「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

This electric stimulating apparatus for face comprises an electric stimulating apparatus 31 having the facial nerve stimulating output for simulating the facial nerve distributed to facial mimetic muscles with a programmed pattern, and the stimulating output for activating the skin of the entire face, and an electrode-loading mask configurated by a mask 1 for frontal eye circumferential part, a mask 11 for lip circumferential part, and a mask 21 for jaw lower part.例文帳に追加

顔面表情筋に分布する顔面神経をプログラムされたパターンで刺激する顔面神経刺激出力と顔面全体の皮膚を賦活化させる刺激出力を有する電気刺激装置３１と、顔面の適正刺激部位に表面刺激電極を配置する前頭眼周囲部用マスク１、口唇周囲部用マスク１１、顎下部用マスク２１からなる電極装着マスクとを具備する。 - 特許庁

Further in the photomask which has a plurality of unit mask regions having the same external size and the same mask pattern including a plurality of light transmission sections formed thereon and on which the unit mask regions are adjacently and repeatedly arranged along the predetermined direction, the photomask in which width of the unit mask region in the predetermined direction is ≥600μm is used and the diffuse reflection board is formed by using photolithography.例文帳に追加

また、同一の外形寸法を有すると共に複数の光透過部を含む同一のマスクパターンが形成された単位マスク領域を複数有し、単位マスク領域が所定方向に沿って隣接して繰り返し配置されたフォトマスクにおいて、所定方向における前記単位マスク領域の幅が６００μｍ以上であるフォトマスクを用い、フォトリソグラフィー法を用いて拡散反射板を形成する。 - 特許庁

A mask is formed on a permeable substrate, a first region having an optically catalytic film on the substrate and the mask is formed, light is allowed to penetrate the substrate to irradiate light to the optically catalytic film, a second region is formed by partially reforming the first region, and a pattern is formed by delivering a composition containing a pattern formation material to the second region.例文帳に追加

透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。 - 特許庁

Related to an X-ray mask having a structure, where an absorber pattern 11 of such material as absorbs X-ray is placed on a mask substrate through which X-ray is transmitted, the absorber pattern 11 comprises at least a Ta, having a structure where at least one layer among Ru, Cr, TiN, and TaN is formed as its base material layer 15.例文帳に追加

Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線マスクにおいて、吸収体パタンは、少なくともＴａで構成されており、その下地材料層としてＲｕ、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＴａＮのうちの少なくとも１層を形成した構造のＸ線マスクとする。 - 特許庁

A ground tint superimposing apparatus is provided for superimposing a ground tint pattern on a document having an answer column; and the ground tint superimposing apparatus comprises at least a superimposing section for acquiring mask information having information on coordinates of the answer column, and for superimposing the ground tint pattern on a portion, excluding the answer column, of the document on the basis of the mask information.例文帳に追加

回答欄を有する帳票に地紋パターンを重畳する地紋重畳装置が提供される、この地紋重畳装置は、少なくとも前記回答欄の座標の情報を有するマスク情報を取得し、当該マスク情報に基づいて、地紋パターンを帳票の回答欄を除いた部分に重畳する重畳部を備える。 - 特許庁

A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第１不純物領域４ａｄとドレイン領域となる第２不純物領域４ａｅが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極６ａ，８ａと上部電極７ａを有するゲート電極９が形成される。 - 特許庁

The ink jet head is manufactured through a process for forming a taper in the nozzle hole using the light path of laser beam to be converged optically and dually through a mask having a hole shape pattern at the ink channel side and a mask having a hole shape pattern at the ink ejection side, which are arranged in order from a light source for drilling a nozzle hole into the nozzle plate by means of a laser.例文帳に追加

レーザーを用いてノズルプレートにノズル穴を穿孔するにあたり、光源側から順に配置された、インクチャネル側の穴形状パターンを有するマスク及びインク吐出側の穴形状パターンを有するマスクを経て、光学的に２元に収光されるレーザー光の光路によりノズル穴にテーパーを形成する工程を経て製造されたインクジェットヘッド。 - 特許庁

