「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a mask on which a plurality of patterns are arranged so that the plurality of patterns respectively formed in a plurality of pattern regions can satisfactorily be exposed onto a substrate even when the mask is deformed at the time of being mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加

露光装置に搭載される際に変形が生じた場合においても複数のパターン領域のそれぞれに形成される複数のパターンを基板上に良好に露光することができるようにパターンが配置されているマスクを提供する。 - 特許庁

On a transmission side, a mask symbol spread by a short code in common to all base stations is provided at equal intervals in one transmission frame, and a symbol spread by a long-code group identification short code is multiplexed in the mask symbol and transmitted according to a prescribed pattern.例文帳に追加

送信側では、全基地局共通のショートコードで拡散したマスクシンボルを１送信フレーム中に等間隔に設けて、ロングコードグループ識別ショートコードで拡散したシンボルを、所定のパターンに従って、マスクシンボルに多重化して送信する。 - 特許庁

The first mask 43 wherein the shape of a spiral contactor 20 is pattern-formed on the surface of a conducting member 40 is formed, and the conducting member 40 not covered with the first mask 43 is etched up to the middle part by the wet etching method.例文帳に追加

導電性部材４０の表面にスパイラル接触子２０の形状がパターン形成された第１マスク４３を形成し、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０を途中までウエットエッチング法にてエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form via holes, a wiring groove or the like by etching a layer insulation film or the like, while restraining enlargement of a pattern size of a hard mask and can properly remove the used hard mask.例文帳に追加

ハードマスクのパターン寸法の拡大を抑制しつつ層間絶縁膜等をエッチングしてビアホールや配線溝等を形成することができ、また、用いたハードマスクを十分に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An identical resist film is pattern-exposed twice with the first half tone phase shift mask 10 and the second half tone phase shift mask 20 each having translucent sections 12 and 22 for the holes corresponding to the holes belonging to each group.例文帳に追加

そして、各組に属するホールと対応するホール用透光部１２及び２２を有する第１のハーフトーン型位相シフトマスク１０及び第２のハーフトーン型位相シフトマスク２０を用いて同一のレジスト膜に対してパターン露光を２回行なう。 - 特許庁

The photomask has a mask substrate, a step for placing an offset at an optimum focus position arranged on the mask substrate, and a monitor pattern having the properties of varying the size of the step region by focus variation of the exposure light.例文帳に追加

本発明のフォトマスクは、マスク基板と、前記マスク基板上に配置された最適フォーカス位置にオフセットを載せるための段差と、前記段差領域に露光光のフォーカス変動により寸法を変化させる性質を持つモニターパターンを有するものである。 - 特許庁

With the mask pattern as an etching mask, the semiconductor film is etched to form a recess, and the etching is stopped in such state that a first film is exposed in a partial region of the bottom surface of the recess with a residue of the semiconductor film left in the other region.例文帳に追加

マスクパターンをエッチングマスクとして、半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、凹部の底面の一部の領域に第１の膜が露出し、他の領域には、半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる。 - 特許庁

Light from a lamp 1 is made incident on an integrator lens 4 housed in an integrator lens housing part 12 and radiated toward a mask 7 through a reflection mirror 5 and a collimator lens 6, so that the rectangular mask pattern is cast on the surface to be exposed of the substrate (not illustrated).例文帳に追加

ランプ１からの光はインテグレータレンズ収納部１２に収納されたインテグレータレンズ４に入射し、反射ミラー５、コリメータレンズ６を介して、マスク７に照射され、長方形状のマスクパターンが図示しない基板の被露光面に照射される。 - 特許庁

To provide an exposure mask which easily causes a heat flow effect to a resist through an exposure process carried out once by the use of a mask having a plurality of regions different from each other in transmittance, and to provide a resist pattern manufacturing method using the same.例文帳に追加

