「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pellicle glue removing device capable of removing glue that remains after pellicle is removed from a photomask, in a state where a mask pattern is protected, and to provide a method for the device.例文帳に追加

本発明は、マスクパターンを保護した状態でフォトマスクからペリクルを外した後に残ったグルーを取り除くことができるペリクル・グルーの除去装置及びその方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

When analysis data (A')36 is read into the navigation unit 24, the navigation unit 24 displays information based on the data (A') on the CAD image of the mask pattern displayed on the display unit 32.例文帳に追加

解析データ（Ａ’）３６がＣＡＤナビゲーション部２４に読み出されると、ＣＡＤナビゲーション部２４は、ディスプレイ装置３２に表示されたマスクパターンのＣＡＤ画像上に、解析データ（Ａ’）に基づいた情報を表示する。 - 特許庁

It lowers detection sensitivity from a case of comparing and inspecting other parts when detecting defect of the OPC pattern by comparing and inspecting a detection image obtained to scan the optical proximity effect mask with the reference image 3'.例文帳に追加

光学近接効果マスクをスキャンして得た検出画像と、参照画像３’とを比較検査することにより、ＯＰＣパターンの欠陥検査を行う際に、他の部分の比較検査する場合よりも検査感度を下げる。 - 特許庁

To rapidly and highly precisely calculate influence of backward scatter by rapidly searching an adjacent pattern, in a range wherein forward scatters overlap mutually when exposure data are corrected for preparing a mask or a reticle for exposure.例文帳に追加

露光用のマスクまたはレチクルを作製するための露光データを補正する際、前方散乱同士が重なる範囲の隣接パターンを高速に探索し、後方散乱の影響を高速かつ高精度に計算する。 - 特許庁

Both sides of a continuously running metallic sheet 1 are coated with photosensitive resin by a photosensitive resin coating device, a shadow mask pattern is baked and exposed to both sides of the metallic sheet 1 coated with the photosensitive resin.例文帳に追加

連続走行する金属板１の両面に感光性樹脂塗布装置で感光性樹脂を塗布し、シャドウマスクパターンを感光性樹脂が塗布された金属板１の両面に露光装置で焼き付け露光する。 - 特許庁

To provide a method of producing CAM data for an electronic circuit board by which the CAD data of line conductors or surface conductors can be properly and efficiently converted into CAM data composed of plating windows of the exposure mask for pattern plating.例文帳に追加

線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which: a defective deposition pattern is caused on a vapor deposition mask having a plurality of slit-like openings because foils between the adjacent slit-like openings are in close contact with each other to block the slit-like opening.例文帳に追加

複数のスリット状の開口を持つ蒸着マスクにおいて、隣接するスリット状の開口間の箔が互いに接触して密着し、スリット状開口部が塞がって成膜パターンの不良を引き起こしてしまう。 - 特許庁

In a mask used to expose the active layer in such a manner, a translucent section consisting of a folded line thin slit pattern is formed in a recessed region between a source shielding section and a drain shielding section.例文帳に追加

活性層をそのように露出させるために用いられるマスクでは、ソース遮光部とドレイン遮光部との間の凹形状の領域に、折線形状の細いスリットパターンから成る半透過部が形成されている。 - 特許庁

To collectively demagnetize data areas between servo pattern transfer sections with a simple configuration with respect to a medium for the demagnetization mask, a perpendicular medium magnetic transfer/demagnetization method, a vertical recording medium and a magnetic disk device.例文帳に追加

消磁マスク用媒体、垂直媒体磁気転写／消磁方法、垂直記録媒体、及び、磁気ディスク装置に関し、サーボパターン転写部の間のデータ領域に対する消磁を簡単な構成により一括して行う。 - 特許庁

A pattern is sequentially drawn on a plurality of stripe regions S1 and S2 which extend in X direction on a mask blank 10, have the widths in Y direction orthogonal to the X direction and are aligned in the Y direction.例文帳に追加

マスクブランクス１０上でＸ方向に延びかつＸ方向と交差するＹ方向における幅を有するとともにＹ方向に並ぶ複数のストライプ状領域Ｓ１，Ｓ２に順にパターンの描画が行われる。 - 特許庁

To provide a stencil mask for batch electron beam exposure having a stencil pattern region capable of exposing to high throughput in batch electron beam exposure while reducing the loss of yield due to connection.例文帳に追加

電子線一括露光において、高スループットに露光することが可能で、かつ、つなぎによる歩留まりの低下を軽減することが可能なステンシルパターン領域を持つ、電子線一括露光用ステンシルマスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter by which an exposure defect pattern due to light interference hardly occurs in a region of a gradation mask where a semitransparent region and a transmissive region adjoin each other.例文帳に追加

本発明は、階調マスクの半透明領域および透過領域が隣接している領域で光の干渉による露光不良パターンが生じ難いカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The mask blank is patternwise irradiated with the radiation 4, the protective film 5 is dissolved and removed with a solvent which does not substantially dissolve the resist film 3, and the resist film 3 is developed to form a pattern.例文帳に追加

