「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for printing the pattern on a processing base comprises the steps of placing a screen formed with a screen print pattern mask on the base, then coating the overall surface of the screen with an ink, thereafter spraying the ink by a high pressure gas from a mesh part of the screen to a printer material, and dropping the ink on the base, thereby printing the pattern on the base.例文帳に追加

スクリーン印刷パターンマスクを形成したスクリーンを加工基板上に載せ、その後スクリーンの全面にインクを塗布し、そしてその後、高圧ガスによりインクを前記スクリーンにおけるメッシュ部分から機材に吹き付け、これによりインクを加工基板上に落として、加工基板上にパターン印刷を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To raise the contrast of an EUV light absorbing pattern without increasing the thickness of an EUV light absorbing layer which is formed on an EUV light reflecting multilayered film and into which the pattern is engraved in a reflection type mask for EUV exposure used for pattern transfer at manufacturing of a semiconductor, etc.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されＥＵＶ光を吸収するパターンの刻まれるＥＵＶ光吸収体層において、吸収体層の膜厚を厚くすることなく、パターンのコントラストを上げる。 - 特許庁

After forming an electrodeposition lead by removing an unnecessary metallic layer 3 in a state coating a part independent of the pattern 2 with a mask 4, a surface protection layer 8 is formed on the surface of the pattern 2 by an electrodeposition means in a state leaving an aperture necessary for the pattern 2.例文帳に追加

そこで、回路配線パタ−ン２とは無関係な部分をマスク４で被覆した状態で不要な導電性金属層３を除去して電着リ−ド部を形成した後、回路配線パタ−ン２に必要な開口部を残して電着手段で回路配線パタ−ン２の表面に表面保護層８を形成する。 - 特許庁

The exposure mask including a test mark 7 composed of an asymmetric diffraction grating pattern 10 varying in diffraction efficiency with +1st order light and -1st order light and a reference pattern 20 for obtaining an image which is a reference when measuring the deviation of the image of the asymmetric diffraction grating pattern 10 is used as the exposure for focus measurement.例文帳に追加

フォーカス測定用の露光マスクとして、＋１次光と−１次光とで回折効率の異なる非対称回折格子パターン１０と、非対称回折格子パターン１０の像のずれを測定する際の基準となる像を得るための基準パターン２０とで構成されたテストマーク７を含むものを用いる。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the high-voltage C-MOS element, a first oxide film pattern is formed on which a predetermined region of a semiconductor substrate is exposed, a second oxide film pattern is formed on the exposed semiconductor substrate, and ion implantation and annealing are performed with the first oxide film pattern serving as a mask to form a high-voltage deep well region.例文帳に追加

高電圧シーモス素子の製造方法は、半導体基板の所定領域が露出した第１酸化膜パターンを形成して、露出した半導体基板上に第２酸化膜パターンを形成して、第１酸化膜パターンをマスクにしてイオン注入及びアニーリングを遂行して高電圧ディープウェル領域を形成する。 - 特許庁

An exposure mask to be inspected is used for carrying out pattern exposure to a reference chip under standard exposure conditions, the pattern exposure is carried out to a plurality of inspection chips by changing exposure conditions, and development treatment is made, thus manufacturing a first inspection wafer where the pattern with the same layout is formed in each chip (S1 to S2).例文帳に追加

検査を行う露光マスクを用いてリファレンスチップに対して標準の露光条件でパターン露光を行い、複数の検査チップに対して露光条件を変化させたパターン露光を行った後、現像処理を行うことで各チップに同一レイアウトのパターンを形成してなる第１検査ウエハを作製する（Ｓ１〜Ｓ２）。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting irregularity of a periodic pattern that accurately images and detects the irregularity caused by dimension shift and position shift of several nm order in the periodic pattern, especially in an inspecting object such as a photo-mask for a CCD/CMOS imager where the directivity of the cell pitch or pattern varies.例文帳に追加