透過率の異なる複数の領域を有するマスクを用いて１回の露光プロセスによって、レジストに容易に熱フロー効果を起こさせるようにする露光用マスクおよび露光用マスクを用いたレジストパターンの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To improve the printing resistance and paste omission of a screen printing mask by coating the surface of a photosensitive emulsion and plain gauze formed with a pattern in the screen printing mask, with a protective film excelling in corrosion resistance and lubricating ability.例文帳に追加

本発明は、スクリーン印刷用マスクにおいてパターン形成された感光性乳剤と紗の表面を耐摩耗性、耐食性、潤滑性に優れた保護膜で被覆し、スクリーン印刷用マスクの耐印刷性とペースト抜けの改善を行おうとするものである。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device comprising a step for etching a metal film using a resist pattern as a mask in which resist used as a mask at the time of patterning the film can be removed easily along with reaction products produced at the time of patterning the film.例文帳に追加

レジストパターンをマスクに使用して金属膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法に関し、膜のパターニングにマスクとして使用されたレジストと膜のパターニングの際に発生した反応生成物を容易に除去すること。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank having uniform thickness and high flatness when mounted as a reflective mask on an electrostatic chuck of an exposure apparatus, and capable of achieving high pattern transfer accuracy.例文帳に追加

本発明は、その厚みが均一であり、反射型マスクとされた際に露光装置の静電チャックへ装着した場合の平坦性が高く、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクブランクスを提供することを主目的とする。 - 特許庁

An optical imaging device especially used for microlithography comprises a mask device for housing a mask having a projection pattern, a projection device having an optical element group, a substrate device for housing the substrate, and a liquid immersion zone 110.例文帳に追加

投影パターンを有するマスクを収容するためのマスク装置と、光学素子群を有する投影装置と、基板を収容するための基板装置と、液浸ゾーン１１０とを備える、特にマイクロリソグラフィで使用するための光学結像装置である。 - 特許庁

To solve problems that a step of arraying a first mask step and a second mask step is not easy and a defect is caused when a double patterning step for overcoming the limit of resolution of exposure equipment is performed in a fine pattern forming method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。 - 特許庁

Further, when the second step portion 19 is formed in the hard mask layer 12, the hard mask layer 12 remained so as to cover a surface of the substrate 11 can reduce charging (charge-up) of the substrate 11 in a plurality steps of pattern formation.例文帳に追加

また、ハードマスク層１２に２段目の段差部１９を形成するにあたり、ハードマスク層１２を基板１１の表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板１１の帯電（チャージアップ）を抑制出来る。 - 特許庁

On a transmission side, a mask symbol spread by a short code in common to all base stations is provided at equal intervals in one transmission frame, and a symbol spread by a long-code group identification short code is multiplexed with the mask symbol and transmitted according to a prescribed pattern.例文帳に追加

送信側では、全基地局共通のショートコードで拡散したマスクシンボルを１送信フレーム中に等間隔に設けて、ロングコードグループ識別ショートコードで拡散したシンボルを、所定のパターンに従って、マスクシンボルに多重化して送信する。 - 特許庁

Inside the vacuum chamber 100, a resist film 102 is irradiated with the EUV light, emitted from an EUV light source through the reflection type mask 106, from which the deposit film is removed, and the pattern of the reflection-type mask 106 is transferred to the resist film 102.例文帳に追加

真空チャンバー１００の内部において、ＥＵＶ光源から出射されたＥＵＶ光を、堆積膜が除去された反射型マスク１０６を介してレジスト膜１０２に照射して、反射型マスク１０６のパターンをレジスト膜１０２に転写する。 - 特許庁

To provide a stencil mask in which the transfer of a defect of the stencil mask to a material to be exposed is reduced and the positional accuracy of a circuit pattern to be transferred to the material to be exposed can be improved, and to provide a method of exposing and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ステンシルマスクの欠陥が被露光体へ転写されるのを低減し、かつ、被露光体へ転写される回路パターンの位置精度を向上させることができるステンシルマスク、露光方法、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An aligner E synchronously moves a mask M and a substrate P from an accelerating section H 1 to a decelerating section H 4 through a setting section H 2 and a normal section H 3, and during the movement, transfers the image of a pattern formed on the mask M to the substrate P.例文帳に追加

