「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

The mask for inspection of an exposure device of an embodiment includes a substrate 10 having a principal surface which reflects exposure light, and a first pattern 60a provided on the principal surface.例文帳に追加

実施形態によれば、露光光に対して反射性の主面を有する基板１０と、主面に設けられた第１パターン部６０ａと、を備えた露光装置検査用マスクが提供される。 - 特許庁

An etching mask, comprising a profiling pattern of a gate electrode 9, a source contact 12, a drain contact 13, and a counter-electrode contact, is formed on a substrate of semi-conductor on insulator type.例文帳に追加

ゲート電極９ソースコンタクト１２，ドレインコンタクト１３、および対向電極コンタクトの輪郭描写パターンを含むエッチングマスクが、セミコンダクタ・オン・インシュレータ型の基板上に形成される。 - 特許庁

Since the rough surface R is formed on the surface of the second p-clad layer 6, the degree of progress in etching can be kept generally the same, and mask pattern-based etching is possible.例文帳に追加

粗面Ｒが第２ｐクラッド層６の表面に形成されているので、エッチングの際の進行度合いをほぼ同じとすることができ、マスクパターンに忠実なエッチングが可能となる。 - 特許庁

A solder resist hole 11a is formed in the solder mask 11, a partial copper wiring pattern 12 is exposed therefrom, and a position of an electrical contact of wire bonding or solder ball is settled.例文帳に追加

はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤボンディングまたははんだボールの電気接点の位置を定めている。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method capable of increasing symmetry of the shape of a sidewall and improving processing accuracy when etching a target etching film, in SWP.例文帳に追加

ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The insulation film 39 includes: a first part 39a film-formed on the mask 35a; and a second part 39b film-formed on the pattern-formed group-III nitride semiconductor region 33c.例文帳に追加

絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。 - 特許庁

To provide a mask data generating method for easily confirming whether an optical proximity effect correction pattern is automatically generated or not in the prescribed part of an arbitrary layer.例文帳に追加

任意のレイヤーの所定の箇所において、光学近接効果補正パターンが自動発生されたか否かを簡単に確認することができるマスクデータ作成方法等を提供する。 - 特許庁

To eliminate adverse effects on the positional precision of a pattern caused by radiant heat as much as possible with respect to a mask for vapor deposition, and to allow it to cope with high precision patterning.例文帳に追加

蒸着用マスクにおいて、輻射熱によるパターン位置精度に対する悪影響を極力排除することができ、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

A resist is applied onto the Ni foil, a mask pattern is transcription-exposed thereto, and a portion other than an exposed portion is dissolved and removed to form the Ni foil resistor 11 of a prescribed shape and the pad part 13.例文帳に追加

さらにＮｉ箔にレジストを塗布してマスクパターンを転写露光し、露光された部分以外を溶解除去して所定形状のＮｉ箔抵抗体１１とパッド部１３を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

In a process of exposure, the mask pattern is imprinted to the sensitization material in a state that an aberration of the projection system of the exposing device is adjusted with the combined coma aberration value and the spherical aberration value.例文帳に追加

露光においては、露光装置の投影系の収差を、組み合わせにおけるコマ収差の値と球面収差の値とに調整した状態で、マスクパターンを、感光材に転写する。 - 特許庁

The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加

ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁

To develop an exposure apparatus for effectively partly purging an exposure optical path in the apparatus with an inert gas for emitting a pattern of a mask to a photosensitive substrate via a projection optical system.例文帳に追加

マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の露光光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。 - 特許庁

For example, a control of a trimming amount of the line width of the photoresist 105b is performed so that the line width of the photoresist 105b may be the same as the line width of the mask pattern constituted by the SiO_2 layer 103.例文帳に追加

例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ_2層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 - 特許庁

Following the etching of the upper dielectric layer, a metal selectively grows on each of exposed part of the metal layer to obtain an inverted mask pattern consisting of the selective metal growth.例文帳に追加

上側誘電体層のエッチングに続いて金属層の各露出した部分に選択的金属成長を適用して選択的金属成長からなる反転されたマスク・パターンが得られる。 - 特許庁

Subsequently, the nonsensitized part 13b of the photoresist 13 is removed through development and cleaning, and the layer 12 to be machined is etched using the pattern transfer part 13a of the photoresist 13 as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１３の非感光部１３ｂを現像及び洗浄により除去し、フォトレジスト１３のパタン転写部１３ａをマスクとして加工対象層１２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a forming method of a fluorescent screen for a cathode-ray tube enabled to pattern a pigment layer without detaching a shadow mask and doing without exposure for forming the pigment layer.例文帳に追加

シャドウマスクを脱着することなく、顔料層のパターニングを行えると共に、顔料層を形成するために露光を必要としない陰極線管の蛍光面の形成方法を提供する。 - 特許庁

A microcrystal silicon film 2 and a chromium film 3 are formed in sequence on an insulating film 1 as a base, and they are wet-etched while a resist 4 is being used as a mask, so as to pattern the chromium film 3.例文帳に追加

