「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask shown in (a) is formed with a pattern (black marked portion) not transmitting light in a portion (hereinafter referred to as boundary portion) corresponding to the boundary between the unit microlenses, and has a gray degree distribution corresponding to a shape pattern of an objective microlens array in the other portion.例文帳に追加

（ａ）に示されたマスクは、単位マイクロレンズ同士の境界に当たる部分（境界部分と称する）には、光を透過させないパターン（黒塗り部分）が形成され、その他の部分は、目的とするマイクロレンズアレイの形状パターンに対応するグレー度分布を有するマスクである。 - 特許庁

Further, after etching and removing the conductive layer by using the resist pattern as a mask, by forming an antenna pattern comprising the assembly of conductors, an electromagnetic absorber 30 for absorbing or reflecting a specific-frequency electromagnetic wave is so formed as to create a film 100 having an electromagnetic wave shielding property.例文帳に追加

さらに、レジストパターンをマスクにして導電層をエッチングにより除去し、導電体の集合体からなるアンテナパターンを形成し、特定周波数を吸収または反射する電磁波吸収体３０を形成し、電磁波シールド性を有するフィルム１００を作製する。 - 特許庁

Furthermore, an electrode pattern can be formed in a short process, without forming a mask required for protecting silver in etching, by leaving, as it is, only silver on the gold or platinum layer, in the silver thin film formed on the whole surface on the glass substrate where a gold or platinum pattern is formed.例文帳に追加

さらに、金や白金のパターンを形成したガラス基板上の全面に形成された銀薄膜のうちの、金や白金層の上のみに銀を残し、エッチングの際に銀を保護するために必要となるマスクを形成することなく短い工程で電極パターンを形成できる。 - 特許庁

To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern.例文帳に追加

半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるＢＡＲＣなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。 - 特許庁

In the process S103, a semiconductor region is etched using a first mask having the array of patterns including first-nth pattern parts and first-nth periodic structures for a diffraction grating corresponding to the first-nth pattern parts respectively are formed in the respective element sections of the semiconductor region.例文帳に追加

工程Ｓ１０３では、第１〜第ｎのパターン部を含むパターンの配列を有する第１のマスクを用いて半導体領域をエッチングして、第１〜第ｎのパターン部にそれぞれ対応する回折格子用の第１〜第ｎの周期構造を半導体領域の各素子区画に形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for performing a resist pattern inspection without deteriorating the performance of the inspection apparatus in which, when inspecting a resist pattern of a mask substrate using a short-wavelength and high output light source, outgas is generated to cause the deterioration of the performance of an optical system of the inspection apparatus.例文帳に追加

マスク基板のレジストパターンを短波長、高出力光源を使用する検査装置を用いて検査するとアウトガスが発生し、検査装置の光学系の性能を劣化させる要因となるため、検査装置の性能を劣化させることなくレジストパターン検査を行う装置を提供する。 - 特許庁

Information of a transfer error is obtained by transfer a pattern in a first region (RPA1) on a mask (RT), on a wafer on which a prescribed region is a target region, and depending on the relationship between the transferred region and the target region on the wafer transferred by the pattern.例文帳に追加

基板上の所定の領域を目標領域として、マスク（Ｒ_Ｔ）上の第１領域（ＲＰＡ１）内のパターンを基板上に転写し、該パターンが転写された基板上での転写領域と目標領域との関係に基づいて、転写誤差の情報を求める。 - 特許庁

The photomask 4 formed by coating the whole of a mask surface with a pattern formed thereon with a glass film is used, the photomask 4 is closely contacted to a semiconductor wafer 1 having a resist film 3 formed on a surface thereof, and the pattern of the photomask 4 is transferred to a surface of the resist film 3 of the semiconductor wafer 1 by exposing it to light.例文帳に追加

パターンを形成したマスク面全体に、ガラス膜を被膜させたフォトマスク４を使用し、このフォトマスク４と、表面にレジスト膜３を設けた半導体ウエハ１とを密着させ、前記フォトマスク４のパターンを前記半導体ウエハ１のレジスト膜３上に露光する。 - 特許庁

The performance of the printing using the screen mask can enhance the wrap-around property of paste even on the same condition as the conventional printing condition, without changing a paste material or the printing condition, and can bring about the high-precision pattern 5 faithful to the design pattern 4.例文帳に追加

斯かるスクリーンマスクを使用した印刷を行うことにより、ペースト材料や印刷条件を変更することなく、従来の印刷条件と同じ条件でもペーストの回り込み性を向上させ、設計上のパターン４に忠実な高精度なパターン５を得ることが出来る。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。 - 特許庁

