「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of selectively forming thin magnetic films adjusted to ≥0.5×1010 dyn/cm2 in internal stress on a substrate by electroplating by using a plating mask 1 having openings 2 and 3 for at least one plating pattern as a mask, the areas of the openings 2 and 3 are adjusted to ≤3,000 μ2.例文帳に追加

基板上に、少なくとも一つのメッキパターン用開口２，３を有するメッキマスク１を設け、このメッキマスク１をマスクとして内部応力が０．５×１０^10ｄｙｎ／ｃｍ^2 以上の磁性薄膜を選択的に電気メッキ法によって成膜する際に、メッキパターン用開口２，３の面積を３０００μｍ^2 以下とする。 - 特許庁

This method includes a process of forming a reflection preventing film on the base substrate, a process of forming a photoresist having a prescribed pattern on this reflection preventing film, a first etching process for etching the reflection preventing film with this photoresist as a mask, and a second etching process for etching the base substrate with the reflection preventing film as a mask.例文帳に追加

下地基板上に反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に所定パターンを有するフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストをマスクとして反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と、反射防止膜をマスクとして下地基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

This exposure device has an illumination optical system (IL) for illuminating a mask (M) formed with prescribed patterns and the projection optical system (PL) having the plural projection optical units (PL1 to PL5) arranged along a prescribed direction and subjects the pattern images of the mask to projection aligning on a photosensitive substrate (P) by means of the projection optical system.例文帳に追加

所定のパターンが形成されたマスク（Ｍ）を照明するための照明光学系（ＩＬ）と、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニット（ＰＬ１〜ＰＬ５）を有する投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系を介してマスクのパターン像を感光性基板（Ｐ）へ投影露光する露光装置。 - 特許庁

A method comprises subjecting a substance 32 made from a transparent glass or a quartz on which surface a metal thin film 33 is formed, and about half surface of which is covered with a mask 34 for etching, and comprises judging a degree of etching by observing an judgment pattern 37 on a test piece 15 after removing the mask 34.例文帳に追加

透明なガラスまたは石英の基体３２の表面に金属薄膜３３を形成するとともに、マスク３４によって基体３２の表面の約半分の領域を覆った状態でエッチングに供し、この後にマスク３４を除去して判定パターン３７を透して見ることによって、テストピース１５でエッチングの度合を知る。 - 特許庁

More specifically, at first, the support apparatus of a ball arrangement mask supports the ball arrangement mask with a mount region having a through hole for inserting balls and a non-mount region for surrounding the mount region above an object to be mounted corresponding to the mounted part of the object to be mounted formed in a prescribed arrangement pattern.例文帳に追加

第１に、所定の配列パターンに形成された被搭載物の搭載箇所に対応してボール挿入用の貫通孔が設けられた搭載領域とその搭載領域を囲む非搭載領域とが形成されたボール配列マスクを被搭載物の上方に支持するボール配列マスク支持装置とする。 - 特許庁

The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.例文帳に追加

本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a mask matching method for preventing reduction in matching accuracy between patterns formed of different masks when there is displacement between a mask pattern formed in a first place and a crystal orientation of a base board when forming the patterns on the monocrystal base board by using the different masks by anisotropic wet etching.例文帳に追加

単結晶基板上に異方性ウエットエッチングにより異なるマスクを用いてパターンを形成する場合、最初に形成されたマスクパターンと基板の結晶方位とでずれがある場合、異なるマスクで形成されたパターン間の合わせ精度が低下することを防止するマスク合わせ方法を提供する。 - 特許庁

When a mask is manufactured by drawing one or a plurality of the original patterns of a chip on a mask sheet, the number of the original patterns to be drawn is determined so as to decrease the production cost of the chips manufactured by transferring the original pattern with respect to the CoO (cost of ownership) as the evaluation scale.例文帳に追加

１枚のマスク上に同一チップの原版パターンを一つまたは複数描画して該マスクを製造する際に、原版パターンを転写して製造されるチップの製造コストがＣｏＯ（Ｃｏｓｔ ｏｆ Ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）を評価尺度として低くなるように、描画する原版パターンの数を決定する。 - 特許庁

In the deposition system for a transparent conductive film, the use of masks of arbitrary thickness can be facilitated by providing a spacer 5 between a mask 2 and a main plate 1, in a method for selectively depositing a transparent conductive film on the prescribed part alone of a color pattern 3 by using the mask 2.例文帳に追加

