「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

An element isolation trench is formed in a semiconductor device via a mask pattern, the element isolation trench is embedded by a dielectric, and subsequently an unneeded dielectric is removed by chemical-mechanical polishing.例文帳に追加

半導体基板中にマスクパターンを介して素子分離溝を形成し、さらに前記素子分離溝を絶縁膜で埋め込んだ後、化学機械研磨して余計な絶縁膜を除去する。 - 特許庁

To improve the dimensional accuracy of a pattern formed on a board by suppressing the reflection of a dimensional error on the board being an object to be exposed during the production of a projection mask.例文帳に追加

投影マスク製造時の寸法誤差が被露光対象である基板上に反映されてしまうことを抑止して、基板上に形成するパターンの寸法精度を向上させる。 - 特許庁

A double refracting crystal board DR as a member having optical anisotropy is provided at the light exit side of a projecting optical system PL for projecting the image of the pattern of a mask on a wafer W.例文帳に追加

マスクのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬの光出射側に光学的異方性を有する部材としての複屈折結晶板ＤＲを設ける。 - 特許庁

To provide an inspection device or an inspection method capable of inspecting samples, like a wafer and a mask, having an equivalent circuit pattern formed thereon but different shapes, by using one device.例文帳に追加

ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern which includes a region, having a thick film thickness and a region having a thinner film thickness than that of the former region is formed on the reflective electrode, by using a light exposure mask which includes a transflective portion.例文帳に追加

反射電極上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The stencil reference value determined is collated with an element value of the stencil pattern, and based on the color mask determined and using the one component, a three-dimensional model is drawn at a pixel which corresponds to matching values.例文帳に追加

そして、決定されたステンシル参照値とステンシルパターンの要素値を照合し、一致した値に対応する画素に、決定されたカラーマスクに基づき１成分で立体モデルを描画する。 - 特許庁

To provide a mask pattern for manufacturing a semiconductor device, a forming method thereof, a method for manufacturing coating composition for forming a micropattern, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask 11 is preferably moved in a direction perpendicular to the progress direction of exposure light, and the resist pattern 13a is preferably provided with a rugged face in accordance with the function of an optical element.例文帳に追加

マスク１１を露光光の進行方向と直交する方向に移動させることが好ましく、レジストパターン１３ａを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ましい。 - 特許庁

At first, a resistor heating part 31 is provided on a head chip 29 while being surrounded by a barrier wall 23, an orifice plate 24 is placed thereon and a mask pattern 32-1 of Ti film 32 is formed thereon.例文帳に追加

先ずヘッドチップ２９の上に抵抗発熱部３１、これを囲む隔壁２３、その上にオリフィスプレート２４を積層し、その上にＴｉ膜３２のマスクパタ−ン３２−１を形成する。 - 特許庁

The X-ray mask is used to transfer a pattern onto a resist by X-ray lithography, and includes an X-ray transmissive portion and an X-ray absorption body held by the X-ray transmissive portion.例文帳に追加

本発明のＸ線マスクは、Ｘ線リソグラフィにおいてレジストにパターンを転写するマスクであり、Ｘ線透過部と、Ｘ線透過部により保持されるＸ線吸収体とを備える。 - 特許庁

The mask pattern is configured by a size of about a half of a display screen, is configured by a size of key display or a character unit, or is configured by a plurality of figures.例文帳に追加

そして、前記マスクパターンを、表示画面半分程度の大きさで構成し、または文字単位やキー表示の大きさで構成し、または複数の図形で構成するようにした。 - 特許庁

To provide a pattern layout that can prevent changes in transistor characteristics caused by rounding which generates inside a corner of a diffusive region or a gate wiring and by an alignment error of a mask.例文帳に追加

拡散領域あるいはゲート配線の角部内側に発生する丸まりとマスクの位置合わせ誤差とに起因するトランジスタ特性の変動を防止し得るパターンレイアウトを提供する。 - 特許庁

The mask means 80 is supported freely forwards and backwards between a projection position on the projection optical axis and a retreat position toward a photographing means from the projection optical axis, and has a pattern transmitting the light.例文帳に追加

マスク手段８０は、投影光軸上の投影位置と、投影光軸より撮影手段側の退避位置との間を進退可能に支持され、光を透過するパターンを有する。 - 特許庁

A resist pattern which includes a region having a thick film thickness and a region having a thinner film thickness than the former region is formed over the reflective electrode by using a light exposure mask which includes a semi-transmission portion on the reflective electrode.例文帳に追加

反射電極上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The exposure apparatus feeds a body T to be exposed in a roll film shape having a prescribed width onto an exposure stage 50 and exposes the circuit pattern of a mask to the body to be exposed.例文帳に追加

露光装置は、所定幅を有するロールフィルム状の被露光体Ｔを露光ステージ５０上に送り込んで、マスクの回路パターンを被露光体に露光する露光装置である。 - 特許庁

The pattern shown in a mirror device projection region 2 where the mirror device of about 15 mm width is to be projected is condensed into a small spot by a microlens array and projected onto the mask substrate 1.例文帳に追加

