「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic birefringent film 101 is bonded to a transparent substrate 105 on the opposite face of the face on which the mask pattern 107 of the organic birefringent film 101 is formed (processes (f) to (k)).例文帳に追加

次に、有機複屈折膜１０１のマスクパターン１０７を形成した面と反対の面で有機複屈折膜１０１を透明基板１０５に接着する（工程（ｆ）〜（ｋ））。 - 特許庁

An isolated light shielding pattern composed of a light shielding film region 101 and a phase shift region 102 is formed on a transmitting substrate 100 serving as a mask.例文帳に追加

マスクとなる透過性基板１００上に、遮光膜領域１０１と位相シフト領域１０２とから構成された孤立した遮光性パターンが形成されている。 - 特許庁

A ratio D_0/D' of the mask pattern D_0 for the each opening to the each opening inside diameter D' is corrected in response to the density of the plurality of openings distributed in a plane of the solder resist layer.例文帳に追加

ソルダーレジスト層の面内に分布する複数の開口の密度に応じて、開口用マスクパターン外径Ｄ_０と開口内径Ｄ’との比Ｄ_０／Ｄ’を補正する。 - 特許庁

By repeating a process for moving the movable member and a process for projecting an energy ray to the resist film, a drawing process (S2) for drawing a pattern on the resist mask is performed.例文帳に追加

可動部材を移動させる工程とレジスト膜にエネルギー線を照射する工程とを繰返すことにより、レジスト膜にパターンを描画する描画工程（Ｓ２）を実施する。 - 特許庁

In a step of setting specifications for inspection of a photomask, a dimensional variance specification of a line end is provided as one of dimensional variance specifications of a mask pattern to be inspected.例文帳に追加

フォトマスクの検査のための仕様を設定するステップにおいて、検査すべきマスクパターンの寸法ばらつき仕様の一つとしてラインエンドの寸法ばらつき仕様を設ける。 - 特許庁

Because the mask part 13 is formed of a photosensitive emulsion, the formation of micropattern is facilitated and the cathode vapor deposition pattern A can be vapor deposited into micropattern.例文帳に追加

マスク部１３は、感光性をもつ乳剤から形成されているので、微細パターンの形成が容易であり、カソード蒸着パターンＡを微細パターンに蒸着することができる。 - 特許庁

A joint histogram of a neighboring luminance value to be referenced by the higher-order local autocorrelation (HLAC) of each of 0 to N-th order is produced relating to the mask pattern of each order among 0 to N-th order.例文帳に追加

0〜Ｎ次の各次マスクパターンに対して、それぞれ0〜Ｎ次の高次局所自己相関(HLAC)で参照される近傍の輝度値の結合ヒストグラムを生成する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

To suppress generation of a luminescent spot and/or a dark spot in a display device in which a thin film pattern is formed on an array substrate by a vacuum deposition method using a mask.例文帳に追加

マスクを用いた真空蒸着法によりアレイ基板上に薄膜パターンを形成した表示装置で輝点及び／又は滅点が発生するのを抑制する。 - 特許庁

To provide an exposure device or the like which enables an object of exposure to be exposed to light in a short time at a low cost when the exposure object is exposed to light through a mask with a variable exposure pattern.例文帳に追加

露光パターンを可変可能なマスクにより被露光対象物を露光する場合において、短時間化と低コスト化を図る露光装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for exposure by which a fine pattern can be transferred without lowering a beam current, and to provide a stencil mask and a method of manufacturing semiconductor device.例文帳に追加

ビーム電流を下げることなく、微細なパターンを転写することができる露光装置、露光方法、ステンシルマスク、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the mask pattern is removed, the first insulating film on the first region is annealed in an atmosphere containing oxygen at a temperature of, for example, ≤600°C.例文帳に追加

前記マスクパターンの除去後、前記第１の領域上を前記第１の絶縁膜を、酸素を含む雰囲気中において、例えば温度６００℃以下の温度でアニールする。 - 特許庁

Further, by occupying a relatively large region out of the dummy region FA with the first dummy pattern DP_1, an increase in the amount of data of a mask is suppressed.例文帳に追加

さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

In the method, a mask 1 which is divided into a plurality of sections having dimensions smaller than the spread dimension of back-scattered electrons at the making of an exposure pattern forming exposure and different reflectivity is prepared.例文帳に追加

