「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

The halftone phase shift mask having a transparent substrate 11 and a halftone film 12 formed into a desired pattern on the transparent substrate 11 is provided with a light shielding film 14 which covers the side walls of the halftone film 12.例文帳に追加

透明基板１１と、この透明基板１１上に所望パターンに形成されたハーフトーン膜１２とを有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン膜１２の側壁を覆う遮光膜１４を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter by which an exposure defect pattern due to light interference hardly occurs in a region of a gradation mask where a semitransparent region and a transmissive region adjoin each other.例文帳に追加

本発明は、階調マスクの半透明領域および透過領域が隣接している領域で光の干渉による露光不良パターンが生じ難いカラーフィルタの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

In addition to an examining processing part 5 for pattern for examining the propriety by applying mask processing at the position of through hole or photo via/laser via, an examining processing part 6 for via is provided for recognizing a defect peculiar for the position of photo via/laser via.例文帳に追加

スルホールやフォトビア・レーザビアの位置にマスク処理を施して良否検査を行うパターン用検査処理部５に加えて，フォトビア・レーザビアの位置に特有な欠陥を認識するためのビア用検査処理部６を設けた。 - 特許庁

The information peculiar to a product may include the product specifications, for example, a material used for the product, a name of a factory where the product is produced, a mask type, the standard of the wiring pattern, the number of lots, and flow management information or the like.例文帳に追加

製品固有の情報とは、その製品仕様、例えば製品に使われている原料、製品が生産される工場名、マスク種類、配線パターンの規格、ロット数、流動管理情報等が考えられる。 - 特許庁

The mask blank is patternwise irradiated with the radiation 4, the protective film 5 is dissolved and removed with a solvent which does not substantially dissolve the resist film 3, and the resist film 3 is developed to form a pattern.例文帳に追加

次に、マスクブランクに放射線をパターン照射し、保護膜５を、化学増幅レジスト膜３を実質的に溶解しない溶媒で溶解除去し、化学増幅レジスト膜３を現像処理してパターンを形成する。 - 特許庁

A pattern drawing device 1 changes inspection priorities (parameter i) of a plurality of sub-areas included in the mask on the basis of inspection results while inspecting respective sub-areas in accordance with priorities.例文帳に追加

本実施形態のパターン描画装置１は、マスク中に含まれる複数のサブ領域を優先順位に従って検査しつつ、その検査結果に基づいて各サブ領域の検査の優先順位（パラメータｉ）を変更する。 - 特許庁

Inside a vacuum chamber 100, a deposit film formed on the surface of a reflection-type mask 106 having a desired pattern is removed by an oxygen plasma generated inside the vacuum chamber 100.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、所望のパターンを有する反射型マスク１０６の表面に形成されている堆積膜を真空チャンバー１００の内部に発生させた酸素プラズマ１１５により除去する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a mask blank having the thin film for forming a transfer pattern on a substrate, after forming a thin film on the substrate, an oxide film is formed by radiating ozone gas to a surface of the thin film.例文帳に追加

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A plurality of glass masks 14 each having an exposure pattern 12 formed thereon are connected and fixed while the patterns 12 are positioned so as to obtain the glass mask having the plurality of patterns 12 as a whole.例文帳に追加

それぞれに露光用のパターン１２が形成された複数のガラスマスク体１４を互いのパターン１２同士を位置決めした状態で連結し固定してなることで、全体として複数のパターン１２を有するものとする。 - 特許庁

A channel-etch type bottom gate TFT (reverse-staggered TFT) structure is employed to pattern source and drain regions and a pixel electrode with the same mask.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明では、チャネルエッチ型のボトムゲート（逆スタガ）型ＴＦＴ構造を用いて、ソース領域およびドレイン領域のパターニングと画素電極のパターニングを同じマスクで行うことを特徴とする。 - 特許庁

To generate an expected value required at the time of write-in test of byte mask for a memory in which a burst address in generated and in/from which parallel pattern data columns given externally to this burst address can be written and read out.例文帳に追加

メモリの内部でバーストアドレスを発生し、このバーストアドレスに外部から与えた並列パターンデータ列を書き込み、読み出すことができるメモリに対し、バイトマスク書き込み試験時に必要とする期待値を発生させる。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reflection film 2, on which a slit pattern is integrally formed, is formed on a flat transparent substrate 1 using a mask member 4, and a substrate block 5 is obtained by cutting the transparent substrate 1 along a cutting line 2A.例文帳に追加

平板状の透明基板１にマスク部材４を使用してスリットパターンが一体的に形成されている反射膜２を成膜し、切断ライン２Ａに沿って透明基板１を切断することにより基板ブロック５を得る。 - 特許庁

The present invention includes a method for forming a word line pattern of the nonvolatile memory array including a step of producing the sub-F word lines using a mask producing device having a width of at least minimum characteristic size F through the use of spacer technology.例文帳に追加

少なくとも最小特徴サイズＦの幅を有するマスク生成素子から、スペーサー技術を用いてサブＦワード線を生成する段階を含む不揮発性メモリアレイのワード線パターン形成のための方法を含む。 - 特許庁

