「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exposure apparatus in which exposure of a mask pattern can be performed with high accuracy while preventing misalignment on exposing a substrate to be exposed.例文帳に追加

被露光基板に露光を行う際、アライメントにおけるズレの発生を防止してマスクパターンの露光を高精度に行うことができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

Electrodeposition metals 6 corresponding to a mask base plate and waste electrodeposition metals 14 are elctrodeposited on a surface which is not covered with a pattern resist film 11 of an electroforming matrix.例文帳に追加

電鋳母型のパターンレジスト膜１１で覆われていない表面に、マスク基板に相当する電着金属６と、捨て電着金属１４とを電着形成する。 - 特許庁

After patterning the silicon oxide layer in accordance with a gate electrode pattern, the polysilicon layer is patterned by dry-etching using a remaining resist layer as a mask.例文帳に追加

シリコンオキサイド層をゲート電極パターンに従ってパターニングした後、残存するレジスト層をマスクとするドライエッチングによりポリシリコン層をパターニングする。 - 特許庁

To provide a gray-scale mask that is advantageous for simplifying manufacturing processes of a display device and for formation of a pattern.例文帳に追加

本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

To correct the pattern data of an exposure mask in accordance with the number of surrounding bumps and with the distance between bumps to make the diameters of bumps identical after wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチング後のバンプの径を同一にするために、周囲のバンプの数、各バンプ間の距離に応じて露光マスクのパターンデータを補正することを目的とする - 特許庁

Here, the thin film generates a stepped cut between a part on the pattern and a part between the patterns, thickness of the mask being thinner than the thin film.例文帳に追加

このとき薄膜は、マスクの厚みが薄膜より厚くなっていることから、マスクのパターン上の部分とパターン間の部分との間で段切れが生ずる。 - 特許庁

In the process, the upper electrode 3 is also processed to a splayed tapered shape by forming a pattern section of a resist mask 4 to a splayed tapered shape.例文帳に追加

ただし、その際、レジストマスク４をそのパターン断面が裾広がりのテーパ形状とすることにより、上部電極３も裾広がりのテーパ形状に加工する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist shape with which an inclination angle close to a target value of a resist pattern can be obtained by using one grayscale mask.例文帳に追加

一つのグレースケールマスクを使用して、目標値に近いレジストパターンの傾斜角度を得ることができるレジスト形状の形成方法を提供する。 - 特許庁

"mask work" means a functional design which consists of a pattern of an image however fixed or encoded, having or representing at least a part of an integrated circuit;例文帳に追加

「マスクワーク」とは，固定化又は記号化された画像の模様から成り，集積回路の少なくとも一部を有するか又は表わす機能的意匠をいう。 - 特許庁

Subsequently, a current constriction layer 14 of p-type GaN is grown in a region other than the mask pattern 25 on the upper surface of the n-type contact layer 13.例文帳に追加

次に、ｎ型コンタクト層１３の上面のマスクパターン２５を除く領域にｐ型ＧａＮからなる電流狭窄層１４を成長させる。 - 特許庁

The surface of a substrate 2 is provided with a mask 2, and a liquid w containing fine particle polishing material is injected from a nozzle 5 to the surface of the substrate 2 to work a pattern.例文帳に追加

基板２の表面にマスク２を設け、該基板２の表面に微粒の研磨材を含む液体ｗをノズル５から噴射してパターンを加工する。 - 特許庁

At the time of performing scanning exposure, the mask 14 is moved upward or downward in the figure so that the whole surface of the pattern area 10 may be illuminated successively.例文帳に追加

スキャン露光では、マスク１４を図の上方、又は下方に向けて移動させ、これによりパターン領域全面が順次照明されるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask including a pattern forming process by lift-off, the method by which a film is accurately patterned while the occurrence of damage to a resist is suppressed.例文帳に追加

リフトオフによるパターンの形成工程を含むマスクの形成方法に関し、膜を精度良くパターニングし、しかもレジストのダメージ発生を抑制すること。 - 特許庁

The light 6 emitted from the optical system 5 forms the image of the standard pattern formed on the mask 4 on the surface of a wafer 8 placed on a wafer stage 7.例文帳に追加

極短紫外線光学系５からの出射光６は、マスク４の標準パターンの像をウエハステージ７上に載置されたウエハ８の表面に結像する。 - 特許庁

A photosensitive resist is applied on the surface of a transparent conductive layer 3, exposed through a specified mask pattern and developed to form a resist layer 4.例文帳に追加