周期性のあるパターン、特にＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージャー用フォトマスクのようにセルピッチやパターンの方向性が多岐にわたるような被検査体に対し、数ｎｍオーダーの寸法ズレや位置ズレによって生じるムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

The present invention provides a stencil mask having a membrane group provided with beams 2, a plurality of membranes 1 surrounded by the beams, and opening patterns 5 provided in the membranes, and having five or more membrane groups, with an opening pattern of each membrane group being a complementary division pattern which is a mutually different part of the same pattern.例文帳に追加

本発明は梁２と、梁により囲われた複数のメンブレン１と、メンブレンに設けた開口パターン５と、を備えたメンブレン群を有し、前記メンブレン群を５つ以上有し、各メンブレン群の開口パターンは、同一のパターンの互いに異なる一部である相補分割パターンであることを特徴とするステンシルマスクである。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for measuring a mask pattern shape which enables the quick, correct and highly accurate quantitative measurement of the pattern shape of a photomask including a fine pattern by performing 1-dimensional numeric data conversion processing and to provide a recording medium.例文帳に追加

マスク画像のマスクパターン形状を計測する装置において、１次元数値データ変換処理を行い、微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を、迅速かつ正確・高精度に可能にするマスクパターン形状計測装置及びマスクパターン形状計測方法並びに記録媒体を提供する。 - 特許庁

Specifically, when superposing a projection image of a mask pattern on a reticle 20 on a transfer pattern on a semiconductor substrate 21 using a reduced projection exposure method, the rotational shift in an exposure shot region is corrected in accordance with a measurement value of a transitional shift in the exposure shot region in a transfer pattern on the semiconductor substrate.例文帳に追加

即ち、縮小投影露光法を用いて半導体基板２１上の転写パターンへレチクル２０上のマスクパターンの投影像を重ね合わせる際に、半導体基板上の転写パターンにおける露光ショット領域の並進シフトの測定値に応じて、露光ショット領域の回転シフトを補正する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a low dielectric constant insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, a step for forming a resist pattern 6 on the low dielectric constant insulating film, a step for etching the low dielectric constant insulating film 5 with the resist pattern as a mask, and a step for peeling the resist pattern 6 by plasma treatment with ammonium ions.例文帳に追加

半導体基板１上に低誘電率絶縁膜５を形成する工程と、低誘電率絶縁膜上にレジストパターン６を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によってレジストパターン６を剥離する工程と、を備えている。 - 特許庁

A part of an interlayer insulating film 19A, which is exposed to an area wherein an opening 21 corresponding to a wiring pattern in the second layer of a hard mask film 18 and an opening 23 corresponding to a wiring pattern in the first layer of a third resist pattern 22 overlap, is etched to form via openings 26 and 27.例文帳に追加

ハードマスク膜１８における２層目配線パターンと対応する開口部２１と、第３のレジストパターン２２における１層目配線パターンと対応する開口部２３とが重なった領域に露出する部分の層間絶縁膜１９Ａに対してエッチングを行うことによって、ビア開口部２６及び２７を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

To provide pattern width measurement equipment for performing non-destructive measurement without generating seizure on a mask substrate to be measured, and for accurately measuring a pattern width on the substrate to which microfabrication has been performed under the consideration of individual exposure conditions as an effective pattern width in exposure equipment.例文帳に追加

被測定マスク基板に焼き付きを生じさせることなく、非破壊での測定を可能とするとともに、個々の露光条件を考慮して精度良く微細加工処理が施された基板上のパタン幅を露光機における実効的なパタン幅として測定することが可能なパタン幅測定装置を提供する。 - 特許庁

The mask 10 for forming the waveguide is provided with one or more patterns 12 for forming a long size waveguide on a metallic plate 11, and the pattern 12 for forming the waveguide comprises a plurality of pattern opening parts 12a arranged along the longitudinal direction, and bridges 12b arranged between the pattern opening parts 12a and 12a, and the pattern opening part 12a is not provided with meshes.例文帳に追加