UV rays emitting from a light source 221 of the exposure machine 220 exit vertically downward via a first reflection mirror 223, a slit 224 and a second reflection mirror 225 to transfer a desired pattern of the pattern formed in the mask 210 onto the entire area of the traveling glass 201.例文帳に追加

露光機２２０の光源２２１から発散される紫外線光は、第１の反射ミラー２２３、スリット２２４、第２の反射ミラー２２５を介して、垂直下方に出射され、マスク２１０に形成されたパターンが、移動するガラス２０１の全面積に所望のパターンを転写される。 - 特許庁

A refractive index pattern is formed by irradiating the composition with radiation through a pattern mask and subjecting the composition to heat treatment to polymerize the polymerizable compound (A) and to confine the fugitive compound (D) with crosslinking in the exposed area and to decompose the fugitive compound (D) in the unexposed area.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射した後、加熱処理して露光部の重合性化合物（Ｂ）を重合せしめ逃散性化合物（Ｄ）を架橋により閉じ込め且つ未露光部の逃散性化合物（Ｄ）を分解させることにより屈折率パターンを形成することができる。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

Under a state where the temperature at at least a part of the circumferential edge part of the transparent substrate is sustained higher than the temperature in the central part of the transparent substrate, the light shading film is etched by a plasma etching method using the resist film pattern as an etching mask thus forming a light shading film pattern.例文帳に追加

前記透明基板の周縁部のうち少なくとも一部の温度を前記透明基板の中心部分の温度より高く維持する状態で、前記レジスト膜パターンをエッチングマスクとし、プラズマを利用するエッチング方法によって前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する。 - 特許庁

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁

The exposure mask comprising a first layer portion 13 provided with an opening pattern 13a and a second layer portion 14 provided with an opening pattern 14a which are laminated, wherein the opening patterns 13a and 14a are disposed in a state of partly intersecting with each other.例文帳に追加

開口パターン１３ａが設けられた第１層部分１３と、開口パター１４ａが設けられた第２層部分１４とを積層してなる基板１２を備えた露光マスク１０であり、開口パターン１３ａと開口パターン１４ａとは、部分的に交差させた状態で配置されている。 - 特許庁

In the mask body 20, pattern regions 30 of six faces composed of a plurality of through holes 31 are arranged at the position corresponding to the opening 11 of the frame body 10 rectangularly as the whole, and the through holes 31 for passing vapor deposition materials are arranged at each pattern region 30.例文帳に追加

マスク本体２０には、枠体１０の開口１１に対応する位置に、複数の通過孔３１からなる６面のパターン領域３０が全体として矩形状に配置され、各パターン領域３０には蒸着材料通過用の通過孔３１が配列されている。 - 特許庁

Structure of the integrated circuit package carrier 10 is provided with a substrate 10, a conductor pattern which is composed of a plurality of copper wires and set on a single surface or both surfaces of the substrate 10, and a solder mask 30 for covering a prescribed part of the conductor pattern and a plurality of connective connection bodies 40.例文帳に追加

集積回路パッケージキャリア１の構造は、基板１０と、複数の銅導線からなり基板１０の片面または両面に設置される導体パターンと、導体パターンの所定部分および複数の導接体４０を被覆するためのソルダマスク３０とを有している。 - 特許庁

By irradiating the composition with radiation through a pattern mask, the above component (C) and the component (A) in the irradiated part are decomposed to produce a difference in the refractive index between the irradiated part and the non- irradiated part to form a pattern having different refractive indices.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射することにより、放射線照射部の上記（Ｃ）成分および（Ａ）成分が分解し、放射線照射部と放射線未照射部との間に屈折率の差を生じ、屈折率が異なるパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a foreign matter inspection device capable of reducing the overlooking of a foreign matter while reducing the erroneous detection due to the scattered or diffracted light from a pattern in the inspection of the foreign matter on a substrate on which the pattern such as a reticle or a mask is formed, and a foreign matter inspection method using it.例文帳に追加

レティクルやマスクなどパターンが形成された基板上の異物検査において、パターンからの散乱や回折光による誤検出を低減しながら、かつ、異物の見逃しも低減することができる異物検査装置および異物検査方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the photosensitive resist 6 on the wiring pattern 2 and in the through hole 5 exposed simultaneously through irradiation of UV- rays at the time of curing the negative photosensitive resist 11 is developed and removed and a protective plating layer is formed on the wiring pattern 2 and the through hole 5 using the photosensitive resist 11 as a mask.例文帳に追加

続いてネガ型の感光性レジスト１１硬化の際に同時に紫外線照射で露光された配線パターン２上およびスルーホール５の感光性レジスト６を現像除去した後、感光性レジスト１１をマスクに配線パターン２上およびスルーホール５に保護めっき層を形成する。 - 特許庁

