「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist film 11 is patternwise exposed by selective irradiation with electron beams 12 through a mask 13 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 15.例文帳に追加

レジスト膜１１に対して、電子線１２をマスク１３を介して選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１５を形成する。 - 特許庁

The etching-stop film is patterned along the hard mask pattern, the exposed first interlayer insulating film and the contact plugs are etched to form trenches on the first interlayer insulating film on the contact plugs.例文帳に追加

ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI.例文帳に追加

Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a substrate tray which prevents an evaporating material from sneaking into a part which has to be covered by a mask, and precisely forms a film with a predetermined pattern on a glass substrate, and to provide a film-forming apparatus therefor.例文帳に追加

マスクでカバーすべき部分への蒸着材料の回り込みを防止して、ガラス基板上に所定パターンの成膜を正確に行うことのできる基板トレイ及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

When the tension is reduced, the nut 16 is turned appropriately, and a downsized printing pattern part P in the middle of the mask is elongated with the frame to keep the tension properly.例文帳に追加

スクリーンマスク７のテンションが低減したときは、調節用のナット１６を適量回転し、マスク中央部の小さくなった印刷パターン部分Ｐを枠ごと引き伸ばして、テンションを適正値に保持する。 - 特許庁

To remarkably reduce the time required for verification by previously estimating and detecting a problematic portion in a pattern shape exposed on a wafer for fine design data before mask formation.例文帳に追加

微細な設計データに対して、ウエハ上に露光されたパターン形状で問題となり得る箇所について、予めマスク作成前に予測・検出し、検証に必要な時間を大幅に短縮化する。 - 特許庁

In a step S24, the arrangement of the blocks selected in the step S23 is so determined that a block is closer and closer to the center of the block mask as the size of the minimum exposure pattern included in the block is smaller and smaller.例文帳に追加

ステップＳ２４は、ステップＳ２３において選択されたブロックを、例えば、そのブロックに含まれている最小の露光パターンのサイズが小さい程、ブロックマスクの中央にくるように配置を決定する。 - 特許庁

To obtain a method for exposure data generation that increases the processing speed of the processing which generates exposure data obtained by removing overlap from hierarchically designed mask pattern data and that reduces a work area.例文帳に追加

階層化設計されたマスクパターンデータからオーバーラップを除去した露光データを作成する処理の高速化と作業領域の低減を図ることができる露光データ作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an evaporation source and a thin film formation device forming a highly precise pattern on a large-size film forming object or an easily deflecting film forming object without causing a problem of mask strain.例文帳に追加

マスクの歪みの問題を招くことなく大型の成膜対象物又は撓みやすい成膜対象物に対して高精度のパターンを形成しうる蒸発源及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical processing method and its device capable of forming a precise processing pattern even if a fixed position of a print mask material is dislocated on a table.例文帳に追加

高精細な加工を可能とするとともに、テーブル上の印刷マスク材の装着位置がずれた場合でも精度よく加工パターンを形成することができる光加工方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Then (z)-axial vibration of a stage 112 is controlled to vibrate a phase grating mask 150 relatively to the optical fiber 211 in vibration pattern corresponding to each (z)-axial position.例文帳に追加

ステージ１１２のｚ軸方向の振動が制御されて、ｚ軸方向の各位置に応じた振動パターンで光ファイバ２１１に対して相対的に位相格子マスク１５０が長手方向に振動する。 - 特許庁

The X-ray mask 1 is characterized in that the pattern of an X-ray absorber 6 is formed in a film of an X-ray transmission material 8, which is light-reactive epoxy resin.例文帳に追加

Ｘ線吸収体６のパターンがＸ線透過材８の膜中に形成されたＸ線マスク１であって、前記Ｘ線透過材８が光反応性エポキシ樹脂であることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the image created by the pattern creation part 7 is composed to an image obtained by an image acquisition part 9 to partially or entirely mask the image acquired by the image acquisition part 9.例文帳に追加

