「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a photomask 104 having a mask pattern with minute irregularities 115 drawn on at least part of the edges is placed on the resist film 102, and the resist film 102 is exposed through the photomask 104.例文帳に追加

ついで、縁の少なくとも一部に微細な凹凸１１５が描かれたマスクパターンを有するフォトマスク１０４をレジスト膜１０２の上に重ね、フォトマスク１０４を通してレジスト膜１０２に露光する。 - 特許庁

An etching time is shortened and a spreading amount α of an opening 6a of an etching mask 6 is suppressed by improving the etching rate of the unnecessary pattern 4b by the ion implantation.例文帳に追加

イオン注入により不要パターン４ｂのエッチングレートを向上させることで、エッチング時間を短くすることができエッチングマスク６の開口部６ａの広がり量αを抑制することができる。 - 特許庁

A diffraction device having a specified three-dimensional diffraction grating formed in the object is produced by irradiating the object with energy beams through a stencil mask having a specified form (pattern) to etch.例文帳に追加

所定の形状（パターン）を有するステンシルマスクを介し、エネルギービームを被加工物に照射してエッチングすると、所定の３次元形状の回折格子を被加工物に形成させた回折素子が製造できる。 - 特許庁

The method includes using a single mask to pattern a plurality of cavity areas to be etched on a substrate in different etching steps, and then selectively choosing the cavity areas for etching.例文帳に追加

この方法は、単一マスクを用いて、異なるエッチング工程で基板にエッチングされる２以上のくぼみ領域をパターニングし、エッチングのためのくぼみ領域を選択的に選択する工程を含む。 - 特許庁

The shadow mask 12 is interposed between the slope of the multi-stage prism 11 and the image receiver 23 and interrupts a part of the reflected light from the detection plane (11a) by a predetermined intrinsic pattern.例文帳に追加

シャドウマスク１２は、多段プリズム１１の傾斜面と受像装置２３との間に介装されて上記検出面１１ａからの反射光の一部を予め決めた固有のパターンで遮断する。 - 特許庁

Then, a third resist pattern is formed by exposure from the back with the first conductive layer and the metal layer of the second conductive layer as a mask, a third insulating layer is etched, and protective insulating layers 123a-123d are formed.例文帳に追加

その後、第１の導電層と第２の導電層の金属層とをマスクとした裏面からの露光により、第３のレジストパターンを形成し、第３の絶縁層をエッチングし、保護絶縁層を形成する。 - 特許庁

At the time of the patterning, a mask pattern is set in such a manner that the edge part of the 1st metallic film 120 retreats by prescribed dimensions from the part held by a cramp 210 on the peripheral part of the substrate 100.例文帳に追加

このパターニングに際して、基板１００の周縁部のクランプ２１０で保持される部分から第１金属膜１２０のエッジ部が所定寸法後退するようにマスクパターンを設定する。 - 特許庁

To prevent a decline in fidelity of an image transferred onto a wafer (pattern shape) by making a correction to a mask for exposure which can respond to extreme ultraviolet light in consideration of the influence by the oblique incidence effect.例文帳に追加

極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスク補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。 - 特許庁

To provide an aligner capable of correctly exposing a pattern, which is formed on a mask on a substrate, even when the attitude of an optical projection system is changed when the optical projection system is moved.例文帳に追加

投影光学系１を移動する際に投影光学系１の姿勢が変化してもマスク９に形成されたパターンを正しく基板８上に露光することができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

Then the other resist pattern is inspected whether a defect is present in the same portion as the above defective portion or not, and if the defect is present in the same portion, the mask used for exposure is determined as defective.例文帳に追加

そして他のレジストパターンについて、上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、露光に用いたマスクに欠陥があると判定する。 - 特許庁

By pressing the central part 6a of the plate like work whose periphery is supported by the supporting part to the photo-mask side, and using a flexure correcting means 13, the flexure of the plate-like work is corrected, and thereby, the uniformity of the pattern is enhanced.例文帳に追加

支持部で周縁部が支えられた薄板状ワークの中央部６ａを撓み矯正手段１３でフォトマスク側に押圧して薄板状ワークの撓みを矯正し、パターンの均一性を高める。 - 特許庁

A repeated pattern by the light-shielding film of a non-resolution pitch to the exposure condition of the exposure device is formed across the area corresponding to the first area in the exposure mask.例文帳に追加