カラーパターン３の表面にマスク２を用いて選択的に所定の部分にのみ透明導電膜パターンを形成する方法において、前記マスク２と主プレート１との間にスペーサ５を設置することで、任意厚みのマスクを容易に使用できることを特徴とする透明導電膜の成膜装置。 - 特許庁

The electron beam aligner comprises a mask plate 1 equipped with an electron source 10 for discharging an electron beam from a region, depending on the desired transfer pattern, and an electron lens 2 interposed between the mask plate 1 and a substrate 3 to be transferred coated with an electron beam resist layer 4 and focusing the electrons discharged from the electron source 10.例文帳に追加

電子線を放出する電子源１０を備え所望の転写パターンに応じた領域から電子線を放出させるマスクプレート１と、マスクプレート１と電子線レジスト層４が塗布された被転写基板３との間に配置され電子源１０から放出された電子を集束する電子レンズ２とを備える。 - 特許庁

An area D2 for manufacturing the photo mask having the shading pattern formed of the organic film and areas D3-D9 for manufacturing the semiconductor integrated circuit device are arranged in the same clean room D1, and the manufacturing devices and inspection devices are shared when the photo mask and the semiconductor integrated circuit device are manufactured.例文帳に追加

同一のクリーンルームＤ１内に、有機膜からなる遮光パターンを有するフォトマスクを製造するエリアＤ２と、半導体集積回路装置を製造するエリアＤ３〜Ｄ９とを設け、そのフォトマスクの製造と、半導体集積回路装置の製造に際して、製造装置および検査装置を共用するようにした。 - 特許庁

In the steps, the first quartz plate is polished to have a thickness thinner by 1-20 μm than the desired plate thickness value, and further, a mask is mounted on the first quartz plate, and a plurality of second quartz plates are simultaneously formed by growing quartz thin films each having a pattern shape of the mask on the first quartz plate.例文帳に追加

上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 - 特許庁

A substrate transfer mechanism 20 is applied to a proximity scanning exposure apparatus 1 that irradiates an approximately rectangular substrate W with exposure light EL through a mask M to impart a pattern P of the mask M onto the substrate W; and the mechanism supports the substrate W by floating and transfers the substrate W in a prescribed direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、略矩形状の基板Ｗに対してマスクＭを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する近接スキャン露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板Ｗを所定方向に搬送する。 - 特許庁

The method for manufacturing the structure includes: a step of preparing a conductive material 101 containing tungsten(W); a step of forming a mask layer 103 having a pattern on the material 101; and a step of allowing to flow anode-current through the material 101 on which the mask layer 103 is formed in a molten salt 20.例文帳に追加

構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。 - 特許庁

The inorganic anti-reflection film 105 is selectively etched with a resist pattern 106 as a mask to form a patterned inorganic anti-reflection film 105, and then the organic low dielectric constant film 104 is selectively etched with the patterned inorganic anti-reflection film as a mask to form a patterned organic low dielectric constant film.例文帳に追加

無機反射防止膜１０５に対してレジストパターン１０６をマスクに選択的エッチングを行なって、パターン化された無機反射防止膜を形成した後、有機低誘電率膜１０４に対してパターン化された無機反射防止膜をマスクに選択的エッチングを行なってパターン化された有機低誘電率膜を形成する。 - 特許庁

After a dielectric substrate 1 is formed by thermoplastic liquid crystal polymer where palladium is mixed, a resin mask 2 is formed (B) to expose a surface part where a conductive layer 4 with a specific pattern is formed and the other surface parts are covered, and the resin mask and the entire surface of the dielectric substrate 1 that is exposed from the resin mask are subjected to roughening treatment 3 (C).例文帳に追加

パラジウムを混入した熱可塑性の液晶ポリマーで誘電体基板１を成形（Ａ）した後、この誘電体基体の表面のうち、所定パターンの導体層４が形成されるべき表面部分を露出させ、これ以外の表面部分を覆うように樹脂マスク２を形成（Ｂ）し、この樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体１の全表面を粗面化処理３する（Ｃ）。 - 特許庁

