「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

This method includes a process of forming a reflection preventing film on the base substrate, a process of forming a photoresist having a prescribed pattern on this reflection preventing film, a first etching process for etching the reflection preventing film with this photoresist as a mask, and a second etching process for etching the base substrate with the reflection preventing film as a mask.例文帳に追加

下地基板上に反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に所定パターンを有するフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストをマスクとして反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と、反射防止膜をマスクとして下地基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

This exposure device has an illumination optical system (IL) for illuminating a mask (M) formed with prescribed patterns and the projection optical system (PL) having the plural projection optical units (PL1 to PL5) arranged along a prescribed direction and subjects the pattern images of the mask to projection aligning on a photosensitive substrate (P) by means of the projection optical system.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスク（Ｍ）を照明するための照明光学系（ＩＬ）と、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニット（ＰＬ１〜ＰＬ５）を有する投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系を介してマスクのパターン像を感光性基板（Ｐ）へ投影露光する露光装置。 - 特許庁

One of the pair is randomly selected by a switch SW12 every time when encryption is executed to obtain the exclusive-OR 32a of the input to an S box 29 and the selected mask pattern and to obtain the exclusive-OR 33a of the output of the S box 29 and the bit of the reverse transposition P-1 of the mask (a).例文帳に追加

暗号化を行う毎にこのペアの一方をスイッチＳＷ１２によりランダムに選択し、Ｓ箱２９への入力と選択したマスクパターンとの排他的論理和３２ａが取られると共に、Ｓ箱２９の出力と、マスクａの逆転置Ｐ^-1のビットとの排他的論理和３３ａが取られる。 - 特許庁

The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.例文帳に追加

基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The crystallization apparatus forming the crystalline semiconductor film is equipped with a lighting system (2) which illuminates a phase-shifting mask (1), and irradiates an amorphous semiconductor film (4) with light having a light intensity distribution of an inverted peak pattern showing that light is reduced to a minimum in intensity at a point corresponding to the phase shifting part of the phase-shifting mask.例文帳に追加

位相シフトマスク（１）を照明する照明系（２）を備え、位相シフトマスクの位相シフト部に対応する点において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を非晶質半導体膜（４）に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。 - 特許庁

To enhance uniformity of film thickness distribution on a plurality of substrate faces in a vacuum vapor-deposition method in which an organic electroluminescent element is fabricated by using a mask for vapor-depositing the substrate and pixel pattern, and using a mask holder and a vapor deposition source provided with alignment mechanism in order to carry out positioning of the substrates and the masks.例文帳に追加

基板と画素パターンを蒸着するためのマスクと、基板とマスクの位置合わせをするためのアライメント機構を備えたマスクホルダと蒸着源とを用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する真空蒸着方法において、複数個の基板面内上での膜厚分布均一性を高める。 - 特許庁

Further, the method for manufacturing the mask comprises a step of forming the transfer pattern on an upper single-crystal silicon wafer of the substrate for the mask, a step of forming an opening at a lower single- crystal silicon wafer, and a step of removing a silicon oxide film of the opening, at least after both the previous steps.例文帳に追加

更に、上記転写マスク用基板の上部単結晶シリコンウェハに転写パターンを形成する工程と、下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成する工程とを有し、少なくともこの両工程の後に、開口部の該シリコン酸化膜を除去する工程を含むこととした転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the deposition system for a transparent conductive film, the use of masks of arbitrary thickness can be facilitated by providing a spacer 5 between a mask 2 and a main plate 1, in a method for selectively depositing a transparent conductive film on the prescribed part alone of a color pattern 3 by using the mask 2.例文帳に追加

カラーパターン３の表面にマスク２を用いて選択的に所定の部分にのみ透明導電膜パターンを形成する方法において、前記マスク２と主プレート１との間にスペーサ５を設置することで、任意厚みのマスクを容易に使用できることを特徴とする透明導電膜の成膜装置。 - 特許庁

When a mask is manufactured by drawing one or a plurality of the original patterns of a chip on a mask sheet, the number of the original patterns to be drawn is determined so as to decrease the production cost of the chips manufactured by transferring the original pattern with respect to the CoO (cost of ownership) as the evaluation scale.例文帳に追加