To provide a phase inversion mask which can improve the yield and reliability of a semiconductor element by equalizing the limit sizes of a light transmission pattern formed on a wafer in respective directions by using conventional exposure wavelength when the pattern of a light transmission area formed on the phase inversion mask is different in array pitch with the direction and its manufacturing method.例文帳に追加

位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、従来の露光波長を使用して、ウエハに形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにし、半導体素子の歩留まり及び信頼性を向上し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the transparent electrode is formed, the transparent electrode of the prescribed pattern is formed with a first mask 22 opened with the prescribed pattern by the vacuum thin film forming technique, and an organic EL luminescent material is laminated by the vacuum thin film forming technique with a second mask 30 opened in the prescribed range of the transparent electrode.例文帳に追加

透明電極１４を形成する際に、所定のパターンが開口した第一のマスク２２を用いて真空薄膜形成技術により所定パターンの透明電極１４を形成し、透明電極１４の所定範囲に開口した第二のマスク３０を用いて有機ＥＬ発光材料を真空薄膜形成技術により積層する。 - 特許庁

The crime prevention unit includes a photographing means 2 for photographing a predetermined range set in advance, a means 12 for preserving an image mask pattern for each user, a cutout means 10 for extracting only a predetermined range image from the image photographed by the photographing means using the mask pattern, and a distribution means 11 for distributing the post-extraction image either automatically or when requested.例文帳に追加

予め定められた所定の範囲を撮影する撮影手段２と、ユーザごとに画像のマスクパターンを保存する手段１２と、撮影手段で撮影した画像をマスクパターンを用いて所定範囲の画像のみを抽出する切り出し手段１０と、抽出後の画像を自動的または要求時に配信する配信手段１１とを備える。 - 特許庁

In the forming method for the magnetization pattern comprising a stage for irradiating the magnetic recording medium having a magnetic layer on a substrate with an energy ray via the mask to heat the irradiated part of the magnetic layer and a stage for applying an external magnetic field to the magnetic layer, the mask locally diffuses the energy ray corresponding to the magnetization pattern to be formed.例文帳に追加

基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し、該磁性層の被照射部を加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程と、を含む磁化パターン形成方法であって、該マスクが、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線を局所的に拡散させる磁化パターン形成方法。 - 特許庁

The machining method further comprises a step 105 for forming an oxide film etching mask pattern corresponding to a deep trench in the upper surface of the oxide film, a step 106 for forming the mask pattern on the upper surface of the silicon substrate 1, and a step 107 for making two trenches of desired profile and depth in the silicon substrate 1 by etching.例文帳に追加

該酸化膜の上面に、深い溝に対応して、酸化膜エッチングマスクパターンが作製され（工程１０５）、エッチングにより、シリコン基板１の上面には、当該酸化膜マスクパターンが形成されて（工程１０６）、エッチングにより、シリコン基板１に対しては、それぞれ所望の形状ならびに深さを有する二つの溝が形成される（工程１０７）。 - 特許庁

A mask pattern 31a covering the surface part for forming an ink supply chamber recess 18 in the silicon substrate 2A includes a large number of rhombic openings 41 formed discretely and the mask pattern 31a is stripped and removed automatically utilizing undercut progressing from the four sides 42-46 of each rhombic opening 41 as etching progresses.例文帳に追加

シリコン基板２Ａにおけるインク供給室用凹部１８を形成するための表面部分を覆っているマスクパターン３１ａを、多数の菱形開口部４１を離散状態に形成したものとし、エッチングの進行に伴って各菱形開口部４１の四辺４２〜４６から進行するアンダーカットを利用して、マスクパターン３１ａを自動的に剥離して除去する。 - 特許庁

To provide a transferring mask for charged particles which can correct a location of a circuit pattern transferred on a wafer by locating a non-penetration pattern for measuring a coordinate of a position in a margin area (skirt portion) within a self-supporting membrane, to provide a method of manufacturing it, and to provide a method of transferring using the transferring mask for the charged particles.例文帳に追加

