「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photomask and a method for manufacturing the photomask, which can reduce variance in dimensional errors of a mask pattern width, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the photomask.例文帳に追加

マスクパターンの幅の寸法誤差のばらつきを低減することができる、フォトマスクおよびその製造方法、ならびにフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The precise prediction of the variations in the topography for designing the specific mask is performed at a die level by using the existing pattern density and CMP (Chemical Mechanical Polishing) planarization length characteristics to the individual patterns.例文帳に追加

既知のパターン密度、および個々のパターンに対するＣＭＰ平坦化長特性を使用して、特定のマスク設計用のトポグラフィのばらつきの精確な予測をダイ・レベルで行う。 - 特許庁

Thereafter, with the first resist pattern 51 as a mask, by implanting boron ions through the protective insulating film 13 to the semiconductor substrate 11, a first P well 14 is formed.例文帳に追加

その後、第１のレジストパターン５１をマスクとして、半導体基板１１に、保護絶縁膜１３を介してホウ素イオンを注入することにより第１のＰウエル１４を形成する。 - 特許庁

The resist patterns 4 uses one photo mask to change the thickness by halftone exposure, and the resist patterns for a pixel electrode and that for a gate electrode and a wiring pattern of a matrix circuit are collectively formed.例文帳に追加

レジストパターン４は、１枚のフォトマスクを用いて、ハーフトーン露光で厚みを変え、画素電極２ａ用と、マトリクス回路のゲート電極や配線パターン用とを一括して形成する。 - 特許庁

Then a photoresist 100 is adhered to the upper surface of the film 30 (D) and exposed to light by photolithography by masking the photoresist 100 with a light shielding mask having a prescribed pattern.例文帳に追加

その後、圧電・電歪膜３０上にフォトレジスト１００を付着させ（Ｄ）、フォトリソグラフィ法を用いて、所定のパターンを有する遮光マスクで前記フォトレジスト１００をマスキングし、露光する。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

To provide a position detection device which can detect highly accurately three dimensional position information of, for instance, a mask pattern surface, or an exposure surface of a photosensitive substrate by the simple constitution.例文帳に追加

比較的簡素な構成にしたがって、例えばマスクのパターン面または感光性基板の露光面の三次元的な位置情報を高精度で検出することのできる位置検出装置。 - 特許庁

To improve the dimensional accuracy of a halftone material film pattern of a halftone type phase shift mask manufactured by using a blank having a laminated structure of the halftone material film and a light shielding film.例文帳に追加

ハーフトーン材料膜と遮光膜との積層構造を有するブランクを用いて製造されるハーフトーン型位相シフトマスクにおけるハーフトーン材料膜パターンの寸法精度を向上する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having high sensitivity, wide defocus latitude when zone illumination is used and hardly generating side lobe when a pattern is formed by using a half-tone phase shift mask.例文帳に追加

高感度で、輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

Exposure light is used for allowing the pattern of the mask M to project onto the wafer W, and at the same time the wafer W and exposure light are relatively scanned for exposing an exposure region on the wafer W.例文帳に追加

マスクＭのパターンを露光光を用いてウエハＷ上に投影するとともにウエハＷと露光光を相対走査してウエハＷ上の露光領域を露光する。 - 特許庁

To provide a method of correcting an optical proximity which improves speed and accuracy in calculating a wide area of mask pattern to correct the optical proximity effect.例文帳に追加

光近接効果を補正するために大領域のマスクパターンの像計算を高速かつ精度よく行うことができる光近接効果補正の方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To output a high-resolution image at high speed in a condition that texture due to a mask pattern used in multipulse recording is not noticeable even employing a multipulse recording method and a column thinning recording method.例文帳に追加

マルチパス記録方法とカラム間引き記録方法を採用しつつも、マルチパス記録で用いるマスクパターンによるテクスチャが目立たない状態で、高解像度な画像を高速に出力する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed circuit board which can reduce lead time and cut manufacturing cost by forming a circuit pattern of conductive paste using a mask.例文帳に追加

マスクを利用して導電性ペーストで回路パターンを形成することにより、リードタイムを短縮し、製造コストを低減することができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a pattern of arbitrary size including a size less than resolution in an arbitrary shape through exposure using one mask realizing phase shift effect.例文帳に追加

