「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure light from a lighting source is radiated on a wafer vertically through a reflection mask and mirrors of reflective projection optical system, so that an absorber pattern 10 on the reflection mask is exposed on the wafer.例文帳に追加

照明用光源からの露光照明光は、反射型マスク、反射投影光学系のミラー群を介して、鉛直方向からウエハＷ上に照射され、反射型マスク上の吸収体パターン１０がウエハＷに露光される。 - 特許庁

To provide a reflective exposure method capable of optimizing the exit angle of a reflective mask and the incidence angle of a wafer while taking into account both the specular reflection light from the reflective mask and the light reflected on the pattern sidewall.例文帳に追加

反射型マスクにおいて正反射した光およびパターン側壁で反射した光の両方を考慮しつつ、反射型マスクの射出角およびウエハの入射角の最適化を図ることができる反射型露光方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the phase mask pattern to be formed in the signal light region is no longer required to be coincide with a spatial light modulator in a pixel units, which results in the expansion of the flexibility of manufacturing the mask and of the ease of manufacturing.例文帳に追加

これによって信号光領域に形成すべき位相マスクパターンは、空間光変調器のピクセル単位で一致させる必要がなくなり、その作製の自由度の拡大、及び製造の容易化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a forming method of an etching mask capable of improving uniformity of CD of a pattern in double patterning, and forming an etching mask having uniform and excellent CD, and to provide a control program and a program storage medium.例文帳に追加

ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The exposure apparatus 100 for a liquid crystal panel functions to transfer and expose a pattern on a mask 1 onto a substrate 5 by moving at least one of the mask and the substrate by using a ceramic stage member.例文帳に追加

本発明は、マスク１上のパターンを基板５上に転写露光するために、マスク、基板の少なくとも一方をセラミックスによるステージ部材によって移動させながら露光する液晶パネル用露光装置１００に適用される。 - 特許庁

To provide a stencil mask and an alignment apparatus used for the alignment of the stencil mask whereby the alignment marks of a wafer can be sensed even when Si is used in its pattern portion for depictions, and the large improvement of the accuracy of the alignment can be achieved.例文帳に追加

描画用のパターン部にＳｉを使用しても、ウエハの位置合わせマークが検出可能であり、位置合わせ精度の大幅な向上が達成できるステンシルマスク、及びその位置合わせに使用されるアライメント装置を提供する。 - 特許庁

To provide a halftone type phase shift mask with a light shielding frame disposed on a halftone material film around an effective region including a main pattern without adding a photomask producing step and to provide a method for producing the phase shifting mask.例文帳に追加

フォトマスクの製造工程を増やさないで、メインパターンを含む有効領域周辺のハーフトーン材料膜上に遮光性の枠を設けたハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

RESIDUE-FILM THICKNESS ASSUMING METHOD, PATTERN-MASK AND ISOLATION-FILM-REMOVING-MASK MODIFYING WAYS BY THE WAY, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MAKING WAY BY THE MASKS例文帳に追加

残膜厚分布の推定方法、残膜厚分布の推定方法を用いたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクの修正方法、及び、修正されたパターニング用マスク及び絶縁膜除去用マスクを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

Next, while the pattern of the photo resist 14 is trimmed so as to be a predetermined thickness, length, the amount of protrusion L is made to be a predetermined amount or less, an etching mask of substantially L character shape is formed by etching an Si_3N_4 layer 13 making this as a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジスト１４のパターンを所定の太さ、長さにトリミングするとともに、はみ出し量Ｌを所定量以下とし、これをマスクとしてＳｉ_3Ｎ_4層１３をエッチングして略Ｌ字状のエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a method for printing and an apparatus for printing wherein a good printing pattern can be formed without cutting apart of an electrically-conductive paste filled into through-holes of a printing mask when the printing mask and a wafer are separated.例文帳に追加

印刷マスクとウェハとを離間する際に、印刷マスクの貫通孔に充填された導電性ペーストが分断されたりすることなく、良好な印刷パターンを形成することができる印刷方法及び印刷装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a both-sided mask which has patterns on both surfaces of a transparent substrate, the both-sided mask being provided with a protection layer for protecting the pattern formed on one surface of the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の両面にパターンを有する両面マスクの作製方法において、透明基板の一方の面に形成されたパターンを保護するための保護層を設けた両面マスクの作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A light shielding film 1b is partially removed to dispose openings 1c for hole pattern transfer and frame-like openings 1d which surround the respective openings 1c in a two-dimensional way on a mask substrate 1a constituting a phase shift mask 1.例文帳に追加

