「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

A conversion difference D1 is calculated which indicates a difference between a measured value of a width W3 of a pattern 45a of a mask layer 45 formed on a diffraction grating layer 41 and a design value of the width.例文帳に追加

回折格子層４１の上に形成されたマスク層４５のパターン４５ａの幅Ｗ３の測定値とその設計値との差を示す変換差Ｄ１を算出する。 - 特許庁

A resist mask 29 with a pattern is provided on a substrate 19a, including first and second gallium nitride semiconductor layers 13a, 15a for the gallium nitride transistors.例文帳に追加

パターンを有するレジストマスク２９が、窒化ガリウム系トランジスタのための第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを含む基板１９ａ上に設けられている。 - 特許庁

The mask pattern covering film material preferably contains a crosslinking agent for crosslinking the silicone polymer and uses a crosslinkable polysilsesquioxane resin as the silicone polymer.例文帳に追加

マスクパターン被覆膜材料は、好ましくは、シリコーンポリマーを架橋するための架橋剤を含有してもよいし、シリコーンポリマーとして架橋可能なポリシルセスキオキサン樹脂を用いてもよい。 - 特許庁

The methods use an incoherent light source 26 which is passed through an optical element and used to expose a photoresist 24 coated on a suitable substrate 25 through a mask pattern 23.例文帳に追加

この方法は、光学素子を通した非干渉光源２６を用い、また、マスクパターン２３を通して好ましい基体２５上に被覆したホトレジスト２４を露光するために用いる。 - 特許庁

The invalidating means constituted of an invalidating circuit 18 invalidates the mask ROM 17 so that the outside memory loaded on the outside memory terminal pattern 13a can be used.例文帳に追加

無効化回路１８などで構成された無効化手段は、マスクＲＯＭ１７を無効にして、外部メモリ端子パターン１３ａに搭載された外部メモリを使用できる。 - 特許庁

When exposure is carried out through a patterned mask and unexposed regions are removed by development, a negative pattern of a porous dielectric film can be formed without using a photoresist.例文帳に追加

また、露光時にパターン化されたマスクを用いて露光を行い、非露光部を現像する場合、フォトレジストを使用しなくても多孔性絶縁膜のネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

Due to the multiple exposure, the light intensity of the respective patterns is the same even if the phase absolute value in the mask varies, thereby improving the dimensional accuracy of the transferred pattern.例文帳に追加

多重露光により、マスクにおける位相の絶対値が変動しても、それぞれのパターンの光強度は同一となり、転写されたパターン寸法精度が向上する。 - 特許庁

In order to make defect detection easier by reducing the influence of scattered light generated by the normal pattern of the mask 6, the image is formed through an angle distribution control board 10.例文帳に追加

マスクの正常パターンから発生する散乱光の影響を小さくして欠陥の検出を容易にするため、角度分布制御板１０を通して結像する。 - 特許庁

Enhancement of the symmetry which is obtained in the distribution of the pattern intrinsic property over the mask area upgrades lithographic processability, thereby improving a yield of die 100.例文帳に追加

マスク領域にわたるパターン固有特性の分布について得られる対称性の増強は、リソグラフィ加工性を高め、それにより、ダイ１００の歩留まりを改善する。 - 特許庁

According to an embodiment, a mask film 12 and a core material film 13 in a predetermined-shaped pattern are formed on a processed film 11 first, and a spacer film 14 is formed thereupon.例文帳に追加

実施形態によれば、まず、被加工膜１１上にマスク膜１２と所定の形状のパターンの芯材膜１３とを形成し、その上にスペーサ膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a mask pattern designing method by which an increasing OPC processing time is shortened, consequently the manufacture TAT of a semiconductor device is shortened and the cost is reduced.例文帳に追加

増大するＯＰＣ処理時間の短縮を実現し、半導体デバイスの製造ＴＡＴを短くし、コストを削減するマスクパターン設計方法を提供することである。 - 特許庁

The scanning equi-speed stroke length on the mask stage 101 is made longer than the conventional exposure apparatus having a scale down to 1/4 so that the pattern writing area is the same.例文帳に追加

マスクステージ１０１におけるスキャンの等速度ストローク長を従来の１／４に縮小される露光装置より長くすることで描画領域が同一になるようにする。 - 特許庁

To provide a method for correcting the mask data so as to correct the dimensional errors produced by the defocus state during exposure due to the difference in height of a base layer and by the proximity effect of the correction pattern.例文帳に追加

下地層の高さの差による露光時の焦点ずれと、補正パターンの近接効果により生ずる寸法誤差を補正するマスクデータ補正方法を提供すること。 - 特許庁

This aligner is equipped with the exposure main body part 1a exposing the pattern of a mask M on a substrate P, and an adjusting device 23 adjusting the condition of the atmosphere of the main body part 1a.例文帳に追加

マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光本体部１ａと、露光本体部１ａの雰囲気の状態を調整する調整装置２３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can prevent the deformation of a pattern or contact failure due to optical proximity effect, and to provide a mask for exposure used for the same.例文帳に追加

光近接効果によるパターンの変形や配線間のコンタクト不良を防止しうる半導体装置の製造方法、並びにこれに用いる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method of, and a program product for optimizing an intensity profile of a pattern to be formed in a surface of a substrate relative to a given mask using an optical system.例文帳に追加

光学システムを使用して、任意のマスクに対して基板の表面に形成すべきパターンの強度プロフィールを最適化する方法およびプログラム製品を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that can appropriately perform light shielding of a non-exposure region by using a light-shielding member upon carrying out pattern exposure by relatively moving a substrate and a mask.例文帳に追加

基板とマスクとを相対移動させることでパターン露光を行う際に、遮光部材を用いて非露光領域を適切に遮光できる露光装置を提供する。 - 特許庁

To form a conductive film, which has a steep slope at an end, secures a desired film thickness, and suppresses a difference in shape from a mask pattern, by using etching.例文帳に追加

端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。 - 特許庁

Due to this structure, when removing SiO_2 deposited on side faces of the mask layer 53, there will be no remaining SiO_2, causing no burrs in the edge part of the inversion pattern of the inversion gate layer 32.例文帳に追加

これにより、マスク層５３の側面に堆積したＳｉＯ_２を除去する際にＳｉＯ_２が残留せず、反転ゲート層３２の反転パターンの縁部にバリが生じない。 - 特許庁

A desired pattern can be formed by using such substrate 100 and adjusting the exposure device based on the deflection amount of the mask substrate 100 detected by the photosensor 103.例文帳に追加

このようなマスク基板１００を用い、光センサ１０３が検知したマスク基板１００のたわみ量に基づいて露光装置を調整し、所望のパターンが形成できる。 - 特許庁

To provide a method for designing a mask pattern by which the increased OPC (Optical Proximity Correction) processing time can be shortened, and the manufacture TAT (Turn Around Time) of a semiconductor device can be shortened to reduce the cost.例文帳に追加

増大するＯＰＣ処理時間の短縮を実現し、半導体デバイスの製造ＴＡＴを短くし、コストを削減するマスクパターン設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure which exceeds resolution limits of a conventional transfer device and is capable of faithfully carrying out pattern transfer at a specified light amount.例文帳に追加

本発明は、転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a proximity effect which can improve the accuracy of a proximity effect correction by taking differences in the quantity of out-of-focused light between meshes corresponding to divisions of a mask pattern into consideration.例文帳に追加

マスクパターンを分割したメッシュ毎のビームぼけ量の違いを考慮することで近接効果補正の精度う改善した近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above a mask layer 15, and then developed, thereby the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加

マスク層１５の上からＸ線感光膜１１にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜１１を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁

The extracted region and the memorized correction values of the mask pattern for each material are referred and selected in a correction table referring unit 23a.例文帳に追加

そして、補正テーブル参照部２３ａ、…にて、上記抽出された領域と、上記記憶された材料別のマスクパターンの補正値がそれぞれ参照して選択される。 - 特許庁

To provide a structure of a screen mask for allowing a thick printing film thickness and smoothness compatible in a thick coating screen printing of a solid pattern, and to provide a method for printing.例文帳に追加

この発明は、べたパターンの厚塗りスクリーン印刷において、厚い印刷膜厚と平滑性を両立させるためのスクリーンマスクの構造と印刷方法を提供する。 - 特許庁

Further, by occupying a relatively large region out of the dummy region FA with the first dummy pattern DP_1, an increase in the amount of data of a mask is suppressed.例文帳に追加

さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

In the method, a mask 1 which is divided into a plurality of sections having dimensions smaller than the spread dimension of back-scattered electrons at the making of an exposure pattern forming exposure and different reflectivity is prepared.例文帳に追加

露光パターン形成露光の際の後方散乱電子の拡がり寸法より小さい寸法の反射率の異なる複数の区域に分割したマスク１を準備する。 - 特許庁

The organic birefringent film 101 is bonded to a transparent substrate 105 on the opposite face of the face on which the mask pattern 107 of the organic birefringent film 101 is formed (processes (f) to (k)).例文帳に追加

次に、有機複屈折膜１０１のマスクパターン１０７を形成した面と反対の面で有機複屈折膜１０１を透明基板１０５に接着する（工程（ｆ）〜（ｋ））。 - 特許庁

An isolated light shielding pattern composed of a light shielding film region 101 and a phase shift region 102 is formed on a transmitting substrate 100 serving as a mask.例文帳に追加