After a chemical amplification resist is applied on a semiconductor substrate 10 to form a resist film 11, the resist film 11 is irradiated with ArF excimer laser light 13 through a mask 12 for pattern exposure, and the pattern exposed resist film 11 is heated (PEB: post exposure baking).例文帳に追加

半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。 - 特許庁

To prevent distortion of a development pattern due to overexposure at the adjacent part of adjoining exposure regions caused by repeated exposure of a resist film, when an etching mask for forming a repeated pattern of protrusions and recesses is formed by exposing and developing the resist film on the surface of the substrate of a semiconductor base material.例文帳に追加

半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

To provide a photomask blank capable of forming a pattern high in sensitivity and superior in resolution, and to provide a photomask which is prepared by using the photomask blank and is superior in film strength of a light shielding film and resistance to a solvent in mask cleaning even when having a fine pattern such as narrow lines.例文帳に追加

本発明は、高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクス、及び前記本発明のフォトマスクブランクスを用いてなり、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する - 特許庁

A part for determining the arrangement of character opening calculates a frequency when optional two character patterns are combined in the same small area throughout the circuit pattern, and determines the arrangement of character opening on a mask so that openings of character pattern having a high combination frequency may be mutually close to each other.例文帳に追加

キャラクタ開口配置決定部は、回路パターン全体を通して、任意の２つのキャラクタパターンが同一の小領域内にある組み合わせ頻度を計算し、組み合わせ頻度の高いキャラクタパターンの開口どうしが近接するようにマスク上でのキャラクタ開口の配置を決定する。 - 特許庁

The exposure mask 56A is formed, in such a way that a light-shielding pattern 55, placed on regions KO, K1 with higher heat capacity has a larger shape, has lower distribution density, or has a larger shape and lower distribution density, as compared with a light-shielding pattern 55 placed on a region K2 with lower heat capacity.例文帳に追加

この露光マスク５６Ａは熱容量が大きい領域Ｋ０，Ｋ１に置かれる遮光パターン５５が、熱容量が小さい領域Ｋ２に置かれる遮光パターン５５に比べて、形状が大きいか、配置密度が小さいか、形状が大きく且つ配置密度が小さいか、のいずれかに形成される。 - 特許庁

To provide a wiring board where a high conductive circuit pattern is formed on a substrate without need of generation of a private mask and a complicated process and the conductor layer of the conductive circuit pattern can sufficiently be formed, and to provide a manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

専用マスクの作成や複雑な工程を必要とすることなく、基板上に高度な導電性の回路パターンが形成され、また、導電性の回路パターンの導体層を良好に形成することができる配線基板および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加

ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which has a boundary in an uneven shape between an etched part and an unetched part without forming unevenness at an end of a pattern formed on a photomask when the semiconductor device is formed using a photoresist pattern as a mask.例文帳に追加

フォトレジストパターンをマスクとして半導体装置を形成した際に、フォトマスクに形成されるパターンの端部に凹凸を形成することなく、エッチングされた部分とエッチングされていない部分との境界が凹凸形状となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a mask for exposure having a pattern forming surface comprising a light transmissive portion and a light shielding portion, the pattern forming surface has a rugged shape corresponding to the rugged shape of a surface to be exposed in a portion including at least the boundary between the light transmissive portion and the light shielding portion.例文帳に追加

露光用マスクは、光透過部分と光遮蔽部分とからなるパターン形成面を有する露光用マスクにおいて、パターン形成面は光透過部分と光遮蔽部分との少なくとも境界を含む部分に被露光面の凹凸形状に対応した凹凸形状を有する。 - 特許庁

The chromium wiring is formed by carrying an object having the resist pattern on a chromium layer formed on a substrate in a chromium wet-etching section 23 and wet-etching the chromium layer with a mixed acid containing secondary ammonium cerium nitrate and perchloric acid by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

基板上に成膜されたクロム層上にレジストパターンが形成された対象物をクロムウェットエッチング部２３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターンをマスクとしてクロム層をウェットエッチングすることにより、クロム配線を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a transfer mask includes steps of forming: an opening in a first substrate; a pattern forming part by bonding the first substrate in which the opening has been formed and a second substrate; and a charged particle beam through-hole in the pattern forming part.例文帳に追加

第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

The aligner has the projection optical system which projects a pattern formed on a mask on a workpiece and has a ≥0.7 numerical aperture on the side of the workpiece and a shading plate which shades an area outside an area where the pattern is projected on the workpiece during the projection.例文帳に追加

マスクに形成されたパターンを被処理体に投影する該被処理体側の開口数が０．７以上である投影光学系と、前期投影時に前記被処理体上の前記パターンが投影される領域の外部の領域を遮蔽する遮蔽板とを有する露光装置を提供する。 - 特許庁