次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜５を、化学増幅レジスト膜３を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜３を現像処理してパターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

In addition to an examining processing part 5 for pattern for examining the propriety by applying mask processing at the position of through hole or photo via/laser via, an examining processing part 6 for via is provided for recognizing a defect peculiar for the position of photo via/laser via.例文帳に追加

スルホールやフォトビア・レーザビアの位置にマスク処理を施して良否検査を行うパターン用検査処理部５に加えて，フォトビア・レーザビアの位置に特有な欠陥を認識するためのビア用検査処理部６を設けた。 - 特許庁

The information peculiar to a product may include the product specifications, for example, a material used for the product, a name of a factory where the product is produced, a mask type, the standard of the wiring pattern, the number of lots, and flow management information or the like.例文帳に追加

製品固有の情報とは、その製品仕様、例えば製品に使われている原料、製品が生産される工場名、マスク種類、配線パターンの規格、ロット数、流動管理情報等が考えられる。 - 特許庁

The printed wiring board manufacturing method includes: a photosensitive resin layer forming process, a process for forming a mask for exposure, a resist forming process, a plating process, a resist removal process, a line pattern forming process, and a land forming process.例文帳に追加

本発明のプリント配線基板の製造方法は、感光性樹脂層形成工程、露光用マスク作成工程、レジスト形成工程、めっき工程、レジスト除去工程、ラインパターン形成工程、ランド形成工程を含む。 - 特許庁

The halftone phase shift mask having a transparent substrate 11 and a halftone film 12 formed into a desired pattern on the transparent substrate 11 is provided with a light shielding film 14 which covers the side walls of the halftone film 12.例文帳に追加

透明基板１１と、この透明基板１１上に所望パターンに形成されたハーフトーン膜１２とを有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン膜１２の側壁を覆う遮光膜１４を設ける。 - 特許庁

A pattern drawing device 1 changes inspection priorities (parameter i) of a plurality of sub-areas included in the mask on the basis of inspection results while inspecting respective sub-areas in accordance with priorities.例文帳に追加

本実施形態のパターン描画装置１は、マスク中に含まれる複数のサブ領域を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果に基づいて各サブ領域の検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。 - 特許庁

Inside a vacuum chamber 100, a deposit film formed on the surface of a reflection-type mask 106 having a desired pattern is removed by an oxygen plasma generated inside the vacuum chamber 100.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、所望のパターンを有する反射型マスク１０６の表面に形成されている堆積膜を真空チャンバー１００の内部に発生させた酸素プラズマ１１５により除去する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a mask blank having the thin film for forming a transfer pattern on a substrate, after forming a thin film on the substrate, an oxide film is formed by radiating ozone gas to a surface of the thin film.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A plurality of glass masks 14 each having an exposure pattern 12 formed thereon are connected and fixed while the patterns 12 are positioned so as to obtain the glass mask having the plurality of patterns 12 as a whole.例文帳に追加

それぞれに露光用のパターン１２が形成された複数のガラスマスク体１４を互いのパターン１２同士を位置決めした状態で連結し固定してなることで、全体として複数のパターン１２を有するものとする。 - 特許庁

A channel-etch type bottom gate TFT (reverse-staggered TFT) structure is employed to pattern source and drain regions and a pixel electrode with the same mask.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明では、チャネルエッチ型のボトムゲート（逆スタガ）型ＴＦＴ構造を用いて、ソース領域およびドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁

To generate an expected value required at the time of write-in test of byte mask for a memory in which a burst address in generated and in/from which parallel pattern data columns given externally to this burst address can be written and read out.例文帳に追加

メモリの内部でバーストアドレスを発生し、このバーストアドレスに外部から与えた並列パターンデータ列を書き込み、読み出すことができるメモリに対し、バイトマスク書き込み試験時に必要とする期待値を発生させる。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reflection film 2, on which a slit pattern is integrally formed, is formed on a flat transparent substrate 1 using a mask member 4, and a substrate block 5 is obtained by cutting the transparent substrate 1 along a cutting line 2A.例文帳に追加

平板状の透明基板１にマスク部材４を使用してスリットパターンが一体的に形成されている反射膜２を成膜し、切断ライン２Ａに沿って透明基板１を切断することにより基板ブロック５を得る。 - 特許庁

The present invention includes a method for forming a word line pattern of the nonvolatile memory array including a step of producing the sub-F word lines using a mask producing device having a width of at least minimum characteristic size F through the use of spacer technology.例文帳に追加

少なくとも最小特徴サイズＦの幅を有するマスク生成素子から、スペーサー技術を用いてサブＦワード線を生成する段階を含む不揮発性メモリアレイのワード線パターン形成のための方法を含む。 - 特許庁

Moreover, when oxidation is conducted with the use of the nitride membrane as a mask, the pattern more stabilized in shape can be obtained.例文帳に追加

例えば表面変化抑止膜として窒化膜を用いると，その反射防止効果が高いことと、窒化膜上には薄いレジスト膜を形成するだけでよいことから、レジスト形状が安定して微細パターンがばらつき少なく形成できる。 - 特許庁