マスクとなる透過性基板１００上に、遮光膜領域１０１と位相シフト領域１０２とから構成された孤立した遮光性パターンが形成されている。 - 特許庁

A ratio D_0/D' of the mask pattern D_0 for the each opening to the each opening inside diameter D' is corrected in response to the density of the plurality of openings distributed in a plane of the solder resist layer.例文帳に追加

ソルダーレジスト層の面内に分布する複数の開口の密度に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ_０と開口内径Ｄ’との比Ｄ_０／Ｄ’を補正する。 - 特許庁

To provide a system and method for exposure by which a fine pattern can be transferred without lowering a beam current, and to provide a stencil mask and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

ビーム電流を下げることなく、微細なパターンを転写することができる露光装置、露光方法、ステンシルマスク、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the mask pattern is removed, the first insulating film on the first region is annealed in an atmosphere containing oxygen at a temperature of, for example, ≤600°C.例文帳に追加

前記マスクパターンの除去後、前記第１の領域上を前記第１の絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中において、例えば温度６００℃以下の温度でアニールする。 - 特許庁

By repeating a process for moving the movable member and a process for projecting an energy ray to the resist film, a drawing process (S2) for drawing a pattern on the resist mask is performed.例文帳に追加

可動部材を移動させる工程とレジスト膜にエネルギー線を照射する工程とを繰返すことにより、レジスト膜にパターンを描画する描画工程（Ｓ２）を実施する。 - 特許庁

In a step of setting specifications for inspection of a photomask, a dimensional variance specification of a line end is provided as one of dimensional variance specifications of a mask pattern to be inspected.例文帳に追加

フォトマスクの検査のための仕様を設定するステップにおいて、検査すべきマスクパターンの寸法ばらつき仕様の一つとしてラインエンドの寸法ばらつき仕様を設ける。 - 特許庁

To provide a stencil mask for charged particle beam capable of being manufactured inexpensively, without having to employ an SOI (silicon-on insulator) substrate and avoided from the distortion of a substrate, while being formed through pattern forming with high accuracy.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いることなく、安価に製造でき、基板の歪みが回避され高い精度でパターン形成された荷電粒子線用ステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

To suppress generation of a luminescent spot and/or a dark spot in a display device in which a thin film pattern is formed on an array substrate by a vacuum deposition method using a mask.例文帳に追加

マスクを用いた真空蒸着法によりアレイ基板上に薄膜パターンを形成した表示装置で輝点及び／又は滅点が発生するのを抑制する。 - 特許庁

To provide an exposure device or the like which enables an object of exposure to be exposed to light in a short time at a low cost when the exposure object is exposed to light through a mask with a variable exposure pattern.例文帳に追加

露光パターンを可変可能なマスクにより被露光対象物を露光する場合において、短時間化と低コスト化を図る露光装置等を提供する。 - 特許庁

Because the mask part 13 is formed of a photosensitive emulsion, the formation of micropattern is facilitated and the cathode vapor deposition pattern A can be vapor deposited into micropattern.例文帳に追加

マスク部１３は、感光性をもつ乳剤から形成されているので、微細パターンの形成が容易であり、カソード蒸着パターンＡを微細パターンに蒸着することができる。 - 特許庁

A joint histogram of a neighboring luminance value to be referenced by the higher-order local autocorrelation (HLAC) of each of 0 to N-th order is produced relating to the mask pattern of each order among 0 to N-th order.例文帳に追加

0〜Ｎ次の各次マスクパターンに対して、それぞれ0〜Ｎ次の高次局所自己相関(HLAC)で参照される近傍の輝度値の結合ヒストグラムを生成する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

A message to urge to exchange the light source and an address or the like to contact with the installation trader of the projection device can be set as a pattern set on the mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁

To provide a projection exposure method of exposing a radiation-sensitive substrate by at least one image of a mask pattern, to provide a projection exposure system, and to provide a projection objective.例文帳に追加

放射線感応基板をマスクパターンの少なくとも１つの像によって露光する投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系を提供する。 - 特許庁

When the edge placement error is still out of the given range, a mask pattern obtained by subjecting the negative correction fragment to new OPC is regarded as the correction result.例文帳に追加

さらに乖離量が一定範囲内に収まっていない場合には、消極的補正フラグメントについて新たにＯＰＣを施したマスクパターンを補正結果とする（Ｓ２１０）。 - 特許庁

To provide a mask and an exposure method contributing to the decrease of defective transfers and to the increase of positional precision of a pattern after transfer, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