下地となる絶縁膜１上に、微結晶シリコン膜２とクロム膜３とを順に成膜し、レジスト４をマスクとして、ウェットエッチングを行い、クロム膜３をパターニングする。 - 特許庁

To minimize total length of boundary lines for main fields and sub- fields formed in an effective pattern region in a semiconductor device or in a mask for photolithography.例文帳に追加

本発明は半導体装置または写真製版用マスクに関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を最短化することを目的とする。 - 特許庁

Then, a circuit pattern is laid out and at least one pad is installed on the organic substrate, and the surface of the substrate is covered with a solder mask layer, and the pad is exposed in a patterned state.例文帳に追加

該有機基板には回路パターンがレイアウトされ、少なくとも一つのパッドが設けられ、該基板の表面がソルダマスク層で被覆され、並びにパターン化されて該パッドが露出させられている。 - 特許庁

To sufficiently assure lithography process tolerance, such as exposure tolerance and depth of focus, while reducing the line width difference by the pattern density of resist patterns without exerting load on manufacturing a mask.例文帳に追加

マスクの製造に負荷をかけることなく、レジストパターンのパターン密度による線幅差を縮小しつつ、露光裕度および焦点深度などのリソグラフィプロセス裕度を十分に確保する。 - 特許庁

CORRECTION METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR PATTERN DIMENSION BY USING OPC, MASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY USING THIS CORRECTION METHOD, AND SYSTEM AND PROGRAM TO EXECUTE THIS CORRECTION METHOD例文帳に追加

ＯＰＣを用いたパターン寸法の補正方法及び検証方法、該補正方法を用いて作成されたマスク及び半導体装置、並びに該補正方法を実行するシステム及びプログラム - 特許庁

Then a resist layer 16 of specified pattern is formed on the surface of the surface oxide film 14, and the surface oxide film 14 and the nitride film 21 are etched through the mask of the resist layer 16.例文帳に追加

次いで表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成し、レジスト層１６をマスクにして表面酸化膜１４及び窒化膜２１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a glass mask for exposure with which a substrate can be exposed to a plurality of patterns by a single exposure even when the pattern is large in size and therefore, the cost of exposure can be reduced.例文帳に追加

パターンが大型であっても、一回の露光で複数分のパターンを基材に露光することができ、その結果、露光のコストを低減することができる露光用ガラスマスクの提供。 - 特許庁

A porous insulating film and an insulating film are formed on a silicon substrate, and a resist pattern for interconnection formation is formed with a hard mask cover film for covering a periphery of the silicon substrate interposed therebetween.例文帳に追加

シリコン基板上に多孔質絶縁膜及び絶縁膜を形成し、シリコン基板の周辺部をカバーするためのハードマスクカバー膜を介して配線形成用のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The shape (light source shape) of an illuminating light source is set (S206) by controlling a spatial optical modulator 3S based upon designs of the illuminating light source and a mask pattern obtained through optimization calculation for optimizing the illuminating light source.例文帳に追加

照明光源及びマスクパターンの設計に基づいて空間光変調器３Ｓを制御することにより、照明光源の形状（光源形状）が設定される(ステップ２０６)。 - 特許庁

To provide an exposure device that adjusts light intensity distribution of a radiated beam to irradiate a mask with, and is conducive to properly forming a pattern on a substrate; and to provide an exposure method and method for manufacturing a device.例文帳に追加

マスクを照射する放射ビームの光強度分布を調整し、基板への適切なパターン形成に貢献できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resin film 15 is bonded from the pattern transferring film 17 onto a member to be worked to separate the same from the base film 16 whereby the functional mask is formed on the member to be worked.例文帳に追加

このパターン転写フィルム１７から、被加工部材上に樹脂膜１５を接着し、ベースフィルム１６を剥離することにより、被加工部材上に機能性マスクを形成する。 - 特許庁

The projection beam PB of radiation makes an exposed region 1" and a nonexposed region 2" on a resist layer R, corresponding to the light region 1 and the dark region 2 of a mask pattern.例文帳に追加

前記放射線の投影ビームＰＢは、マスクパターンの明領域１および暗領域２に対応して、それぞれ、レジスト層Ｒ上に露出領域１″および非露出領域２″を作る。 - 特許庁

A method for forming an electro conductive film pattern forms a first metal film 2 comprising ITO on an insulated substrate 1 and further, forms selectively a resist mask 3 being an insulated thin film on the first metal film 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上にＩＴＯからなる第１の金属膜２を形成し、さらに第１の金属膜２上に選択的に絶縁性薄膜であるレジストマスク３を形成する。 - 特許庁

To recorrect a proximity-effect corrected mask pattern without reacquiring experiment data at each time and to shorten the time needed to re-form a photomask.例文帳に追加

実験データをいちいち再取得しなくても、近接効果補正されたマスクパターンを再補正できるようにすると共に、フォトマスクの再作成に要する時間を短縮できるようにする。 - 特許庁