位相シフトマスク１を構成するマスク基板１ａ上に、遮光膜１ｂの一部を除去することで孔パターン転写用の開口部１ｃと、その周囲を平面的に取り囲むように枠状の開口部１ｄとを設けた。 - 特許庁

The mask assembly includes: a frame mask 100 comprising an opening 120 and a frame 110 surrounding the opening; the pattern masks 200 comprising the pattern parts with the formed one or more of patterns and the joint parts joined (welded, soldered or brazed) while being stretched to the frame; and the supports 300 joined (welded, soldered or brazed) to the pattern masks crossing the opening.例文帳に追加

開口部１２０及び開口部を囲んだフレーム１１０を含むフレームマスク１００と；一つまたは複数のパターンが形成されるパターン部及び引張されてフレームと接合（溶接、半田付け、ロウ付け等）される接合部を含むパターンマスク２００；及び開口部を横切って、パターンマスクと接合（溶接、半田付け、ロウ付け等）される支持台３００を含むマスク組立体に関する。 - 特許庁

To provide an aligner device that can firstly reduce variation of edge formation positions of patterns formed on an exposure object substrate by suppressing swing of waveform patterns of diffraction images generated in a vicinity of an edge of a mask pattern, and secondly suppress variation of pattern line widths by making sharp of the slopes of waveform patterns of the diffraction images in the vicinity of the edge of the mask pattern.例文帳に追加

第１に、マスクパターンのエッジ付近で生じる回折像の波形パターンのスイングを抑制し、露光対象基板上に形成されるパターンのエッジ形成位置のばらつきを低減することができ、第２に、マスクパターンのエッジ付近における回折像の波形パターンのスロープを急峻化することで、パターン線幅のばらつきを抑えることができるアライナ装置を提供する。 - 特許庁

The exposure data forming method comprises steps of arranging patterns inside a block so as to satisfy a pattern size and an inter-pattern distance determined by a design rule, of forming data for manufacturing a block mask mounted with the block, and of extracting a pattern layout satisfying the pattern size and inter-pattern distance of the block from layout data concerning semiconductor integrated circuits to form wafer manufacturing exposure data.例文帳に追加

露光データ生成方法は、設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する各段階を含む。 - 特許庁

A pattern data conversion method is configured to input the image of the pattern data of a photo-mask or wafer, extract the outline of the input pattern data, perform deformation processing so as to more smoothly deform the outline of the pattern data, and extract coordinate data necessary for reproducing the pattern data from the outline, in which the deformation processing is performed, to generate polygon coordinate data.例文帳に追加

フォトマスク又はウェハのパターンデータの画像を入力し、入力したパターンデータの輪郭線を抽出するとともにパターンデータの輪郭線をより滑らかに変形するように変形処理し、変形処理された輪郭線からパターンデータを再現するのに必要な座標データを抽出してポリゴン座標データを生成することを特徴とするパターンデータ変換方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

This medical treatment equipment connected with a respiration mask worn by the patient has a respiration pattern detection means for detecting a respiration pattern for informing different from usual respiration pattern and a communication means for informing a remote medical treatment management server through a communication network when the respiration pattern detection means detects the respiration pattern for informing.例文帳に追加

本発明は，患者が装着する呼吸マスクが接続された医療機器において，通常の呼吸パターンと異なる通報用呼吸パターンを検出する呼吸パターン検出手段と，呼吸パターン検出手段が通報用呼吸パターンを検出した時に，遠隔の医療管理サーバに通信回線を介して通報する通信手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a mask which has a reinforcing section that is arranged on the top face of a main body of the mask and reinforces a wiring pattern having a plurality of linear open holes adjacently arranged to each other, facilitates a metallic film to be formed so as to sneak into the backside of the reinforcing section, and consequently enables a fine wiring pattern to be precisely formed.例文帳に追加

複数の直線状の貫通孔が並設された配線パターンを補強するために、マスク本体の上面に補強部を設けたマスクにおいて、補強部を回り込んで行われる金属膜の成膜を行いやすくでき、微細な配線パターンを精度よく形成することができるマスクを提供することにある。 - 特許庁