その後、画像取得部９において取得された画像に、パターン作成部７において作成された画像が合成されて、画像取得部９において得られた画像の一部又は全部がマスクされる。 - 特許庁

Initial stage of a process for exposing a specified mask pattern such that a plurality of integrated circuit chip regions 12 are formed on a semiconductor wafer WF while being spaced apart by a scribe line region 13 is shown.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦ上に複数の集積回路チップ領域１２がスクライブライン領域１３を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。 - 特許庁

Next, a shared mask pattern provided with recessed/projected parts for upper face and for lower face for regulating the magnetic pole shape, symmetrically with respect to a center line parallel to the direction of track width, is exposed to the photoresist.例文帳に追加

次に、磁極形状を規定する上面用凹凸部と下面用凹凸部をトラック幅方向に平行な中心ラインに対して対称に有する共有マスクパターンを、フォトレジストに露光する。 - 特許庁

To provide a projection aligner which prevents blurs from occurring on a lens, by organic gas components being produced by applying light to an organic film which is used for formation of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパタンの形成に使われる有機膜に光を照射することによって生じる有機気体成分により、投影レンズに曇りが生じることを防止した投影露光装置を提供する。 - 特許庁

This mask is provided with a bridge 63 having a width narrower than the resolution of transfer exposure between two non-exposure patterns 61, 61' without opened holes, which are provided adjacent to each other separated by an exposure pattern 62 with open holes.例文帳に追加

本マスクは、孔の開いた露光パターン６２を隔てて隣り合う２つの孔の開いていない非露光パターン６１、６１′間に、転写露光の解像度より細い幅のブリッジ６３が設けられている。 - 特許庁

The shadow mask 12 is interposed between the slope of the multi-stage prism 11 and the image receiver 23 and interrupts a part of the reflected light from the detection plane 11a by a variably controlled pattern.例文帳に追加

シャドウマスク１２は、多段プリズム１１の傾斜面と受像装置２３との間に介装されて、上記検出面１１ａからの反射光の一部を可変制御されるパターンで遮断する。 - 特許庁

To solve a problem the intensity of near field light being generated from an opening lowers when the size of the opening is decreased in order to form a dot pattern of microsize using a near field light mask.例文帳に追加

近接場光マスクを用いて微細なサイズのドットパターンを形成するために開口部のサイズを小さくすると、開口から発生する近接場光の強度が減少するという課題を解決する。 - 特許庁

The maximum length L of beams 1 and 3 is specified based on the amount of deformation in allowable beams and width W in the beams 1 and 3, and a mask pattern is composed by beams having length that does not exceed the maximum value.例文帳に追加

梁１、３の長さＬの上限値を、許容できる梁の変形量および梁１、３の幅Ｗに基づいて定め、上限値を越えない長さの梁によってマスクパターンを構成する。 - 特許庁

After the photo-curable resin is cured by irradiating with a light, by separating the mold, the mask having the taper-shaped side face to which the pattern of the mold is reflected is formed on the member to be etched.例文帳に追加

光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。 - 特許庁

Unevenness of a surface and a gradient of a local curved surface are computed (ST104) from the height distribution data and an imaging position shift of a mask pattern is calculated from the unevenness and gradient, and parameters of an optical system of the exposure device (ST105).例文帳に追加

高さ分布データから表面の凹凸と局所的な曲面の勾配を演算し(ST104)、凹凸と勾配と露光装置の光学系のパラメータからマスクパターンの結像位置ずれを算出する(ST105)。 - 特許庁

The radiation that is emitted from two added poles 221 and 222 to pass through a mask pattern MP is blocked from reaching a wafer W by a radiation blocking opening part PD arranged in a projection optical system.例文帳に追加

２つの追加された極２２１，２２２から発せられ、マスクパターンＭＰを通過する放射は、投影光学系に配置された放射ブロック開口部ＰＤにより、ウェーハＷに到達することを阻止される。 - 特許庁