自立メンブレン内のマージン領域（スカート部）に非貫通の位置座標測定用パターンを設けることにより、ウェハ上に転写される回路パターン位置を補正できるようにした荷電粒子用転写マスク及びその製造法並びにその荷電粒子用転写マスクを用いた転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The photomask 100 has a mask pattern on one main surface of a transparent substrate, wherein the entire surface on the one main surface including the mask pattern and the entire surface of the other main surface opposite to the first main surface are covered with ion-impermeable thin films 104a, 104b, respectively, having a high transmittance for exposure light.例文帳に追加

透明基板の一方の主面側にマスクパターンを有するフォトマスク１００において、少なくとも前記マスクパターンを含む一方の主面側全面と前記一方の主面に相対する他方の主面側全面とが、露光光に対して透過率の高いイオン不透過性の薄膜１０４ａ、１０４ｂで覆われていることを特徴とする。 - 特許庁

And the pattern RAM on the prescribed mask R is measured by the first measurement system 51 after the position relationship between the measurement visual field of the second measurement system 52 and the pattern RAM is determined, on the basis of the position information corresponding to the information when the existence of the identification information regarding the prescribed mask R is recognized in the stored information.例文帳に追加

そして、所定マスクＲ上のパターンＲＡＭを第１計測系５１で計測する前に、記憶された情報の中に所定マスクＲに関する識別情報の存在が認識されるとその情報に対応する位置情報に基づいて、第２計測系５２の計測視野とパターンＲＡＭとの位置関係を決定する。 - 特許庁

The manufacturing method of the test mask includes steps of forming a pattern of a light shielding film on a glass substrate and of changing the film thickness of the light-shielding film in the pattern, wherein the step of changing the film thickness of the light-shielding film is repeated to produce a test mask.例文帳に追加

テストマスクは、数種類の透過率を有し、かつ各々の種類の透過率において寸法の異なるパターンを有するようにしたものであり、テストマスクの製造方法は、ガラス基板上の遮光膜のパターン形成を行う工程と、パターンの遮光膜の膜厚を変える工程と、を備え、前記遮光膜の膜厚を変える工程を繰り返し、テストマスクを作製する。 - 特許庁

The projection optical system forms a first projection image of the pattern on the first portion so that the third heading on the mask and the first heading on the first portion may optically correspond, and forms a second projection image of the pattern on the second portion so that the third heading on the mask and the second heading on the second portion may optically correspond.例文帳に追加

投影光学系は、マスク上の第３の向きと第１部分上の第１の向きとが光学的に対応するようにパターンの第１投影像を第１部分上に形成し、マスク上の第３の向きと第２部分上の第２の向きとが光学的に対応するようにパターンの第２投影像を第２部分上に形成する。 - 特許庁

When the mask pattern 91 of the mask 90 and the electrode pattern 111 of the printed wiring board 110 are opposed to each other, the boundary between the first region 101 and the second region 102 is located inside an edge 113 of the printed wiring board 110 and the second region 102 extends outside the edge 113 of the printed wiring board 110.例文帳に追加

マスク９０のマスクパターン９１とプリント配線板１１０の電極パターン１１１とを対応させたときに、第１の領域１０１と第２の領域１０２との境界がプリント配線板１１０の縁１１３よりも内側に位置し、第２の領域１０２がプリント配線板１１０の縁１１３よりも外側に広がっている。 - 特許庁

This method of forming the microstructure includes a process to form a light shielding mask pattern 11 for shielding light with a prescribed wavelength on the surface of a substrate 7 containing a material which emits light when light having prescribed energy is irradiated to it, and a process to apply a photo-polymerizable photo-polymerization material 9 to the top face of the substrate 7 on which the light shielding mask pattern 11 is formed.例文帳に追加

所定のエネルギを有する光が照射されることにより発光する材料を含む基板７の表面に、所定の波長の光を遮光する遮光マスクパターン１１を形成する工程と、遮光マスクパターン１１が形成された基板７の上面に、光重合性を有する光重合材料９を塗布する工程とを備える。 - 特許庁