前記露光用マスクにおける前記第１の領域に対応する領域に亘って、前記露光装置の露光条件に対して非解像のピッチの前記遮光膜による繰り返しパターンが形成されている。 - 特許庁

Since the tone of the film 22 generates contrast with the tone of the photosensitive film 23, the mask pattern 23A can be inspected with high accuracy by using an automatic appearance inspection device by optical cognition method.例文帳に追加

また、皮膜２２が感光膜２３の色調とコントラストが得られる色調であるため、光学認識方式の自動外観装置を用いてマスクパターン２３Ａの検査を高精度に行うことが可能となる。 - 特許庁

The mask for monitoring the focus used for monitoring the focus of the mask to be used when patterns are transferred onto a wafer by photolithography has a first pattern region which is enclosed by a light shielding film 13 and has plural monitor patterns formed of rhombic apertures 101 and a second pattern region which is enclosed by a translucent film 12 and has the plural monitor patterns formed of rhombic apertures 102.例文帳に追加

フォトリソグラフィーによりウェハー上にパターンを転写する際に使用されるマスクであって、フォーカスモニタに供されるフォーカスモニタ用マスクにおいて、遮光膜１３で囲まれて菱形の開口部１０１で形成された複数のモニタパターンを有する第１のパターン領域と、半透明膜１２で囲まれて菱形の開口部１０２で形成された複数のモニタパターンを有する第２のパターン領域とを備えている。 - 特許庁

The pattern measuring device carries out exposure simulation on data of outlining the pattern edges of a first mask image and a second mask image formed based on charged particle beam irradiation on two masks used for double exposure, and superposes two outlines to which exposure simulation is performed, based on coordinate information of design data of the masks.例文帳に追加

上記目的を達成するために、以下に二重露光に用いられる２つのマスクに対する荷電粒子ビーム照射に基づいて、形成される第１のマスク画像と、第２マスク画像のパターンエッジを輪郭線化したデータについて、露光シミュレーションを実行し、当該露光シミュレーションが行われた２つの輪郭線を、前記マスクの設計データの座標情報に基づいて、重ね合わせるパターン測定装置を提案する。 - 特許庁

To provide an electrode pattern forming method capable of more stably and easily separating an electrode pattern comparing with the case of using a thin wire-shaped metal mask, due to the electrode patterning depending on the shrinkage of resin, without using the metal mask of high precision or without applying a complicated lithography when forming an element like an organic EL element or a semiconductor element on a circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、有機ＥＬ素子、半導体素子等の基板回路上に形成する素子について、高精度なメタルマスクの使用や複雑なフォトリソグラフィを行なうことなく、樹脂の収縮に基づく電極パターニングにより細線状のメタルマスクを使用する場合よりも安定にしかも簡易に電極パターンの分離を行なうことができる電極パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

This is a manufacturing method for a blank of a double-sided masks which manufactures a bank of a double-sided mask of a structure having a pattern made of a light shielding metal film on both sides of a transparent base plate, and characterized in forming a light shielding metal film layer on a rear glass plate of a mask having a pattern already formed on its one side.例文帳に追加

透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、一方の面にパターンがすでに形成されたマスクの裏面のガラス上に遮光用金属膜の層を形成して、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランク及び両面マスクの製造方法。 - 特許庁

To provide a laser beam machining process capable of not generating a byproduct, machining in high precision/fineness, suppressing specter interference in mask projecting, precisely machining a fine mask pattern and projecting/ irradiating a large scale area pattern, a manufacturing method of an ink jet recording head by using the laser beam machining method and the ink jet recording head manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

副生成物の発生がなく、高精細に加工することができ、マスク投影加工を行うに際して、スペックル干渉を抑制し、微細なマスクパターンを正確に加工することができ、大面積のパターンを投影照射して被加工物を加工することができるレーザ加工方法、該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法、該製造方法で製造されたインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method by which an area excepting mask material on a body to be processed where patterning of the mask material is performed is coated with liquid material, patterning is performed by means of the difference of wettability, and when the material is solidified thereafter, the shape of the pattern-formed thin film is made rectangular, and to provide the body to be processed having the thin film.例文帳に追加

マスク材がパターニングされた被処理体上において、マスク材を除く領域に液体材料を塗布し、濡れ性の差によりパターニングを行い、その後固化した際に、パターン形成された薄膜の形状を矩形化できる薄膜形成方法および薄膜を有する被処理体を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system and a vapor deposition method by which the contact strength between a substrate and a vapor deposition mask can be increased to improve the precision of a vapor deposition pattern deposited on the substrate even when the size of the substrate and the vapor deposition mask is enlarged, and to provide an electro-optical device and an electronic device.例文帳に追加