With the shadow mask supported to a mask frame with tension making its opposing sides of a rigid body in an almost rectangular shape having numerous penetrating holes, an area for cathode ray passage with numerous penetrating holes formed in a preset pattern as a whole is placed around the center, and an area for no cathode ray passage partly connected with the mask frame is placed at an outer periphery of the cathode ray passage area.例文帳に追加

多数の貫通孔を有する概略矩形のシート状をなし、相対向する側辺を剛体からなるマスクフレームに緊張状態で支持させて用いられるシャドウマスクに、全体として多数の貫通孔が所定のパターンにて形成されている陰極線通過領域をその中央部分に設け、一部が前記マスクフレームに接続されている陰極線不通過領域を陰極線通過領域の外周側に設ける。 - 特許庁

In the alignment mark Sm composed of a mask mark Mm given to a mask M having a specified pattern and of a work mark Wm given to a substrate W so as to align the mask and the substrate, the work mark is composed of a first reference mark Km_1 formed as penetrating the substrate and of a second reference mark Km_2 formed near the first reference mark and not penetrating the substrate.例文帳に追加

所定のパターンを備えるマスクＭに設けたマスクマークＭｍと、基板Ｗに設けたワークマークＷｍとにより前記マスクおよび前記基板の整合作業を行う整合マークＳｍにおいて、前記ワークマークは、その基板に貫通して形成した第一基準マークＫｍ_1と、この第一基準マークの近傍で前記基板に非貫通に形成した第二基準マークＫｍ_2とから構成される整合マークとした。 - 特許庁

A scanning exposure type projection optical system, which forms a pattern image of a mask M on a plate by moving the mask M and a plate P relatively to the projection optical system, has at least one deflection member, and the continuation direction of the periodic waving of the reflecting surface of the deflection member is made to cross the direction orthogonal to the scanning direction of the mask and plate.例文帳に追加

マスクＭおよびプレートＰを投影光学系に対して相対的に移動させることによりマスクのパターン像をプレート上に形成する走査露光型の投影光学系において、投影光学系は、少なくとも１つの偏向部材を有し、偏向部材の反射面に存在する周期性を持つうねりの連続方向をマスクおよびプレートの走査方向と直交する方向と交差する方向とした。 - 特許庁

The image of a mask pattern is formed accurately on a substrate by determining correspondence between a scanning direction regulated on a first coordinate system for controlling movement of first stages 10, 11 holding a mask 12 and a scanning direction regulated on a second coordinate system for controlling movement of a second stage 4 holding a substrate 5 thereby enhancing alignment accuracy of the mask and the substrate at the time of scanning alignment.例文帳に追加

マスク（１２）を保持する第１ステージ（１０，１１）の移動を制御するための第１座標系で規定される走査方向と、基板（５）を保持する第２ステージ（４）の移動を制御するための第２座標系で規定される走査方向との対応関係を求めることによって、走査露光時のマスクと基板とのアライメント精度を向上させて、マスクのパターンの像を正確に基板上に形成する。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulation base material 2, a wiring pattern formed of a metal foil formed on the surface of the insulation base material 2, a resist film for permanently covering the wiring pattern 3 having some part uncovered and exposed, and a mask film 4 for temporarily protecting at least part of the exposed part of the wiring pattern 3 which becomes connection terminals 3 from damages and contamination.例文帳に追加

プリント配線基板１は、絶縁性の基材２と、その表面に形成された金属箔からなる配線パターン３と、配線パターン３の一部分を露出した状態で他の部分を恒久的に被覆するレジストフィルムと、配線パターン３の露出部分の内少くとも外部との接続端子３ｃとなる領域を傷や汚れから一時的に保護するマスクフィルム４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 21 is etched while a surface electrode 23 and a resist pattern 24 are used as a mask, and etching for expanding the resist opening 24a of the resist pattern 24 and polymerization for forming a polymer film 26 on the surface of the semiconductor substrate 21, the surface electrode 23, and the resist pattern 24 that is exposed after etching, are repeated to form a hole 25 in the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

表面電極２３およびレジストパターン２４をマスクとして半導体基板２１をエッチングするとともにレジストパターン２４のレジスト開口部２４ａを広げるエッチングと、エッチング後に露出する半導体基板２１、表面電極２３およびレジストパターン２４などの表面部にポリマ膜２６を形成する重合とを繰返し行ない、半導体基板２１に孔部２５を形成する。 - 特許庁