Moreover, when oxidation is conducted with the use of the nitride membrane as a mask, the pattern more stabilized in shape can be obtained.例文帳に追加

例えば表面変化抑止膜として窒化膜を用いると，その反射防止効果が高いことと、窒化膜上には薄いレジスト膜を形成するだけでよいことから、レジスト形状が安定して微細パターンがばらつき少なく形成できる。 - 特許庁

To obtain a microlens array formed by exposure using a density distributed mask, wherein the exposure efficiency in pattern exposure of a photosensitive material is improved, as well as errors in horizontal and vertical dimensions in a form of the microlens are reduced.例文帳に追加

濃度分布マスクを用いて露光して形成するマイクロレンズアレイの、感光性材料へのパターン露光の露光効率を良くするとともに、マイクロレンズの形状の縦横の寸法の誤差を小さくしたマイクロアレイレンズを得る。 - 特許庁

Grayscale optical proximity effect correction device features are added to a mask pattern by convoluting the device features with a two-dimensional correction kernel or two one-dimensional correction kernels to generate grayscale OPC features (S11).例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

To provide a method for forming a pseudo foreign substance having a different reflectance for surveying an effect of a foreign substance adhered to a mask on a transfer pattern and evaluating a quantitative inspection of the foreign substance in lithography of a short-wavelength range.例文帳に追加

短波長領域のリソグラフィにおいて、マスクに付着した異物の転写パターンへの影響の調査、異物の定量的な検査評価のため、反射率の異なる擬似異物の形成方法を提供する。 - 特許庁

On a light shielding mask 24 opposed to a fly eye lens 23, a light transmission part 25 opening respectively corresponding to the respective lens parts 23b of the fly eye lens 23 is arranged, and the respective light transmission parts 25 are made to have variations in an opening pattern.例文帳に追加

フライアイレンズ２３に対向する遮光マスク２４上に、フライアイレンズ２３の各レンズ部２３ｂに対応してそれぞれ開口する光透過部２５を配列し、各光透過部２５の開口パターンにバリエーションを持たせる。 - 特許庁

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed.例文帳に追加

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。 - 特許庁

The patterning of a phosphor is carried out on a glass substrate instead of a slit for detecting the rays of light from a reference pattern on a mask, and visible lights emitted by the phosphor are measured by a photo-diode through the glass substrate.例文帳に追加

マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットの代わりに、ガラス基板上に蛍光体をパターニングし、蛍光体が発光する可視光を、ガラス基板を通してフォトダイオードで測定する。 - 特許庁

To provide a gray mask by which positioning to a surface to be exposed is easy and even when reducing projection is performed, a concentration pattern of a light shielding agent dispersed layer can be surely image-formed on the surface to be exposed.例文帳に追加

露光対象面に対する位置合わせが容易で、縮小投影を行うときでも遮光剤分散層の濃度パターンを露光対象面に確実に結像させることが可能なグレイマスクを提供する。 - 特許庁

A resist film 56 is formed on the interlayer insulating film 50, a resist mask 56A having a connection hole pattern 58 is formed, and the connection hole 60 is formed as far as a halfway part of the interlayer insulating film 50.例文帳に追加

次いで、層間絶縁膜５０上にレジスト膜５６を成膜し、接続孔パターン５８を有するレジストマスク５６Ａを形成し、レジストマスク５６Ａを用いて、層間絶縁膜５０の中途まで接続孔６０を形成する。 - 特許庁

N-type impurities 6 are introduced into a depth of the surface layer of the P-type region 5 by ion implantation, using the pattern 3 as a mask to form an electric charge transfer region 7 of a vertical register on the surface side of the substrate 1.例文帳に追加

パターン３をマスクにしたイオン注入によって、Ｐ型領域５の表面層になる深さにＮ型不純物６を導入し、基板１の表面側に垂直レジスタの電荷転送領域７を形成する。 - 特許庁

To provide polarization illumination of an exposure apparatus with which resolution property can be enhanced, in exposure of gate lines, or the like, having strict dimensional rules, when a desired pattern is obtained by projection mapping that uses a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いた投影写像によって所望パターンを得る場合において、寸法ルールの厳しいゲート線等の露光における解像性を高めること露光装置の偏光照明を提供する。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

When such a gas plasma is employed, bubbling phenomenon due to recombination of nitrogen molecule at the interface of the oxide film and the organic film is prevented and a mask pattern of the oxide film can be transferred accurately to the organic film.例文帳に追加

このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。 - 特許庁

A mask used for forming the ink channel 12 (pressure chamber 31) and/or forming a piezoelectric element 21 has a predetermined pattern formed by an equal pitch profile to the pitch profile of the nozzles 14 formed in the nozzle plate 83.例文帳に追加

インク流路１２（圧力室３１）の形成及び／又は圧電素子２１の形成に用いるマスクは、ノズル板８３に形成したノズル１４のピッチ特性と同じピッチ特性で所定のパターンを形成したものとする。 - 特許庁