露光装置Ｅは、マスクＭ及び基板Ｐを、加速区間Ｈ１、整定区間Ｈ２、定常区間Ｈ３、減速区間Ｈ４の順に同期移動させ、この移動中にマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐ上に転写する。 - 特許庁

Based on print data received from a band memory control section 13 and a mask pattern received from the mask selecting section 19, the print data creating section 18 creates print data determining the presence or absence of ink discharge, and prints using a printing control section 21.例文帳に追加

印字データ生成部１８は、バンドメモリ制御部１３から受信した印刷データと、マスク選択部１９から受信したマスクパターンによりインク吐出の有無を決定した印字データを生成し、印刷制御部２１により印刷を行う。 - 特許庁

A reflection-type pattern transfer apparatus, having a beam source for radiating charged particle beams, a first stage for mounting a mask 103 and a second stage for mounting a wafer provides a accurate alignment method for reflecting to the control of a wafer stage 105 and a mask stage 104.例文帳に追加

荷電粒子ビームを照射する線源と、マスクを載置する第１のステージと、ウェハを載置する第２のステージをもつ反射型のパターン転写装置で、ウェハステージ、マスクステージの制御に反映するための高精度なアライメント方法を提供する。 - 特許庁

Concretely, by providing each opening part 3 with a projecting part 5b as the reinforcing part 5 toward the inside of the opening part, the rigidity (strength) of the mask increases, the deformation of the mask upon film deposition can be reduced, and the film deposition pattern can be formed at high precision.例文帳に追加

詳細には開口部３に、開口部の内側に向けて補強部５として凸部５ｂを設けることにより、マスクの剛性（強度）が高くなり、成膜時のマスクの変形を低減することができ、高精度に成膜パターンを形成することができる。 - 特許庁

A Levenson phase shift mask 4 is subjected to projection exposure and the intensity distribution of the light which transmitted through the Levenson phase shift mask 4 is detected by a CCD camera 6, to obtain the relation between the defocus quantity on the CCD camera 6 and the dimension of the optical pattern.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスク４を投影露光し、このレベンソン位相シフトマスク４を透過した光の強度分布をＣＣＤカメラ６により検出し、ＣＣＤカメラ６上のデフォーカス量と、光学的パターン寸法との関係を求める。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, first, in a state that a second insulating film 8 provided with a connection hole 12 and a first mask 9' and a second mask 10' having a connection hole pattern are provided on a first insulating film 7, an energy line E is irradiated on the first insulating film 7.例文帳に追加

まず、第１絶縁膜７上に、接続孔１２が設けられた第２絶縁膜８および接続孔パターンを有する第１マスク９’および第２マスク１０’が設けられた状態で、第１絶縁膜７にエネルギー線Ｅを照射する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the face crystal oscillator piece, an upper mask 26 and a lower mask 27 having the same pattern are disposed on top and reverse surfaces of a crystal substrate, cut at a cut angle θ of 0° or 45° represented by (YXlt)ϕ/θ in IEEE representation while shifted from each other along a +Z' axis.例文帳に追加

ＩＥＥＥ表示の（ＹＸｌｔ）φ／θで表されるカット角θ＝０°又は４５°で切り出した水晶基板の上下各面に同じパターンの上側マスク２６と下側マスク２７とを互いに＋Ｚ´軸方向にずらして配置する。 - 特許庁

To provide a design method of mask pattern that can be simply corrected without increasing a chip area so as not to deform a circuit pattern on a film for forming a surface layer side circuit due to a level difference of a substrate side circuit.例文帳に追加

表層側回路を形成する為の膜上の回路パターンが、基板側回路の段差に起因して変形しないように、チップ面積を増大させることなく、簡易に補正することが出来るマスクパターンの設計方法の提供。 - 特許庁