基板および蒸着マスクが大型化した場合においても、基板と蒸着マスクの密着性を向上させて、基板上に形成する蒸着パターンの精度を向上させることが可能な蒸着装置、蒸着方法、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

As to a reflection-type exposure mask used in an EUV lithography technique, a multilayered film 2 composed of two or more kinds of material layers which are cyclical laminated is formed on a base substrate 1, and a mask pattern 11 of nitride-containing metal film or of laminated structure of a metal nitride film and a metal film is formed on the multilayered film 2.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、下地基板１上に２種類以上の材料層を周期的に積層させた多層膜２を形成し、多層膜２上に、窒化を含む金属膜からなるマスクパターン１１、または窒化金属膜と金属膜の積層構造からなるマスクパターンを形成する。 - 特許庁

In the reflective mask blank for exposure having a multilayer reflective film 2 for reflecting exposure light on a substrate 1, and an exposure light absorber layer 4 formed on the multilayer reflective film 2, the mask blank has a convex surface on the side opposite to the surface for forming a transfer pattern.例文帳に追加

基板１上に、露光光を反射する多層反射膜２と、該多層反射膜２上に形成された露光光を吸収する吸収体層４とを有する露光用反射型マスクブランクであって、前記マスクブランクの転写パターン形成面とは反対側の面の形状が、凸面を有する形状である。 - 特許庁

The reflecting type exposure mask comprises the mask pattern (5) formed on a multilayer film (2) having a relatively high reflectivity for a DUV light and having a relatively low reflectivity than that of the DUV light and formed of a tantalum oxide, an oxide of a tantalum alloy or an oxide of a nitrogen tantalum formed only on its surface vicinity part or entirely formed intentionally.例文帳に追加

ＤＵＶ光に対し比較的反射率が高い多層膜（２）上に形成される、ＤＵＶ光に対し比較的反射率が低いマスクパターン（５）が、その表面近傍部分のみ又は全体が意図的に形成された酸化タンタル、タンタル合金の酸化物、窒素タンタルの酸化物で形成されている。 - 特許庁

The process for producing a transfer mask comprises a step for forming a stress control layer for canceling variation in the stress of a thin film layer being generated before a resist layer is formed, and an etching step using the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

転写用マスクの製造工程において、前記レジスト層の形成前に、マスクの製造工程において発生する薄膜層の応力変化を相殺する応力制御層を前記薄膜層上に形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングする工程とをさらに含むことを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank comprising at least a substrate, a multilayer reflecting film for reflecting exposure light, and an absorber for absorbing the exposure light, the absorber having a smaller film thickness for preventing the degradation of resolution and misregistration around a pattern during exposure and for improving a contrast to inspection light, and to provide a reflective mask.例文帳に追加

少なくとも基板と、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体と、を有し、吸収体の膜厚を薄くし、露光時にパターン周辺部の解像度低下や位置ずれを防止するとともに、検査光に対するコントラストを向上させた反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。 - 特許庁

The surface of a mask substrate 10 of a photomask 1 is provided with a surface acoustic wave device 20A that generates surface acoustic waves propagating on the surface of the mask substrate 10 and a surface acoustic wave device 20B that receives surface acoustic waves so as to detect the presence of the contamination of a semiconductor circuit pattern 41 through the surface acoustic waves.例文帳に追加

フォトマスク１のマスク基板１０の表面に、マスク基板１０の表面上を伝搬する弾性表面波を発生させる弾性表面波素子２０Ａと、弾性表面波を受信する弾性表面波素子２０Ｂとを設け、当該弾性表面波によって半導体回路パターン４１の異物の有無を検出する。 - 特許庁

With a mask pattern 9 formed on a first conductive type semiconductor substrate 1 as a mask, a pair of first low-concentration diffusion regions 4 of second conductive type and a pair of second low-concentration diffusion regions 3 of a second conductive type which is deeper than the first low-concentration diffusion region 4 and of high concentration are formed.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成したマスクパターン９をマスクとして、第２導電型の一対の第１低濃度拡散領域４と、第１低濃度拡散領域４よりも深くかつ高濃度の第２導電型の一対の第２低濃度拡散領域３と、を形成する。 - 特許庁