１枚のマスク上に同一チップの原版パターンを一つまたは複数描画して該マスクを製造する際に、原版パターンを転写して製造されるチップの製造コストがＣｏＯ（Ｃｏｓｔ ｏｆ Ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）を評価尺度として低くなるように、描画する原版パターンの数を決定する。 - 特許庁

The electron beam aligner comprises a mask plate 1 equipped with an electron source 10 for discharging an electron beam from a region, depending on the desired transfer pattern, and an electron lens 2 interposed between the mask plate 1 and a substrate 3 to be transferred coated with an electron beam resist layer 4 and focusing the electrons discharged from the electron source 10.例文帳に追加

電子線を放出する電子源１０を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレート１と、マスクプレート１と電子線レジスト層４が塗布された被転写基板３との間に配置され電子源１０から放出された電子を集束する電子レンズ２とを備える。 - 特許庁

An area D2 for manufacturing the photo mask having the shading pattern formed of the organic film and areas D3-D9 for manufacturing the semiconductor integrated circuit device are arranged in the same clean room D1, and the manufacturing devices and inspection devices are shared when the photo mask and the semiconductor integrated circuit device are manufactured.例文帳に追加

同一のクリーンルームＤ１内に、有機膜からなる遮光パターンを有するフォトマスクを製造するエリアＤ２と、半導体集積回路装置を製造するエリアＤ３〜Ｄ９とを設け、そのフォトマスクの製造と、半導体集積回路装置の製造に際して、製造装置および検査装置を共用するようにした。 - 特許庁

In the steps, the first quartz plate is polished to have a thickness thinner by 1-20 μm than the desired plate thickness value, and further, a mask is mounted on the first quartz plate, and a plurality of second quartz plates are simultaneously formed by growing quartz thin films each having a pattern shape of the mask on the first quartz plate.例文帳に追加

上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 - 特許庁

A substrate transfer mechanism 20 is applied to a proximity scanning exposure apparatus 1 that irradiates an approximately rectangular substrate W with exposure light EL through a mask M to impart a pattern P of the mask M onto the substrate W; and the mechanism supports the substrate W by floating and transfers the substrate W in a prescribed direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、略矩形状の基板Ｗに対してマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する近接スキャン露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板Ｗを所定方向に搬送する。 - 特許庁

The inorganic anti-reflection film 105 is selectively etched with a resist pattern 106 as a mask to form a patterned inorganic anti-reflection film 105, and then the organic low dielectric constant film 104 is selectively etched with the patterned inorganic anti-reflection film as a mask to form a patterned organic low dielectric constant film.例文帳に追加

無機反射防止膜１０５に対してレジストパターン１０６をマスクに選択的エッチングを行なって、パターン化された無機反射防止膜を形成した後、有機低誘電率膜１０４に対してパターン化された無機反射防止膜をマスクに選択的エッチングを行なってパターン化された有機低誘電率膜を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the structure includes: a step of preparing a conductive material 101 containing tungsten(W); a step of forming a mask layer 103 having a pattern on the material 101; and a step of allowing to flow anode-current through the material 101 on which the mask layer 103 is formed in a molten salt 20.例文帳に追加

構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。 - 特許庁

After a dielectric substrate 1 is formed by thermoplastic liquid crystal polymer where palladium is mixed, a resin mask 2 is formed (B) to expose a surface part where a conductive layer 4 with a specific pattern is formed and the other surface parts are covered, and the resin mask and the entire surface of the dielectric substrate 1 that is exposed from the resin mask are subjected to roughening treatment 3 (C).例文帳に追加

パラジウムを混入した熱可塑性の液晶ポリマーで誘電体基板１を成形（Ａ）した後、この誘電体基体の表面のうち、所定パターンの導体層４が形成されるべき表面部分を露出させ、これ以外の表面部分を覆うように樹脂マスク２を形成（Ｂ）し、この樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体１の全表面を粗面化処理３する（Ｃ）。 - 特許庁

With the shadow mask supported to a mask frame with tension making its opposing sides of a rigid body in an almost rectangular shape having numerous penetrating holes, an area for cathode ray passage with numerous penetrating holes formed in a preset pattern as a whole is placed around the center, and an area for no cathode ray passage partly connected with the mask frame is placed at an outer periphery of the cathode ray passage area.例文帳に追加