The reticle is constituted by covering a mask pattern 2 formed on a reticle substrate 1 with a pellicle 4, and directly joining the end face of the pellicle frame 3 holding the pellicle 4 to the surface of the reticle substrate 1.例文帳に追加

レチクル基板１上に形成されたマスクパターン２がペリクル４で覆われるようにして、ペリクル４を保持するペリクルフレーム３の端面をレチクル基板１の表面に直接接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing method for obtaining a selection region at the beginning of design without losing the similarity of a design value even in the transfer of a fined mask pattern.例文帳に追加

微細化されたマスクパターンの転写においても、設計値との相似性を損なうことなく、設計当初の選択領域が得られる半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display in which a position shift after positioning of a mask and a substrate is controlled and a pattern deposition of an organic compound layer of an organic light emitting element can be made in a high resolution.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイの製造において、マスクと基板とを位置合わせした後の位置ずれを抑制し、有機発光素子の有機化合物層を高解像度でパターン成膜する。 - 特許庁

To form a pattern in a desired dimension including a dimension smaller than resolution and in a desired shape by exposure using a single mask realizing a phase shift effect.例文帳に追加

位相シフト効果を実現する１枚のマスクを用いた露光によって、解像度程度以下の寸法を含む任意の寸法のパターンを任意の形状について形成できるようにする。 - 特許庁

Further, an exposure parameter is changed (S3) to obtain a distance between the centers of gravity of a chief opening in a resist pattern and a second opening in the case of exposure using the half tone type phase shift mask (S4).例文帳に追加

露光パラメータを変化させて（Ｓ３）、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンにおける主開口と第２開口との重心間距離を求める（Ｓ４）。 - 特許庁

After ink 12 is supplied to an outer peripheral face 2a1 of a raw material 2a' of a shaft member with ink jetting to form a masking pattern 1, the material surface of a non-mask part 1b is removed by etching.例文帳に追加

軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１にインクジェット法によりインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面をエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a resist material improved in resolution and excellent in resistance to surface roughness and side lobes at the time of using a halftone mask, and a pattern forming method using the resist material.例文帳に追加

解像性を大きく改善し、かつハーフトーンマスク使用時の表面荒れやサイドローブに対する耐性が優れたレジスト材料、及びレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A first resist film 102 is formed on a substrate 101, and a first pattern exposure which irradiates exposing light on the first resist film 102 through a first mask 103A is carried out.例文帳に追加

基板１０１の上に第１のレジスト膜１０２を形成し、第１のレジスト膜１０２に第１のマスク１０３Ａを介した露光光を照射する第１のパターン露光を行う。 - 特許庁

Further, after the mask is formed, the etching liquid is ejected from the nozzle to thereby perform etching processing on an exposed metal face of the workpiece 10A to form a machining pattern.例文帳に追加

さらに、前記マスクを形成後に、エッチング液をノズルから噴射することにより、露出したワーク１０Ａの金属面をエッチング処理して加工パターンを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

When a predetermined pattern including a plurality of gate patterns is formed, patterns are sorted into fine gate patterns and the other patterns (S102), and a hard mask film is formed on a workpiece film (S106).例文帳に追加

複数のゲートパターンを含む所定のパターンを形成する際に、微細ゲートパターンとそれ以外のパターンとに分類し（Ｓ１０２）、被加工膜上に、ハードマスク膜を形成する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

Then, by removing (lifting-off) the lift-off mask 40, a nonmagnetic embedded layer pattern made of the residual of the nonmagnetic embedded layer 50 embedded in the groove 42 is selectively formed.例文帳に追加

続いて、リフトオフマスク４０を除去（リフトオフ）することにより、溝４２に埋め込まれた非磁性埋込層５０の残存部分からなる非磁性埋込パターンを溝４２に選択的に形成する。 - 特許庁

The exposure apparatus feeds a body T to be exposed in a roll film shape having a prescribed width onto an exposure stage 50 and exposes the circuit pattern of a mask to the body to be exposed.例文帳に追加

露光装置は、所定幅を有するロールフィルム状の被露光体Ｔを露光ステージ５０上に送り込んで、マスクの回路パターンを被露光体に露光する露光装置である。 - 特許庁

The pattern shown in a mirror device projection region 2 where the mirror device of about 15 mm width is to be projected is condensed into a small spot by a microlens array and projected onto the mask substrate 1.例文帳に追加

約１５ｍｍの幅のミラーデバイスが投影されるミラーデバイス投影領域２に示されたパターンは、マイクロレンズアレイによって小さなスポットに集光され、マスク基板１上に投影される。 - 特許庁

After a conductive film 17Z is first formed on an MR film 14Z, the MR film 14Z covered with the conductive film 17Z is selectively removed by using a mask pattern 5.例文帳に追加

あらかじめＭＲ膜１４Ｚ上に導電膜１７Ｚを形成したのち、マスクパターン５を用いて導電膜１７Ｚに覆われたＭＲ膜１４Ｚを選択的に除去する。 - 特許庁