The exposure device includes an illumination optical system illuminating a reflection-type mask (M) installed on a first surface, by using a light from a light-condensing point (1a) on which light emitted from a light source (1) is condensed; and a projection optical system (PO) projecting a pattern of the mask to a photoreceptive substrate (W) installed on a second surface.例文帳に追加

本発明の露光装置は、光源（１）より射出された光が集光する集光点（１ａ）からの光を用いて、第１面に設置される反射型のマスク（Ｍ）を照明する照明光学系と、マスクのパターンを第２面に設置される感光性基板（Ｗ）に投影する投影光学系（ＰＯ）とを備えている。 - 特許庁

In the method for producing a mask, an ink film 11a comprising ink opaque to UV formed on an ink ribbon 11 is heat-transferred to the top of a film sheet P as a substrate comprising a UV transmissive material with a heat transfer printer to print and form a mask pattern 12 of the desired shape.例文帳に追加

本発明は、紫外線透過性の材料からなる基板であるフィルムシートＰ上に、熱転写プリンタを用いてインクリボン１１に形成した、紫外線不透過性のインクからなるインク膜１１ａを熱転写して、所望の形状のマスクパターン１２を印刷形成するようにした熱転写プリンタを用いたマスク製造方法である。 - 特許庁

This method for checking the electronic image of the pattern of a mask 30 is provided to expose an electronic image by irradiating a sample 100 to check with an electron beam transmitted through the mask, and to detect the electronic image on the sample 100 to check to form image data, and to compare the normal image data with the checked image data to detect defects.例文帳に追加

マスク３０のパターンの電子像を検査する方法であって、マスクを通過した電子ビームを検査用試料１００に照射して電子像を露光し、検査用試料１００上の電子像を検出して検査画像データを形成し、正規画像データと検査画像データを比較して欠陥を検出する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The signal processing device includes a memory storing therein luminance distribution data of transmission light on the mask substrate prior to forming a mask pattern, and correction means which corrects the luminance signal outputted from the photodetection means or the intensity of illumination light emitted from the light source on the basis of the luminance distribution data.例文帳に追加

信号処理装置は、マスクパターンが形成される前のマスク基板の透過光の輝度分布データを記憶したメモリと、前記輝度分布データに基づいて前記光検出手段から出力される輝度信号又は光源装置から放出される照明光の強度を補正する補正手段を有する。 - 特許庁

The method for obtaining the stencil mask 100 comprises steps of forming an indium oxide thin film 11 on the supporting substrate 1 comprising a silicon wafer to manufacture the substrate 10 for the stencil mask, forming an opening 31 in the supporting substrate 1 by pattern-processing the supporting substrate 1 and the indium oxide thin film 11, and forming a charged beam transmitting hole 12 in the indium oxide thin film 11.例文帳に追加

シリコンウェハーからなる支持基板１上に酸化インジウム薄膜１１を形成してステンシルマスク用基板１０を作製し、支持基板１及び酸化インジウム薄膜１１をパターニング処理して支持基板１に開口部３１、酸化インジウム薄膜１１に荷電ビーム透過孔１２を形成してステンシルマスク１００を得る。 - 特許庁

A method comprises subjecting a substance 32 made from a transparent glass or a quartz on which surface a metal thin film 33 is formed, and about half surface of which is covered with a mask 34 for etching, and comprises judging a degree of etching by observing an judgment pattern 37 on a test piece 15 after removing the mask 34.例文帳に追加

透明なガラスまたは石英の基体３２の表面に金属薄膜３３を形成するとともに、マスク３４によって基体３２の表面の約半分の領域を覆った状態でエッチングに供し、この後にマスク３４を除去して判定パターン３７を透して見ることによって、テストピース１５でエッチングの度合を知る。 - 特許庁

More specifically, at first, the support apparatus of a ball arrangement mask supports the ball arrangement mask with a mount region having a through hole for inserting balls and a non-mount region for surrounding the mount region above an object to be mounted corresponding to the mounted part of the object to be mounted formed in a prescribed arrangement pattern.例文帳に追加

第１に、所定の配列パターンに形成された被搭載物の搭載箇所に対応してボール挿入用の貫通孔が設けられた搭載領域とその搭載領域を囲む非搭載領域とが形成されたボール配列マスクを被搭載物の上方に支持するボール配列マスク支持装置とする。 - 特許庁

The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.例文帳に追加

本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a mask matching method for preventing reduction in matching accuracy between patterns formed of different masks when there is displacement between a mask pattern formed in a first place and a crystal orientation of a base board when forming the patterns on the monocrystal base board by using the different masks by anisotropic wet etching.例文帳に追加

