「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

Such a mask includes a phase shifting technique for forming a dark area of the image by utilizing a destructive interference, and is not restricted so as to coincide with the desired printing pattern.例文帳に追加

こうしたマスクは、破壊的干渉を利用して、イメージの暗領域を画定する位相シフト技術を含み、所望の印刷パターンに合致するように拘束されない。 - 特許庁

Subsequently, the magnetic layer is subjected to cutting processing with the nanoparticle film as a mask (c), and the nanoparticle film is removed to form a fine pattern 2 with a recessed and protruding shape on the magnetic layer (d).例文帳に追加

その後、ナノ粒子膜をマスクにして磁性層を切削加工し（ｃ）、ナノ粒子膜を除去して磁性層に凹凸形状を持った微細パターン２を形成する（ｄ）。 - 特許庁

To provide a phase shift mask which enables an improvement in exposure dimensional accuracy without allowing illumination light to substantially receive the influence of shifter side walls and without depending on pattern shapes.例文帳に追加

照明光がシフター側壁の影響を実質上受けることなく、且つパターン形状によらず露光寸法精度向上が可能となる位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

A photosensitive resin layer 11 is formed on a substrate, the photosensitive resin layer 11 is exposed to a synchrotron radiation SR using a mask M having a prescribed pattern and then developed.例文帳に追加

基板１０に感光性樹脂層１１を形成し、所定のパターンのマスクＭを用いてシンクロトロン放射光ＳＲにより感光性樹脂層１１を露光し、現像する。 - 特許庁

The outer circumferential edge 4a of a pattern forming region 4 in a mask body and a frame body 3 are joined by an electrodeposition metal layer 9 formed by an electroforming method integrally not so as to be separated.例文帳に追加

マスク本体２のパターン形成領域４の外周縁４ａと枠体３とを、電鋳法により形成された電着金属層９で不離一体的に接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can effectively remove residue (rubbish) after plasma peeling treatment is made to a resist pattern used as a mask from a semiconductor wafer.例文帳に追加

マスクとして用いたレジストパターンにプラズマ剥離処理を行った後の残留物（ゴミ）を半導体ウェハーから有効に除去することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To supply a solvent vapor to a substrate with maintaining high in-plane uniformity when improving roughness of a pattern mask by supplying a solvent to a substrate.例文帳に追加

基板に溶剤を供給して、パターンマスクの荒れを改善するにあたり、高い面内均一性を確保した状態で、基板に対して溶剤蒸気を供給すること。 - 特許庁

Subsequently, after a plated mask resist is formed, a wiring pattern is formed by a plating current from a surface of a semiconductor substrate without need for a wet etching method.例文帳に追加

次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 - 特許庁

The resist pattern for machining a conductive plug is formed in the lower layer wiring 4, and is used as a mask for etching the lower layer wiring 4 to form a conductive plug 6.例文帳に追加

下層配線４に導電プラグを加工するためのレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして下層配線４をエッチングして導電プラグ６を形成する。 - 特許庁

As H^+ ions can be injected in a large amount into the resist without damaging the resist pattern, the resist mask 6 is modified to have sufficient etching durability.例文帳に追加

Ｈ^＋ イオンは、レジストパターンを損傷することなく多量にレジスト内部に注入できるので、レジストマスク６が十分な耐エッチング性を有するものに改質される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 where the opening 100' is formed is obliquely dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as the mask.例文帳に追加

そして、このレジストパターン５０をマスクに、開口部１００´が形成された層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して斜めにドライエッチングする。 - 特許庁

A process of forming the pattern 5 on the substrate 6 is simulated on the basis of the design data of the mask patterns 3, 4 formed on at least one of the masks 1, 2.例文帳に追加

少なくとも１枚のマスク１，２に形成されているマスクパターン３，４の設計データに基づいて基板６上にパターン５を形成するプロセスのシミュレーションを実行する。 - 特許庁

A forward taper silicon oxynitride film 16 is formed by etching the silicon oxynitride film 12 by regarding the resist pattern 11 as a mask and using a Cl-based gas.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとしてＣｌ系のガスを用いてシリコン酸窒化膜１２をエッチングすることで順テーパー形状のシリコン酸窒化膜パターン１６を形成する。 - 特許庁

To precisely position a mask for exposure and a semiconductor substrate in a lithographic process, wherein a resist pattern is formed on the semiconductor substrate where SGI is formed.例文帳に追加

ＳＧＩが形成された半導体基板上にレジストパターンを形成するリソグラフィ工程において、露光用マスクと半導体基板との位置合わせを精度よく行う。 - 特許庁

To provide a photo mask pattern data creating method for efficiently selecting a cell conducting OPC (Optical Proximity Correction) processing and specifying a cell considered to be equivalent to the cell.例文帳に追加

