「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

The buried wiring is formed by a method wherein the surface of the insulating substrate 1 is removed selectively employing a mask 17 formed on the surface of the insulating substrate 1 to form a groove 18 having a planar configuration corresponding to a wiring pattern.例文帳に追加

絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。 - 特許庁

It obtains a reference image 2' corresponding to the optical proximity effect correction mask and a reference image 3' corresponding to the OPC pattern after converting a format of the EB data 2 (after OPC) and the EB data 3 (after SUB).例文帳に追加

ＥＢデータ（ＯＰＣ後）２とＥＢデータ（ＳＵＢ後）３のフォーマット変換を行った後、光学近接効果補正マスクに対応する参照画像２’と、ＯＰＣパターンに対応する参照画像３’を得る。 - 特許庁

The phase shift mask 304 comprises a glass substrate 201 as a transparent substrate having a main surface and a light shielding body 202 formed to cover a part of the main surface of the glass substrate 201 with a desired pattern.例文帳に追加

位相シフトマスク３０４は、主表面を有する透明基体としてのガラス基板２０１とこの主表面の一部を所望パタンで覆うように形成された遮光体２０２とを備える。 - 特許庁

The aberration-measuring mask for measuring the lens aberrations of an exposure device is provided with a substrate for transmitting exposure light of the exposure device, and a pattern part inverting the phase of the exposure light by 180 degree.例文帳に追加

露光装置のレンズ収差を測定するための収差測定用マスクにおいて、露光装置の露光光を透過する基板と、露光光の位相を１８０度反転させるパターン部とを備える。 - 特許庁

Resist 26 is eroded uniformly from a shoulder part in accordance with etching, since a spacer film 17 is etched by using the resist 26 as a mask which resist has a thickness wherein a pattern cannot be maintained at the case of etching the spacer film 17.例文帳に追加

スペーサ膜１７のエッチング時にパターンを維持できない厚さのレジスト２６をマスクにしてスペーサ膜１７をエッチングするので、エッチングに伴ってレジスト２６が肩部から不均一に侵食される。 - 特許庁

A backlight 6 is installed in the vicinity of a detecting electrode 2 to detect approach of a human body, and a mask plate 3 for display in which a light transmission pattern 3a is formed is installed on the backlight 6.例文帳に追加

人体の接近を検出する検知電極２の近傍にバックライト６が設けられ、バックライト６の上に光透過パターン３ａが形成された表示用マスク板３が設けられている。 - 特許庁

By use of the hard mask manufactured by such a process of a two-time exposure and two-time processing, it becomes possible to process a more micro and identical contact hole than patterning by a reticle of a hole-shaped pattern.例文帳に追加

このような二回露光二回加工プロセスにより作製されるハードマスクを用いることで、穴状のパターンのレチクルでパターニングを行うよりも微細でより忠実なコンタクトホールの加工が可能となる。 - 特許庁

To provide a near-field exposing method with which the pattern of a fine opening formed on an exposure mask can be accurately and efficiently exposed, with proximity EB lithography, to 1:1 with respect to an object to be exposed.例文帳に追加

露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供する。 - 特許庁

An etching mask of photoresist film having an opening pattern of contact holes is formed on a pixel transistor part 12, a gate terminal part 14, a drain terminal part 16, and a D-G junction 18 of a protective transistor.例文帳に追加

画素トランジスタ部１２、ゲート端子部１４、ドレイン端子部１６、及び保護トランジスタのＤ−Ｇ接続部１８上にはコンタクトホールの開口パターンを有する、フォトレジスト膜からなるエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

To improve the resolution of a maskless exposure method of digitally generating a projection pattern without using a mask to perform exposure, without having to uses a complex processes or mechanism element.例文帳に追加

本発明は、マスクを用いることなく投影パターンをデジタル的に生成して露光するマスクレス露光方法に関し、複雑なプロセスや機構要素を付加することなく、分解能を向上することを目的とする。 - 特許庁

The exposure apparatus measures a shape of the reverse surface of the pattern surface of the mask 2 before a substrate 5 is exposed, and compares the measurement result with the measurement result of the shape stored in the storage part 11 in advance.例文帳に追加