導波路形成用マスク１０は、金属板１１に長尺の導波路形成用パターン１２が１本以上設けられ、導波路形成用パターン１２は、長手方向に沿って設けられた複数のパターン開口部１２ａと、これらパターン開口部１２ａ、１２ａ間に設けられたブリッジ１２ｂからなり、パターン開口部１２ａにメッシュは設けられていないものである。 - 特許庁

An exposure pattern determination means 15 determines positions, shapes and transmitted light volumes of openings of the reconstructible mask 5 used for exposure on the basis of information capable of specifying the exposure region of the exposure object 7 so as to decide the exposure pattern, and the exposure device 1 exposes the exposure object 7 to light according to the exposure pattern determined by the exposure pattern determination means 15.例文帳に追加

被露光対象物７における露光領域を特定可能な情報に基づいて、露光パターン決定手段１５が再構成可能マスク５の露光に使用される各開口部の位置、各開口部の形状及び各開口部の光の透過量を決定して露光パターンを決定し、露光装置１は決定された露光パターンに従って被露光対象物７を露光する。 - 特許庁

The photomask has a photomask substrate, a mask pattern formed on the photomask substrate and containing at least one first pattern 11, a plurality of second patterns 12 arranged in a higher density than at least one first pattern, and a connecting part 13 connecting one end of at least one first pattern and each one end of the plurality of second patterns.例文帳に追加

このフォトマスクは、フォトマスク基板と、該フォトマスク基板上に形成されたマスクパターンであって、少なくとも１つの第１のパターン１１と、該少なくとも１つの第１のパターンよりも高い密度で配置された複数の第２のパターン１２と、該少なくとも１つの第１のパターンの一端と該複数の第２のパターンの各々の一端とを接続する接続部１３とを含むマスクパターンとを有する。 - 特許庁

In the exposure method where a mask formed with a desired pattern and an auxiliary pattern having dimensions smaller than those of the desired pattern is illuminated and light passed through the masks are projected to a body exposed through a projection optical system, the body is exposed at a position shifted from a best image focusing position when the auxiliary pattern is resolved.例文帳に追加

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを照明して当該マスクを経た光を投影光学系を介して被露光体に投影し露光する露光方法において、前記補助パターンが解像されてしまう場合に、最良結像フォーカス位置からずれた位置で前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

The mask holder for the charged particle beam exposure comprises openings provided, according to an opening pattern of a charged particle beam exposure mask, a charged particle beam irradiating holder member, a charged particle beam emission holder member for sandwiching the mask and recesses in contact portions of the irradiation holder member or the irradiation holder member and the emission holder member with the exposure mask.例文帳に追加

少なくとも荷電粒子線露光用マスクの開口パターンに応じた開口部が設けられ、且つ該マスクを挟み込むための荷電粒子線照射側ホルダ部材と荷電粒子線射出側ホルダ部材とを有し、かつ該荷電粒子線照射側ホルダ部材、または該荷電粒子線照射側ホルダ部材と該荷電粒子線射出側ホルダ部材の、荷電粒子線露光用マスクの接する部分に窪みを設けた荷電粒子線露光用マスクホルダを提供する。 - 特許庁

To provide a mask image forming a high-density, fine circuit pattern and conducting a more accurate etching so as to be able to allow a connecting terminal location accuracy as much as possible.例文帳に追加

本発明は、高密度高精細な回路パターンを形成し、接続端子の位置精度をできるかぎり許容できるように、より正確なエッチングを行えるマスク画像の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a fiber grating manufacturing device in simple constitution which apodizes the refractive index modulation pattern of a grating so as to have various function shapes with one apodizing mask.例文帳に追加

１つのアポダイズマスクでグレーティングの屈折率変調パターンを種々の関数形状となるようにアポダイズすることができ、しかも、構成が簡単であるファイバグレーティング製造装置を提供する。 - 特許庁