To provides method and device for exposure capable of exposing a pattern, having a fine hole diameter and patterns of rows of contact holes or mixed independent contact holes with the rows of contact holes, with a high degree of resolution (or the degree of resolution equal to L-and-S pattern employing a phase shift mask for the rows of contact holes) without exchanging any mask.例文帳に追加

微細なホール径を持ち、コンタクトホール列のパターン、あるいは孤立コンタクトホールとコンタクトホール列とが混在するパターンを、マスクを交換せずに、高解像度（即ち、コンタクトホール列については位相シフトマスクを用いたＬ＆Ｓパターンと同等の解像度）で露光可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark 120 formed by electrolytic plating as a lead for electrolytic plating, a protective mask 150 is formed over the alignment mark and the periphery thereof, the metal layer and the wiring pattern are roughened and then the protective mask is removed.例文帳に追加

金属層を電解めっき用リードとして、電解めっきにより形成された配線パターンおよびアライメントマーク１２０を有する金属層において、少なくとも、アライメントマークおよびその周辺部分に保護マスク１５０を形成し、金属層および配線パターンに粗化処理を施した後、保護マスクを除去する。 - 特許庁

The method for forming the mask pattern uses techniques of optical proximity correction of the mask pattern having a phase shift region with a plurality off transmittance.例文帳に追加

複数の透過率の位相シフト領域を有するマスクパターンの光近接効果補正技術を用いたマスクパターン形成方法であって、単層の位相シフトマスクを想定した光近接効果補正を行うＯＰＣ処理工程と、光近接効果補正後に透過率を決定する工程と、透過率の決定後透過率に対応するマスクバイアスをかける工程を含む。 - 特許庁

The electron ray source 1 comprises, a transparent substrate 2, a photoelectriccathode film 3 which is formed on the transparent substrate 2, an insulator mask film 4 which is formed no the photoelectriccathode film 3 and has a negative pattern of a transcribing pattern, and a focusing electrode mesh 3a which is formed on the mask film 4.例文帳に追加

電子線源１は、透明基板２と、透明基板２上に成膜された光電陰極膜３と、光電陰極膜３上に成膜され、転写すべきパターンの反転パターンを有する絶縁体のマスク膜４と、マスク膜膜上に形成された網目状の収束電極膜３ａから構成される。 - 特許庁

A plasma processing method of a sapphire substrate comprises executing plasma processing on a sapphire substrate, on which a mask pattern is formed by a resist film arranged on a surface, by using a mixed gas obtained by mixing a CH_2F_2 gas with a BCl_3-based gas to form, on the surface of the sapphire substrate, an uneven structure corresponding to the mask pattern.例文帳に追加

サファイア基板のプラズマ処理方法において、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスにＣＨ_２Ｆ_２ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fine etching mask which can equalize and thin the residue thickness of a pattern transfer layer after transformation in a transfer layer, and having an equalized thickness after an etching process, in a method of manufacturing a fine etching mask by pattern transfer to a processed material, and to provide an exposure processing apparatus.例文帳に追加

被加工材上へのパターン転写による微細エッチングマスクの製造方法において、転写後のパターン転写層の残渣厚みを転写層内で均一且つ薄膜にすることができ、しかもエッチング処理後の厚さが均一な微細エッチングマスクの製造方法及びそれに用いる露光処理装置を提供する。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a laminated film L0 by integrating an adhesion layer L1 comprising film thickness T1 on a substrate S including a mask pattern M by forming the mask pattern M on the substrate S, a measuring object layer Lm, and a protection layer L2 comprising film thickness T2 by having higher mechanical strength than the measuring object layer Lm in order.例文帳に追加

基板Ｓの上にマスクパターンＭを形成し、マスクパターンＭを含む基板Ｓの上に膜厚Ｔ１からなる密着層Ｌ１と、測定対象層Ｌｍと、測定対象層Ｌｍよりも高い機械的強度を有して膜厚Ｔ２からなる保護層Ｌ２とを順に積層して積層膜Ｌ０を形成した。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask which need not form a superfine pattern, suppresses a sub peak of light intensity exerting adverse influence on image formation at the time of exposure and has a light shielding pattern of lowered transmissivity in an outside region of an element region where multiple exposure is applied and to provide a manufacturing method of the halftone phase shift mask.例文帳に追加

超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、かつ、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

In the imaging apparatus and the image working method, one or a plurality of mask patterns are registered in advance, a desired pattern is selected out of the one or plurality of registered mask patterns, and part of the photographed image is cut out using the pattern to obtain a cut-out image (B) and combined with a stored image (A) (C).例文帳に追加

