「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a mask for near field exposure, a near field exposure method, and a near field exposure apparatus capable of forming a resist pattern over a large area in the case of using a cylindrical member to form the resist pattern.例文帳に追加

円柱状部材を用いてレジストパターンを形成するに際して、大面積に亙ってレジストパターンを形成することが可能となる近接場露光用マスク、近接場露光方法、及び近接場露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a seal pattern of a liquid crystal display for improving the productivity and for reducing the tack time (tact time) relating to a large-area substrate by using a split mask to efficiently form a seal pattern.例文帳に追加

本発明は、分割マスクを使って效率的にシールパターンを形成することで大面積基板における生産性向上及びタックタイム(tact time)を短縮するようにした液晶表示装置のシールパターン形成方法に関する。 - 特許庁

To prevent the collapse of a barrier rib pattern material layer in a resist mask removing process by way of forming between a substrate and a barrier rib material layer a bonding layer which can be burnt off when the barrier rib pattern material layer is calcined.例文帳に追加

基板と隔壁材料層との間に、隔壁パターン材料層を焼成する際に焼失するような接着層を形成しておくことで、レジストマスクの除去工程における隔壁パターン材料層の倒壊を防止する。 - 特許庁

Next, a second pattern exposure which irradiates exposing light on the second resist film 105 through a second mask 103B is carried out, and the second resist film 105 develops to form a second resist pattern 105a from the second resist film 105.例文帳に追加

続いて、第２のレジスト膜１０５に第２のマスク１０３Ｂを介した露光光を照射して第２のパターン露光を行い、第２のレジスト膜１０５を現像して、第２のレジスト膜１０５から第２のレジストパターン１０５ａを形成する。 - 特許庁

A phase shift mask in which a phase of a transmitted light through one electrode pattern is inverted to a phase of a transmitted light through the other electrode pattern is used as a reticle for forming the reproducing track width of the magnetic head of the magnetic disk device to form ≤0.25μm track width.例文帳に追加

磁気ディスク装置の磁気ヘッドの再生トラック幅を形成するためのレチクルに、一方の電極パターンの透過光の位相が他方の透過光の位相と反転する位相シフトマスクを用い、0.25μｍ以下のトラック幅を形成する。 - 特許庁

The lighting area partitioning mask 22 is placed in a way that it can block zero-order diffracted lights among the exposure lights passing the translucent pattern 26b formed at the periphery of the translucent pattern formation area, but can pass first-order diffracted lights.例文帳に追加

採光領域区画用マスク２２が、透光パターン形成領域の周縁部に形成された透光パターン２６ｂを透過した露光光の内、０次回折光を遮断し、かつ、１次回折光を透過させるように配置される。 - 特許庁

To provide a positive type pattern forming material having high sensitivity and high resolution, excellent in various performances such as dimension controllability and developed with an aqueous alkali solution and to provide a method for producing a mask for exposure in which the pattern forming material is made to function as a light shielding film.例文帳に追加

高感度、高解像度、寸法制御性等の諸性能に優れたアルカリ水溶液を用いて現像するポジ型パタン形成材料およびそれを遮光膜として機能させる露光用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

While outputting dummy data to a data packing section 58, a mask processing section 60 reads out the detected pattern data from the buffer memory based on a main scanning sync signal Ls_1 for the print out image data and delivers the detected pattern data to the data packing section.例文帳に追加

マスク処理部６０は、データパッキング部５８へダミーデータを出力しながら、印刷出力用の画像データに対する主走査同期信号Ｌｓ_1に基づいて、バッファメモリから検出パターンデータを読み出して、データパッキング部へ出力する。 - 特許庁

To provide a resist composition for liquid immersion exposure, the composition which improves reproducibility of a mask shape, pattern collapse and exposure latitude when the resist is used for liquid immersion exposure and which shows excellent follow-up property in liquid immersion liquid, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

液浸露光に適用した場合のマスク形状再現性、パターン倒れ及び露光ラチチュードを改良し、液浸液追随性に優れた液浸露光用レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The film to be processed is etched by using the first and second patterns as a mask, the third pattern is removed, and the film to be processed, which is exposed by the removal of the third pattern, is etched to form gate electrode patterns 7a, 7d small in an interval.例文帳に追加