露光装置が、基板５の露光前に、マスク２のパターン面の裏面の形状を計測し、該計測結果と上記格納部１１に予め格納された形状の計測結果とを比較する。 - 特許庁

Print data on AM dot data is divided into 4×4 pixel blocks Z and a dot recording order is decided by a pixel group unit comprising two pixels which are adjacent to each other horizontally, based on a mask pattern.例文帳に追加

ＡＭ網点データの印刷データを４×４画素のブロックＺ毎に分割し、マスクパターンに基づいて、左右に隣接する２画素で構成される画素組単位でドット記録順序を決定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilevel gradation photomask, by which a resist level difference structure having different resist residual film values within the film plane can be formed with high accuracy, and thereby, a mask pattern with high accuracy can be formed.例文帳に追加

面内でレジスト残膜値の異なるレジスト段差構造を精度良く形成することができ、これによって精度の高いマスクパターンを形成できる多階調フォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaporation source which forms a highly precise pattern on a large or flexible deposition target without causing distortion of a mask, and a thin-film deposition system.例文帳に追加

マスクの歪みの問題を招くことなく大型の成膜対象物又は撓みやすい成膜対象物に対して高精度のパターンを形成しうる蒸発源及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fine pattern forming method which obviates the occurrence of the deterioration in dimensional accuracy by the influence of reflected light, etc., from a light shielding body surface in projection exposing using a phase shift mask having high phase angle controllability.例文帳に追加

位相角制御性の高い位相シフトマスクを用い投影露光時に遮光体面からの反射光等の影響による寸法精度劣化の生じない微細パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

Since accurate alignment can be executed by the reflection-type pattern transfer device, the transfer device of high throughput can be provided through the use of a mask for the charged particle beam exposure of the reflection type.例文帳に追加

本発明によれば、反射型のパターン転写装置で高精度なアライメントが行なえるようになるため、反射型の荷電粒子ビーム露光用のマスクを使って高スループットの転写装置を提供できる。 - 特許庁

In the method for formation of wiring structure, a first organic film 603, a silicon oxide film 604, and a second organic film 605 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 600, and then, a mask pattern 608 is formed on the second organic film 605.例文帳に追加

半導体基板６００上に、第１の有機膜６０３、シリコン酸化膜６０４、第２の有機膜６０５を順次堆積した後、第２の有機膜６０５の上にマスクパターン６０８を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wafer, that can easily align the OF part of a thin-plate semiconductor wafer and the display reference point of a photo mask, and can bake a highly accurate photoresist pattern.例文帳に追加

薄板状半導体ウエハのＯＦ部とフォトマスクの表示基準点との位置合わせ作業が容易にでき、それにより高精密なフォトレジストパターンを焼付けできるウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating film 6 and the conductive film 5 are sequentially etched as a resist pattern 7 as a mask, a patterned insulating film 8 and the laminate of a gate electrode 9 of the high breakdown voltage transistor are formed.例文帳に追加

レジストパターン７をマスクとして絶縁膜６および導電膜５が順次エッチングされ、パターニングされた絶縁膜８および高耐圧トランジスタのゲート電極９の積層体が形成される。 - 特許庁

Then a selection device 21 selects a mask blanks based on the distribution of the calculated RBI and on the allowable value of dimensional fluctuation in a pattern transferred onto a photoresist film formed on a wafer.例文帳に追加

そして、算出したＲＢＩの分布とウエハに形成されたフォトレジスト膜に転写される転写パターン寸法のばらつきの許容値に基づいて選定装置２１がマスクブランクスを選定する。 - 特許庁

The entire surface of the substrate, after the base film has been peeled, is exposed to cure the unexposed negative resist layer left on the substrate so as to form the resist pattern reflecting the exposure mask in the negative resist layer.例文帳に追加

ベースフィルムを剥離した基板の全面を露光して基板に残された未露光のネガ型レジスト層を硬化させることにより、ネガ型レジスト層に、露光マスクを反映したレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A method of inspecting and calibrating a component for inspecting a printed board and an integrated circuit includes a camera (10) for creating an image of a precision pattern mask (Fig.4) placed on a transparent reticle (20) is disclosed.例文帳に追加

透明な焦点板（２０）の上に設置された精密パターン・マスク（図４）の画像を作成するためのカメラ（１０）を含む、プリント基板および集積回路を検査するための部品検査および校正方法。 - 特許庁