ＯＰＣ処理を行うセルを効率よく選択し、そのセルと等価であるとみなされるセルを特定するフォトマスクパターンデータの作成方法を提供することにある。 - 特許庁

The substrate 101 is then etched, using the resist pattern 102b in which the lactone ring has been opened as a mask to obtain a recessed portion 101a having superior shape.例文帳に追加

その後、ラクトン環が開環されたレジストパターン１０２ｂをマスクとして、基板１０１に対してエッチングを行なうことにより、形状が優れた凹部１０１ａを得る。 - 特許庁

Image data picked up by a video camera 200 is converted into digital image data by a video capture part 104, a high luminance part is detected and a light shielding mask pattern is generated.例文帳に追加

ビデオカメラ２００で撮像された画像データはビデオキャプチャ部１０４でデジタル画像データに変換され、高輝度部が検出され、遮光マスクパターンが生成される。 - 特許庁

Then, first pattern exposure is performed by irradiating the resist film with first exposure light 104 including ultraviolet rays via a first mask through the light absorbing film.例文帳に追加

その後、第１のマスクを介した極紫外線からなる第１の露光光１０４をレジスト膜に光吸収膜を通して照射することにより第１のパターン露光を行う。 - 特許庁

After a hole corresponding to a gate electrode pattern is formed at the silicon nitride film 16, the surface of amorphous silicon layer is selectively oxidized with the silicon nitride film 16 as a mask.例文帳に追加

シリコン窒化膜１６にゲート電極パターンに対応した孔を形成した後、シリコン窒化膜１６をマスクとしてアモルファスシリコン層１４の表面を選択酸化する。 - 特許庁

With an exposure mask having a semi-transmissive part on the reflection electrode, a resist pattern having a thick region and a region thinner than the thick region is formed.例文帳に追加

反射電極上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

To provide a novel CAD system for editing semiconductor mask pattern, with which work efficiency is improved by performing layer synthesizing operation in real time and immediately displaying the result.例文帳に追加

層合成演算をリアルタイムに行い、その結果を直ちに表示することで、作業能率を改善する新規な半導体マスクパターン編集用のＣＡＤシステムを提供する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, ETCHING PROXIMITY EFFECT CORRECTION MODEL, METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, PHOTOMASK, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング近接効果補正モデルの作成方法、エッチング近接効果補正モデル、マスクパターンの補正方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁

The mask substrate 20 is provided with the structural double refraction pattern having a periodic array smaller than the wavelength of the light, by which structural double refraction phenomenon is generated.例文帳に追加

マスク基板２０には、光の波長よりも小さな周期的配列を有する構造性複屈折パターンが設けられており、これにより構造性複屈折現象が生じる。 - 特許庁

In this case, the sensitizers 4 are arranged in a honeycomb-shaped grid pattern by using as a mask a polystyrene fine particle layer having a monolayer densest filling structure.例文帳に追加

この際、単層の最密充填構造を有するポリスチレン微粒子層をマスクとして用いることにより、増感体４を蜂の巣（ハニカム）形の格子パターンに配置する。 - 特許庁

To provide a blank mask for forming a fine etching objective film pattern having vertical side face profile on a photomask, and to provide a method of manufacturing the photomask using the same.例文帳に追加

フォトマスク上に、垂直側面プロファイルを有する微細なエッチング対象膜パターンを形成するためのブランクマスク及びこれを用いるフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Anisotropic etching is given to the silicon thin film 2 using this photoresist 3 as an etching mask and a pattern where circular openings are arranged is formed to the silicon thin film 2.例文帳に追加

このフォトレジスト３をエッチングマスクとして用いてシリコン薄膜２に異方性エッチングを施し、シリコン薄膜２に円形の開口が配列されたパターンを形成する。 - 特許庁

Under the same mask pattern, metal wiring 31 constituting the signal line and a linear portion 38a consisting of a semiconductor layer 38 at the lower part are formed simultaneously.例文帳に追加

同一のマスクパターンの下で、信号線を構成する金属配線３１と、この下方の、半導体層３８からなる線状部分３８ａとが同時に形成される。 - 特許庁

In the step of forming the mask pattern, the first titanium nitride film 42a is formed by a sputtering method and the second titanium nitride film 43a is formed by a self-ionized plasma method.例文帳に追加

マスクパターンを形成する工程では、第１窒化チタン膜４２ａをスパッタリング法で形成し、かつ第２窒化チタン膜４３ａを自己イオン化プラズマ法で形成する。 - 特許庁

Then a gate electrode 7a of a MOS transistor 7 and a lower electrode 8a of a capacity element 8 are formed of portions of the polysilicon layer 3 through etching using a resist mask pattern.例文帳に追加

そして、レジストマスクパターンによりエッチングして、ポリシリコン層３の一部で、ＭＯＳトランジスタ７のゲート電極７ａ及び容量素子８の下部電極８ａを構成した。 - 特許庁