多数の貫通孔を有する概略矩形のシート状をなし、相対向する側辺を剛体からなるマスクフレームに緊張状態で支持させて用いられるシャドウマスクに、全体として多数の貫通孔が所定のパターンにて形成されている陰極線通過領域をその中央部分に設け、一部が前記マスクフレームに接続されている陰極線不通過領域を陰極線通過領域の外周側に設ける。 - 特許庁

In the alignment mark Sm composed of a mask mark Mm given to a mask M having a specified pattern and of a work mark Wm given to a substrate W so as to align the mask and the substrate, the work mark is composed of a first reference mark Km_1 formed as penetrating the substrate and of a second reference mark Km_2 formed near the first reference mark and not penetrating the substrate.例文帳に追加

所定のパターンを備えるマスクＭに設けたマスクマークＭｍと、基板Ｗに設けたワークマークＷｍとにより前記マスクおよび前記基板の整合作業を行う整合マークＳｍにおいて、前記ワークマークは、その基板に貫通して形成した第一基準マークＫｍ_1と、この第一基準マークの近傍で前記基板に非貫通に形成した第二基準マークＫｍ_2とから構成される整合マークとした。 - 特許庁

A scanning exposure type projection optical system, which forms a pattern image of a mask M on a plate by moving the mask M and a plate P relatively to the projection optical system, has at least one deflection member, and the continuation direction of the periodic waving of the reflecting surface of the deflection member is made to cross the direction orthogonal to the scanning direction of the mask and plate.例文帳に追加

マスクＭおよびプレートＰを投影光学系に対して相対的に移動させることによりマスクのパターン像をプレート上に形成する走査露光型の投影光学系において、投影光学系は、少なくとも１つの偏向部材を有し、偏向部材の反射面に存在する周期性を持つうねりの連続方向をマスクおよびプレートの走査方向と直交する方向と交差する方向とした。 - 特許庁

The image of a mask pattern is formed accurately on a substrate by determining correspondence between a scanning direction regulated on a first coordinate system for controlling movement of first stages 10, 11 holding a mask 12 and a scanning direction regulated on a second coordinate system for controlling movement of a second stage 4 holding a substrate 5 thereby enhancing alignment accuracy of the mask and the substrate at the time of scanning alignment.例文帳に追加

マスク（１２）を保持する第１ステージ（１０，１１）の移動を制御するための第１座標系で規定される走査方向と、基板（５）を保持する第２ステージ（４）の移動を制御するための第２座標系で規定される走査方向との対応関係を求めることによって、走査露光時のマスクと基板とのアライメント精度を向上させて、マスクのパターンの像を正確に基板上に形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 21 is etched while a surface electrode 23 and a resist pattern 24 are used as a mask, and etching for expanding the resist opening 24a of the resist pattern 24 and polymerization for forming a polymer film 26 on the surface of the semiconductor substrate 21, the surface electrode 23, and the resist pattern 24 that is exposed after etching, are repeated to form a hole 25 in the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

表面電極２３およびレジストパターン２４をマスクとして半導体基板２１をエッチングするとともにレジストパターン２４のレジスト開口部２４ａを広げるエッチングと、エッチング後に露出する半導体基板２１、表面電極２３およびレジストパターン２４などの表面部にポリマ膜２６を形成する重合とを繰返し行ない、半導体基板２１に孔部２５を形成する。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulation base material 2, a wiring pattern formed of a metal foil formed on the surface of the insulation base material 2, a resist film for permanently covering the wiring pattern 3 having some part uncovered and exposed, and a mask film 4 for temporarily protecting at least part of the exposed part of the wiring pattern 3 which becomes connection terminals 3 from damages and contamination.例文帳に追加

プリント配線基板１は、絶縁性の基材２と、その表面に形成された金属箔からなる配線パターン３と、配線パターン３の一部分を露出した状態で他の部分を恒久的に被覆するレジストフィルムと、配線パターン３の露出部分の内少くとも外部との接続端子３ｃとなる領域を傷や汚れから一時的に保護するマスクフィルム４とを備えている。 - 特許庁