第１および第２のパターンをエッチングマスクとして被加工膜をエッチングするとともに、第３のパターンを除去し、第３のパターンの除去により露出した被加工膜をエッチングし、間隔の小さいゲート電極パターン７ａ、７ｄ。 - 特許庁

In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系（ＰＬ）の物体面に設置されたマスク（Ｍ）のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板（Ｗ）上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁

The surface of a substrate 1 is coated with a thick-film resist film 3 of photosensitive resin, a gray scale mask 4 having a specific pattern drawn is brought into contact with the resist film 3 with a uniform force, and 1st exposure is carried out through the specific pattern.例文帳に追加

基板１面上に感光性樹脂である厚膜レジスト膜３を塗布し、所定のパターンが描画されているグレイ・スケール・マスク４を、レジスト膜３に均等の力でコンタクトさせ、所定のパターンによる１回目の露光をする。 - 特許庁

After a soluble layer 2 is formed so as to separate a first thin film 17Z and a two-layer resist pattern 5 from each other, the first thin film 17Z and soluble layer 2 are selectively removed by dry etching using the two-layer resist pattern 5 as a mask.例文帳に追加

第１の薄膜１７Ｚと２層レジストパターン５とを互いに隔てるように可溶層２を形成したのち、２層レジストパターン５をマスクとしたドライエッチングにより第１の薄膜１７Ｚおよび可溶層２を選択的に除去する。 - 特許庁

A composite mask 282 is provided with a group of a surface through-holes 283a which form a-print pattern on the surface (a-surface) of a substrate 1, and a group of b-surface through-holes 283b which form a print pattern on the surface (b-surface) of the substrate 1.例文帳に追加

複合マスク２８２には、基板１の表面（ａ面）の印刷パターンが設けられたａ面貫通孔群２８３ａと、基板１の裏面（ｂ面）の印刷パターンが設けられたｂ面貫通孔群２８３ｂとが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming a diffraction grating and a method for manufacturing a semiconductor laser, which can suppress shift of a diffraction grating pattern from a design value even when a pattern dimension of a mask layer is shifted from the design value.例文帳に追加

マスク層のパターン寸法がその設計値からずれた場合においても、回折格子のパターンがその設計値からずれることを抑制可能な回折格子を形成する方法及び半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

A photo mask is formed where a diffraction grating pattern or an auxiliary pattern is arranged having a light intensity reduction function comprising a translucent film, or a complicated gate electrode is formed by applying a reticle to a photolithographic process for forming a gate electrode.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して複雑なゲート電極を形成する。 - 特許庁

This lithography device is provided with a supporting structure configured to hold a phase shift mask configured so that any unpolarized radiation beam can be pattern-formed according to a desired pattern and a substrate table configured to hold a substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、所望のパターンに従って非偏光放射のビームをパターン形成するように構成された位相シフト・マスクを保持するように構成された支持構造と、基板を保持するように構成された基板テーブルとを備えている。 - 特許庁

A second mask pattern used in a second exposure process includes at least one localized adjustment to at least one feature thereof to compensate for scattering effects of the developed resist pattern that is present when the second exposure is performed.例文帳に追加

第２の露光工程で使用される第２のマスクパターンは、第２の露光が実行される時に存在する現像レジストパターンの散乱効果を補償するその少なくとも１つのフィーチャに対する少なくとも１つの局所調整を含む。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

When the copying machine having the copy guard function reads this printed matter, the dot pattern can be detected without being disturbed by the latent image since only the mask pattern is printed in an area corresponding to a read start position.例文帳に追加

コピーガード機能を備えた複写機においてこの印刷物を読み取ると、読み取り開始位置に相当する領域にはマスクパターンのみ印刷されているため、潜像画像に邪魔されることなくドットパターンの検出を行うことができる。 - 特許庁

An inhibition check pattern 603 is created in an inhibition area 701 so that no transfer of the inhibition check pattern 603 onto a mask, that is, appropriate disposition of the inhibition region 701, can be checked.例文帳に追加