First, a pattern of circular optical multilayer film 10 and optical multilayer film marks for alignment AM is transferred on a base material for substrate BM using a first mask member M1.例文帳に追加

最初に、基板母材ＢＭに第１のマスク部材Ｍ１を用いて、円形光学多層膜１０およびアライメント用光学多層膜マークＡＭのパターンを転写する。 - 特許庁

The oxygen ions 16b implanted directly into the substrate reaches deep region of substrate, and oxygen ions 16a implanted via the mask pattern are located in the region near the substrate surface.例文帳に追加

直接基板内へ注入する酸素イオン１６ｂは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン１６ａは基板表面近傍に位置する。 - 特許庁

A copper foil 17 formed on the surface of the resin sheet 16 is selectively removed by conformal treatment, thus forming a mask pattern for forming a via hole.例文帳に追加

そして、樹脂シート１６の表面に形成された銅箔１７をコンフォーマル加工により選択的に除去することにより、ビアホールを形成するためのマスクパターンを形成する。 - 特許庁

The polysilicon film 12 is dry-etched using the resist pattern 14 and the patterned anti-reflection film 13A for the mask to form a gate electrode 12A composed of the polysilicon film 12.例文帳に追加

ポリシリコン膜１２に対して、レジストパターン１４及びパターン化された反射防止膜１３Ａをマスクにドライエッチングして、ポリシリコン膜１２からなるゲート電極１２Ａを形成する。 - 特許庁

When performing a multipass printing, a mask pattern a which makes the dispersibility of dot for every pass high is used for the combination of the inks whose glossiness becomes higher at writing an image.例文帳に追加

マルチパス印字を行う際に、画像記録時に光沢性の高くなるインクの組み合わせに対しては、パス毎のドットの分散性が高くなるマスクパターンａを使用する。 - 特許庁

After prebaking, a mask with a predetermined pattern having at least one slit is placed on top of the photoresist film and the photoresist film is exposed to a light.例文帳に追加

前熱処理後、少なくとも一つのスリットを有する予め決定されたパターンを有するマスクをフォトレジスト膜上に配置し、このフォトレジスト膜が光に対して露出される。 - 特許庁

To improve uniformity within a wafer surface in the size of circuit pattern obtained in the trimming process of a photoresist mask formed with a double patterning technology using a freezing method.例文帳に追加

フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 - 特許庁

To enhance productivity of a color filter by eliminating the deviation in positions of a color filter formed surface and a mask pattern in an ITO film depositing stage of the liquid crystal color filter.例文帳に追加

液晶カラーフィルタのＩＴＯ膜形成工程におけるカラーフィルタ形成面とマスクパターン間の位置ずれをなくしてカラーフィルタとしての生産性向上を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for suppressing the adhesion of a reaction product on the sidewall of a mask material by etching regardless of the density of a pattern.例文帳に追加

パターンの密度に関係なく、エッチングによる反応生成物がマスク材料の側壁に付着することを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive balls 9 are dropped in the guide holes 27 of the mask member 29, and they are sucked by the suction table 15 to fit them to the pattern holes 7.例文帳に追加

マスク部材２９の各ガイド穴２７に導電性ボール９を落し込んだ後に、吸引テーブル１５により吸引して各導電性ボール９をパターン穴７に固定する。 - 特許庁

The mask 15 for patterning has annular contact legs 16a, 16b which project at one side of side face in bending shape along peripheral edge part of pattern holes 15a, 15b.例文帳に追加

パターニング用マスク１５はパターン孔１５ａ、１５ｂの周縁エッジ部に沿って一側面側に折曲形状に突出する環状の当接脚部１６ａ、１６ｂを備える。 - 特許庁

To provide a reflection mask, a manufacturing method therefor and an aligner which has an absorber layer made sufficiently thin to reduce its influence on a pattern to be transferred onto a wafer.例文帳に追加

吸収体層の厚さを薄くしてウエハ上に転写されるパタンへの影響を小さくできる反射マスクとその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

A through-hole 28 for making the layers 22, 24 and 26 penetrate therethough is formed in the stencil mask 10 corresponding to a predetermined pattern.例文帳に追加

ステンシルマスク１０には、所定パターンに対応して、第１導電層２２、第１絶縁層２４及び第２導電層２６を貫通する貫通孔２８が形成されている。 - 特許庁

To provide an exposure device that can appropriately light-shield a non-exposure region by using a light-shielding member upon carrying out pattern exposure by relatively moving a substrate and a mask.例文帳に追加

基板とマスクとを相対移動させることでパターン露光を行う際に、遮光部材を用いて非露光領域を適切に遮光できる露光装置を提供する。 - 特許庁

A message to indicate that a light source needs to be replaced or contact information of an installer that has set up a projection device can be provided as a pattern set in the information mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