Further, a part of the light passing through the light transmission plate 36 is diffusely reflected on the rough face 37, so that a part of the illuminating light is highlighted in association with the pattern formed by the light shielding mask 38.例文帳に追加

さらに、導光板３６内を進行する光の一部が粗面３７で乱反射されることにより、遮光マスク３８で形成された模様に関連付けて照明光の一部が強調される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device to reduce the time required for verifying DRC (design rule check) while improving reliability in a mask pattern data subjected to optical proximity correction, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

光近接効果補正したマスクパターンデータについて信頼性を向上させつつＤＲＣの確認に要する時間を短縮する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an ink jet printer which can form a good image without requiring any intricate interpolation processing, e.g. alteration of mask pattern or the number of pass, even when a nonejection nozzle is detected.例文帳に追加

インクジェットプリンタにおいて、不吐出ノズルが検出された場合にも、マスクパターンの変更やパス数の変更といった複雑な補間処理を介さずに良好な画像を形成することができるようにする。 - 特許庁

To provide an exposure method capable of exposing a complementary split pattern on a mask with high precision and high efficiency, an alignment method therefor, and a semiconductor device manufacturing method capable of enhancing the yield thereof.例文帳に追加

マスク上の相補分割パターンを高精度かつ高効率で露光できる露光方法と、そのためのアライメント方法と、半導体装置の歩留りを高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for printing the printed circuit board comprises the step of disposing a mask 3 having openings 3a for wirings to form a wiring pattern 10 oppositely at a predetermined interval (d) parallel to the base 1 to be printed.例文帳に追加

配線パターン１０を形成するための配線用開口部３ａを有するマスク３を、被印刷基材１に対し平行で且つ所定の間隔ｄで相対向するように配置する。 - 特許庁

To provide an exposure system in which the connection of a complementary pattern does not increase and which does not increase the chromatic aberration of an electronic optical system and to provide a scattering mask, an exposure method, and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがなく、電子光学系の色収差を増加させることがない露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 9 as a mask; the support 7', the Si layer 5, and the SiGe layer 3 are subjected to dry etching successively, and an open surface H for exposing the side of the SiGe layer 3 is formed under the support 7'.例文帳に追加

次に、レジストパターン９をマスクに支持体７´、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次ドライエッチングして、支持体７´下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

To provide an X-ray mask enabling transfer of a high speed and fine pattern, and to provide an X-ray aligner, an X-ray exposure method and a semiconductor device manufactured by the X-ray exposure method.例文帳に追加

高速かつ微細なパタ−ンの転写を可能とするＸ線マスク、Ｘ線露光装置、Ｘ線露光方法、およびこのＸ線露光方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

While, in projection stations 105, 108, 111, the pattern of a mask 129 is projected on the field of a first substrate 120, the height of the field of a second substrate 121 is measured in a measuring station 133.例文帳に追加

投影ステーション１０５、１０８、１１１内でマスク１２９のパターンを第１基板１２０の領域に投影する間、第２基板１２１の領域の高さを測定ステーション１３３で測定する。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁

To provide an alignment device for exposure equipment which hardly causes a change in a relative position of pattern between the alignment mark of a substrate and the alignment mark of a mask even if the optical axis deviation of an optical path occurs and has high alignment accuracy.例文帳に追加

光路の光軸ずれが生じても、基板のアライメントマークとマスクのアライメントマークとのパターン相対位置の変化が生じにくく、アライメント精度が高い露光装置のアライメント装置を提供する。 - 特許庁

A mask member having a pattern thereon and formed of a material which does not allow the synchrotron radiation to be transmitted through is tightly fitted on a surface of the second film of the laminate substrate, or disposed with a predetermined space.例文帳に追加

シンクロトロン放射光を透過させない材料からなるパターンが形成されたマスク部材を、積層基板の第２の膜の表面上に密着させ、もしくはある間隔をおいて配置する。 - 特許庁