Then a second mask M2 consisting of a recessed pattern M2Xa of a line width d2 and a recessed pattern M2Xb of the line width d1 is imaged while the position of the focus is changed and the relative positions MD2 of both patterns M2Xa and M2Xb are measured.例文帳に追加

次に、線幅ｄ２の凹パターンＭ２Ｘａと線幅ｄ１の凹パターンＭ２Ｘｂとからなる第２マークＭ２Ｘをフォーカス位置を変化させながら撮像し、両凹パターンＭ２Ｘａ，Ｍ２Ｘｂの相対位置ＭＤ２を計測する。 - 特許庁

The mask for measuring flare is used for patterning, and the displacement amount is calculated from the respective distances L1, L2 between both ends of the measurement pattern and the box pattern, and flare rate is calculated by using the correlation function between the exposure dose and flare rates.例文帳に追加

このフレア測定用マスクを用いてパターニングし、計測用パターンの両端とボックスパターンとのそれぞれの距離Ｌ１，Ｌ２から位置ズレ量を算出し、露光量とフレア率との相関関数を使ってフレア率を算出する。 - 特許庁

A photo mask B has an inspection pattern 12 composed of line groups arranged with regular spacings in directions X, Y so that lines gradually shift to lie on the holes, together with a pattern concerning the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

フォトマスクＢは半導体集積回路に関係するパターンと共に、上記各ホール上に次第にずれて乗るようにＸ方向、Ｙ方向それぞれに規則性を持つ間隔で並べられた各ライン群でなる検査パターン１２を有する。 - 特許庁

To take in a resist pattern of a metal base body as an image having high SN ratio to efficiently and precisely detect a hole defect of the resist pattern, in a manufacturing process for a shadow mask of a color picture tube.例文帳に追加

本発明は、カラー受像管のシャドウマスクの製造工程において、金属基体のレジストパターンをＳＮ比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively manufacturing a structure having an uneven pattern that is uniform and fine over a large area, and an etching mask used for forming the uneven pattern that is uniform and fine over a large area.例文帳に追加

低コストで、かつ、大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを有する構造体の製造方法及び大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを形成するために用いられるエッチングマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows formation of a pattern having good properties of PEBS (post exposure bake sensitivity), MEEF (mask error enhancement factor), coverage dependence and bridge defects, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＰＥＢＳ、ＭＥＥＦ、被覆率依存性、ブリッジ欠陥のいずれもが良好なパターンを形成することが可能な感活性光線又は感放射線樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

When a pattern is formed in a resist layer 13 by lithography, the resist layer 13 is exposed, while a mask 11 is moved relatively to the resist layer 13 to form the objective resist pattern 13a.例文帳に追加

レジスト層１３にリソグラフ法によりパターンを形成するパターン形成方法であって、レジスト層１３に対し相対的にマスク１１を移動させて露光していくことによりレジストパターン１３ａを形成することを特徴とする。 - 特許庁

CHARGED-BEAM EXPOSURE SYSTEM, APERTURE, CHARGED-BEAM EXPOSURE METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING PHOTO MASK, METHOD AND APPARATUS OF GENERATING EXPOSURE PATTERN DATA, AND EXPOSURE PATTERN例文帳に追加

荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体 - 特許庁

The method comprises a hologram recording process of recording a hologram of a predetermined pattern 5 on a hologram recording medium 1 from the mask original plate 6 on which the predetermined pattern 5 is formed, a hologram regenerating process of exposing a regenerated image of the hologram on a substrate.例文帳に追加

所定のパターン５が形成されたマスク原盤６からホログラム記録媒体１にパターン５のホログラムを記録するホログラム記録工程と、ホログラムの再生像を基板上のレジストに露光するホログラム再生工程とを有する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition apparatus having a mask pattern forming machine which facilitates the pressure adjustment of a print roller and a backup roller and improves the productivity by increasing the operational speed with less unclear pattern or less wear/breakage of projecting parts.例文帳に追加

