「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

The resist film 102 is irradiated via the water-soluble film 103 with exposure light 105 from a KrF excimer laser having 0.68 NA through a mask 104 to carry out pattern exposure.例文帳に追加

続いて、ＮＡが０．６８であるＫｒＦエキシマレーザよりなり、マスク１０４を透過した露光光１０５を水溶性膜１０３を介してレジスト膜１０２に照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁

The mask blank with the pattern drawn is conveyed through a vacuum conveyance passage 105 maintained in a vacuum state into a heat treating chamber 110a in a vacuum state of a heat treating means 110.例文帳に追加

描画後のマスクブランクを真空状態に保持された真空搬送路１０５内を通して熱処理手段１１０の真空状態にある熱処理チャンバ１１０ａ内に搬送する。 - 特許庁

The mask for inspection of an exposure device of an embodiment includes a substrate 10 having a principal surface which reflects exposure light, and a first pattern 60a provided on the principal surface.例文帳に追加

実施形態によれば、露光光に対して反射性の主面を有する基板１０と、主面に設けられた第１パターン部６０ａと、を備えた露光装置検査用マスクが提供される。 - 特許庁

An etching mask, comprising a profiling pattern of a gate electrode 9, a source contact 12, a drain contact 13, and a counter-electrode contact, is formed on a substrate of semi-conductor on insulator type.例文帳に追加

ゲート電極９ソースコンタクト１２，ドレインコンタクト１３、および対向電極コンタクトの輪郭描写パターンを含むエッチングマスクが、セミコンダクタ・オン・インシュレータ型の基板上に形成される。 - 特許庁

Since the rough surface R is formed on the surface of the second p-clad layer 6, the degree of progress in etching can be kept generally the same, and mask pattern-based etching is possible.例文帳に追加

粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 - 特許庁

The insulation film 39 includes: a first part 39a film-formed on the mask 35a; and a second part 39b film-formed on the pattern-formed group-III nitride semiconductor region 33c.例文帳に追加

絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。 - 特許庁

A solder resist hole 11a is formed in the solder mask 11, a partial copper wiring pattern 12 is exposed therefrom, and a position of an electrical contact of wire bonding or solder ball is settled.例文帳に追加

はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤボンディングまたははんだボールの電気接点の位置を定めている。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method capable of increasing symmetry of the shape of a sidewall and improving processing accuracy when etching a target etching film, in SWP.例文帳に追加

ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

To provide a mask data generating method for easily confirming whether an optical proximity effect correction pattern is automatically generated or not in the prescribed part of an arbitrary layer.例文帳に追加

任意のレイヤーの所定の箇所において、光学近接効果補正パターンが自動発生されたか否かを簡単に確認することができるマスクデータ作成方法等を提供する。 - 特許庁

To eliminate adverse effects on the positional precision of a pattern caused by radiant heat as much as possible with respect to a mask for vapor deposition, and to allow it to cope with high precision patterning.例文帳に追加

蒸着用マスクにおいて、輻射熱によるパターン位置精度に対する悪影響を極力排除することができ、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

In a process of exposure, the mask pattern is imprinted to the sensitization material in a state that an aberration of the projection system of the exposing device is adjusted with the combined coma aberration value and the spherical aberration value.例文帳に追加

露光においては、露光装置の投影系の収差を、組み合わせにおけるコマ収差の値と球面収差の値とに調整した状態で、マスクパターンを、感光材に転写する。 - 特許庁

A resist is applied onto the Ni foil, a mask pattern is transcription-exposed thereto, and a portion other than an exposed portion is dissolved and removed to form the Ni foil resistor 11 of a prescribed shape and the pad part 13.例文帳に追加

さらにＮｉ箔にレジストを塗布してマスクパターンを転写露光し、露光された部分以外を溶解除去して所定形状のＮｉ箔抵抗体１１とパッド部１３を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加

ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁

To develop an exposure apparatus for effectively partly purging an exposure optical path in the apparatus with an inert gas for emitting a pattern of a mask to a photosensitive substrate via a projection optical system.例文帳に追加

マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の露光光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

For example, a control of a trimming amount of the line width of the photoresist 105b is performed so that the line width of the photoresist 105b may be the same as the line width of the mask pattern constituted by the SiO_2 layer 103.例文帳に追加

例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ_2層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

Subsequently, the nonsensitized part 13b of the photoresist 13 is removed through development and cleaning, and the layer 12 to be machined is etched using the pattern transfer part 13a of the photoresist 13 as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１３の非感光部１３ｂを現像及び洗浄により除去し、フォトレジスト１３のパタン転写部１３ａをマスクとして加工対象層１２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a forming method of a fluorescent screen for a cathode-ray tube enabled to pattern a pigment layer without detaching a shadow mask and doing without exposure for forming the pigment layer.例文帳に追加