約１５ｍｍの幅のミラーデバイスが投影されるミラーデバイス投影領域２に示されたパターンは、マイクロレンズアレイによって小さなスポットに集光され、マスク基板１上に投影される。 - 特許庁

Further, after the mask is formed, the etching liquid is ejected from the nozzle to thereby perform etching processing on an exposed metal face of the workpiece 10A to form a machining pattern.例文帳に追加

さらに、前記マスクを形成後に、エッチング液をノズルから噴射することにより、露出したワーク１０Ａの金属面をエッチング処理して加工パターンを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

When a predetermined pattern including a plurality of gate patterns is formed, patterns are sorted into fine gate patterns and the other patterns (S102), and a hard mask film is formed on a workpiece film (S106).例文帳に追加

複数のゲートパターンを含む所定のパターンを形成する際に、微細ゲートパターンとそれ以外のパターンとに分類し（Ｓ１０２）、被加工膜上に、ハードマスク膜を形成する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

Then, by removing (lifting-off) the lift-off mask 40, a nonmagnetic embedded layer pattern made of the residual of the nonmagnetic embedded layer 50 embedded in the groove 42 is selectively formed.例文帳に追加

続いて、リフトオフマスク４０を除去（リフトオフ）することにより、溝４２に埋め込まれた非磁性埋込層５０の残存部分からなる非磁性埋込パターンを溝４２に選択的に形成する。 - 特許庁

The light reflected by the main mirror M1 forms the secondary image of the mask pattern with reduced magnification on the surface of a wafer 9 via the lens component L2 and the center opening of the submirror M2.例文帳に追加

主鏡Ｍ１で反射された光は、レンズ成分Ｌ２および副鏡Ｍ２の中央開口部を介してウエハ９面上にマスクパターンの二次像を縮小倍率で形成する。 - 特許庁

After a conductive film 17Z is first formed on an MR film 14Z, the MR film 14Z covered with the conductive film 17Z is selectively removed by using a mask pattern 5.例文帳に追加

あらかじめＭＲ膜１４Ｚ上に導電膜１７Ｚを形成したのち、マスクパターン５を用いて導電膜１７Ｚに覆われたＭＲ膜１４Ｚを選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method that can perform a high throughput of wafer treatment with a process liquid containing potassium hydroxide (KOH) at a low cost by using a proper mask material.例文帳に追加

適切なマスク材料を用いることにより、水酸化カリウム(KOH)を含む処理液によるウエハの処理をスループット高く、低コストで行うことができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The connections of the inverter circuits to signal routes can be realized only by altering a connection wiring pattern mask according to the number of the inverters to be connected, without altering the other manufacturing process.例文帳に追加

インバータ回路の信号経路への接続は、接続配線パターンマスクを接続するインバータ回路の数に応じて変更するだけで、他の製造工程を変更することなく実現できる。 - 特許庁

In a step S_3, an exposure simulation for using the first and second exposing methods is performed for all pattern of the mask patterns, to check the degree of a process margin (process tolerance).例文帳に追加

ステップＳ_３ では、第１及び第２の露光方法を使ったときの古老シミュレーションをマスクパターンの全パターンに対してそれぞれ行い、プロセスマージン（プロセス裕度）の大小を確認する。 - 特許庁

The projection beam PB of radiation makes an exposed region 1" and a nonexposed region 2" on a resist layer R, corresponding to the light region 1 and the dark region 2 of a mask pattern.例文帳に追加

前記放射線の投影ビームＰＢは、マスクパターンの明領域１および暗領域２に対応して、それぞれ、レジスト層Ｒ上に露出領域１″および非露出領域２″を作る。 - 特許庁

A method for forming an electro conductive film pattern forms a first metal film 2 comprising ITO on an insulated substrate 1 and further, forms selectively a resist mask 3 being an insulated thin film on the first metal film 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上にＩＴＯからなる第１の金属膜２を形成し、さらに第１の金属膜２上に選択的に絶縁性薄膜であるレジストマスク３を形成する。 - 特許庁

To recorrect a proximity-effect corrected mask pattern without reacquiring experiment data at each time and to shorten the time needed to re-form a photomask.例文帳に追加

実験データをいちいち再取得しなくても、近接効果補正されたマスクパターンを再補正できるようにすると共に、フォトマスクの再作成に要する時間を短縮できるようにする。 - 特許庁

The reticle is constituted by covering a mask pattern 2 formed on a reticle substrate 1 with a pellicle 4, and directly joining the end face of the pellicle frame 3 holding the pellicle 4 to the surface of the reticle substrate 1.例文帳に追加

レチクル基板１上に形成されたマスクパターン２がペリクル４で覆われるようにして、ペリクル４を保持するペリクルフレーム３の端面をレチクル基板１の表面に直接接合する。 - 特許庁

To obtain a high-quality phase shift mask with high reliability, suppressing generation of haze on the surface without degrading control of pattern dimensions and a phase difference with higher accuracy.例文帳に追加

