「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

Then the mask area 11 with the X-direction pattern P1 arranged therein is exposed to an electron beam EB having smaller out-of-focus in the X-direction as compared with the Y-direction.例文帳に追加

そして、Ｘ方向パターンＰ１が配置されたマスク領域１１にはＸ方向に比べてＹ方向のぼけが小さい電子線ＥＢで露光する。 - 特許庁

A method for producing a color filter is also provided which includes a step of forming a pattern by applying the colored curable composition on a support, exposing it through a mask and performing development.例文帳に追加

および該着色硬化性組成物を支持体上に塗布後マスクを通して露光し、現像してパターンを形成する工程を含むカラーフィルタの製造法。 - 特許庁

On the basis of the reference bias, the amount of mask bias for each element of a pattern is calculated, and correction is made to give dimensional change (reshaping) to each element.例文帳に追加

そして、この基準バイアスを基にしてパターンの各要素のマスクバイアス量を計算して、各要素に寸法変化（リシェイプ）を与える補正を行う。 - 特許庁

To provide a projection exposure apparatus transferring by exposure a circuit pattern of a mask onto an exposure object with high accuracy while preventing production of foreign matter or dust.例文帳に追加

ゴミ又はホコリを発生させることなく高精度にマスクの回路パターンを被露光体に露光できるようにすることが可能な投影露光装置を提供する。 - 特許庁

In a process of creating a QR code image, a specific-pattern mask is applied through exclusive-OR, after setting a data bit string to be stored.例文帳に追加

ＱＲコード画像作成過程では、格納データビット列をセットした後に排他的論理和によって、特定パターンのマスクをかける仕様となっている。 - 特許庁

Further, whether the patterns after the synthesis satisfy the prescribed mask pattern design rule or not is checked and if the rule is not satisfied, the patterns are properly corrected.例文帳に追加

さらに、前記グループ化後、および合成後のパターンが所定のマスクパターン設計ルールを満たしているか否かをチェックし、満たしていない場合は適宜修正する。 - 特許庁

Then, a first resist film 9 is formed so that the wiring groove pattern 8 may be embedded, and the first resist film 9 on the hard mask 7 is removed to planarize the surface.例文帳に追加

次に、配線溝パターン８を埋め込むように第１のレジスト膜９を形成し、ハードマスク７上の第１のレジスト膜９を除去して平坦化する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for inspecting a mask for use in fabricating an integrated circuit device that can easily detect defects in a semiconductor pattern.例文帳に追加

半導体パターンに形成された欠陥を容易に探し出すことのできる集積回路装置製造用マスクの検査装置及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

The mask layer 4 has printing parts 11 having openings 10 corresponding to the printing pattern and non-printing parts 12 thinner than the printing parts 11.例文帳に追加

マスク層４は、印刷パターンに対応する開口１０を有する印刷部１１と、印刷部１１よりも厚さの薄い非印刷部１２とを有する。 - 特許庁

To contribute to cost reduction of a manufacturing method of a crystal vibration chip by reducing a consumed quantity of a metallic material (especially Au) used for a pattern mask.例文帳に追加

パターンマスクとして用いられている金属材料（特にＡｕ）の使用量を減らして、水晶振動子片の製造方法のコストダウンに寄与する。 - 特許庁

After that, the surface of the adhered metal foil is covered by a mask member, and a pattern is formed so that a region forming a second metal terminal pad opens.例文帳に追加

その後、付着した金属箔の表面をマスク材で覆い、第二金属端子パッドを形成する領域が開口するようにパターン形成する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed, the film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method.例文帳に追加

また、フォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、その膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなう。 - 特許庁

The resist film 11 is dry-etched through the sylilation layer 15 as a mask, to form a resist pattern 11A of the thin film part 11c of the resist film 11.例文帳に追加

レジスト膜１１に対してシリル化層１５をマスクとしてドライエッチングを行なって、レジスト膜１１の薄膜部１１ｃからなるレジストパターン１１Ａを形成する。 - 特許庁

A test mask having a plurality of test patterns is produced (S1, S5) by changing shapes and layouts according to the shape and layout of a design pattern.例文帳に追加

設計パターンの形状および配置状態に応じて形状および配置状態を変化させた複数のテストパターンを備えたテストマスクを作製する（Ｓ１，Ｓ５）。 - 特許庁

A high-precision pattern can be formed on a substrate with a multiple units by arranging and carrying out the vapor deposition on the substrate 17 on this second metal mask 13.例文帳に追加