シャドウマスクを脱着することなく、顔料層のパターニングを行えると共に、顔料層を形成するために露光を必要としない陰極線管の蛍光面の形成方法を提供する。 - 特許庁

A microcrystal silicon film 2 and a chromium film 3 are formed in sequence on an insulating film 1 as a base, and they are wet-etched while a resist 4 is being used as a mask, so as to pattern the chromium film 3.例文帳に追加

下地となる絶縁膜１上に、微結晶シリコン膜２とクロム膜３とを順に成膜し、レジスト４をマスクとして、ウェットエッチングを行い、クロム膜３をパターニングする。 - 特許庁

To minimize total length of boundary lines for main fields and sub- fields formed in an effective pattern region in a semiconductor device or in a mask for photolithography.例文帳に追加

本発明は半導体装置または写真製版用マスクに関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を最短化することを目的とする。 - 特許庁

Then, a circuit pattern is laid out and at least one pad is installed on the organic substrate, and the surface of the substrate is covered with a solder mask layer, and the pad is exposed in a patterned state.例文帳に追加

該有機基板には回路パターンがレイアウトされ、少なくとも一つのパッドが設けられ、該基板の表面がソルダマスク層で被覆され、並びにパターン化されて該パッドが露出させられている。 - 特許庁

To sufficiently assure lithography process tolerance, such as exposure tolerance and depth of focus, while reducing the line width difference by the pattern density of resist patterns without exerting load on manufacturing a mask.例文帳に追加

マスクの製造に負荷をかけることなく、レジストパターンのパターン密度による線幅差を縮小しつつ、露光裕度および焦点深度などのリソグラフィプロセス裕度を十分に確保する。 - 特許庁

CORRECTION METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR PATTERN DIMENSION BY USING OPC, MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY USING THIS CORRECTION METHOD, AND SYSTEM AND PROGRAM TO EXECUTE THIS CORRECTION METHOD例文帳に追加

ＯＰＣを用いたパターン寸法の補正方法及び検証方法、該補正方法を用いて作成されたマスク及び半導体装置、並びに該補正方法を実行するシステム及びプログラム - 特許庁

Then a resist layer 16 of specified pattern is formed on the surface of the surface oxide film 14, and the surface oxide film 14 and the nitride film 21 are etched through the mask of the resist layer 16.例文帳に追加

次いで表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成し、レジスト層１６をマスクにして表面酸化膜１４及び窒化膜２１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a glass mask for exposure with which a substrate can be exposed to a plurality of patterns by a single exposure even when the pattern is large in size and therefore, the cost of exposure can be reduced.例文帳に追加

パターンが大型であっても、一回の露光で複数分のパターンを基材に露光することができ、その結果、露光のコストを低減することができる露光用ガラスマスクの提供。 - 特許庁

A porous insulating film and an insulating film are formed on a silicon substrate, and a resist pattern for interconnection formation is formed with a hard mask cover film for covering a periphery of the silicon substrate interposed therebetween.例文帳に追加

シリコン基板上に多孔質絶縁膜及び絶縁膜を形成し、シリコン基板の周辺部をカバーするためのハードマスクカバー膜を介して配線形成用のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The shape (light source shape) of an illuminating light source is set (S206) by controlling a spatial optical modulator 3S based upon designs of the illuminating light source and a mask pattern obtained through optimization calculation for optimizing the illuminating light source.例文帳に追加

照明光源及びマスクパターンの設計に基づいて空間光変調器３Ｓを制御することにより、照明光源の形状（光源形状）が設定される(ステップ２０６)。 - 特許庁

To provide an exposure device that adjusts light intensity distribution of a radiated beam to irradiate a mask with, and is conducive to properly forming a pattern on a substrate; and to provide an exposure method and method for manufacturing a device.例文帳に追加

マスクを照射する放射ビームの光強度分布を調整し、基板への適切なパターン形成に貢献できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resin film 15 is bonded from the pattern transferring film 17 onto a member to be worked to separate the same from the base film 16 whereby the functional mask is formed on the member to be worked.例文帳に追加

このパターン転写フィルム１７から、被加工部材上に樹脂膜１５を接着し、ベースフィルム１６を剥離することにより、被加工部材上に機能性マスクを形成する。 - 特許庁

An AND circuit 8 performs the AND operation of the output data D6 and the mask data D7, and outputs an AND operation result D8 (masked output pattern data) to a set latch 9.例文帳に追加

ＡＮＤ回路８は出力データＤ６とマスクデータＤ７とのＡＮＤ演算処理を行ってＡＮＤ演算結果Ｄ８（マスク処理済み出力パターンデータ）をセットラッチ９に出力する。 - 特許庁