This is the film forming method in which by supplying a liquid material 7 into an opening part 61 of a mask installed on the base material 5, the film 8 of a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、基材５上に設けられたマスク６の開口部６１内に液状材料７を供給して、所定パターンの膜８を成膜する成膜方法である。 - 特許庁

To providing a method for manufacturing a semiconductor element with a vertical channel transistor, which can minimize losses of a hard mask pattern and a spacer surrounding an upper pillar to prevent attacks to the upper pillar.例文帳に追加

上部ピラーを取り囲むハードマスクパターン及びスペーサの損失を最小化して上部ピラーへのアタックを防止できる垂直チャネルトランジスタを備える半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a structure of a metal dummy pattern capable of suppressing the nonuniformity of a transistor characteristic to a maximum extent even though mask displacement is generated, while maintaining a flattening effect of the metal CMP.例文帳に追加

メタルＣＭＰ本来の平坦化効果を維持しつつ、マスクずれが発生してもトランジスタ特性の不均一性を可能な限り抑制し得るような、メタルダミーパターンの構造を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a member for transfer which does not cause the disappearance and peeling of wiring due to the internal stress of a plated metal and the infiltration of plating into the boundary between a mask pattern and a conductive substrate.例文帳に追加

金属めっきの内部応力による配線の消失、剥離、およびマスクパターンと導電性基板の間へのめっきの染込みが生じない転写用部材の製法の提供。 - 特許庁

A mask 10 is characterized in that T≤H holds if the thickness of the absorber 16, which is the absorbing film 16a formed into a desired transfer pattern, is T and the depth of the recess 17 is H.例文帳に追加

マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パターンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pattern correcting method for a mask for exposure, by which a new OPC(operations planning and control) rule or the like can be created in a short time in case of any change in a unit process after an OPC rule or the like is determined.例文帳に追加

ＯＰＣルール等が決定された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等を作成できる露光マスクのパターン補正方法を実現すること。 - 特許庁

A plurality of cell libraries are laid to design a mask pattern and the correction amount by the OPC applied to the cell library is changed by considering the influences of cell library patterns laid in the periphery.例文帳に追加

複数のセルライブラリを配置してマスクパターンを設計し、セルライブラリに施されたＯＰＣの補正量を、周囲に配置したセルライブラリのパターンの影響を考慮して変化させる。 - 特許庁

Next, after the water-repellent film 6 is removed except for the semi-through hole by second plasma gas treatment using oxygen gases or the like by a dry mask 8, a plating resist pattern 9a is patterned.例文帳に追加

次いで、ドライマスク８によって酸素ガス等を使用した第２のプラズマガス処理により半貫通ホール以外の撥水性膜６を除去した後、めっきレジストパターン９ａをパターニングする。 - 特許庁

In a negative resist, a region having the low transmissivity of the mask is arranged on the region of the resist aimed at small exposure or the minimal exposure to form a large-pattern region.例文帳に追加

ネガ型レジストの場合には、マスクの透過性が低い領域は、レジストの、大きなパターンの領域を形成するために低露光又は最小露光が意図される領域上に配置される。 - 特許庁

Further, a resist film 33 is pattern-formed on the conductive film 12 in a similar procedure, and an outer edge part 12a of the conductive film 12 is etched and removed with the resist film as a mask.例文帳に追加

さらに、導電膜１２上に同様の手順でレジスト膜３３をパターン形成し、レジスト膜３３をマスクとして、導電膜１２の外縁部１２ａをエッチングして除去する。 - 特許庁

An upper surface of a part 1a of the side to be first printed of the mask 1 is reduced in thickness by recessing the upper surface, and screen pores 3 are provided in a predetermined pattern at the part 1a.例文帳に追加