In this projection aligner which includes optical systems 1 and 2 for illuminating a mask 3, having a prescribed pattern and an optical system 8 which has a prescribed numerical aperture for projecting the image of the pattern on a substrate 9, the aligner has units PC and AS for causing the numerical aperture to vary with the pattern image projected on the substrate.例文帳に追加

所定のパターンを有するマスク３を照明するための照明光学系１、２と、所定の開口数を有し該マスク上のパターンの像を基板９上に投影する投影光学系８とを有する投影露光装置において、前記パターン像を前記基板に露光している状態において前記開口数を変化させる開口数可変部ＰＣ，ＡＳを有する。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular a chemical amplitude negative resist material, which has a high contrast of alkali dissolution rate before and after light exposure, has a high resolution at high sensitivity and small line edge roughness and is especially suitable as a fine pattern forming material in manufacturing a super LSI or in manufacturing a photo mask pattern material and to provide a pattern formation method and a photomask blank using the negative resist material.例文帳に追加

露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for patterned member which has a patterned insulating member on the substrate is characterized in that it is provided with a process of forming a precursor pattern of the insulating member by performing development after exposing photosensitive paste applied onto the substrate a plurality of times through a mask having a specified pattern and a process of baking the precursor pattern.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた絶縁部材を備える部材パターンの製造方法であって、基板上に付与された感光性ペーストを、所定パターンのマスクを介して複数回露光した後、現像して、前記絶縁部材の前駆体パターンを形成する工程と、前記前駆体パターンを焼成する工程と、を備えることを特徴とする部材パターンの製造方法。 - 特許庁

The objective distributed density mask used for exposure for forming a photosensitive material pattern having a three-dimensional structure when the photosensitive material pattern is formed on a substrate and transferred to the substrate by etching to produce an article having surface shape with a three-dimensional structure is obtained by forming a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity direction on a transparent substrate.例文帳に追加

基板上に３次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを基板に彫り写すことにより３次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に、感光性材料パターンを形成するための露光に用いる濃度分布マスクであり、透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものである。 - 特許庁

A thin film transistor manufacturing method comprises a first step in which an auxiliary conductor pattern is provided so as to connect conductor patterns which are electrically insulated from each other, a second step in which impurity ions are implanted using the conductor patterns and the auxiliary conductor pattern as an ion implantation mask, and a third step in which the auxiliary conductor pattern is removed.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタの製造方法において、電気的に孤立した複数の導体パターンを相互に連結する補助導体パターンを設ける段階と、前記導体パターン及び前記補助導体パターンをイオン注入マスクとして利用して不純物イオン注入を実施する段階と、前記補助導体パターンを除去する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well.例文帳に追加

また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。 - 特許庁

Subsequently, as shown in Fig. 1(c), anisotropic dry etching is performed using the above passage pattern 14A as an etching mask to form a micro passage 12A having a width of about 10 μm and a depth of about 20 μm on the substrate 12.例文帳に追加

次に、図１（ｃ）に示すように、上記流路パターン１４Ａをエッチングマスクとして異方性ドライエッチングにより、基板１２上に幅約１０μｍ、深さ約２０μｍのマイクロ流路１２Ａが形成される。 - 特許庁

Next, a part of the nitride film 202 including the part having the configuration of an eave is removed by etching treatment employing the second resist pattern as a mask, and thereafter, processes for forming the groove having the sectional configuration of a reverse-truncated shape and the reflecting surface are started.例文帳に追加

次に、第２のレジストパターンをマスクとして、エッチング処理により、庇形状部を含めた窒化膜202の一部を除去し、その後、断面逆台形形状の溝形成及び反射面の形成工程に入る。 - 特許庁

Then the stiffness matrix is found at every unit area by referring to the data base (ST23), and the displacement of the mask pattern is found at every unit area by solving a stiffness equation by using the stiffness matrix (ST24).例文帳に追加

次に、データベースを参照して剛性マトリックスを単位領域毎に求め（ＳＴ２３）、当該剛性マトリックスを用いて剛性方程式を解くことにより単位領域毎にマスクパターンの変位を求める（ＳＴ２４）。 - 特許庁

A mask pattern for exposing partly a metallic silicide layer is formed, and the exposed part of the metallic silicide layer is etched in an isotropic way with a first etching solution to form a metallic silicide layer having a shallow groove.例文帳に追加