A mask defect inspecting machine obtains EB data 3 (after SUB) corresponding to OPC pattern parts by SUB-calculating the EB data 1 before OPC from the EB data 2 after optical proximity effect correction (OPC).例文帳に追加

光学近接効果補正（ＯＰＣ）後のＥＢデータ２からＯＰＣ前のＥＢデータ１をＳＵＢ演算して、ＯＰＣパターン部分に対応するＥＢデータ（ＳＵＢ後）３を得る。 - 特許庁

After ink 12 is supplied to an outer peripheral face 2a1 of a raw material 2a' of a shaft member with ink jetting to form a masking pattern 1, the material surface of a non-mask part 1b is removed by etching.例文帳に追加

軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１にインクジェット法によりインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面をエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing method for obtaining a selection region at the beginning of design without losing the similarity of a design value even in the transfer of a fined mask pattern.例文帳に追加

微細化されたマスクパターンの転写においても、設計値との相似性を損なうことなく、設計当初の選択領域が得られる半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, an exposure parameter is changed (S3) to obtain a distance between the centers of gravity of a chief opening in a resist pattern and a second opening in the case of exposure using the half tone type phase shift mask (S4).例文帳に追加

露光パラメータを変化させて（Ｓ３）、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンにおける主開口と第２開口との重心間距離を求める（Ｓ４）。 - 特許庁

To provide a resist material improved in resolution and excellent in resistance to surface roughness and side lobes at the time of using a halftone mask, and a pattern forming method using the resist material.例文帳に追加

解像性を大きく改善し、かつハーフトーンマスク使用時の表面荒れやサイドローブに対する耐性が優れたレジスト材料、及びレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display in which a position shift after positioning of a mask and a substrate is controlled and a pattern deposition of an organic compound layer of an organic light emitting element can be made in a high resolution.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイの製造において、マスクと基板とを位置合わせした後の位置ずれを抑制し、有機発光素子の有機化合物層を高解像度でパターン成膜する。 - 特許庁

To form a pattern in a desired dimension including a dimension smaller than resolution and in a desired shape by exposure using a single mask realizing a phase shift effect.例文帳に追加

位相シフト効果を実現する１枚のマスクを用いた露光によって、解像度程度以下の寸法を含む任意の寸法のパターンを任意の形状について形成できるようにする。 - 特許庁

A first resist film 102 is formed on a substrate 101, and a first pattern exposure which irradiates exposing light on the first resist film 102 through a first mask 103A is carried out.例文帳に追加

基板１０１の上に第１のレジスト膜１０２を形成し、第１のレジスト膜１０２に第１のマスク１０３Ａを介した露光光を照射する第１のパターン露光を行う。 - 特許庁

In this method of creation, since the same mask pattern is exclusive-ORed twice, original data is restored; and an original design image is displayed on the completed QR code image.例文帳に追加

この作成方式によれば、同一マスクパターンの排他的論理和が２回とられるので元データが復元され、完成したＱＲコード画像上に元のデザイン画像が表示される。 - 特許庁

It is then developed to form a negative resist pattern which is used as a mask for etching a first conductive layer thus forming a first metallization layer 11a.例文帳に追加

その後、現像処理を施すことによりネガレジストパターンを形成し、これをマスクとして第１導電層にエッチングを施すことにより第１金属配線層１１ａを形成する。 - 特許庁

The metal mask 1 is provided by forming a carving pattern opening 3 in a metallic substrate 2, and the small hole for the identification mark is additionally formed in a place except for a manufacturing place.例文帳に追加

メタルマスク１は、金属製基板２に刻印用のパターン開口３を形成してなるもので、製作場所以外の場所で、追加的に識別マーク用の小孔が形成される。 - 特許庁

A code corresponding to the mask pattern is allocated to the block, and respective blocks are transferred from a second data transfer part 25 to a software processing part 3 by predetermined order and timing following transfer rule information.例文帳に追加

そして、このマスクパターンに応じた符号を割り当て、第２データ転送部２５から転送ルール情報に則った所定の順序とタイミングでソフトウェア処理部３に転送する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask for solder printing which ensures good releasability of solder and can accurately transfer creamy solder even to the top of an ultrafine circuit pattern having several μm line width.例文帳に追加

半田の抜け性が良好で、線幅が数μｍオーダーの超微細回路パターン上にも正確にクリーム半田を転写可能な半田印刷用マスクの製造方法を確立する。 - 特許庁

A predetermined mask 53 is arranged oppositely to the surface of the resist layer 52 to expose it to light, thereafter the resist layer 52 is removed, and the resist layer 52 is etched to form a predetermined conductor pattern.例文帳に追加

レジスト層５２の表面に所定のマスク５３を対向配置して露光感光させ、その後にレジスト層５２を除去し、さらにレジスト層５２をエッチングして所定の導体パターンを形成する。 - 特許庁