To obtain a microlens array formed by exposure using a density distributed mask, wherein the exposure efficiency in pattern exposure of a photosensitive material is improved, as well as errors in horizontal and vertical dimensions in a form of the microlens are reduced.例文帳に追加

濃度分布マスクを用いて露光して形成するマイクロレンズアレイの、感光性材料へのパターン露光の露光効率を良くするとともに、マイクロレンズの形状の縦横の寸法の誤差を小さくしたマイクロアレイレンズを得る。 - 特許庁

Grayscale optical proximity effect correction device features are added to a mask pattern by convoluting the device features with a two-dimensional correction kernel or two one-dimensional correction kernels to generate grayscale OPC features (S11).例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

To provide a method for forming a pseudo foreign substance having a different reflectance for surveying an effect of a foreign substance adhered to a mask on a transfer pattern and evaluating a quantitative inspection of the foreign substance in lithography of a short-wavelength range.例文帳に追加

短波長領域のリソグラフィにおいて、マスクに付着した異物の転写パターンへの影響の調査、異物の定量的な検査評価のため、反射率の異なる擬似異物の形成方法を提供する。 - 特許庁

On a light shielding mask 24 opposed to a fly eye lens 23, a light transmission part 25 opening respectively corresponding to the respective lens parts 23b of the fly eye lens 23 is arranged, and the respective light transmission parts 25 are made to have variations in an opening pattern.例文帳に追加

フライアイレンズ２３に対向する遮光マスク２４上に、フライアイレンズ２３の各レンズ部２３ｂに対応してそれぞれ開口する光透過部２５を配列し、各光透過部２５の開口パターンにバリエーションを持たせる。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing a design size of a mask pattern even by proximity exposure and forming a spacer for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc., required for the spacer.例文帳に追加

プロキシミティー露光によってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつスペーサーとして必要な強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Consequently, a mask pattern can be formed by not preparing a plurality of reticles in which the cutting patterns CP_1-CP_5 are formed respectively, but using only a cutting reticle CR and a masking reticle MR integrating them.例文帳に追加

これにより、カッティングパターンＣＰ_１〜ＣＰ_５がそれぞれ形成された複数のレチクルを用意することなく、それらが統合されたカッティングレチクルＣＲとマスキングレチクルＭＲのみを用いてマスクパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed.例文帳に追加

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。 - 特許庁

The patterning of a phosphor is carried out on a glass substrate instead of a slit for detecting the rays of light from a reference pattern on a mask, and visible lights emitted by the phosphor are measured by a photo-diode through the glass substrate.例文帳に追加

マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットの代わりに、ガラス基板上に蛍光体をパターニングし、蛍光体が発光する可視光を、ガラス基板を通してフォトダイオードで測定する。 - 特許庁

To provide a gray mask by which positioning to a surface to be exposed is easy and even when reducing projection is performed, a concentration pattern of a light shielding agent dispersed layer can be surely image-formed on the surface to be exposed.例文帳に追加

露光対象面に対する位置合わせが容易で、縮小投影を行うときでも遮光剤分散層の濃度パターンを露光対象面に確実に結像させることが可能なグレイマスクを提供する。 - 特許庁

A resist film 56 is formed on the interlayer insulating film 50, a resist mask 56A having a connection hole pattern 58 is formed, and the connection hole 60 is formed as far as a halfway part of the interlayer insulating film 50.例文帳に追加

次いで、層間絶縁膜５０上にレジスト膜５６を成膜し、接続孔パターン５８を有するレジストマスク５６Ａを形成し、レジストマスク５６Ａを用いて、層間絶縁膜５０の中途まで接続孔６０を形成する。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

To provide polarization illumination of an exposure apparatus with which resolution property can be enhanced, in exposure of gate lines, or the like, having strict dimensional rules, when a desired pattern is obtained by projection mapping that uses a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めること露光装置の偏光照明を提供する。 - 特許庁

A mask used for forming the ink channel 12 (pressure chamber 31) and/or forming a piezoelectric element 21 has a predetermined pattern formed by an equal pitch profile to the pitch profile of the nozzles 14 formed in the nozzle plate 83.例文帳に追加

インク流路１２（圧力室３１）の形成及び／又は圧電素子２１の形成に用いるマスクは、ノズル板８３に形成したノズル１４のピッチ特性と同じピッチ特性で所定のパターンを形成したものとする。 - 特許庁

To facilitate formation of pad metals separated individually by making a trench between adjacent pads thereby forming a pad metal film without requiring a pattern mask reflecting the individual pad shape in the pad metal film forming process.例文帳に追加

隣接するパッド間に溝を形成し、パッドメタル成膜工程で個々のパッド形状を反映したパターンマスクを用いることなくパッドメタルの成膜を可能とし、個々に分離されたパッドメタルを容易に形成可能とする。 - 特許庁

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval.例文帳に追加

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。 - 特許庁