位相シフト効果を実現する１枚のマスクを用いた露光によって、解像度程度以下の寸法を含む任意の寸法のパターンを任意の形状について形成できるようにする。 - 特許庁

To perform highly accurate processing in which punch-through of resist and striation due to resist damage are suppressed, in pattern formation by dry etching using a resist after the generation of ArF lithography as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において、レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

If a predetermined condition is met, the recording means 14 stops storage of the compression-coded data, and the MPEG encoder 13 compression-encodes the motion image on which the mask pattern is superimposed.例文帳に追加

所定条件が成立すると、記録手段（１４）への圧縮符号化データの記憶を停止し、ＭＰＥＧエンコーダ１３は、マスクパターンが重畳された動画像を圧縮符号化する。 - 特許庁

The resist film 16 is subjected to pattern exposure in a photolithography process, alkaline development is made by alkaline liquid, the resist film 16 and the internal oxide film 15 are isotropically fused for removing, and a mask 17 is formed.例文帳に追加

レジスト膜16をフォトリソグラフィ工程で、パターン露光し、アルカリ液でアルカリ現像し、等方的にレジスト膜16および内部の酸化膜15までを溶融して除去させ、マスク17を形成する。 - 特許庁

This scanner characteristic evaluating device is characterized in that when receiving irradiation of a laser beam, a mask 62 of a chrome film is arranged on a color glass filter 61 having a property of emitting fluorescence, and a regular test pattern 63 for exposing the color glass filter is formed by an opening part of the mask.例文帳に追加

レーザ光の照射を受けると、蛍光を放出する性質を有する色ガラスフィルタ６１上に、クロム膜のマスク６２が設けられ、マスクの開口部によって、色ガラスフィルタが露出される規則的なテストパターン６３が形成されたことを特徴とするスキャナの特性評価用デバイス。 - 特許庁

A blank 10 with a light shielding film 21 and a regist layer 31 formed on a transparent substrate 11 is prepared, a mask 20 having a light shielding pattern 21a and transmission regions 22 formed on the transparent substrate 11 is produced by carrying out a series of patterning procedures, and the mask 20 is inspected and corrected.例文帳に追加

透明基板１１上に遮光膜２１及びレジスト層３１が形成されたブランク１０を準備し、一連のパターニング処理を行って、透明基板１１上に遮光パターン２１ａ及び透過領域２２が形成されたマスク２０を作製し、マスク２０の検査、修正を行う。 - 特許庁

Based on an image (inspection image data 102) obtained by imaging a substrate under inspection, the generating part 201 performs outline smoothing process for a pad pattern to be inspected and generates inspection mask data 103 by finding a logical sum of reference mask data 101 generated by the generating part 200.例文帳に追加

検査マスク生成部２０１が検査対象基板を撮像した画像（検査画像データ１０２）に基づいて、検査すべきパッドパターンに対して輪郭平滑化処理を行い、基準マスク生成部２００により生成された基準マスクデータ１０１との論理和をとって、検査マスクデータ１０３を生成する。 - 特許庁

This alignment mark is formed in a manner whereby a a first film (insulating film) 2 transparent to light for mask alignment is formed on the prescribed region of a semiconductor substrate, and a second film (conductive film) 4 which is formed like a diffraction grating pattern composed of islands and provided on the first film 2 to reflect the mask aligning light.例文帳に追加

半導体基板１上の所定の領域に、マスク合わせ用の光に対して透明性の第１の膜（絶縁膜２）を形成し、その第１の膜上に、複数の島状体からなる回折格子パターンで、マスク合わせ用の光を反射する第２の膜（導電膜４）を形成する。 - 特許庁

To provide a photomask that can decrease changes in a polarization state of exposure light induced by the mask itself and transfer a preferable fine image onto a wafer in photolithography with a 45 nm half pitch node or further advanced techniques, and to provide a method for easily manufacturing the mask and a pattern forming method using the photomask.例文帳に追加