The exposure mask 30 is provided with a mechanical stopper 35 for preventing contact of a thin film part 32 and a wafer 40 on the surface of the thin film part 32 opposing the wafer and having an opening 33 corresponding to an exposure pattern.例文帳に追加

露光マスク３０を、露光パターンに対応する開口３３を有する薄膜部３２のウエハ対向面に、薄膜部３２とウエハ４０との接触を防ぐメカニカルストッパ３５を備えて構成する。 - 特許庁

A dielectric film of SiO2 is then deposited on the entire surface of the an n-type contact layer 13 followed by formation of a stripe mask pattern 25 extending in the (1-100) direction on the upper surface of n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にＳｉＯ_2 からなる誘電体膜を堆積し、ｎ型コンタクト層１３の上面の（１−１００）方向に延びるストライプ状のマスクパターン２５を形成する。 - 特許庁

To provide a squeegee which can stably supply a printing material when a printing matter to be printed using a metal mask with a printing pattern, as well as a method for manufacturing a squeegee and a screen printing method.例文帳に追加

印刷パターンが形成されたメタルマスクを用いて、印刷対象物を印刷する際、印刷材を安定して供給するスキージ、スキージの作製方法、およびスクリーン印刷方法を提供する。 - 特許庁

In the mask 14 for exposure, protective sheets 26a and 28a are put on the front and/or rear of the pattern forming region 14a by adhesive layers 26b and 28b made of a photosetting resin.例文帳に追加

この露光用マスク１４は、パターン形成領域１４ａの表面及び／又は裏面に、保護シート２６ａ、２８ａが、光硬化性樹脂からなる接着剤層２６ｂ、２８ｂで貼付されている。 - 特許庁

By using a metal mask 2 of a smaller size than a substrate 1, the vapor deposition is sequentially carried out on one part of the substrate 1 after another, and a pattern of vapor-deposited matter 6 is film-formed on a whole surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１よりも小さなサイズのメタルマスク２を用いて、基板１の一部ずつに対して順次に蒸着を行ない、基板１の全面に蒸着物質６のパターンを成膜する。 - 特許庁

The first photomask 29 and the second photomask 65 are disposed leaving a proximity gap from the belt-like work 11, and the respective mask patterns are transferred as a periodical pattern by exposure onto the belt-like work.例文帳に追加

第１フォトマスク２９及び第２フォトマスク６５は、帯状ワーク１１に対してプロキシミティギャップを隔てて配置されており、それぞれのマスクパターンが周期的なパターンとして帯状ワーク１１に露光される。 - 特許庁

The film 7 is formed by using a mask, having desired pattern holes formed in advance so that metal is deposited only on portions corresponding to the holes by sputtering.例文帳に追加

この導電膜を形成するためにはウェーハ１上に所望パターンの穴をあらかじめ形成したマスクを用い、そのマスク穴の部分だけが金属が堆積するようにスパッタリングにより成膜させる。 - 特許庁

In this manufacturing method for the semiconductor integrated circuit device, an insulation film is formed on a semiconductor wafer and a mask pattern including a function element, or wiring is formed on the formed insulation film.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体ウエハ上に絶縁膜を成膜し、成膜した絶縁膜の上に機能素子又は配線を含むマスクパターンを形成する。 - 特許庁

A pattern of the second lens is formed on a resist layer 13 by irradiating the first lens 1 with the UV light through the gray scale mask 23 and exposing a resist layer 13 with the light transmitted through the first lens.例文帳に追加

そして、グレースケールマスク２３を介して第１レンズ１に紫外光を照射し、第１レンズを透過した光でレジスト層１３を露光することで、レジスト層１３に第２レンズのパターンを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method is to pattern a thin film pyroelectric 23 into a desired shape for constituting an infrared photodetector through a laminate etching mask made of an organic resist material and an inorganic resist material.例文帳に追加

赤外線受光部を構成する薄膜焦電体２３が有機系レジスト材料と無機系レジスト材料の積層エッチングマスクを介して所望形状にパターニング形成できる製造方法である。 - 特許庁