本発明の撮像装置および画像加工方法によれば、（複数の）マスクパターンを登録しておき、登録した（複数の）マスクパターンの中から所望のパターンを選び、そのパターンを用いて撮影画像の一部を切り抜いて切抜き画像とし（図６（Ｂ））、記憶画像（図６（Ａ））に合成することができる（図６（Ｃ））。 - 特許庁

In the photomask plate 1 having a mask pattern 6 of a desired figure consisting of a light shielding film 5 on a transparent substrate, a recessed portion 4 giving the figure of the mask pattern 6 is formed on the surface of the transparent substrate 2, and the light shielding film 5 is formed in the recessed portion 4 but not protruding from the surface of the transparent substrate 2.例文帳に追加

透明基板２に遮光膜５からなる所望の形状のマスクパターン６が形成されたフォトマスク版１において、前記透明基板２の表面にマスクパターン６の形状をなす凹部４を形成し、該凹部４内に、前記遮光膜５を前記透明基板２の表面に突出しないようにして形成する。 - 特許庁

To provide a stencil mask facilitating thickness reduction and stress adjustment, high in mechanical strength, excelling in electron beam irradiation resistance, suitable for providing a stencil mask for electron beam exposure, simple in a manufacturing process, and high in pattern position accuracy; a method of manufacturing the same; and a method of transferring a pattern for the same.例文帳に追加

薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the distribution of transmittance of a mask corresponding to a predetermined pattern figure to be manufactured is determined, the distribution of transmittance of the mask is determined by taking into consideration the relation between the etching selection ratio for etching (the ratio of the etching rate of a substrate to the etching rate of a resist) and the predetermined pattern figure.例文帳に追加

製造すべき前記所定のパターン形状に対応したマスクの透過率分布を決定する際に、前記エッチングにおけるエッチング選択比（基板のエッチンクレートとレジストのエッチングレートの比）と前記所定のパターン形状との関係を考慮して、前記マスクの透過率分布を決定するようにしている。 - 特許庁

A mask RT having a prescribed pattern formed thereon is irradiated through a light diffusing member DF, at least one position of the light diffusing member DF, the mask RT, and a light receiving opening 91a is changed, and the light through the light receiving opening 9a is wave- surfacewise divided to form a plurality of pattern images.例文帳に追加

光拡散部材ＤＦを介して所定のパターンＰＨ_1が形成されたマスクＲＴを照射するとともに、光拡散部材ＤＦ、マスクＲＴ、及び受光用開口９１aの少なくとも１つの位置を変化させて、受光用開口９１aを介した光を波面分割して複数のパターン像を形成する。 - 特許庁

The photomask is classified into photomasks mounted with mask patterns 1, 2, 5, and 7 having pattern characteristics of a line system used principally to form a wiring layer of a semiconductor device and photomasks mounted with mask patterns 3, 4, 6, and 8 having pattern characteristics of a hole system used principally to form a connection hole of the semiconductor device.例文帳に追加

上記フォトマスクを、半導体装置の主に配線層の形成に用いられるライン系のパターン特性を持つマスクパターン１、２、５、７を搭載したフォトマスクと、半導体装置の主に接続孔の形成に用いられるホール系のパターン特性を持つマスクパターン３、４、６、８を搭載したフォトマスクとに分類する。 - 特許庁

When the mask pattern 91 of the mask 90 and the electrode pattern 111 of the substrate 110 are opposed to each other, a boundary E1 between the first region 101 and the second region 102 is located inside the edge 113 of the substrate 110 and the second region 102 extends outside the edge 113 of the substrate 110.例文帳に追加

マスク９０のマスクパターン９１と基板１１０の電極パターン１１１とを対応させたときに、第１の領域１０１と第２の領域１０２との境界Ｅ１が基板１１０の縁１１３よりも内側に位置し、第２の領域１０２が基板１１０の縁１１３よりも外側に広がっている。 - 特許庁

An aligner 9 by which the pattern of the mask R is exposed by exposure light B on the base plate P through a projection optical system 12, is provided with a line width detector to detect the pattern line width of the mask R and a controller 23 to control the exposure of the exposure light B based on the detected result of the line width detector.例文帳に追加

露光光ＢによりマスクＲのパターンを投影光学系１２を介して基板Ｐに露光する露光装置９において、マスクＲのパターン線幅を検出する線幅検出装置と、線幅検出装置の検出結果に基づいて、露光光Ｂの露光量を制御する制御装置２３とを備える。 - 特許庁