The thin and long masks 5 and the mask 4 having the pattern are used as an etching mask, and anisotropic etching of which etching speed in a widthwise direction is higher than that in a thickness direction is adopted to form a specified pattern in the ZnO layer 3 to be left, and then the ZnO layer 3 to be removed is removed and the square masks 5 are peeled.例文帳に追加

複数の細長のマスク５及び上記パターンのマスク４とをエッチングマスクとして、厚さ方向のエッチング速度よりも幅方向のエッチング速度が速い異方性エッチングにより、残存対象のＺｎＯ層３に所定のパターンを形成するとともに、除去対象のＺｎＯ層３を除去して複数の矩形マスク５を剥離する。 - 特許庁

In an optical structure in which first and second mask layers 21, 22 each having a predetermined design pattern and a wavelength region different from that of the other mask layer as a transmission region are formed on a second transparent substrate 18, first and second LEDs 13, 14 each having a peak of light emission intensity in the wavelength region corresponding to each of the mask layers 21, 22 are disposed.例文帳に追加

所定の意匠パターンを有しそれぞれ他のマスク層とは異なる波長域を透過領域とする第１及び第２のマスク層２１，２２を第２の透明基板１８上に成膜した光学構造体に対してそれらマスク層２１，２２に対応した波長域に発光強度のピークを有する第１及び第２のＬＥＤ１３、１４を配置した。 - 特許庁

In this method for manufacturing a planar optical waveguide circuit device, a mask layer for lift-off is formed on an optical waveguide circuit composed of cores and clads, and a mask having a plurality of first patterns corresponding to the respective cores and a plurality of second patterns formed at at least one side of each of the first patterns apart from the first pattern is used to expose the mask layer for lift-off.例文帳に追加

平面光導波回路デバイスの製造方法であって、コアとクラッドから成る光導波回路上にリフトオフ用マスク層を形成し、各コアに対応する複数の第１パターンと該各第１パターンの少なくとも片側に該第１パターンから離間して形成された複数の第２パターンを有するマスクを使用してリフトオフ用マスク層を露光する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam drawing device for drawing a predetermined pattern by irradiating a mask with a charged particle beam for drawing an image by setting a grounding body 10 comprising a grounding pin 10c vertically installed in a frame-like frame 10a on a mask W in which a grounding body corresponding to the type of the mask can be set and deterioration in throughput can be prevented.例文帳に追加

マスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、額縁状のフレーム１０ａにアースピン１０ｃを垂設して成るアース体１０をマスクＷにセットして描画を行うものにおいて、マスクにその種類に応じたアース体をセットでき、且つ、スループットの低下も防止できるようにする。 - 特許庁

For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁

An underlay sheet 150 is disposed between a die 2 of a punch press equipped with a punch 1 and the die 2 and a printing mask material 140 of a plastic sheet such as PPS, and an opening of a printing mask is formed by making the opening in a prescribed pattern in the printing mask material 140 and the underlay sheet 150 by the punch press.例文帳に追加

ポンチ1とダイス2とを備えたパンチプレスのダイス２と、ＰＰＳなどのプラスチック板からなる印刷用マスク材１４０との間に、下敷板１５０を配置し、該印刷用マスク材１４０及び該下敷板１５０に、上記パンチプレスにより所定パターンからなる開口を穿孔することによって、該印刷用マスク１４の開口１４ａを形成する。 - 特許庁

The mask for near field exposure comprises a mask base 100 and a light shielding film 102 and has an aperture pattern having one or more openings 101 of a width smaller than a wavelength of exposure light in the light shielding film, wherein the mask base is made of a rubber elastic material (polydimethylsiloxane) which is transparent to exposure light.例文帳に追加

マスク母材１００と遮光膜１０２とからなり、該遮光膜に露光用光の波長よりも小さい幅の開口１０１を一つ以上含む開口パターンを有する近接場露光用マスクにおいて、 前記マスク母材が、前記露光用光に対して透明なゴム状弾性体（リジメチルシロキサン）によって形成された構成とする。 - 特許庁