In this projection aligner which includes optical systems 1 and 2 for illuminating a mask 3, having a prescribed pattern and an optical system 8 which has a prescribed numerical aperture for projecting the image of the pattern on a substrate 9, the aligner has units PC and AS for causing the numerical aperture to vary with the pattern image projected on the substrate.例文帳に追加

所定のパターンを有するマスク３を照明するための照明光学系１、２と、所定の開口数を有し該マスク上のパターンの像を基板９上に投影する投影光学系８とを有する投影露光装置において、前記パターン像を前記基板に露光している状態において前記開口数を変化させる開口数可変部ＰＣ，ＡＳを有する。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for patterned member which has a patterned insulating member on the substrate is characterized in that it is provided with a process of forming a precursor pattern of the insulating member by performing development after exposing photosensitive paste applied onto the substrate a plurality of times through a mask having a specified pattern and a process of baking the precursor pattern.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた絶縁部材を備える部材パターンの製造方法であって、基板上に付与された感光性ペーストを、所定パターンのマスクを介して複数回露光した後、現像して、前記絶縁部材の前駆体パターンを形成する工程と、前記前駆体パターンを焼成する工程と、を備えることを特徴とする部材パターンの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

A thin film transistor manufacturing method comprises a first step in which an auxiliary conductor pattern is provided so as to connect conductor patterns which are electrically insulated from each other, a second step in which impurity ions are implanted using the conductor patterns and the auxiliary conductor pattern as an ion implantation mask, and a third step in which the auxiliary conductor pattern is removed.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタの製造方法において、電気的に孤立した複数の導体パターンを相互に連結する補助導体パターンを設ける段階と、前記導体パターン及び前記補助導体パターンをイオン注入マスクとして利用して不純物イオン注入を実施する段階と、前記補助導体パターンを除去する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The objective distributed density mask used for exposure for forming a photosensitive material pattern having a three-dimensional structure when the photosensitive material pattern is formed on a substrate and transferred to the substrate by etching to produce an article having surface shape with a three-dimensional structure is obtained by forming a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity direction on a transparent substrate.例文帳に追加

基板上に３次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを基板に彫り写すことにより３次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に、感光性材料パターンを形成するための露光に用いる濃度分布マスクであり、透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものである。 - 特許庁

Axial alignment is performed by using a mask for adjustment, which has a bored region (white subfield) having practically the same dimensions as those of a pattern region transferred and exposed at a time, and a film region (black subfield) in which holes are not made.例文帳に追加

一度に転写露光するパターン領域と実質的に同じ寸法の孔明き領域（白サブフィールド）、及び、孔の開いていない膜領域（黒サブフィールド）を有する調整用マスクを用いて軸合わせを行う。 - 特許庁

To obtain a hardenable composition for lining at the time of production of a shadow mask, capable of providing a hardened membrane excellent in each of etching resistance, alkali-dissolvable and peelable properties, and pattern-forming properties even in the case of carrying out secondary etching at high temperature.例文帳に追加

高温で２次エッチングする場合においても、その硬化膜が、耐エッチング性、アルカリ溶解・剥離性及びパターン形成性のいずれにも優れたシャドウマスク製造時の裏止め材用硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing color filter capable of inexpensively forming a black matrix and a colored pattern in such a satisfactory dimensional precision as to accommodate to a large screen and obtaining a high-definition color filter having no color irregularity without using a photolithography method with a mask.例文帳に追加

ブラックマトリックス、及び着色パターンを、マスクを使ったフォトリソグラフィ法を用いることなく、大画面にも対応し得る良好な寸法精度及び低コストで形成して、色むらのない高精細なカラーフィルタを得る。 - 特許庁

A mask pattern of each order among 0 to N-th order to be used by a higher-order local autocorrelation (HLAC) which is extension of autocorrelation in which translational images are generalized so as not to be limited to only one is prepared when taking correlation with the translational images.例文帳に追加

並進した画像と相関をとる際に、並進した画像が一つとは限らないように一般化した自己相関の拡張である高次局所自己相関(HLAC)で使用する0〜Ｎ次の各次マスクパターンを用意する。 - 特許庁

