「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

As a mask plate, an electron self emission plate, which has a field emission element 12 made in the form of a pattern being a flat surface on one substrate 11, is utilized.例文帳に追加

マスクプレートとして、一つの基板１１上に平坦表面のパターン状に形成された電界放出素子１２を持つ電子自放出型プレートを利用している。 - 特許庁

To prevent charging and discharge breakdown of a resist accompanying irradiation of charged beam, and to improve pattern accuracy and production yield in exposure mask.例文帳に追加

荷電ビーム照射に伴うレジストの帯電及び放電破壊を防止することができ、露光用マスクにおけるパターン精度の向上及び製造歩留まりの向上をはかる。 - 特許庁

In the patterning method for plating, the surface of a substrate is etched, irradiated with plasma using a pattern mask together, and then subjected to catalyst treatment and electroless plating.例文帳に追加

基材表面をエッチングした後、パターンマスクを併用して該基材表面にプラズマ照射し、次いで、キャタリスト処理を行った後、無電解めっきを行うめっきのパターニング方法。 - 特許庁

After the insulating film 8 is etched by using the resist mask 11, a metal material is deposited in the opening on the metal film 5 by a plating method to form the metallic pattern 12.例文帳に追加

レジストマスク１１を用いて絶縁膜８をエッチングした後に、金属膜５上の開口に、金属体をめっき法により堆積して金属パターン１２を形成する。 - 特許庁

To achieve reduction in manufacturing cost and higher pattern accuracy by exposing a larger substrate with a smaller mask; and moreover to form various patterns on a substrate.例文帳に追加

より小さなマスクで大きな基板への露光を可能して低コスト化及びパターン精度の高精度化を図り、更に、基板上により多彩なパターンの作成を可能にする。 - 特許庁

A message having relatively low processing priority which is sorted by the filter pattern of a mask 1 in a filter circuit 16c is stored in an area No.'14' in a message BOX 16a.例文帳に追加

番号「１４」のメッセージＢＯＸ１６ａには、フィルタ回路１６ｃのマスク１のフィルタパターンで選別された、処理優先順位の相対的に低いメッセージが記憶される。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor pattern having no restriction of a resist material, and then capable of repeatedly using a photo mask once formed, and excellent in productivity.例文帳に追加

レジスト材料の制約がなく、しかも一度形成したフォトマスクを繰り返し利用することができ、生産性に優れた導体パターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 307 is formed which includes an opening 307a wherein any other region than an LSI chip area 331 subjected to provision to a specific client is open.例文帳に追加

特定の顧客への提供対象とするＬＳＩチップ領域３３１以外の領域が開放した開口部３０７ａを備えるマスクパターン３０７を形成する。 - 特許庁

Parts of surfaces of the Si(n) film 14 and Si(i) film 13 of a channel part 18 are etched using the remaining photoresist pattern 22 and the Al oxide coating 17 as a mask.例文帳に追加

残存するフォトレジストパターン２２およびＡｌ酸化皮膜１７をマスクとして、チャネル部１８のＳｉ（ｎ）膜１４およびＳｉ（ｉ）膜１３の表面の一部をエッチングする。 - 特許庁

The simulate pattern is compared with a pre-OPC design layout obtained in a process 218 (process 220) to determine whether the manufactured mask demonstrates the desired patterning performance (process 222).例文帳に追加

シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。 - 特許庁

A first film is etched and processed in a prescribed pattern using as a mask a film obtained by irradiating a second film with an electron beam and then developing the second film.例文帳に追加

第２の膜に電子ビームを照射した後、第２の膜を現像して得られる膜をマスクとする第１の膜のエッチングにより第１の膜を所定パターンに加工する。 - 特許庁

An isolated light-shielding pattern comprising a light-shielding film region 101 and a phase shift region 102 is formed on a transparent substrate 100 serving as a mask.例文帳に追加

マスクとなる透過性基板１００上に、遮光膜領域１０１と位相シフト領域１０２とから構成された孤立した遮光性パターンが形成されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing an imprint mold, a fresh pattern is patterned again on a patterned photosensitive resin having been used as an etching mask and etching repeatedly.例文帳に追加

本発明のインプリントモールド製造方法は、エッチングマスクとして用いたパターニングされた感光性樹脂に新たなパターンを再度パターニングし、再度エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In a mask pattern used when a multi-path recording is performed, the recording allowance rate of a delivering opening positioned at the end part of a row of the delivering openings is set higher than the other part.例文帳に追加