マスク１の被印刷板に最初の印刷を行う側の部分１ａを、その上面を窪ませて肉厚を減じると共に該部分１ａに所要のパターンでスクリーン孔３を設ける。 - 特許庁

In the manufacture of the element, the Pt layer is formed by an electroplating method, but at this time, a photoresist pattern is used as a plating mask and the Ru layer is formed as a seed layer.例文帳に追加

誘電体素子の製造においては、該Ｐｔ層を電気めっき法により形成するが、このとき、めっきマスクとしてホトレジストパターンを用い、かつＲｕ層をシード層として形成する。 - 特許庁

MASK FOR VAPOR DEPOSITION, METHOD FOR PRODUCING VAPOR-DEPOSITION PATTERN USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING SAMPLE OF SEMICONDUCTOR WAFER FOR EVALUATION, METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 - 特許庁

A mask pattern 206 in which regions of a color to be a key color of chroma key processing are arranged every one line of horizontal resolution is prepared and composited with an image 204 for left eye by digital data processing.例文帳に追加

水平解像度の一ラインおきにクロマキー処理のキー色となる色の領域を配置したマスクパターン２０６を用意し、左眼用画像２０４と、デジタルデータ処理により、合成する。 - 特許庁

A region other than the mask pattern forming region 27 in the amorphous silicon film 23 is kept by a silicon substrate 21 which is a holding member via an SOG film 22 which becomes a bonding material.例文帳に追加

非晶質シリコン膜２３におけるマスクパターン形成領域２７以外の領域は、接着材料となるＳＯＧ膜２２を介して、保持部材となるシリコン基板２１により保持されている。 - 特許庁

A transparent film 12 having a desired pattern is formed on a substrate 10 having a transparent electrode film 11 by a printing method, and the transparent film 12 is used as a mask to etch the transparent electrode film 11.例文帳に追加

透明電極膜１１を備えた基板１０上に、印刷法により所望のパターンの透明膜１２を形成し、透明膜１２をマスクとして、透明電極膜１１をエッチングする。 - 特許庁

The size of the dither mask 62 is a positive integral multiple of a minimal repetition unit RU of a nozzle pattern indicating a nozzle that is used to form a dot in each position on the printing medium.例文帳に追加

ここで、ディザマスク６２は、印刷媒体上の各位置のドットをいずれのノズルで形成するかを示すノズルパターンの繰返し最小単位ＲＵの正整数倍のサイズとなっている。 - 特許庁

The first step is to perform a manufacturing process such as a chemical etching process or a laser cutting process in order to form hole mask on a metal plate with a predetermined hole pattern.例文帳に追加

第１の段階は、所定の穴模様で金属板上に穴マスクを形成するために例えば、化学的エッチング工程又はレーザカッティング工程のような製造工程を実施する。 - 特許庁

To provide a grayscale mask or the like for forming an optical element having a three-dimensional fine structure such as a microlens, in particular, an optical element having a pattern of a high aspect ratio with high accuracy.例文帳に追加

マイクロレンズ等の三次元微細構造を有する光学素子、特に、高いアスペクト比の形状を備える光学素子を高い精度で形成するためのグレイスケールマスク等を提供すること。 - 特許庁

In addition, the mask pattern is removed, and a semiconductor layer is epitaxially regrown from the surface of the semiconductor substrate around the element isolation dielectric that projects from the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

さらにマスクパターンを除去し、半導体基板表面から突出する素子分離絶縁膜の周囲に、半導体基板表面から半導体層をエピタキシャルに再成長させる。 - 特許庁

This aligner is provided with a projection optical system (PL) for forming a pattern image of a mask (M) on a photosensitive substrate (W) and a substrate stage for holding and moving the photosensitive substrate.例文帳に追加

マスク（Ｍ）のパターン像を感光性基板（Ｗ）上に形成するための投影光学系（ＰＬ）と、感光性基板を保持して移動するための基板ステージ（ＷＳＴ）とを備えた露光装置。 - 特許庁