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

Then, the first lens pattern 24 is partially or entirely exposed to light via a second photo mask 20 to conduct a second exposure process for making at least part of each portion that will become a microlens thinner.例文帳に追加

次に、第２のフォトマスク２０を介して第１のレンズパターン２４を部分的もしくは全面的に露光し、マイクロレンズとなるべき各部分について、少なくとも一部の膜厚を薄くする第２の露光処理を行う。 - 特許庁

A gray scale light proximity effect compensating device feature conducts the convolution of a device feature and two-dimensional compensation kernel or two one-dimensional compensation kernel, added to a mask pattern by generating an OPC feature of the gray scale.例文帳に追加

グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成することによりマスク・パターンに追加される。 - 特許庁

To provide a satisfactory color filter having no foreign matter inferiority and no image defect by reducing charge gathering on a glass substrate where a coating layer of a colored composition is applied and preventing sticking of dirt and destruction of an exposure mask pattern.例文帳に追加

着色組成物の塗布層が塗布されたガラス基板上に溜まる電荷を低減し、ゴミの付着、及び露光マスクパターンの破壊を防ぎ、異物不良、画像欠陥のない良好なカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in lithography characteristics such as resolution and an MEF (Mask Error Factor), to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition, and a high molecular compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer, without developing the wafer in the middle with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that double exposure is attached.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

A mask pattern is formed having a pair of slits corresponding to the side faces, and after wet etching is performed to form the side faces formed of the (111) faces, a part other than the plate-like structure is eliminated by dry etching.例文帳に追加

側面に対応して一対のスリットを有するマスクパターンを形成し、ウエットエッチングを行って（１１１）面からなる側面を形成した後、板状構造体以外の部分をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 is vertically dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as a mask, and an opening 100' toward the S/D region 25 is formed in the interlayer insulating film 40.例文帳に追加

次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。 - 特許庁

In a mask used to expose the active layer in such a manner, a translucent section consisting of a folded line thin slit pattern is formed in a recessed region between a source shielding section and a drain shielding section.例文帳に追加

活性層をそのように露出させるために用いられるマスクでは、ソース遮光部とドレイン遮光部との間の凹形状の領域に、折線形状の細いスリットパターンから成る半透過部が形成されている。 - 特許庁

The area is calculated by a highly precise model, when the minimum dimension of the mask pattern is lower than a prescribed threshold value set in the vicinity of an exposure wavelength, and the area other than the area is calculated by a fast model (STEP 5).例文帳に追加

マスクパターンの最小寸法が露光波長付近で設定される所定のしきい値を下回る場合に、その領域を高精度なモデルで計算し、それ以外の領域を高速なモデルで計算する（ＳＴＥＰ５）。 - 特許庁

Further, the vibration of stage 112 in the z-axis direction is controlled and the phase grating mask 150 vibrates in the longitudinal direction relative to the optical fiber 211 at a vibration pattern corresponding to respective positions in the z-axis direction.例文帳に追加

また、ステージ１１２のｚ軸方向の振動が制御されて、ｚ軸方向の各位置に応じた振動パターンで光ファイバ２１１に対して相対的に位相格子マスク１５０が長手方向に振動する。 - 特許庁

When analysis data (A')36 is read into the navigation unit 24, the navigation unit 24 displays information based on the data (A') on the CAD image of the mask pattern displayed on the display unit 32.例文帳に追加

解析データ（Ａ’）３６がＣＡＤナビゲーション部２４に読み出されると、ＣＡＤナビゲーション部２４は、ディスプレイ装置３２に表示されたマスクパターンのＣＡＤ画像上に、解析データ（Ａ’）に基づいた情報を表示する。 - 特許庁

It lowers detection sensitivity from a case of comparing and inspecting other parts when detecting defect of the OPC pattern by comparing and inspecting a detection image obtained to scan the optical proximity effect mask with the reference image 3'.例文帳に追加

光学近接効果マスクをスキャンして得た検出画像と、参照画像３’とを比較検査することにより、ＯＰＣパターンの欠陥検査を行う際に、他の部分の比較検査する場合よりも検査感度を下げる。 - 特許庁