印刷ローラとバックアップローラの押し圧調整を容易にし、パターンの不鮮明や凸部の磨耗破損の少ない、かつ、高速化により生産性向上が可能なマスクパターン形成機を設けた真空蒸着機を提供する。 - 特許庁

To provide an image printing system that performs recording control for each unit pixel without changing the positional relation between dot arrangement pattern and mask pattern even when indexing and masking are each processed independently, and to provide an image processing method.例文帳に追加

インデックス処理とマスク処理を夫々独立して実行する場合であっても、ドット配置パターンとマスクパターンの位置関係を崩すことなく、単位画素に対する記録制御が可能な画像記録システム及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing an inductor component, a screen plate, which includes a mask 52 having an opening 52a corresponding to a spiral conductor pattern having first and second pattern parts extending in intersecting directions to each other, is used.例文帳に追加

インダクタ部品の製造方法は、互いに交差する方向に延びる第１及び第２のパターン部分を有するスパイラル形状の導体パターンの形状に対応する開口５２ａが形成されたマスク５２を有するスクリーン版を用いる。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by which shoulder dropping of a hard mask can be prevented in an etching process for forming the pattern in an organic polymer film, and to provide a method of forming a multilayer wiring and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

有機ポリマー膜へのパターン形成におけるエッチング時のハードマスクの肩落ちを低減できるパターン形成方法、及びこれを用いた多層配線形成方法並びに半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting unevenness of a periodic pattern which can accurately image and detect unevenness even in an object to be inspected in which it is difficult to inspect by visible light, such as a periodic pattern, particularly a halftone mask.例文帳に追加

周期性のあるパターン、特にハーフトーンマスクのように可視光による検査が困難とされるような被検査体に対しても、ムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。 - 特許庁

To realize a processing mask capable of sufficiently corresponding to the formation of a fine pattern even in the case of using trilevel resist without generating a defective pattern on a 1st resin film which is the lowermost layer of the constitutional elements of the tri-level resist.例文帳に追加

トリレベルレジストを用いるも、当該トリレベルレジストの構成要素である最下層の第１の樹脂膜にパターン不良を発生せしめることなく、更なる微細パターン形成にも十分に対応できる加工用マスクを実現する。 - 特許庁

The mask for forming a pattern has a masking member having openings corresponding to the pattern to be formed on an object to be treated and sticking preventing members each arranged to cover at least one part of the surface except the openings of the masking member.例文帳に追加

被処理物上に形成すべきパターンに対応した開口を有するマスキング部材と、該マスキング部材の開口を除く表面の少なくとも一部を覆うように配置された防着部材とを有するパターン形成用マスク。 - 特許庁

Dry etching is performed to the P-type second clad layer 20 by using a first insulating pattern 22B as a mask, and the P-type second clad layer is patterned in a ridge form to which the first insulating pattern 22B is transferred.例文帳に追加

続いて、第１の絶縁性パターン２２Ｂをマスクとして、ｐ型第２クラッド層２０に対して、ドライエッチングを行なうことにより、ｐ型第２クラッド層を、第１の絶縁性パターン２２Ｂが転写されたリッジ形状にパターニングする。 - 特許庁

The exposure mask 1 having a light shielding layer 5 in which an aperture pattern 5a is formed has a filter layer 9 that transmits only light at a specified wavelength in a state of sealing the aperture pattern 5a formed in the light shielding layer 5.例文帳に追加

開口パターン５ａが形成された遮光層５を有する露光マスク１において、遮光層５に形成された開口パターン５ａを塞ぐ状態で特定波長の光のみを透過するフィルタ層９を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

If a pattern corresponding to the second mask pattern changes in size owing to temporal variation in PPE in a device mass-production process, the intermediate film or resist film thickness is changed to a value at which the size change is reduced by reference to the database.例文帳に追加

デバイス量産工程においてＰＰＥの経時変化により第２マスクパターンに対応するパターンの寸法が変動した場合、データベースを参照し、中間膜又はレジストの膜厚を寸法変動が低減するような値に変更する。 - 特許庁