また、禁止領域７０１中に禁止処理確認パターン６０３を発生させ、この禁止処理確認パターン６０３がマスク上に転写されない、つまり禁止領域７０１が適切に設定されていることを確認することができる。 - 特許庁

When creating a mask used for a photoengraving process (Fig(1)), a peripheral circuit area (1) effective for high-speed operation or low consumption is intensively formed so that a pattern becomes coarse (2A<B), distinguishably from a memory area (2) wherein the pattern is made fine (2A≥B).例文帳に追加

図１（イ）：写真製版に使用するマスクの作成時に、高速動作や低消費に効く周辺回路部領域（１）を意図的にパターンが疎（２Ａ＜Ｂ）となるように形成し、パターンを密（２Ａ≧Ｂ）にするメモリ部領域（２）と区別する。 - 特許庁

The aligner EX is provided with a lighting optical system IL for illuminating a mask M forming a pattern by exposure light EL from the light source 10, and a projection optical system PL for transferring a pattern image on a photosensitive substrate P.例文帳に追加

露光装置ＥＸは、光源１０からの露光光ＥＬで、パターンが形成されたマスクＭを照明する照明光学系ＩＬと、パターンの像を感光基板Ｐ上に転写する投影光学系ＰＬとを備えている。 - 特許庁

A mask includes an exposure pattern area corresponding to one exposure for forming the element formation area by divided exposure and a mark formed on a joint part of divided exposure in the exposure pattern area.例文帳に追加

また、本発明は、素子形成領域を分割露光によって形成するための一露光分に対応した露光パターン領域と、露光パターン領域における分割露光の継ぎ目部分に設けられるマークとを有するマスクである。 - 特許庁

A stage member 21 which projects in the opposite side of a magnetic thin film layer (the processed layer) 18 is formed along the peripheral edge of a first mask layer 20 which corresponds to the contour of an etching pattern.例文帳に追加

エッチングパターンの輪郭に相当する第１のマスク層２０の周縁部に沿って、磁性薄膜層（被加工層）１８の反対側に突出する段部２１を形成する。 - 特許庁

To not only add a sub-picture such as an explanation sentence and a mask pattern to a main picture so as to be displayed but also to display only the main picture with one coding data.例文帳に追加

１の符号化データによって、主画像に説明文やマスクパターンなどの副画像を付加して表示することも、主画像だけを表示することもできるようにする。 - 特許庁

Further, in the step S9, remaining balls are removed, and the solder balls with which the opening pattern of the mask is filled up can be pressed and closely attached to flux.例文帳に追加

また、ステップＳ９においては、残ボールを除去すると共に、マスクの開口パターンに充填された半田ボールをフラックスに押し付けて密着させることができる。 - 特許庁

To decrease the number of masks of a 3D laminate memory device, in which the required number of masks increases because a separate mask is used for each connection level, by devising the pattern.例文帳に追加

３Ｄ積層メモリ装置は、各接続レベル毎に別個のマスクが使用されるので必要なマスク数は多くなるが、パターンを工夫して必要マスク数を減らす。 - 特許庁

Therefore, even if the burrs 21a of the chips 41 break through the silk 51 or the green mask 16, the floating-island pattern 55 can protect the inner copper foil 11.例文帳に追加

このため、バリ２１ａまたは切粉４１がシルク５１及びグリーンマスク１６を仮に突き破ったとしても、浮島パターン５５によって内層銅箔１１を保護することができる。 - 特許庁

The device has a light source 14 which partially exposes the photosensitive layer 64 on the body to be exposed with the information on the pattern forming surface displayed on the display means 30 as a mask.例文帳に追加

表示手段に表示されたパターン形成面情報をマスクとして、被露光体上の前記感光層を部分的に露光する光源を有することを特徴とする - 特許庁

A mounting stage 30 controls the position and posture, with respect to a reference plane, of a target work 22 on which exposure light is formed into an image and to be exposed with a predetermined mask pattern.例文帳に追加