ハーフピッチ４５ｎｍノード以降のフォトリソグラフィにおいて、マスク自身により誘引される露光光の偏光状態の変化を緩和し、良好な微細画像をウェハ上に形成するためのフォトマスク、および簡易なその製造方法、さらに、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a MISFETQ, although the mask 10 is used to expose a gate electrode pattern having a larger gate length Lg, similarly the mask 20 is used to expose a connecting interconnection section which has a fine interconnection width Wj and a contact section having a contact width Wp.例文帳に追加

MISFETＱにおいて、レベンソン位相シフトマスク１０は最も微細なゲート長Ｌｇを持つゲート電極のパターンを露光し、ハーフトーン位相シフトマスク２０はゲート長Ｌｇよりは大きいが同様に微細な配線幅Ｗｊを持つ接続配線部、コンタクト幅Ｗｐを持つコンタクト部を露光する。 - 特許庁

A plurality of first sacrificial patterns are formed on the first hard mask layer 20, and a second hard mask 40 layer having a top surface in which a recess is formed is formed between adjacent two first sacrificial patterns out of the first sacrificial patterns, and a second sacrificial pattern is formed in the recess.例文帳に追加

第１ハードマスク層２０上に複数の第１犠牲パターンを形成し、第１犠牲パターンのうち相互隣接した２個の第１犠牲パターン間にリセスの形成された上面を有する第２ハードマスク４０層を形成し、リセス内に第２犠牲パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a phase shift mask by which an etched state of the surface of a quartz substrate as the base is decreased and a rough surface or production of a rough pattern are suppressed when etching of a coating film consisting of a phase shift mask material such as oxide nitride of molybdenum silicon is completed.例文帳に追加

モリブデン−シリコンの酸窒化物のような位相シフトマスク材料からなる被膜のエッチング終了後における下地である石英基板表面のエッチングを低減して表面荒れや凹凸の発生を抑制した位相シフトマスクの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In the optical path of the lighting optical system, the illuminating light projected upon the mask 27 is transformed to at least two luminous fluxes, which are inclined by the angles which vary depending upon the fineness of the pattern by means of a luminous flux transforming member 12 provided at a position, which is nearly conjugate to the mask 27 or its vicinity.例文帳に追加

そして、照明光学系の光路中で、マスクと略共役な位置またはその近傍に設けられる光束変換部材１２によって、マスクに照射する照明光を、パターンの微細度に応じて決まる角度だけ傾いた少なくとも２つの光束に変換する。 - 特許庁

Subsequently, the glass substrate 21 is turned over and the back surface 21b is exposed upward, and a second mask 32 is arranged while aligned with the glass substrate 21 so that alignment marks 43 and 44 match the cut 22, before carrying out lithographic patterning on the back surface 21b of the glass substrate 21 according to a second mask pattern 42.例文帳に追加

そして、ガラス基板２１を裏返し、ウラ面２１ｂを上方に露呈させ、アライメントマーク４３，４４が切り欠き２２に合致するように第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに第２マスクパターン４２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 - 特許庁

Immediately after a resist pattern 2a having light shielding property against exposure light and consisting of an electron beam-sensitive resist film 2 is formed by patterning the electron beam-sensitive resist film 2 applied on the principal face of a mask substrate 1, a pellicle PE is mounted on the principal face of the mask substrate 1.例文帳に追加

マスク基板１の主面上に塗布された電子線感応レジスト膜２をパターニングすることにより、電子線感応レジスト膜２からなり露光光に対して遮光性を有するレジストパターン２ａを形成した直後にマスク基板１の主面にペリクルＰＥを装着する。 - 特許庁

A light emission film pattern 20 having a forming width Wp1 larger than the aperture width Wm1 of an aperture 7U made in the mask 7 by making use of the phenomenon that a film deposition substance emitted from the film deposition source 2 passes through the aperture 7U in the mask 7, and then, diffuses.例文帳に追加

成膜源２から放出された成膜物質がマスク７の開口７Ｕを通過したのち拡散する現象を利用して、マスク７に設けられた開口７Ｕの開口幅Ｗｍ１よりも大きな形成幅Ｗｐ１を有する発光膜パターン２０を形成することが可能になる。 - 特許庁

In the printing mask 19 used when printing the resist, the printing mask 19 has an opening portion 29 for allowing the resist formed in a printed pattern pass through and a blocking portions 28 for not allowing the resist pass through in one sheet, a plurality of holes are arranged in the opening portion 29.例文帳に追加