透明導電層３の表面上に感光性レジストを塗布し、所定のマスクパターンによって露光し、現像することによって、レジスト層４を形成する。 - 特許庁

To provide a touching-up method as a method for imparting new images to a faulty pattern part of a metal image on a mask for exposure and to an image unformed part.例文帳に追加

露光用マスク上金属画像のパターン不良箇所等、及び画像未形成部への新たな画像付与としての加筆方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shadow mask subjected to a pattern correction capable of making the boundary of an image area appearing on a panel straight or in a curved line near the straight.例文帳に追加

パネル上に表れる画像エリアの境界を直線または直線に近い曲線にすることを可能とするパターン補正されたシャドウマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition mask wherein the patterning part will have no distortion of a pattern shape or misregistration, even if it is fixed to a fixed frame with tensile force applied to it.例文帳に追加

張力をかけた状態で固定枠に固定してもパターニング部のパターンの形状の歪みや位置ずれのない真空蒸着マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus which forms a vapor deposition pattern stably over a long period, by keeping a mask free from the slack and a wrinkle.例文帳に追加

マスクに弛みやシワが無い状態を維持できるようにして、長期に亘って安定した蒸着パターンを得ることができる蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern drawing device whose production capacity is improved by decreasing frequency of replacing or washing a mask.例文帳に追加

マスクの交換や洗浄の頻度を低減させ、それにより、パターン描画装置の生産能力を向上させることができるパターン描画装置を提供する。 - 特許庁

In a step of forming the interlayer insulating film 22, an exposure mask 56A is used, when the projecting and recessing pattern are formed on the surface of the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜２２を形成する工程では、層間絶縁膜２２の表面に凹凸パターンを形成する際に露光マスク５６Ａを用いる。 - 特許庁

The board body 90 with a mask-printed circuit pattern is fixed on the base board 95, and circuit components 98, 99 and 100 such as a CPU are mounted.例文帳に追加

回路パターンをマスク印刷した基板本体９０をベースボード９５に固定し、ＣＰＵ等の回路構成部品９８，９９，１００を実装する。 - 特許庁

The pattern image of a mask 111 is projected to a photosensitive substrate 112 through a plurality of optical elements by exposure light 108 from a light source 101.例文帳に追加

光源１０１からの露光光１０８によりマスク１１１のパターン像を、複数の光学素子を介して感光性基板１１２に投影する。 - 特許庁

Light from an external light source is radiated to the mask 1 through the optical fibers 4 to transfer the herringbone groove pattern onto the inner peripheral surface of the dynamic pressure bearing 2.例文帳に追加

そして、外部の光源の光を光ファイバ４によりマスク１に照射して、ヘリングボーン溝パターンを動圧軸受２の内周面に転写する。 - 特許庁

To provide at a low cost an X-ray mask with a structure having a high aspect ratio absorber pattern by ensuring a large exposure area by improving a thin film strength.例文帳に追加

薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保し、高アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスクを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide at low cost an X-ray mask which has structure having an absorber pattern with a high aspect ratio by securing large exposure area by increasing the strength of a thin film.例文帳に追加

薄膜の強度を上げて大きな露光面積を確保し、高アスペクト比の吸収体パターンを持つ構造のＸ線マスクを低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a photoelectric sensor, from which the influence of interference fringe is removed, and to provide a pattern-inspecting device using the sensor, a microscope and the manufacturing method of a mask.例文帳に追加

干渉縞の影響を除去した光電センサと、それを用いたパターン検査装置、顕微鏡およびマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The alignment method is carried out in process of projecting a pattern (34) drawn on a mask (30) onto a first face (10A) and a second face (10B) of a quartz wafer (10) by exposure.例文帳に追加

本アライメント方法は、マスク（３０）に描かれたパターン（３４）を水晶ウエハ（１０）の第一面（１０Ａ）と第二面（１０Ｂ）とに露光する際のアライメントである。 - 特許庁

To provide a mask for film deposition which maintains a high pattern precision though being heated, a film deposition device, an electro-optical device, and an electronic appliance.例文帳に追加

マスクが加熱されも高いパターン精度を維持することができる膜形成用マスク、膜形成装置、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for identifying an extreme interaction pitch region, a method for designing and manufacturing a mask pattern, a device manufacturing method and a computer program.例文帳に追加