A selective epitaxial silicon layer 68 is formed on the surface of the contact pad 62 exposed through the contact hole 66, so as to shield the insulated mask layer pattern 54 of the interconnect line 55.例文帳に追加

前記コンタクトホール６６を通じて露出されたコンタクトパッド６２の表面上に、前記配線５５の絶縁マスク層パターン５４を遮蔽するように選択的エピタキシャルシリコン層６８を形成する。 - 特許庁

To provide a metal mask for printing for improving the printing tact and printing efficiency, a micro-printing pattern, and improve the printing quality, and provide further a manufacturing method thereof.例文帳に追加

印刷タクトを向上させて印刷能率を上げることができ、しかも微細印刷パターンを得ることができ、印刷品質の向上も図ることができる印刷用メタルマスクとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask that is free of generation of black defects or white defects, without causing thickening or thinning of a predetermined pattern, even if foreign matters are deposited on the photomask, and to provide an exposure method that uses the mask.例文帳に追加

フォトマスクに異物が付着していても、所定のパターンに太り、細りを引き起こすことなく、黒欠陥或いは白欠陥を発生させないフォトマスク、それを用いた露光方法を提供する。 - 特許庁

In the mask 1 for exposure obtained by sticking a film 3 with a formed pattern 5 for exposure to a glass plate 2 using an adhesive, the adhesive is a water-soluble adhesive.例文帳に追加

ガラスプレート２に、露光用パターン５を形成したフィルム３を、接着剤を用いて固着してなる露光用マスク１において、前記接着剤が水溶性接着剤であることを特徴とする露光用マスク。 - 特許庁

By aligning an extending direction of a stripe pattern on the mask M to the direction where the viewing angle α of the incident light is large, illuminance can be increased while keeping preferable exposure accuracy.例文帳に追加

マスクＭのストライプパターンの伸びる方向と、入射する光の視角αが大きい方向とを一致させることにより、良好な露光精度を維持した状態で、照度を大きくすることができる。 - 特許庁

A base crystalline layer 12 is formed on the surface of a substrate 11 by growing crystals of a nitride-based III-V compound and a first mask pattern 13 is formed on the surface of the layer 12.例文帳に追加

基体１１の表面に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶を成長させて下地結晶層１２を形成し、下地結晶層１２の表面に第１のマスクパターン１３を形成する。 - 特許庁

The inspection pattern 400 is formed of a light transmission part 420 which is a contact hole and of a phase shifter 410 and exposure is performed by using this mask 100 for semiconductor manufacture to inspect whether there is a dimple.例文帳に追加

検査パターン４００は，コンタクトホールである光透過部４２０と，位相シフタ４１０とで形成し，この半導体製造用マスク１００を用いて露光を行いディンプル発生の有無を検査する。 - 特許庁

An exposed section of the inorganic insulated layer 21 is removed by using a resist layer 23 as a mask to expose the plated substrate film 20, and a film for a metallic thin film pattern is formed on the exposed part by a plating method.例文帳に追加

そして、レジスト層２３をマスクに無機絶縁層２１の露出部位を除去して鍍金下地膜２０を露出させ、該露出部分上に、鍍金法によって金属薄膜パターンを成膜する。 - 特許庁

The fine dot pattern 16 is obtained by introducing a mask material (noble metal, especially gold) into fine pillar pores 14 of a porous film 45 formed on the substrate 11 and then removing the film 45 therefrom.例文帳に追加

微細なドットパターン１６は、基板１１上に形成した多孔質膜４５の柱状の細孔１４内にマスク材料（貴金属、とくに金）を導入した後に多孔質膜４５を除去して得られる。 - 特許庁

Using a resist pattern 4 made on the nitride film 3 as a mask, a first groove 10 surrounded by a thin nitride film 31 and a thick nitride film 32 in its periphery are formed within the nitride film 3.例文帳に追加

窒化膜３上に形成したレジストパターン４をマスクとし、窒化膜３内に、膜厚が薄い窒化膜３１とその周辺の膜厚が厚い窒化膜３２で囲まれる第１の溝１０を形成する。 - 特許庁

The different scattering areas on the mask is capable of forming an SCALPEL pattern on a wafer by improved critical dimensioned(CD) control, reduced aberration feature formation, and improved yield.例文帳に追加