露光パターン形成露光の際の後方散乱電子の拡がり寸法より小さい寸法の反射率の異なる複数の区域に分割したマスク１を準備する。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition by which an exact vapor deposition pattern can be formed and a structure less likely to generate bending by its own weight can be obtained.例文帳に追加

正確な蒸着パターンを形成することができ、しかも自重によって撓みが発生しづらい構造を得ることが可能な蒸着用マスクを提供すること。 - 特許庁

After the forming beams 21 reached an upper left region of the circuit pattern 16a, the substrate stage 12 and mask stage 17 are slid to a -X direction by a pitch P.例文帳に追加

次に、成形ビーム２１が回路パターン１６ａの左上の領域に達した後に、基板ステージ１２及びマスクステージ１７をピッチＰ分だけ−Ｘ方向にずらす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.例文帳に追加

アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device with which the manufacturing conditions may be set easily and wires or the like may be formed with the ultra-fine processes without the resist mask pattern falling down during the process.例文帳に追加

製造条件の設定が容易で、工程中にレジストマスクパターンが倒れることもなく配線等を微細加工できる半導体装置の製造を提供する。 - 特許庁

Such a mask includes a phase shifting technique for forming a dark area of the image by utilizing a destructive interference, and is not restricted so as to coincide with the desired printing pattern.例文帳に追加

こうしたマスクは、破壊的干渉を利用して、イメージの暗領域を画定する位相シフト技術を含み、所望の印刷パターンに合致するように拘束されない。 - 特許庁

To provide a method for correcting a proximity effect which can improve the accuracy of a proximity effect correction by taking differences in the quantity of out-of-focused light between meshes corresponding to divisions of a mask pattern into consideration.例文帳に追加

マスクパターンを分割したメッシュ毎のビームぼけ量の違いを考慮することで近接効果補正の精度う改善した近接効果補正方法を提供する。 - 特許庁

The X-ray sensitive film 11 is irradiated with X-ray from above a mask layer 15, and then developed, thereby the X-ray sensitive film 11 is patterned into a prescribed pattern.例文帳に追加

マスク層１５の上からＸ線感光膜１１にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜１１を所定パターンにパターニングする。 - 特許庁

The extracted region and the memorized correction values of the mask pattern for each material are referred and selected in a correction table referring unit 23a.例文帳に追加

そして、補正テーブル参照部２３ａ、…にて、上記抽出された領域と、上記記憶された材料別のマスクパターンの補正値がそれぞれ参照して選択される。 - 特許庁

To provide a structure of a screen mask for allowing a thick printing film thickness and smoothness compatible in a thick coating screen printing of a solid pattern, and to provide a method for printing.例文帳に追加

この発明は、べたパターンの厚塗りスクリーン印刷において、厚い印刷膜厚と平滑性を両立させるためのスクリーンマスクの構造と印刷方法を提供する。 - 特許庁

A message to urge to exchange the light source and an address or the like to contact with the installation trader of the projection device can be set as a pattern set on the mask 135.例文帳に追加

情報マスク１３５に設定されるパターンとしては、光源の交換を促すメッセージや、プロジェクション装置の設置業者の連絡先等などが可能である。 - 特許庁

To provide a projection exposure method of exposing a radiation-sensitive substrate by at least one image of a mask pattern, to provide a projection exposure system, and to provide a projection objective.例文帳に追加

放射線感応基板をマスクパターンの少なくとも１つの像によって露光する投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系を提供する。 - 特許庁

When the edge placement error is still out of the given range, a mask pattern obtained by subjecting the negative correction fragment to new OPC is regarded as the correction result.例文帳に追加

さらに乖離量が一定範囲内に収まっていない場合には、消極的補正フラグメントについて新たにＯＰＣを施したマスクパターンを補正結果とする（Ｓ２１０）。 - 特許庁

To provide a mask and an exposure method contributing to the decrease of defective transfers and to the increase of positional precision of a pattern after transfer, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

欠陥転写性の緩和、転写後のパターンの位置精度の向上に寄与することができるマスク、露光方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide, for example, an exposure apparatus in which the image height dependence of variations in imaging characteristics attributed to the positional dependence of the transmittance of a pattern formed on a mask is reduced.例文帳に追加

例えば、マスクに形成されたパターンの透過率の位置依存性に起因する結像特性の変動の像高依存性を低減した露光装置を提供する。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method which can form desirted resist patterns accurately and stably on a substrate material like SiC having optical transparency.例文帳に追加

ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deviation in the gap between a pattern forming mask and an exposure object substrate or the superposition of them even when a guide gets wavy while a moving base is moved.例文帳に追加

