光を行う。 - 特許庁

The three- dimensional dispenser has a dispenser head 5 movable three-dimensionally relative to the installed planar photomask 1 and a thermosetting resin is applied near the mask pattern 2 on the installed planar photomask 1 by the dispenser head 5.例文帳に追加

また、３次元ディスペンサは、設置された板状のフォトマスク１に対して３次元移動が可能なディスペンサヘッド５を有し、ディスペンサヘッド５により設置された板状のフォトマスク１上のマスクパターン２近傍に熱硬化性樹脂が塗布される。 - 特許庁

An aligner 10, mounted on a body 14, is provided with a strain gage 80 that detects deformation of the body and a control system that controls relative position between a mask and a substrate, in transferring a pattern depending on the output of the strain gage 80.例文帳に追加

露光装置１０は、ボディ１４に取り付けられ、該ボディの変形を検出する歪み計８０と、該歪み計の出力に応じてパターン転写の際のマスクと基板との相対位置を制御する制御系とを備える。 - 特許庁

To provide a shadow mask that can display an image of a specific pattern on a cathode ray tube for a color display even when no electron beam is emitted from an electron gun to a fluorescent screen, and to provide a cathode ray tube for the color display.例文帳に追加

電子銃から蛍光面に電子ビームが照射されない時でも、カラーディスプレー用陰極線管上に特定パターンの画像が表示できるシャドウマスク及びカラーディスプレー用陰極線管を提供することを目的とする。 - 特許庁

To achieve processing that is quick and reliable by introducing a simple procedure even if a pattern as an object of division is very complicated in form in a complementary dividing process of an electron beam projection exposure mask.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

In a printer where pixel string data is converted into dot data for each print line by interlace print system and printing is carried out based on that dot data, a CPU 10 generates a mask pattern corresponding to the pixel string data for each print line.例文帳に追加

インターレス印刷方式において、印刷行ごとに画素列データをドットデータに変換し、そのドットデータに基づいて印刷を行う印刷装置であって、ＣＰＵ１０は、画素列データに応じたマスクパターンを印刷行ごとに生成する。 - 特許庁

The polysilicon film 15 is then removed by etching through a mask having an opening of a specified pattern to bring about a state where the polysilicon film 15 exists only in a region having a specified area including the inner surface of the contact hole 4 (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、所定のパターンの開口を有するマスクを介したエッチングによりポリシリコン膜１５が除去されて、ポリシリコン膜１５がコンタクトホール４の内面を含む所定面積を有する領域にのみ存在する状態にされる（図２（ｂ））。 - 特許庁

An end part of a light shielding zone on a photomask is placed in a seam part; and the distance 27R from the end part of the light shielding zone to an end of a mask pattern is equal to or larger than a value determined by adding the sum of absolute positional shifts of the respective photomasks and an absolute value of the diffracted light width.例文帳に追加

フォトマスク上の遮光帯の端部は継ぎ部に位置し、遮光帯の端部からマスクパターンの端までの間隔２７Ｒは、各フォトマスク位置ズレの絶対値の和に、回折光幅の絶対値を加算した値以上。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gray tone mask by which a light shielding film and a translucent film are formed from film materials having approximate etching characteristics without providing an etching stopper film, and misalignment of a pattern in a translucent part is prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるグレートーンマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an undercoating resin composition which counteracts the effects of the surface of a mask blank and imparts a rectangular cross-sectional shape to a pattern of a positive type chemical amplification type pbotosensitive resin composition and a method for producing a resist image.例文帳に追加

マスクブランクスの表面の影響を打ち消し、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現出させることができるアンダーコート樹脂組成物及びレジスト像の製造法を提供する。 - 特許庁

Then, the semiconductor multi-layer film is etched to the InP substrate 100 with the pattern of the SiN film as a mask, a plurality of island-shaped semiconductor multi-layer films 110 are formed, and the multi-layer films at the peripheral section of the substrate are simultaneously etched.例文帳に追加

次に、ＳｉＮ膜のパターンをマスクとして半導体多層膜をＩｎＰ基板１００までエッチングして複数の島状の半導体多層膜１１０を形成するとともに、基板の外周部の多層膜も同時にエッチングする。 - 特許庁