極端相互作用ピッチ領域を識別する方法、マスクパターンを設計、製造する方法、デバイス製造方法およびコンピュータプログラムを提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure device and an exposure method capable of achieving highly reliable fine pattern exposure while reducing mask defect.例文帳に追加

マスク欠陥を低減しつつ、高信頼性の微細パターン露光が達成できる露光装置及び露光方法、露光用マスク、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the light density is made uniform without deforming the mask pattern P by thinning or thickening, and the optical proximity correction can be easily carried out.例文帳に追加

これによって、マスクパターンＰを細くしたり太くしたりして変形させることなく、光密度を均一化して光近接効果補正を容易に行える。 - 特許庁

The same exposure mask as one used for manufacturing the first inspection wafer is used, a second inspection wafer is manufactured where the lithography conditions are changed and the pattern is formed (S6).例文帳に追加

第１検査ウエハの作製と同一の露光マスクを用い、リソグラフィー条件を変化させてパターンを形成してなる第２検査ウエハを作製する（Ｓ６）。 - 特許庁

Further, the photoresist layer is removed to expose the mask layer having the aperture pattern and the embedded buffer layer.例文帳に追加

さらに等方性エッチングを行い、前記第２開口によって露出された前記バッファ層を除去し、前記対応する第１開口の側壁を露出させる。 - 特許庁

In addition, another mask area 12 with the Y-direction pattern P2 arranged therein is exposed to an electron beam EB having smaller out-of-focus in the X-direction as compared with the Y-direction.例文帳に追加

また、Ｙ方向パターンＰ２が配置されたマスク領域１２にはＹ方向に比べてＸ方向のぼけが小さい電子線ＥＢで露光する。 - 特許庁

Accordingly, both laser beams L13 and L14 proceeding from the beam splitter 110 also have approximately the same mean power, and are transmitted to a mask pattern projecting section 101b.例文帳に追加

したがって、ビームスプリッタ１１０から進むレーザ光Ｌ１３もＬ１４もどちらもほぼ同じ平均パワーとなり、マスクパターン投影部１０１ｂに供給される。 - 特許庁

Here, for the reduction process, a projection vertical to the gate electrode is arranged in the partial region by using a mask pattern.例文帳に追加

ここで、上記低減工程は、上記一部領域に、マスクパターンを用いて上記ゲート電極に垂直な突出部を設ける工程とすることなどができる。 - 特許庁

When the object is outputted on a display apparatus in this case, the display apparatus draws an image of the image data on the memory according to a function of a mask pattern of the graphic object.例文帳に追加

このときディスプレイ上に出力するときは、図形オブジェクトが有するマスクパターンの機能に従って、メモリ上の画像データに描画する。 - 特許庁

To reduce the processing time and to suppress generation of a minute edge when a mask pattern subjected to optical proximity correction is partially changed.例文帳に追加

光近接効果補正が施されたマスクパターンの一部について変更を行う場合、処理時間の短縮化と微小エッジの発生の抑制を図ること。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring of a thin-film magnetic head for sure preventing of stripping of a mask pattern needed, when selective plating is conducted and a plating electrode.例文帳に追加

選択めっきを行う際に必要となるマスクパターンとめっき電極との剥離を確実に防止する薄膜磁気ヘッドの配線方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure mask capable of faithfully transferring a pattern using a constant amount of light, while improving the resolution limit of a transfer apparatus.例文帳に追加

本発明は、転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the quality of a printed image is degraded because the dispersibility of dots among paths is not secured in an image forming apparatus for conducting multipath printing using a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを用いたマルチパス印字を行う画像形成装置において、パス間のドットの分散性が確保されないため、印字された画質が劣化する。 - 特許庁

Consequently, the opening rate of the 1st resist mask pattern 13 for processing the gate electrode in the 1st area A is increased to improve the gate size precision.例文帳に追加

これにより、第一の領域Ａのゲート電極加工用の第一のレジストマスクパターン１３の開口率を上昇させゲート寸法精度が向上する。 - 特許庁

The radicals and ions are supplied periodically by a plurality number of times, even after the mask has been completed, thus maintaining pattern position accuracy over a long time.例文帳に追加

ラジカルやイオンの供給をマスクの完成後も複数回、定期的に行うことによって、パターン位置精度を長期間に渡って保つことができる。 - 特許庁

An etching mask for forming a pattern of a processing target layer such as a conductive layer and a semiconductor layer is produced without using a lithographic technique employing a photoresist.例文帳に追加

導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。 - 特許庁