単結晶基板上に異方性ウエットエッチングにより異なるマスクを用いてパターンを形成する場合、最初に形成されたマスクパターンと基板の結晶方位とでずれがある場合、異なるマスクで形成されたパターン間の合わせ精度が低下することを防止するマスク合わせ方法を提供する。 - 特許庁

In an aligner that lights up a mask by lighting luminous flux having coherent anisotropy, and projects and exposes the pattern of a mask surface onto the light-sensitive substrate by a projection optical system, time for lighting up the light-sensitive substrate is adjusted, thus eliminating the illuminance disturbance that is periodically generated on the light-sensitive substrate.例文帳に追加

コヒーレンスの異方性を有する照明光束でマスクを照明し、該マスク面のパターンを投影光学系によって感光基板上に投影露光する露光装置において、前記感光基板に照明する時間を調整することにより、前記感光基板上に周期的に発生する照度外乱をなくすように構成する。 - 特許庁

In the method for the electron beam exposure, exposure is repeated on the periphery of an adjoining pattern drawn by using a partial collective exposure mask by using an electron beam exposure mask having proximity effect correction openings arranged such that the size of the openings varies periodically at a predetermined ratio in the order of arrangement.例文帳に追加

開口部の大きさが配列順に所定の割合で周期的に変化するように配列された近接効果補正用の開口部を有する電子ビーム露光用マスクを用いて、部分一括露光用マスクを用いて描画した隣接するパターンの周辺部に重ねて露光することを特徴とする電子ビーム露光方法による。 - 特許庁

In the pattern correcting method, a low-viscosity film 41 is irradiated with laser light in the state wherein the defective portion is not irradiated with the laser light to form a mask 40 having a hole 40a, the mask 40 is stuck to a substrate 14, and correction liquid 20 is applied to the defective portion 13a through the hole 40a.例文帳に追加

このパターン修正方法では、レーザ光が欠陥部１３ａに照射されない状態で低粘着フィルム４１にレーザ光を照射して孔４０ａの開いたマスク４０を形成し、マスク４０を基板１４に密着させ、孔４０ａを介して欠陥部１３ａに修正液２０を塗布する。 - 特許庁

To provide manufacturing methods for a glass substrate for an electronic device and a mask blank with which no fine uneven surface defect occurs on a substrate surface or a failure rate is low, and a manufacturing method for a transfer mask free from a phase defect or a pattern defect caused by the fine uneven surface defect on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板及びマスクブランクスの製造方法、並びに基板表面に微小な凸状、凹状の表面欠陥が起因する位相欠陥やパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the aligner equipped with a light irradiation mechanism 3 radiating the exposing light, a mask stage mechanism 4 having the frame body 31 holding the mask 200 on which the pattern is formed, and a work stage mechanism 5 holding the work 100, a heat insulating member 39 is installed on the mechanism 4 so as to cover the frame body 31.例文帳に追加

露光光を照射する光照射機構３と、パターンが形成されたマスク２００を保持する枠体３１を有するマスクステージ機構４と、ワーク１００を保持するワークステージ機構５とを備えた露光装置において、断熱部材３９が前記枠体３１を覆うようにマスクステージ機構４に設置された構成にしてある。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.例文帳に追加

被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To obtain a convenient patterning method employing a metal mask and a method for forming a pattern connected with a large number of circuit units on the surface and rear of a substrate with high connection reliability, in which different patterning can be realized at the electrode part and the wiring part on the circuit board by physical deposition without changing a metal mask set once.例文帳に追加

金属マスクを用いる簡易なパターニング方法で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結されたパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパターニングを、一度セットした金属マスクを交換することなく、物理蒸着にて実現する。 - 特許庁

In a first implantation mask pattern 9a, a first impurity region 11a whose impurity concentration is higher than that of a second impurity region to be formed later is formed, by using a third implantation mask 101 having a recessed part region 106 whose quantity is equivalent to alignment precision, and the silicide film is formed on a gate electrode.例文帳に追加

第１の注入マスクパターン９ａにおいて、位置合わせ精度に相当する量分の凹部領域１０６を有する第３の注入マスク１０１を用いて、後に形成される第２の不純物領域の濃度よりも高い第１の不純物領域１１ａを形成し、ゲート電極上にシリサイド化膜を形成する。 - 特許庁