A light intensity distribution of a projection image of a mask pattern is simulated, the area of a projection image satisfying specified light intensity on a substrate is calculated according to the light intensity distribution obtained by the simulation, and pattern formation conditions are adjusted according to the area of the projection image.例文帳に追加

マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整するように構成する。 - 特許庁

When the resist is actually exposed and developed and lithography with its resist pattern as an etching mask is performed, the quantity of light or design image data is corrected on the basis of the obtained correction data, so that a desired finished line width can be achieved even for the resist pattern having a small taper angle.例文帳に追加

実際にレジストを露光、現像して、そのレジストパターンをエッチングマスクとしたリソグラフィを行う際に、先に求めた補正データに基いて光量を補正又は設計画像データを修正することで、小さなテーパー角を有するレジストパターンであっても、所望の仕上り線幅を実現することができる。 - 特許庁

End parts of an aperture part are formed so that inner side sides of the aperture part of a mask pattern gradually approach out side sides and the end parts are formed to be inclined by 45° to the extending direction of the aperture part.例文帳に追加

マスクパターンの開口部の内側の辺が徐々に外側の辺に近づくように開口部の端部が形成されており、各端部が開口部の延在方向に対して４５°傾いて形成されている。 - 特許庁

In such a case, an image processing unit 3 selects the mask pattern prepared for high resolution output, generates output image data by ANDing the image data therewith, and transfers it to a write-in unit 4.例文帳に追加

この場合、画像処理ユニット３が高解像度出力向けに用意されたマスクパターンを選択し、それと画像データの論理積を取って出力画像データを生成し、それを書き込みユニット４に転送する。 - 特許庁

To enable to highly accurately control the shape of a resist mask to be used for forming a lead element into a predetermined pattern, and to improve the forming accuracy of the lead element and manufacturing yield of a magnetic head.例文帳に追加

リード素子を所定パターンに形成するレジストマスクの形状を高精度に制御することを可能とし、リード素子の形成精度を高めるとともに磁気ヘッドの製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To form bit lines wherein the composition and formation conditions of a bit line hard mask pattern and a bit line nitride film spacer are varied and bit lines are formed, to improve a process margin of an SAC process and decrease an SAC process failure.例文帳に追加

ＳＡＣ工程のマージンを高め、ＳＡＣ工程失敗を低減させるため、ビットラインハードマスクパターン及びビットライン窒化膜スペーサの成分及び形成条件を変化させてビットラインを形成する。 - 特許庁

When the two alignment marks are detected, the work stage 3 is shifted so that they should become a predetermined positional relationship, and thus, exposing light is irradiated from the light emitter 1 so as to expose the mask pattern to the work piece W.例文帳に追加

２つのアライメントマークが検出されると、それらが所定の位置関係になるようにワークステージ３を移動し、光照射部１から露光光を照射し、ワークＷにマスクパターンを露光する。 - 特許庁

In such a case, the unit 3 selects the mask pattern prepared for low resolution output, generates the output image data by ANDing the image data therewith, and transfers it to the unit 4.例文帳に追加

この場合、画像処理ユニット３が低解像度出力向けに用意されたマスクパターンを選択し、それと画像データの論理積を取って出力画像データを生成し、それを書き込みユニット４に転送する。 - 特許庁

To eliminate dispersion in the temperature in the cooling surface of a stage by allowing a cooling water for controlling temperature of a pattern mask in an exposure stage to flow in a cooling water bath provided over the entire surface of a substrate placement surface which is to be exposed in the stage.例文帳に追加

液晶表示装置のカラーフィルタパターンの露光方法において、基板ステージ内でガラス基板の温度制御を行う際の面内温度のばらつきを低減する手段を提供すること。 - 特許庁

The resist 2 is then photo-sensed through the mask 5 with an alignment mark pattern 5a formed (g), and the resist 2 is developed, then, the resist 2 on a part 2a corresponding to the alignment mark is removed (h).例文帳に追加

そして、アライメントマークのパターン５ａが形成されたマスク５を通してレジスト２を感光させ（ｇ）、レジスト２を現像することにより、アライメントマークに対応する部分２ａのレジスト２を除去する（ｈ）。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser driving circuit which can make an eye pattern satisfy a specified eye mask by making the rising time and falling time of a waveform shorter when pulse-modulated signals are supplied to a vertical cavity surface emitting laser(VCSEL).例文帳に追加

面発光半導体レーザにパルス変調信号を加えた際の、波形の立ち上がり・立ち下がり時間を改善して、アイパターンが規定のアイマスクを満足する半導体レーザ駆動回路を提供する。 - 特許庁