レジストを印刷するときに用いる印刷マスク１９に係り、印刷マスク１９は、１枚のシートにおいて、印刷形状に形成されレジストを通過させる開口部２９と、レジストを通過させない遮蔽部２８と、を有し、開口部２９には複数の孔が配置されている。 - 特許庁

The temperature controller 30 calculates a magnification error on transferring a mask pattern onto a work by exposure based on the temperature change of the mask, calculates necessary calorie to be added to the work stage to correct the magnification error, and sends a control command value in accordance with the necessary calorie to the heating controlling device.例文帳に追加

温度コントローラ３０は、マスクの温度変化に基づいてマスクのパターンをワークに露光転写する際の倍率誤差を算出し、この倍率誤差を補正することが可能なワークステージに加えるべき必要熱量を算出し、この必要熱量に応じた制御指令値を加熱制御装置に送る。 - 特許庁

A testing circuit to determine whether the mask that has been used to from the source/drain and gate electrode of a transistor, contact and wiring of each layer thereof is correct or not is formed within a chip or in the scribe region, and this circuit is then coupled with formation of the pattern of mask used.例文帳に追加

トランジスタのソース・ドレイン、ゲート電極とその上各層のコンタクトと配線を形成する際に使用したマスクが正しい物か否かを判定する為の試験回路をチップ内又はスクライブ領域に形成しておき、この回路を使用マスクのパターン形成により連結される。 - 特許庁

The structure of the gray level can be worked by controlling the quantity of exposure transmitting the binary mask 60 on the basis of the area ratio of ON/OFF of the dots 61 and exposing a worked body by density corresponding to the area ratio without faithfully reproducing the pattern of dots 61 of the mask 60.例文帳に追加

このドット６１のオン・オフの面積比率により、２値マスク６０を透過する露光量を制御することにより、マスク６０のドット６１のパターンを忠実に再現するのではなく、面積比率に対応した濃淡で被加工体を露光し、グレーレベルの構造を加工することができる。 - 特許庁

The method exposes the photo-resist layer to a pattern image, develops the photo-resist being exposed by using a developer, eliminates a part of the photo-resist not being exposed, and specifies a mask that includes the mask feature with a narrower width than the width of features being processed by another method.例文帳に追加

また、この方法は、フォトレジスト層をパターン像に露出させ、現像剤を用いて露出させたフォトレジスト層を現像し、現像していないフォトレジスト部分を除去して、アルミニウム層に隣接して、別の方法で生成されるよりも狭い幅を有するマスク・フィーチャを含むマスクを規定することを含む。 - 特許庁

Using an exclusive mask wherein test patterns having a same shape and a same size are plurally and repeatedly arranged in the mask blanks corresponding to the chip region, a resist pattern is formed by the processing procedure after the exposure processing of the photoresist on a product wafer changing a focal position for every shot.例文帳に追加

同一形状で且つ同一寸法のテストパターンがチップ領域に対応するマスクブランクス内で複数繰り返し配置された専用マスクを用いて、ショット毎にフォーカス位置を変えながら製品ウエーハ上のフォトレジストを露光処理し、現像処理してレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The mask M is provided with small-sized masks M1 to M4, and the mask stage 1 retains a plurality of small-sized masks M1 to M4, such that the sum of effective exposure area of the plurality of small-size masks M1 to M4 becomes larger than the area of one complete pattern which is exposed and transferred to the substrate W.例文帳に追加

マスクＭは複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４を備え、且つ、マスクステージ１は、複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４の有効露光面積の合計が基板Ｗに露光転写される１つの完成パターンの面積よりも大きくなるように、複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４を保持する。 - 特許庁

Using as a mask the mask pattern for selective growth, the imbedding layer is made to selectively grow under the conditions growing sideways from the side face of the mesa extending in the second direction opposite from the first direction with the first boundary position as a reference, with the front face of the growth becoming a slope.例文帳に追加

選択成長用マスクパターンをマスクとして用い、第１の境界位置を基準として第１の向きとは反対の第２の向きに向かって延びるメサの側面から側方に向かって成長し、成長の前面が斜面になる条件で埋込層を選択成長させる。 - 特許庁