金属シリサイド層の一部が露出するマスクパターンを形成し、第１蝕刻液を使用して金属シリサイド層の露出した部位を等方性蝕刻して浅い溝が形成された金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

Namely, when setting an arrangement of a recording allowance area in the mask, the repulsive potential is calculated between dots in the plane of the block pattern so that the recording allowance area is arranged at a position where energy is the lowest and is most dispersed.例文帳に追加

すなわち、マスクにおける記録許容エリアの配置を定めるとき、ブロックパターンのプレーンにおけるドットとの間で斥力ポテンシャルを計算し、エネルギーが最も低い、最も分散する位置に記録許容エリアを配置する。 - 特許庁

A hole pattern is transferred to a photoresist film 6 on a wafer 4 by reduced projection exposure with an edge emphasized phase shifting resist mask RM1 having a phase shifting film 2 and a light shielding film 3 each comprising a resist film.例文帳に追加

位相シフト膜２および遮光膜３をレジスト膜で構成したエッジ強調型位相シフトレジストマスクＲＭ１を用いた縮小投影露光処理によってウエハ４上のフォトレジスト膜６にホールパターンを転写する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

１回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in lithography characteristics such as resolution and an MEF (Mask Error Factor), to provide a resist pattern forming method using the positive resist composition, and a high molecular compound useful for the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法、および該ポジ型レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer, without developing the wafer in the middle with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that double exposure is attached.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

To provide a satisfactory color filter having no foreign matter inferiority and no image defect by reducing charge gathering on a glass substrate where a coating layer of a colored composition is applied and preventing sticking of dirt and destruction of an exposure mask pattern.例文帳に追加

着色組成物の塗布層が塗布されたガラス基板上に溜まる電荷を低減し、ゴミの付着、及び露光マスクパターンの破壊を防ぎ、異物不良、画像欠陥のない良好なカラーフィルターを提供する。 - 特許庁

To obtain a hardenable composition for lining at the time of production of a shadow mask, capable of providing a hardened membrane excellent in each of etching resistance, alkali-dissolvable and peelable properties, and pattern-forming properties even in the case of carrying out secondary etching at high temperature.例文帳に追加

高温で２次エッチングする場合においても、その硬化膜が、耐エッチング性、アルカリ溶解・剥離性及びパターン形成性のいずれにも優れたシャドウマスク製造時の裏止め材用硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing color filter capable of inexpensively forming a black matrix and a colored pattern in such a satisfactory dimensional precision as to accommodate to a large screen and obtaining a high-definition color filter having no color irregularity without using a photolithography method with a mask.例文帳に追加

ブラックマトリックス、及び着色パターンを、マスクを使ったフォトリソグラフィ法を用いることなく、大画面にも対応し得る良好な寸法精度及び低コストで形成して、色むらのない高精細なカラーフィルタを得る。 - 特許庁

A mask pattern of each order among 0 to N-th order to be used by a higher-order local autocorrelation (HLAC) which is extension of autocorrelation in which translational images are generalized so as not to be limited to only one is prepared when taking correlation with the translational images.例文帳に追加

並進した画像と相関をとる際に、並進した画像が一つとは限らないように一般化した自己相関の拡張である高次局所自己相関(HLAC)で使用する0〜Ｎ次の各次マスクパターンを用意する。 - 特許庁

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

Axial alignment is performed by using a mask for adjustment, which has a bored region (white subfield) having practically the same dimensions as those of a pattern region transferred and exposed at a time, and a film region (black subfield) in which holes are not made.例文帳に追加

一度に転写露光するパターン領域と実質的に同じ寸法の孔明き領域（白サブフィールド）、及び、孔の開いていない膜領域（黒サブフィールド）を有する調整用マスクを用いて軸合わせを行う。 - 特許庁

Then, the first lens pattern 24 is partially or entirely exposed to light via a second photo mask 20 to conduct a second exposure process for making at least part of each portion that will become a microlens thinner.例文帳に追加

次に、第２のフォトマスク２０を介して第１のレンズパターン２４を部分的もしくは全面的に露光し、マイクロレンズとなるべき各部分について、少なくとも一部の膜厚を薄くする第２の露光処理を行う。 - 特許庁