マスク上の異なる散乱領域は、改善されたクリティカル寸法（ＣＤ）制御，低減された収差フィーチャ形成および改善された歩留りで、ＳＣＡＬＰＥＬパターンをウェハ上に形成することを可能にする。 - 特許庁

A silicon oxide film 30 and silicon nitride film 31 are formed on a silicon substrate 28, and with a resist pattern 32 as a mask, a channel region 25 of a transistor is ion-implanted for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

シリコン基板２８上にシリコン酸化膜３０、シリコン窒化膜３１を形成し、レジストパターン３２をマスクとしてトランジスタのチャネル領域２５にしきい値電圧調整用のイオン注入を行う。 - 特許庁

By performing first-stage exposure, the areas F to be irradiated of the photoresist film are irradiated with light by using a phase shift mask formed in a straight line pattern extended in the direction Y in which word lines are extended.例文帳に追加

フォトレジスト膜に第１段階の露光を行い、ワード線の延在方向と同じＹ方向に延在する直線パターンからなる位相シフトマスクを用いて照射領域Ｆに光を照射する。 - 特許庁

By aligning the direction with the large viewing angle with the extending direction of the stripe pattern of the mask M, the use efficiency of light is increased and illuminance on the irradiation face can be increased.例文帳に追加

上記視角が大きい方向とマスクＭのストライプパターンの伸びる方向とを一致させることにより、光の利用効率が上がるとともに、光照射面での照度を高くすることができる。 - 特許庁

An electroluminescence layer is formed by using this apparatus by partially subliming the vapor deposition material by the laser beam, and performing the vapor deposition on the substrate side via a mask with a vapor deposition window arranged in a predetermined pattern.例文帳に追加

この装置を用い、蒸着材料を部分的にレーザで昇華して、所定パターンに蒸着窓を配したマスクを介して基板側に蒸着することにより、発光層を形成する。 - 特許庁

Using a second photo mask provided with a pattern of a nozzle 122, a site for providing the upper wall of the channel forming wall member 120a of the negative photoresist 120 is exposed for hardening by a predetermined thickness.例文帳に追加

次に，ノズル１２２のパターンが設けられた第２フォトマスクを用いて，ネガティブフォトレジスト１２０のうちの流路形成壁体１２０ａの上部壁をなす部位を露光して所定厚さだけ硬化させる。 - 特許庁

Possibility of causing even a small error in the dimension of the gate electrode due to an effect of double exposure an thereby be prevented and high accuracy can be sustained in the mask pattern with regard to the gate electrode.例文帳に追加

２重露光の影響を受けてゲート電極の寸法に僅かであっても誤差を生ずる虞を未然に防止することができ、ゲート電極に関するマスクパターンには高精度を維持させることができる。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

A resist film 75b having a predetermined circuit pattern is formed on an interlayer insulating film 74, and a via 78a is formed in the interlayer insulating film 74 by performing an etching treatment using the resist film 75 as a mask.例文帳に追加

層間絶縁膜７４上に所定の回路パターンを有するレジスト膜７５ｂを形成し、レジスト膜７５ｂをマスクとしてエッチング処理し、層間絶縁膜７４にビア７８ａを形成する。 - 特許庁

The lens pupil information is linked to mask information used to generate a pattern in the resist layer (310), and evaluate or rank the system determined by the parameter of the pair for the lithography treatment (312).例文帳に追加

レンズ瞳情報は、レジスト層内のパターン発生に使用されるマスク情報に結合され（３１０）、リソグラフ処理に対する組みのパラメータで決定のシステムの評価又はランク付けをする（３１２）。 - 特許庁

In the semiconductor substrate with a protective film and an insulating film on the protective film which are formed thereon, the pattern of a mask for removing a part of the insulating film is formed through simulation.例文帳に追加

保護膜と、その保護膜上の絶縁膜とが形成された半導体基板において、その絶縁膜の一部を除去する絶縁膜除去用マスクのパターンをシミュレーションによって形成する。 - 特許庁

Further, defect inspection data wherein the defect inspections ensitivity and defect inspection positions are defined for the specific pattern of the mask having a plurality of inspection areas are prepared and photomask inspection is performed according to the data.例文帳に追加

また、複数の検査領域を有するフォトマスクの所定のパターンに対する欠陥検査感度と欠陥検査位置とを定義した欠陥検査データを用意しこのデータに基づいてフォトマスク検査を行う。 - 特許庁