To provide a screen printing press which, even in the case of printing of a fine pattern, can effectively transfer cream solder filling openings in a mask to an electronic circuit board and, further, is less likely to cause bleeding of the cream solder component on the electronic circuit board.例文帳に追加

微細パターンの印刷であっても、マスクの開口部に充填されたクリームはんだを効果的に電子回路基板に転写でき、しかも、クリームはんだ成分の電子回路基板へのにじみ出しが少ない装置が要望されている。 - 特許庁

To provide a method for preparing CAM data for an electronic circuit board in which the CAD data of a line conductor or a surface conductor can be converted appropriately and efficiently into the CAM data consisting of the plating widow of the exposure mask for pattern plating.例文帳に追加

線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

Thus, since a liquid jet head and the medium subject to the jet have only to be moved once in the main scanning direction in a part near the center of the mask pattern, the jet of the liquid to the medium subject to the jet can be completed in a short period of time.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの中央付近は液体噴射ヘッドと被噴射媒体とを主走査方向へ１回移動させるのみで良いので、被噴射媒体に対する液体の噴射を短時間で完了させることができる。 - 特許庁

Using a projection optical system 7 provided with at least one reflective surface and a plurality of optical axes bent by the reflective surface, a pattern image of a mask 4 is scanned and exposed on each exposure area of a photosensitive substrate 8.例文帳に追加

少なくとも１つの反射面と該少なくとも１つの反射面によって折り曲げられた複数の光軸とを有する投影光学系（７）を用いて、感光性基板（８）の各露光領域にマスク（４）のパターン像を走査露光する。 - 特許庁

To provide an image output device which can make drawing processing, using a mask pattern in an arbitrary rectangular shape, to a page memory fast by enabling fast word-by-word access to a memory when the drawing processing is carried out.例文帳に追加

任意の矩形状のマスクパターンを用いた描画処理を行う際に、ワード単位で高速にメモリにアクセスすることを可能とすることにより、ページメモリへの描画処理の高速化ができるような画像出力装置を提供する。 - 特許庁

A phase difference monitoring pattern capable of measuring a phase difference on the way of fabricating a phase shifting mask is created and the engraving quantity of a translucent substrate on a phase shifting part is controlled so as to be measured by a level difference measuring instrument even in a deposited state of resist.例文帳に追加

位相シフトマスク作製途中に位相差を測定可能な位相差モニタパターンを作成し、その位相シフト部における透光基板の掘り込み量をレジスト付きの状態でも段差測定器で測定できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern that can reduce the number of processes, can prevent melting of a first resist film in depositing a second resist film, and can form fine openings having a size equal to or less than the resolution of an exposure device.例文帳に追加

工程数を削減でき、第２のレジスト膜を成膜する際の第１のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask and exposing method which can solve a problem that a pattern (projected image) projected onto a resist film is dim and is significantly deformed due to refraction of light in a lithography process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のリソグラフィー工程において、レジスト膜中に投影されるパターン(投影像)が光線の回折により、ぼやけて大きく変形した像が投影される問題を解決できるマスク及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting mask data for an LSI, the method capable of reducing the number of measurement points on a test pattern transferred onto a wafer and reducing the measuring time while carrying out optical proximity correction and process proximity correction with high accuracy.例文帳に追加

光近接効果補正とプロセス近接効果補正を高精度に行いながら、ウエハー上に転写したテストパターンの測定点数の削減および測定時間の短縮を行えるＬＳＩ用マスクデータ補正方法を実現する。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

A coil 23 applied with high-frequency electric power and the base 10 having a silicon film formed as the photoelectric conversion layer are arranged opposite each other, and a mask 24 having an opening 241 provided corresponding to the pattern of the photoelectric conversion layer is arranged therebetween.例文帳に追加

高周波電力を与えられたコイル２３と、光電変換層としてのシリコン膜を形成する基材１０とを対向配置し、その間に、光電変換層のパターンに対応する開口部２４１を設けたマスク２４を配置する。 - 特許庁