より高精度なパターン寸法及び位相差の制御を損なうことなく、表面におけるヘイズの発生を十分に抑止し、信頼性の高い高品質の位相シフトマスクを実現する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film, having higher sensitivity and high fidelity to a mask, and to provide a method for manufacturing a thick resist pattern by using the photoresist composition.例文帳に追加

より高感度でマスク忠実性の高い厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物と、当該フォトレジスト組成物を用いた厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The data management device 3 classifies and manages a plurality of masks M based on not an identifier given to each mask M but an identifier id2 given to each layout pattern of the masks M.例文帳に追加

データ管理装置３は、マスクＭ毎に付与された識別子ではなく、マスクＭのレイアウトパターン毎に付与された識別子ｉｄ２に基づいて複数枚のマスクＭを区別して管理する。 - 特許庁

To provide a scanning exposure device, an exposure method, and a device manufacturing method capable of improving the shape accuracy of a pattern formed on a substrate using a variable molding mask.例文帳に追加

可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for forming the dynamic pressure generating part, ink 12 is supplied to an outer peripheral face 2a1 of a raw material 2a' constituting a shaft member to form the masking pattern 1 and then treating a surface of a raw material of a non-mask part 1b.例文帳に追加

軸部材を構成する素材２ａ’の外周面２ａ１にインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面を処理する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method for using an ion implantation mask which is stable even with a fine pattern without fall to form a good annular ion implantation region.例文帳に追加

微細パターンでも安定して倒れの生じないイオン注入マスクを用い、良好な環状のイオン注入領域を形成することができるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating the information recording medium includes a step of forming nanorod recording layers on a substrate by sputtering using a mask having a prescribed aspect ratio and a nanorod pattern.例文帳に追加

基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

In the processes of manufacturing a photomask blank before the wiring pattern of a photomask is formed, a mask layer 22 consisting of a nickel film is formed by subjecting a substrate 10 to electroless plating with nickel.例文帳に追加

フォトマスクの配線パタンが形成される前のフォトマスクブランクの製造過程において、基板１０上に、ニッケルの無電解メッキをすることによりニッケル膜よりなるマスク層２２を形成する。 - 特許庁

The measuring apparatus includes a device having a mask structure mechanism 5 including a measurement pattern 6; and a device 10 for detecting and evaluating interference information for indicating an imaging error.例文帳に追加

測定装置は、測定パターン6を含むマスク構造機構5を有する装置と、撮像エラーを示す干渉情報の検出および評価のための装置10を含む測定装置と、を含む。 - 特許庁

Under a condition that the focus position is corrected, the first and second focus monitor patterns formed on a mask as well as a circuit pattern are transferred onto the photoresist film on the second wafer (S114).例文帳に追加

前記フォーカス位置が補正された状態で、前記マスクに形成された第１及び第２のフォーカスモニタパターン、並びに回路パターンを第２のウェハ上のフォトレジスト膜に転写する（Ｓ１１４）。 - 特許庁

Utilizing a fine mask pattern by the photolithography technology, Sn solder 5 covered with an Ag film 6 is fed onto a semiconductor 1 and an electrode pad 3A of a board.例文帳に追加

フォトリソグラフィー技術による微細なマスクパターンを利用して、表面がＡｇ膜６で覆われたＳｎはんだ部５を、半導体１および基板の電極パッド３Ａ上に供給する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein a process pattern is formed on a semiconductor wafer inexpensively without waste and a mask is superposed thereon highly accurately.例文帳に追加

本願課題は、半導体ウエハ上に無駄なく安価にプロセスパターンを形成し、高精度にマスクを重ね合わせることを可能にする半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a technology by which the alternation of a layout pattern from the production side is made unnecessary, the design time can be shortened and the yield can be improved in the method for forming a mask.例文帳に追加

マスクの形成方法において、製造側からのレイアウトパターンの変更をなくし、設計工期を短縮するとともに歩留まりの向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

A reflecting pixel electrode 11 (third metal film) and a second transparent conductive film 12 as a layer above it are patterned with the same mask pattern and subjected to a batch wet etching process using the same etchant.例文帳に追加

反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。 - 特許庁

The focus monitor method uses modified illumination to transfer the pattern of a photo mask 5 for phase shift focus monitor to a photo resist 21b on a semiconductor substrate 21a.例文帳に追加

本発明のフォーカスモニタ方法は、位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５のパターンを、変形照明を用いて半導体基板２１ａ上のフォトレジスト２１ｂに転写することを特徴とする。 - 特許庁

Since this mask pattern includes a phase component in addition to an amplitude component, in steps 33 and 34, the objective photomask having a phase shifting layer disposed on a transmissivity modulating layer is produced.例文帳に追加

このマスクパターンは振幅成分に加えて位相成分も含んでいるので、ステップ３３および３４で透過率変調層に位相シフト層が積層されたフォトマスクを製造する。 - 特許庁

Next, by etching a photoresist pattern Fr2 formed on the layer insulation film 18 as a mask, a wiring groove 71 larger than the via hole 70 is formed in the internal element region.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１８の上に形成されたフォトレジスパターンＦr2をマスクとするエッチングにより、内部素子領域において、ヴィアホール７０よりも広い配線用溝７１を形成する。 - 特許庁