この第二金属マスク１３の上に基板１７を配して蒸着を行うことで、基板に高精細なパターンを多面付けで形成することができる。 - 特許庁

To provide a mask for patterning an organic electroluminescence display device which can satisfactorily form a desired shape pattern, and its usage.例文帳に追加

目的とする形状のパターンを良好に形成することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置のパターニング用マスクおよびその使用方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to cleaning treatment method after the etching of a film 2 on a semiconductor wafer 1 etched by a chemical solution by using a resist pattern 3 as a mask.例文帳に追加

半導体ウェハ１上の被エッチング膜２を、レジストパターン３をマスクに用いて薬液によりエッチングした後の洗浄処理方法に係るものである。 - 特許庁

To provide a Levenson type phase shift mask in which increase in the dimension of the formable minimum pattern element due to the proximity effect of light can be effectively suppressed.例文帳に追加

形成可能な最小パターン要素寸法が光近接効果により増大するのを効果的に抑制できるレベンソン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

By etching selectively the layers 2 to 5 and the layer 18, the shape of the alignment pattern growth stopping mask is made to reveal.例文帳に追加

そして、半導体層２乃至５及びクラッド層１８を選択的にエッチングすることにより目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる。 - 特許庁

The conductive film 5 is is subject to anisotropic etching employing the resist pattern 7 as a mask under a state that the conductive film 5 is left on the whole surface of the gate insulating film 3.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上の全面に導電膜５を残す状態で、レジストパターン７をマスクに用いて導電膜５を異方性エッチングする。 - 特許庁

After a current film 12 is vapor-deposited on the surface to be plated and end faces of a semiconductor substrate 101, a mask pattern 201 is formed on the film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１の被メッキ面および端面にカレントフィルム１０２を蒸着した後で、カレントフィルム１０２上にマスクパターン２０１を形成する。 - 特許庁

To provide a reflective exposure mask which suppresses the deterioration of the image contrast of a transfer pattern even when a target dimension is reduced into an finer dimension area.例文帳に追加

ターゲット寸法がより微細な寸法領域に突入しても、転写パターンの像コントラストの低下を抑制できる反射型露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To determine an exposure condition or a mask pattern with which a desired image can be obtained when exposure is actually performed even if a lateral shift of an image due to exposure equipment occurs.例文帳に追加

露光装置に起因する像の横ずれがあっても、実際に露光を行った場合に所望の像が得られる露光条件またはマスクパターンを決定する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposing mask suppressing or eliminating non-opening or opening failure of a desired pattern and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

所望のパターンの未開口や開口不良を抑止ないしは解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスクとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The transition between the phase shift region and non-phase shift region alone defines a pattern on the wafer, without the need for an opaque structure on the mask.例文帳に追加

位相シフト領域と非位相シフト領域の間の遷移だけで、ウェハ上のパターンを画定するため、マスク上の不透明構造は不要となる。 - 特許庁

The center part of the second p-clad layer 6 is removed by wet etching by a mask pattern in accordance with the outline of a p electrode 8 to expose the first p-clad layer 5.例文帳に追加

第２ｐクラッド層６の中央部を、ｐ電極８の輪郭に合わせたマスクパターンによるウェットエッチングで除去して、第１ｐクラッド層５を露出させる。 - 特許庁

To suppress the influences of aberration of the lens in an exposure mask having pattern regions for a plurality of processes on one light transmitting substrate.例文帳に追加

１枚の透光性基板に複数工程のパターン領域を備える露光マスクにおいてレンズの収差の影響を抑制できるようにすること。 - 特許庁

A mask for sequential lateral solidification has a transparent substrate and a heat-resistant oxide film pattern that is formed on the transparent substrate to intercept laser beams.例文帳に追加

逐次的横方向結晶化用のマスクは、透明基板と、前記透明基板上に形成され、レーザービームを遮断する耐熱性酸化膜パターンとを有する。 - 特許庁

As a result of this, a pattern formed on the orientational carbon nanotube cathode 5 is exposed and transferred to the face of the wafer 8, without having to use a special mask or a reticle.例文帳に追加

これにより、特別のマスクやレチクルを用いることなく、配向性カーボンナノチューブ陰極５に形成されたパタンが、ウェハ８面に転写される。 - 特許庁

In an initial stage of etching, the first etching step in which a relatively high etching pressure is set is conducted to isotropically etch an opening region of a mask pattern.例文帳に追加

エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。 - 特許庁

Cumulative light exposure per a mask that uses organic photosensitive resin for the light-shielding film is recorded, and the light exposure for pattern transfer is corrected, based on the cumulative exposures.例文帳に追加

有機感光性樹脂を遮光膜とするマスク１枚当たりの積算露光量を記録し、その量に応じてパターン転写時の露光量に補正を施す。 - 特許庁

As shown in (e), resist is applied and is then exposed at two parts between bumps 104 using an exposure mask having a prescribed pattern.例文帳に追加

図１（ｅ）に示すように、レジストを塗付し、所定のパターンを有する露光マスクを使用して、各バンプ１０４の間に塗付されたレジストの２箇所を露光する。 - 特許庁

To solve the difficulty in a prior art that in a method for encoding only mask data for specific effect, a specific effect procedure followed by a motion fails in converting a specific effect pattern to a library as data.例文帳に追加

特殊効果用のマスクデータのみをコード化する方法では、動きを伴う特殊効果手順をデータとしてライブラリ化することができない。 - 特許庁

To provide a method of designing a mask capable of providing a dummy pattern in a new form, and to provide a semiconductor element and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、新たな形態のダミーパターンを提供できるマスクの設計方法、半導体素子、及びその製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

The image of pattern formed on the mask 15 is imaged on a wafer 18 by means of lenses 16A and 16B for projection, and a resist on the wafer 18 is exposed to light.例文帳に追加

マスク１５上に形成されたパターンの像は、投影用レンズ１６Ａ、１６Ｂによりウエハ１８上に結像し、ウエハ１８上のレジストを感光させる。 - 特許庁

To enable to create a desired mask pattern on a thin film magnetic head slider bar without generating an air bubble even when liquid photo-resist is used.例文帳に追加

液状フォトレジストを用いた場合においても気泡を発生させることなく、薄膜磁気ヘッドスライダーバーの上に所望のマスクパターンを生成可能にする。 - 特許庁

A proximate exposure apparatus (100) performs proximately exposes a pattern of the exposure mask (30) on a crystal wafer (10) coated with a resist (19) and including an edge portion.例文帳に追加

近接露光装置（１００）は、露光マスク（３０）のパターンを、レジスト（１９）が塗布され周縁部を有する水晶ウエハ（１０）に対して近接露光する。 - 特許庁

The first pattern of the mask 31 is provided on the first area of the semiconductor region 13 periodically by a size value LX corresponding to an device size.例文帳に追加

マスク３１の第１のパターンは、素子サイズに対応したサイズ値ＬＸで周期的に半導体領域１３の第１のエリア上に設けられる。 - 特許庁

A detection section 3 detects edges (vertical intersection edge) vertically in point contact with each other for both the edges (opposite edges) of the mask pattern which are opposite in parallel.例文帳に追加

検出部３は、マスクパターンの平行に対向する両エッジ（対向エッジ）の夫々について垂直に点接触するエッジ（垂直交差エッジ）を検出する。 - 特許庁

Next, the modified part 13b is removed by etching selectively with respect to the mask pattern 15 and an unmodified part 13a consisting of an SiOCH-based material.例文帳に追加

次に、マスクパターン１５およびＳｉＯＣＨ系材料からなる未改質部１３ａに対して選択的に改質部１３ｂをエッチング除去する。 - 特許庁

A substrate 12 is etched by using as a mask a resist pattern provided on the substrate 12 to form a groove 13 on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１２上に設けられたレジストパターン３０をマスクに用いて基板１２がエッチングされ、基板１２の表面上に溝１３が形成される。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus capable of easily exchanging patterns of a slit system and a reticle, and accurately forming a pattern of a mask.例文帳に追加

本発明は、スリットシステムとレチクルのパターンの両方を簡単に交換でき、マスクのパターンを正確に形成することができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a scanning exposure apparatus using a variable forming mask, the apparatus that can perform exposure with optimum resolution according to a pattern.例文帳に追加

可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、パターンに応じた最適な解像度で露光することができる走査型露光装置を提供する。 - 特許庁

To increase the etching resistance of a mask material to precisely pattern a processed film with good processing precision when a semiconductor device is manufactured.例文帳に追加

半導体装置の製造等の場合、被加工膜に加工精度良くパターンを形成する上では、マスク材のエッチング耐性を高めることが重要になる。 - 特許庁