A mask correction pattern for narrowing an etching opening width is formed in a position in irrelevance to a sensor shape, in an etching opening part for etching the semiconductor substrate, and the etching difference within the wafer face is narrowed by regulating a size of the mask pattern toward a wafer outer circumferential part to enhance the yield and to reduce the cost.例文帳に追加

半導体基板をエッチングするマスク開口部において、センサ形状と無関係の位置にエッチング開口幅を狭めるマスク補正パターンを形成し、ウエハ外周部に向かって、マスク補正パターンのサイズを調整することにより、ウエハ面内でのエッチングレート差を縮め、歩留まりの向上及び低コスト化を図る。 - 特許庁

To provide: a reflection type mask such that the reflection type mask having been used and contaminated has its EUV light reflectivity restored to original reflectivity when the EUV light reflectivity decreases as a result of cleaning with respect to a reflection type mask for EUV exposure used to transfer a mask pattern onto a wafer using EUV light; and a method of repairing the same.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ光を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、使用により汚染した反射型マスクを、洗浄することにより生じるＥＵＶ光反射率の低下に対し、ＥＵＶ光反射率を元の反射率に復元することが可能な反射型マスクおよびその修復方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A process of forming at least one of a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer includes a process of forming a film material layer of the layer and a process of arranging a mask having a predetermined pattern formed thereon at an interval between the mask and the film material layer, and imparting activation energy to the film material layer through the mask while introducing active gas to between the mask and film material layer.例文帳に追加

正孔輸送層、発光層および電子輸送層のうち少なくとも１つの層を形成する工程は、層の膜材料層を形成する工程と、膜材料層と間隔を隔てて所定のパターンが形成されたマスクを配置して、マスクと膜材料層との間に活性ガスを導入しながら、マスクを介して膜材料層に活性化エネルギーを付与する工程と、を有する。 - 特許庁

This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.例文帳に追加

電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁

Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.例文帳に追加

レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁

The vapor deposition mask 1 having a pattern forming area 4 where through holes 5 for vapor deposition are formed is mounted on one side of the substrate 30, at least the end part of the vapor deposition mask 1 is held, and a weight 20 is provided on the side opposite to the side where the vapor deposition mask 1 is mounted of the substrate 30 via pressing tool 50.例文帳に追加

蒸着通孔５が形成されたパターン形成領域４を備える蒸着マスク１を前記基板３０の片側に搭載し、少なくとも前記蒸着マスク１の端部が支持してあって、前記基板３０の蒸着マスク１が搭載される側とは反対側に押さえ治具５０を介しておもり２０を置く。 - 特許庁

To solve such a problem that, although a memory capacity of mask data used when printing an image while dividing it into passes of multiple times has been desired to be reduced heretofore, compression depends on the mask pattern of each pass in the case that the mask for each pass is only compressed by a predetermined compressing method, so that the memory capacity cannot necessarily be reduced efficiently.例文帳に追加

従来、複数回のパスに分けて画像を印字する際に使用するマスクデータの記憶容量を減らしたいという課題があったが、単に所定の圧縮方法でパスごとのマスクを圧縮した場合、圧縮率が各パスのマスクパターンに依存するため、必ずしも効率よく記憶容量を減らせるわけではない。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.例文帳に追加

露光光での位相シフトマスクとしての位相差，透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a laser mask obtaining a thin film having uniform crystallization characteristics without any X- and Y-overlaps, by applying a slit having a fixed pattern to the mask and considering repeatability in such a slit for advancing laser crystallization, and to provide a crystallization method utilizing the laser mask.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることによって、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜が得られるレーザーマスク及びこれを利用した結晶化方法を提供する。 - 特許庁

When the display region 12a is exposed via a mask 53 with an opening section formed thereon, while transferring the substrate along a surface direction, a position and an angle of the mask 53 relative to the substrate 1a are corrected by using the dummy pattern 11a before the display region 12a reaches the position where it is to be exposed via the mask 53.例文帳に追加

この基板をその面方向に沿って移動させつつ開口部が形成されるマスク５３を介して表示領域１２ａに露光を施すに際し、表示領域１２ａがマスク５３を介して露光される位置に達する前に、ダミーパターン１１ａによってマスク５３の基板１ａに対する位置や角度を補正する。 - 特許庁