マルチパス記録を行う際に使用するマスクパターンにおいて、吐出口列の端部に位置する吐出口の記録許容率を他の部分よりも高く設定する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern which can prevent delta CD(critical dimension) or CD reversal phenomenon generated in an alternating phase inversion mask and improve the resolution and focus margin.例文帳に追加

交番位相反転マスクで発生するΔＣＤ現象やＣＤ逆転現象を防止し、解像度およびフォーカスマージンが向上したパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-n junction element in nano scale or semiconductor element of nano scale such as CMOS, by utilizing nano particles with no mask or fine pattern.例文帳に追加

マスクや微細パターンなしにナノ粒子を利用し、ナノスケールのｐ−ｎ接合素子またはＣＭＯＳのようなナノスケールの半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate inspection device and a mask inspection device hardly affected by disturbances such as diffraction light and diffuse light and capable of sufficiently coping with miniaturization of a pattern.例文帳に追加

回折光や散乱光等の外乱による影響を受けにくく、パターンの微細化に十分対応できる基板検査装置及びマスク検査装置を実現する。 - 特許庁

The silicon oxide film 15 is etched using a resist pattern 16 as a mask with etching gas composed of mixed gas of Ar gas, O_2 gas, C_5F_8 gas, and CH_2F_2 gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５に対してレジストパターン１６をマスクにして、Ａｒガスと、Ｏ_2 ガスと、Ｃ_5Ｆ_8ガスと、ＣＨ_2Ｆ_2ガスとの混合ガスよりなるエッチングガスを用いてエッチングを行なう。 - 特許庁

With the mask pattern, spacer, and between-gate oxide film as masks, the conductive layer is etched, impurity ions are implanted in a defined third opening portion, and a source region 245 is formed.例文帳に追加

マスクパターン、スペーサ及びゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし定義された第３開口部内に不純物イオンを注入してソース領域245を形成する。 - 特許庁

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.例文帳に追加

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁

By making a pattern design using this configuration, without using spare cells, the logic correction after making the mask can be made only by the change of the wiring layer.例文帳に追加

この構成でパターン設計を行うことにより、予備のセルを使うことなく、マスク作成後の論理修正を配線層のみの変更で行うことが可能となる。 - 特許庁

After forming an oxide film 12 on a substrate 10, dry etching is executed to the oxide film 12 with a resist pattern 13 as a mask and a contact hole 14 is formed.例文帳に追加

基板１０の上に酸化膜１２を形成した後、レジストパターン１３をマスクとして、酸化膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

Then a resist layer is formed, and a resist pattern is formed inside the outline patterned on the hard mask layer in a shape corresponding to the outline of a main magnetic pole auxiliary layer.例文帳に追加

次に、レジスト層を形成し、ハードマスク層にパターンニングした主磁極の外郭よりも内側に主磁極補助層の外郭に対応した形状にレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To realize correction with high accuracy in a shirt correction time in a mask pattern correction method used for forming desired patterns on a wafer by a projection optical system.例文帳に追加

投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、短い補正時間で高精度な補正を実現する。 - 特許庁

A mask pattern 11 is formed on a substrate 10 and an isotropic wet etching which does not have dependency is performed on the face orientation of crystal including at least a {111} B face.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン１１を形成し、まず、少なくとも ｛１１１｝Ｂ面を含む結晶の面方位に対して依存性を持たない等方性ウエットエッチングを行う。 - 特許庁

To suppress a decrease in yield of a semiconductor device due to a difference in growth amount between foreign bodies on a sunny side and a shade side of a pattern of an EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスクのパターンにおける日向面側と日陰面側とで異物の成長量が異なることに起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in lithographic characteristics such as a resolution and a mask error factor (MEF), and to provide a method for forming a resist pattern using the positive resist composition.例文帳に追加

解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a simple method for evaluating the in-plane distribution of the resist pattern dimensions of a photomask blank coated with a resist, and to provide a process management method for a lithography line for mask production.例文帳に追加

レジストを塗布したフォトマスクブランクのレジストパターン寸法の面内分布の簡易評価方法、及びマスク製造用リソグラフィーラインの工程管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for verification of a mask pattern, capable of shortening a verification TAT (Turn-Around Time), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device by using the verification method.例文帳に追加