In order to form an opening of a solder resist layer by a photolithography process employing photosensitive resin, the inside diameter D' of the opening of the solder resist layer reflected on CAD data is converted, as CAM data, into the outside diameter D_0 of a mask pattern for the opening of an exposure mask for photolithography.例文帳に追加

感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー工程によりソルダーレジスト層の開口を形成するために、ＣＡＤデータに反映されたソルダーレジスト層の開口内径Ｄ’を、フォトリソグラフィー用露光マスクの開口用マスクパターン外径Ｄ_０に、ＣＡＭデータとして変換する。 - 特許庁

To provide an exposing mask prevented from being damaged due to the electrification of an object to be exposed at the time of exposure and capable of preventing the positional accuracy and resolution of an exposure pattern from being deteriorated due to vibration, a method for manufacturing the exposing mask, an exposing method, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

露光時に、露光対象の帯電に起因する露光用マスクの破損の心配がなく、振動による露光パターンの位置精度や解像度の劣化がない露光用マスクとその製造方法及び露光方法、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a practical method for forming a resist pattern by a PCM (portable comfortable mask) method which can be carried out with electron beams and which uses a specified material as an upper layer material having a high absorption wavelength range to be able to give a mask at the time of exposure of a lower layer and hardly producing a mixing region with the lower layer film.例文帳に追加

電子線で行なうことができ、下層の露光時にマスクとなり得る高い吸収波長帯を有し、下層膜との間にミキシング等を形成しにくい特定の材料を上層材料として用いたＰＣＭ法による実用的なレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the device which allows the squeezing of the cream solder into openings of a metal mask using a squeegee installed on the metal mask and transfers the cream solder to a pattern of the substrate 3, a plurality of the substrates 3 are arranged on the multi-piece fitting plate 2 and the cream solder is collectively applied to the substrates 3 on the plate 2.例文帳に追加

メタルマスク上のスキージによりクリーム半田をメタルマスクの開口部へ押し込み、該クリーム半田を基板３のパターン上へ転写する装置において、基板３を複数取りでのプレート２に複数配置し、基板３をプレート２上に一括して塗布してなるものである。 - 特許庁

A reflection type exposure mask comprises a substrate 11, a reflective layer 14 and a mask pattern 15 formed on a first surface side of the substrate 11, a conductive film 12 formed on a second surface side of the substrate 11, and an elastically deformable body 13 formed in a part of a region on the conductive film 12.例文帳に追加

基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。 - 特許庁

Thereby, the visual inspection of a multiple layers phase defect becomes possible by an easy and practical through-put in a hole pattern which cannot be inspected easily by a mask inspection, and the yield is improved by supplying a defect free mask which is performed with a defective relief according to classification of the cause of failure.例文帳に追加

これにより、マスク検査では容易に検査できないホールパターンにおける、多層膜位相欠陥を容易かつ実用的なスループットで外観検査が可能となり、欠陥の原因の分類に応じた欠陥救済を行った無欠陥マスクを供給することで歩留まりが向上する。 - 特許庁

The image enhancing mask 6 has a semi-light-shielding mask pattern formed of the semi-light-shielding portion 8 which transmits the exposure light in the same phase with a translucent part 7 as a reference and the phase shifter 9 which transmits the exposure light in the opposite phase with the translucent part 7 as a reference.例文帳に追加

イメージ強調マスク６においては、透光部７を基準として露光光を同位相で透過させる半遮光部８と、透光部７を基準として露光光を反対位相で透過させる位相シフター９とによって、遮光性を有するマスクパターンが構成されている。 - 特許庁

The metal mask comprises a mask board 11 made of a metal thin plate, a paste passage hole 12 opened according to a predetermined pattern on the board 11, and a target mark 16 for aligning at the time of printing formed on the board in a predetermined positional relation to the holes 12.例文帳に追加

メタルマスクは、金属薄板からなるマスク基板１１と、このマスク基板１１に所定の印刷パターンに従って穿孔されたペースト通過孔１２と、このペースト通過孔１２に対して所定の位置関係でマスク基板１１上に形成された印刷時の位置合わせ用のターゲットマーク１６とを有する。 - 特許庁