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.例文帳に追加

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁

By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film.例文帳に追加

シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 - 特許庁

In this method for forming the barrier of the plasma display panel, which includes a process to pattern a barrier material layer by a sand blasting process through a mask 13 for sand blast after forming the barrier material layer 12 on a base 11 and providing the mask 13 for sand blast on it, a material having conductivity is used for the mask 13 for sand blast.例文帳に追加

基板１１上に障壁材料層１２を形成し、その上にサンドブラスト用マスク１３を設けた後、そのサンドブラスト用マスク１３を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層１２をパターニングする工程を含むプラズマディスプレイパネルの障壁形成方法において、サンドブラスト用マスク１３として導電性を有するものを用いる。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold used for imprint by dry etching a substrate 10 made of quartz by using a dry etching apparatus includes the mask forming step of forming an etching mask 20 having a concave and convex pattern on the substrate 10, and the etching step of forming a protective film 30 on a side of the etching mask 20 and for etching the substrate 10 at the same time.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いて石英製の基板１０をドライエッチングすることにより、インプリントに用いるモールドの製造方法において、基板１０に凹凸パターンを有したエッチングマスク２０を形成するマスク形成ステップと、エッチングマスク２０の側壁への保護膜３０の形成と基板１０のエッチングとを同時に行うエッチングステップとを含む。 - 特許庁

The printing mask 62 has a mask pattern 87 capable of enabling a printing operation by driving the nozzle 24 most liable to generate the dot arrangement error by a relatively small number and driving the other nozzles 24 not liable to generate the dot arrangement error by a relatively large number.例文帳に追加

このプリントマスク(62)は、ドット配置エラーを最も発生しやすいそれらのノズル(24)が相対的に少ない回数で印字することを可能にし、かつドット配置エラーを発生しにくい他のノズル(24)が相対的に多い回数で印字することを可能にするマスクパターン(87)を有する。 - 特許庁

The transfer mask comprises a support substrate 27, a silicon thin film 24 on which a mask pattern is formed, and a thin film of rigidity higher than that of silicon that is so formed as to cover the supporting substrate 27 and a side surface thereof.例文帳に追加

本発明に係る転写マスクは、支持基板２７と、マスクパタンが形成されたシリコン薄膜２４と、を備えた転写マスクであって、支持基板２７及びその支持基板２７の側面を覆うように形成されたシリコンより高剛性の薄膜を具備するものである。 - 特許庁

By using a mask having such a mask pattern 7, the distances between a P type gate layer 4 and the central section 3a and the end section 3b of the N type emitter layer 3 are respectively controlled, and the P type gate layer 4 can be formed around the N type emitter layer 3.例文帳に追加

前記マスクパターン部７を有するマスクを用いることにより、Ｎ型エミッタ層３の中央部３ａおよび端部３ｂとＰ型ゲート層４との間の距離をそれぞれ制御して、Ｎ型エミッタ層３の周囲にＰ型ゲート層４を形成することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device and the method for fabricating the liquid crystal display device, the number of mask further can be reduced by forming an active pattern and a storage electrode with a single mask process and also by patterning a pixel electrode, too simultaneously upon the patterning of a gate line.例文帳に追加

アクティブパターンとストレージ電極を１回のマスク工程で形成することによって、また、ゲート配線のパターニング時に画素電極をも同時にパターニングすることによって、マスク数をさらに減少させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aligner which easily confirms a movement error of a shutting component used to shut the unnecessary exposure light when transferring a pattern formed on a mask on a substrate, synchronously moving the mask and the substrate, and which can adjust the movement.例文帳に追加

マスクと基板とを同期移動させつつマスクに形成されたパターンを基板上に転写する際に、不要な露光光を遮光するために用いられる遮光部材の移動誤差の有無を容易に確認し、調整することができる露光装置等を提供する。 - 特許庁

When a photosensitive resist 2 is exposed through a mask 1 having optical windows 11, 12 and an isolated light shield 142 and developed to form an isolated resist pattern 22, a mask width W10 of the shield 142 is set to 80-97% of an exposure wavelength λ.例文帳に追加