より検証ＴＡＴを短縮可能なマスクパターン検証装置、マスクパターン検証方法及びその方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure device and an exposure method, with which a mask pattern can be accurately exposed and transferred in relation to the exposed region of a workpiece even if the workpiece is distorted.例文帳に追加

ワークがひずんでいる場合でもワークの被露光領域に応じてマスクのパターンを精度良く露光転写することができる露光装置及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming method capable of obtaining a film having a desired pattern at a low cost without using a mask or a resist film when forming the film on a substrate.例文帳に追加

基板上に膜を成膜する際に、マスクやレジスト膜を用いることなく、所望のパターンを有する膜を安価に得ることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

An evaluation value for each pixel is obtained, a pixel which has the minimum evaluation value is specified, and a mask pattern to change the pixel value of the specified pixel to 1 is updated.例文帳に追加

それぞれの画素についての評価値を求め、評価値が最小である画素を特定し、特定した画素の画素値を１に変更することのマスクパターンを更新する。 - 特許庁

To form a narrower slit than a conventional one by a focused ion beam process (FIB) and to suppress change of quality at a beam irradiation part, without using a mask pattern or the like.例文帳に追加

マスクパターン等を用いることなく、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工で従来よりも幅が狭い間隙を形成するとともに、ビーム照射部位の改質を抑制する。 - 特許庁

A substrate specified to have the birefringence within a pattern region to no more than 1.2 nm/cm, 2 nm/cm or 4 nm/cm is used for the substrate of the mask M.例文帳に追加

マスクＭ用の基板として、パターン領域内における複屈折量が１．２ｎｍ／ｃｍ、２ｎｍ／ｃｍ、又は４ｎｍ／ｃｍ以下に規定された基板を使用する。 - 特許庁

To provide an electronic component wherein a conductor pattern having no displacement on both surfaces of a substrate is formed without alignment of mask on front and rear surfaces.例文帳に追加

表面と裏面のマスク位置合わせをすることなく、基材の両面にずれのない導体パターンが形成された電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern, having a thick film region and a region with film thickness smaller than that of the thick film region is formed on the metal film, by using an exposure mask having a semitransparent section.例文帳に追加

金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a reflective exposure mask or reticle capable of performing exposure and transfer accurately without causing light to be reflected from an area other than a circuit pattern area being an exposure target.例文帳に追加

露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。 - 特許庁

To prevent damage to an oxide film for an storage electrode and a bridge phenomenon between contacts by using a hard mask layer pattern and increasing the surface area of a storage electrode region.例文帳に追加

ハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用の酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止する。 - 特許庁

The above process forms a desired laminate structure on a principal plane of the substrate 1 although photolithography is limited to a single step of forming the first mask pattern 4.例文帳に追加

以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method which can form desirted resist patterns accurately and stably on a substrate material like SiC having optical transparency.例文帳に追加

ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent deviation in the gap between a pattern forming mask and an exposure object substrate or the superposition of them even when a guide gets wavy while a moving base is moved.例文帳に追加

移動ベースの移動中においてガイドにうねりなどが生じても、パターン形成用のマスクと露光対象基板とのギャップや重ね合わせにズレが生じないようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition apparatus which can accurately align a mask having a high-definition pattern with a substrate, and accordingly can produce a high-definition organic EL panel.例文帳に追加

高精細なパターンを有するマスクと基板とを精度良く位置合わせすることができ、高精度な有機ＥＬパネルを製造することができる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Because the organic compound vapor reaches the mask board 25 through the aperture 24, an oblique component is eliminated and a sharp pattern of the organic thin film can be obtained.例文帳に追加

有機化合物蒸気がアパーチャ孔２４を通過してマスク板２５に到達するから、斜め成分が除去されてシャープなパターンの有機薄膜を得ることができる。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

By using as a mask a photoresist pattern 8, the metallic film, the low-resistance semiconductor layer, and the intrinsic semiconductor layer are dry-etched to form source and drain electrodes 9, 10 in the metallic film.例文帳に追加

フォトレジストパターン８をマスクとして金属膜、低抵抗半導体層および真性半導体層をドライエッチングし、ソース、ドレイン電極９、１０を形成する。 - 特許庁