移動ベースの移動中においてガイドにうねりなどが生じても、パターン形成用のマスクと露光対象基板とのギャップや重ね合わせにズレが生じないようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition apparatus which can accurately align a mask having a high-definition pattern with a substrate, and accordingly can produce a high-definition organic EL panel.例文帳に追加

高精細なパターンを有するマスクと基板とを精度良く位置合わせすることができ、高精度な有機ＥＬパネルを製造することができる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Because the organic compound vapor reaches the mask board 25 through the aperture 24, an oblique component is eliminated and a sharp pattern of the organic thin film can be obtained.例文帳に追加

有機化合物蒸気がアパーチャ孔２４を通過してマスク板２５に到達するから、斜め成分が除去されてシャープなパターンの有機薄膜を得ることができる。 - 特許庁

The outer circumferential edge 4a of a pattern forming region 4 in a mask body and a frame body 3 are joined by an electrodeposition metal layer 9 formed by an electroforming method integrally not so as to be separated.例文帳に追加

マスク本体２のパターン形成領域４の外周縁４ａと枠体３とを、電鋳法により形成された電着金属層９で不離一体的に接合する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can effectively remove residue (rubbish) after plasma peeling treatment is made to a resist pattern used as a mask from a semiconductor wafer.例文帳に追加

マスクとして用いたレジストパターンにプラズマ剥離処理を行った後の残留物（ゴミ）を半導体ウェハーから有効に除去することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To supply a solvent vapor to a substrate with maintaining high in-plane uniformity when improving roughness of a pattern mask by supplying a solvent to a substrate.例文帳に追加

基板に溶剤を供給して、パターンマスクの荒れを改善するにあたり、高い面内均一性を確保した状態で、基板に対して溶剤蒸気を供給すること。 - 特許庁

Subsequently, after a plated mask resist is formed, a wiring pattern is formed by a plating current from a surface of a semiconductor substrate without need for a wet etching method.例文帳に追加

次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 - 特許庁

The resist pattern for machining a conductive plug is formed in the lower layer wiring 4, and is used as a mask for etching the lower layer wiring 4 to form a conductive plug 6.例文帳に追加

下層配線４に導電プラグを加工するためのレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして下層配線４をエッチングして導電プラグ６を形成する。 - 特許庁

By using as a mask a photoresist pattern 8, the metallic film, the low-resistance semiconductor layer, and the intrinsic semiconductor layer are dry-etched to form source and drain electrodes 9, 10 in the metallic film.例文帳に追加

フォトレジストパターン８をマスクとして金属膜、低抵抗半導体層および真性半導体層をドライエッチングし、ソース、ドレイン電極９、１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing mask blanks having a thinner pattern formation area than the other area in a method different from etching.例文帳に追加

エッチングとは異なる方法により、他の領域に比して薄膜のパターン形成領域を有するマスクブランクスを作製することができるマスクブランクスの作製方法を提供する。 - 特許庁

The mask pattern is set such that nozzles at the closest positions among a plurality of nozzles belonging to the same nozzle group do not perform ink ejecting operation simultaneously.例文帳に追加

このマスクパターンとしては、同一のノズル群に属する複数のノズルのうち、最も近い位置にあるノズル同士が同時にインク吐出動作を行うことがないように設定される。 - 特許庁

By using the patterned primer resin layer 21 as a mask, the metal layer 12 of the double-face CCL 10 and the metal-plated layer 30 are patterned, and a wiring pattern is formed.例文帳に追加

そして、そのパターニングされたプライマー樹脂層２１をマスクとして、両面ＣＣＬ１０の金属層１２及び金属めっき層３０をパターニングして配線パターンを形成する。 - 特許庁

To remove a resist mask together with its hardened superficial film, without damaging the organic base film after the organic film patterning, in the formation of an organic film pattern.例文帳に追加

有機膜パターンの形成において、有機膜のパターニング後に、下地の有機膜を損なうことなく、レジスト表面硬化膜を含むレジストマスクの除去を可能にする。 - 特許庁

A conversion difference D1 is calculated which indicates a difference between a measured value of a width W3 of a pattern 45a of a mask layer 45 formed on a diffraction grating layer 41 and a design value of the width.例文帳に追加

回折格子層４１の上に形成されたマスク層４５のパターン４５ａの幅Ｗ３の測定値とその設計値との差を示す変換差Ｄ１を算出する。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