露光光が結像されて所定のマスクパターンが露光される対象ワーク２２の基準平面に対する位置および姿勢を制御する載置ステージ３０である。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The system is provided with a reference heat source 100 and with a measurement device main body 300 that automatically measures the NETD from a video signal of an infrared ray camera 800 that picks up an aperture mask 200 for one image pattern.例文帳に追加

基準熱源100 及び開口マスク200 を１画面中に撮像した赤外線カメラ800 の映像信号から自動的にNETDを測定する測定装置本体300 を備える。 - 特許庁

To provide the structure of an X-ray mask, together with its manufacturing method where no positional distortions of a pattern occur, even if a region with dense micro X-ray absorber patterns is formed.例文帳に追加

微細なＸ線吸収体パタンが密集する領域を形成してもパタンの位置歪を生じないＸ線マスクの構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method and an exposure system capable of precisely transferring a mask pattern on a substrate even if a stage is deformed due to thermal expansion and contraction or the like.例文帳に追加

熱伸縮等でステージが形状変化した場合にも、マスクのパターンを精度よく基板上に転写することが可能な露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

The growth of the imbedding layer is stopped at the point of time when no tip end of the growth of the imbedding layer reaches as far as the tip end of the edge of the mask pattern for selective growth along the boundary line.例文帳に追加

埋込層の成長の先端が、境界線に沿う選択成長用マスクパターンの縁の先端まで達しない時点で埋込層の成長を停止させる。 - 特許庁

To efficiently and precisely form a magnetization pattern less in defect in a short time on a magnetic recording medium without damaging the medium and a mask and to provide a magnetic recording medium and a magnetic recording device which are capable of high density recording in a short time and at low costs.例文帳に追加

効率よく精度よく、しかも媒体やマスクを傷つけることなく欠陥発生の少ない磁化パターンを、短時間で磁気記録媒体に形成する。 - 特許庁

In the opening angle calculating step, the opening angle is calculated which extends from shape estimation position on the circuit pattern to the mask material based on the taper shape.例文帳に追加

また、開口角算出ステップは、前記テーパー形状に基づいて、前記回路パターン上の形状予測位置から前記マスク材に向かっての開口角を算出する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a hard mask 7, in which an insulating film 6 and a wiring groove pattern 8 are formed on a top surface of a semiconductor substrate 1, is formed.例文帳に追加

本発明における半導体装置の製造方法は、半導体基板１の上面上に絶縁膜６、配線溝パターン８を形成したハードマスク７を形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask which can control line width with higher accuracy without influence of fine and coarse patterns and pattern size at the time of application of the near exposure method.例文帳に追加

近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズに影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスクを提供することである。 - 特許庁

Until the forming beams 21 reach from an upper end part of the circuit pattern 16a to a lower end thereof, the substrate stage 12 and mask stage 17 are continuously moved to a +Y direction.例文帳に追加

次に、成形ビーム２１を回路パターン１６ａの上端部から下端部に達するまで、基板ステージ１２及びマスクステージ１７を連続的に＋Ｙ方向に移動させる。 - 特許庁

The image of a pattern formed in a mask (working reticle 34) as a measuring object is enlarged by a projection optical system 3 and observed (measured) with a spatial image measuring device 209.例文帳に追加

測定対象としてのマスク（ワーキングレチクル３４）に形成されたパターンの像を投影光学系３で拡大して空間像計測装置２０９で観察（計測）する。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern that discriminates the formation history of patterns of workpiece materials formed, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

形成された被加工材のパターンの形成履歴を判別することが可能なマスクパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the process of forming a printing pattern PT by a screen stencil on a printing base board BP, a separation member SE is interposed between a printing mask MA and the printing base board BP.例文帳に追加

被印刷基板ＢＰ上に印刷パターンＰＴをスクリーン印刷により形成する工程で、印刷用マスクＭＡと被印刷基板ＢＰ間に分離部材ＳＥを介挿する。 - 特許庁

Then another resist 7 is formed on the surface and only left on the internal walls of the groove 5 by exposing the resist for a period of time longer than that set in forming an ordinary mask pattern.例文帳に追加

次に、表面上に再度レジスト７を形成し、通常マスクパターンを形成するときよりも長い時間露光し、溝５の内壁のみにレジスト７を残す。 - 特許庁