To facilitate formation of pad metals separated individually by making a trench between adjacent pads thereby forming a pad metal film without requiring a pattern mask reflecting the individual pad shape in the pad metal film forming process.例文帳に追加

隣接するパッド間に溝を形成し、パッドメタル成膜工程で個々のパッド形状を反映したパターンマスクを用いることなくパッドメタルの成膜を可能とし、個々に分離されたパッドメタルを容易に形成可能とする。 - 特許庁

To provide a wiring board having low resistance wiring by an ink jet film which does not generate cracks, and a manufacturing method of the wiring board capable of forming a wiring pattern on demands without using a mask.例文帳に追加

この発明は、クラックの生じないインクジェット膜で低抵抗配線を有する配線基板と、マスクを使用せずにオンデマンドで配線パターンを形成できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sacrifice film 105 formed with the trench pattern 105a is then used as a mask, a wiring forming groove 104a is formed in the insulating film 104, and a metal film 106b is formed in the wiring forming groove 104a.例文帳に追加

その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for selecting a crystal orientation matching a desired TFT channel orientation to a different area of a device by rotating a mask pattern to a different orientation for a different crystal orientation.例文帳に追加

異なる結晶配向に対する異なる配向にマスクパターンを回転することによって、デバイスの異なるエリアへの所望のＴＦＴチャネル配向に適合する結晶配向を選択する方法を提供する。 - 特許庁

The EUV light scattered/reflected by the mask 8 passes through a projection optical system and is perpendicularly inputted onto a wafer loaded on a wafer stage 12 to shrink/transfer the device pattern 21 to a resist on the wafer.例文帳に追加

マスク８によって、散乱・反射されたＥＵＶ光は、投影光学系を通過して、ウェハステージ１１上に載置されているウェハに垂直に入射し、デバイスパターン２１がウェハ上のレジストに縮小・転写される。 - 特許庁

The method corrects a preset separation mask in a dot pixel level with high accuracy on the basis of a relation of location of contradictory pixels caused cross-referencing the pattern pixels to SPM data resulting from the particularized position.例文帳に追加

その結果を元にした、絵柄画素とＳＰＭデータとの対応付けに際して生じる矛盾画素の配置関係に基づいて、あらかじめ設定された分離マスクが網点画素レベルで高精度に修正される。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a low concentration diffusion region 8 is formed by implanting low concentration N-type impurity ions using a second masking means which has a reduced pattern width by slimming the first masking means 6a as a mask.例文帳に追加

その後、第１マスク手段６ａに対してスリミング処理を施してパターン幅を狭めた第２マスク手段をマスクとして、低濃度のＮ型不純物イオンを注入して低濃度不純物拡散領域８を形成する。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing a design size of a mask pattern even by proximity exposure and forming a spacer for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc., required for the spacer.例文帳に追加

プロキシミティー露光によってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつスペーサーとして必要な強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Consequently, a mask pattern can be formed by not preparing a plurality of reticles in which the cutting patterns CP_1-CP_5 are formed respectively, but using only a cutting reticle CR and a masking reticle MR integrating them.例文帳に追加

これにより、カッティングパターンＣＰ_１〜ＣＰ_５がそれぞれ形成された複数のレチクルを用意することなく、それらが統合されたカッティングレチクルＣＲとマスキングレチクルＭＲのみを用いてマスクパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

Each of electrodes of the electrode layer is formed so that a multitude of sensor electrodes extending from each bridge wire to horizontal direction and having a specific area precipitate aluminum following the second mask pattern.例文帳に追加

電極層の各々の電極は、各々のブリッジ線から各々水平方向に延び且つ所定の面積を有する多数のセンサ電極が、第２のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成される。 - 特許庁

The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.例文帳に追加

表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁

The scanning exposure apparatus 300 includes a mask 10 for measurement which is disposed on a first stage 325 and has a measurement pattern, a first measuring unit 20 disposed on a second stage 345, and a control unit 350.例文帳に追加

本発明の走査露光装置３００は、第１ステージ３２５に配置され測定パターンを有する測定用マスク１０と、第２ステージ３４５に配置される第１測定部２０と、制御部３５０とを備える。 - 特許庁

By lowering the temperature of forming the hard mask pattern 4a, the copper deposit on the aluminum electric conductive film 3 can be suppressed so that the copper deposit might not be arranged between circuit patterns 3a formed by ething.例文帳に追加

ハードマスクパターン４ａの形成を低温化したことで、アルミニウム導電膜３中の銅の析出を抑制することができ、蝕刻によって形成される配線パターン３ａ間に銅析出物が配置されることはない。 - 特許庁

Each liquid crystal mask can optionally set a cell that the laser light can pass through among cells arranged in matrix, and consequently the machining pattern of the HDD head can be set arbitrarily.例文帳に追加

各液晶マスクは、マトリクス状に配置された複数のセルのうちレーザ光の通過を可能にするセルを任意に設定することができ、これによって前記ＨＤＤヘッドに対する加工パターンを任意に設定できるようにした。 - 特許庁