光学的窓１１，１２及び孤立遮光体１４２を有するマスク１を通して感光性レジスト２を露光し、現像して孤立レジストパターン２２を形成する際、孤立遮光体１４２のマスク幅Ｗ１０を、露光波長λの８０〜９７％にする。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask capable of reducing deviations of a test pattern by reducing changes in precision of a width of an opening to be possibly generated, by supporting the mask in a manner of applying tensile force thereto, and to provide a manufacturing method of the organic EL element and the organic EL element.例文帳に追加

マスクに引張力を加えるように支持することによって発生する恐れがある開口部幅の精度変化を減らしてパターンの偏差を減らしうる蒸着マスク、これを利用した有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The surface position control for the substrate following the detection of the position information on the substrate surface, and frequency response characteristics are executed, while permitting the mask and the substrate to be moved in a synchronous fashion, and a mask pattern is transferred to each shot region which is to be an object of exposure (in step 425).例文帳に追加

そして、マスクと基板とが同期移動されつつ、基板表面の位置情報の検出及び周波数応答特性に従った基板の面位置制御が実行され、露光対象となる各ショット領域にマスクパターンがそれぞれ転写される（ステップ４２５）。 - 特許庁

To provide an EB (electron beam) transfer mask which can be easily manufactured and which can suppress deterioration in the accuracy of drawing a pattern due to the spatial charge effect, resist heating or the like caused during the EB transfer in the process of forming an EB transfer mask data composed of complementary masks.例文帳に追加

コンプリメンタリーマスクで構成されるＥＢ（電子線）転写マスクデータの作成において、ＥＢ転写の際における空間電荷効果やレジストヒーティング等に起因する描画精度劣化を抑制し、かつ容易に製造可能なＥＢ転写マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After adhesion, inner stress is generated in the stencil mask 12, however, the inner stress concentrates on the slits 28, which results in about ≤4 MPa inner stress, at most ≤10 MPa, in the membranes 26 in the mask pattern formation region.例文帳に追加

接着後にはステンシルマスク１２に内部応力が発生するが、この内部応力はスリット２８、２８に集中するため、マスクパターン形成領域２３のメンブレン２６、２６…における内部応力は概ね４ＭＰａ以下、最大でも１０ＭＰａ以下に維持される。 - 特許庁

A resist film 11 formed of chemically sensitized resist material is subjected to a first EB projection exposure 12A under the condition that a beam blur and a focus position are set at 20 nm and 2 μm, respectively, through the intermediary of a first mask 13 where a first mask pattern has been formed.例文帳に追加

化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜１１に対して、第１のマスクパターンが形成された第１のマスク１３を介して、ビームブラー：２０ｎｍで且つ焦点位置：２μｍの条件で第１回目のＥＢプロジェクション露光１２Ａを行なう。 - 特許庁

The position of the substrate is aligned based on the obtained position information, the first resist film is exposed through a second mask to transfer the second pattern of the second mask, and the first latent image mark is eliminated by exposing an region including the first latent image mark.例文帳に追加

得られた位置情報に基づいて基板の位置合わせを行い、第２のマスクを通して第１のレジスト膜を露光し、第２のマスクの第２のパターンを転写するとともに、第１の潜像マークを内包する領域を露光して第１の潜像マークを消去する。 - 特許庁

A mask M held by exposure mechanisms 3A and 3B is brought into contact with a substrate W held by substrate holder mechanisms 3A and 3B of exposure processing parts 1A and 1B of an automatic exposure device and the substrate W is automatically exposed to a specified pattern through the mask W.例文帳に追加

自動露光装置１の各露光処理部１Ａ，１Ｂの基板ホルダ機構３Ａ，３Ｂに保持された基板Ｗに、各露光機構５Ａ，５Ｂに保持されたマスクＭを接触させ、このマスクＭを通して基板Ｗ上に所定のパターンを自動的に露光処理する。 - 特許庁