「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, there is no need to prepare a conveyance route for the mask M outside the pattern drawing apparatus 1, thereby the work space for the total process flow can be decreased.例文帳に追加

また、パターン描画装置１の外部にマスクＭの搬送経路を確保する必要がないため、工程全体の作業スペースを低減させることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a wiring trench pattern in a hard mask film on an interlayer insulating film in a non-stepped state.例文帳に追加

層間絶縁膜上のハードマスク膜に配線溝パターンを段差のない状態で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a proximity correction mask with high accuracy and no defect in a short period of time while keeping a process margin in a complicated LSI pattern.例文帳に追加

複雑なＬＳＩパターンにおいて、プロセス余裕度を保ちながら欠陥の無い高精度な近接効果補正マスクを短時間で提供することを課題とする。 - 特許庁

The second cap film 37 on the second active region is coated with a second mask pattern, and the second cap film 37 on the first active region is etched and removed.例文帳に追加

第２活性領域上の第２キャップ膜３７を第２マスクパターンで覆い、第１活性領域上の第２キャップ膜３７をエッチングして除去する。 - 特許庁

To generate beams for exposure condensed for every area of a plurality of irradiation areas set on a pattern forming mask and having different size.例文帳に追加

パターン形成用のマスクに設定される異なる大きさの複数の照射エリア別に集光する露光用の光束を生成できるようにする。 - 特許庁

To conduct exposure by an EPL without using a complementary segment mask and without conducting double exposure for a pattern requiring the complementary segment.例文帳に追加

相補分割が必要となるパターンについて、相補分割マスクを用いることなく、また二重露光を行うことなくＥＰＬで露光処理を行う。 - 特許庁

A pattern of the gap filling mask is transferred onto the damascene layer to remove IMD at least partially and to form an air gap.例文帳に追加

ギャップ充填マスクのパターンは、一実施態様においては、ダマシン層に転写されて、ＩＭＤの少なくとも一部を除去するとともにエアギャップを形成する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for carrying out multipass printing using a mask pattern by which image-quality deterioration due to paper feeding displacement can be prevented.例文帳に追加

マスクパターンを用いたマルチパス印字を行う画像形成装置において、紙送りずれによる画像品質劣化を防止できる画像形成装置の提供。 - 特許庁

To provide an image processing technology for establishing the high speed operation of a density pattern method and high picture quality equivalent to that of an error diffusion method(or blue noise mask method).例文帳に追加

濃度パターン法の高速化と誤差拡散法（或いはブルーノイズマスク法）並みの高画質を両立させ得る画像処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The metal-coating method can also coat the particle with the metal to form, for instance, a belt-shaped pattern thereon, because the method can mask a plurality of portions of the particle by masking the particle with a plurality of the substrates.例文帳に追加

また、複数枚の基板を用いてマスキングすることで、複数箇所のマスキングが可能となり、例えば、帯状パターンの金属コーティングが行える。 - 特許庁

The method for adjusting the landing angle in the charged particle beam exposure system includes a step of disposing a minute point pattern 51 regarded as being substantially a point on a mask stage 11, and a step of disposing a minute first pin hole 61 on the surface of a wafer.例文帳に追加

マスクステージ１１上にほぼ点とみなせる微小な点パターン５１を配置し、ウェハ面上に微小な第１ピンホール６１を配置する。 - 特許庁

Furthermore, the substrate 21 is etched with the resist 35 and mask pattern 37 to form the substrate 21 into the prescribed shape.例文帳に追加

そして、角部保護用レジスト３５と成形用マスクパターン３７に基づいて、半導体基板２１をエッチング加工して該半導体基板２１を設定の形状に形作る。 - 特許庁

A material liquid ejector 60 ejects film forming material liquid 70 for patterning in the form of liquid drops 72 being injected into a pattern opening 58 of the mask 50.例文帳に追加

原料液吐出器６０は、パタンを形成するための成膜用原料液７０を液滴７２として吐出し、マスク５０のパターン開口５８に注入する。 - 特許庁

After inputting required data (S1, S2), an original optical image I_0 is calculated (S4) based on the data of a mask pattern among them and the exposure conditions at the time of sample production.例文帳に追加

必要なデータを入力し（Ｓ１，Ｓ２）、そのうちマスクパターンのデータとサンプル作製時の露光条件とに基づいて、原光学像Ｉ_０を算出する（Ｓ４）。 - 特許庁

METHOD OF CALCULATING IRRADIATION ENERGY, METHOD OF CALCULATING PROXIMITY EFFECT, METHOD OF DESIGNING MASK OR RETICLE PATTERN, CHARGED-PARTICLE-BEAM EXPOSURE SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

照射エネルギーの計算方法、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

Then, the frequency of replacing or washing the mask M is decreased, consequently, the production capacity of the pattern drawing device is improved.例文帳に追加

従って、マスクＭの交換や洗浄の頻度を低減させることができ、その結果、パターン描画装置の生産能力を向上させることができる。 - 特許庁

The circuit 31 conforming to the main pattern 11 and the mark 32 continued conforming to the auxiliary patterns 13 are formed by photo-etching using the first mask 10.例文帳に追加

第１のマスク１０による写真蝕刻を通じ、主パターン１１に従う回路部３１と、補助パターン１３に従って繋がるマーク３２とが形成される。 - 特許庁

The second conductive film 109 for wiring is etched with the second via contact 111 as the mask, to form a metal dot pattern 109B.例文帳に追加

第２のビアコンタクト１１１をマスクとして第２の配線用導電膜１０９に対してエッチングを行なってメタルドットパターン１０９Ｂを形成する。 - 特許庁

To manufacture an organic EL display device which can display multicolored images without using a metal fine mask for pattern deposition of emission layers.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置の製造で発光層をパターン成膜するための金属製ファインマスクを使用することなしに多色画像を表示可能とする。 - 特許庁

To provide a metal mask for solder printing featuring that the quantity of a soldering paste to be printed on a land electrode can be made stable despite the pattern of the land electrode.例文帳に追加

ランド電極のパターンにかかわらず、ランド電極に印刷されるはんだペーストの量が安定するはんだ印刷用メタルマスクを提供する。 - 特許庁

In production of the beam structure 144 having the step portion 160 by wet etching, an etching substance 400 is coated with a mask pattern 450.例文帳に追加

ステップ部１６０を有するはり構造体１４４をウエットエッチングによって製作するために、被エッチング材４００にマスクパターン４５０をコーティングする。 - 特許庁

To provide a power supply noise reduction package capable of bypassing effectively a noise voltage by a capacitor without increasing a mask pattern and a diffusion step of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップのマスクパタン、拡散工程の増加をすることなく、ノイズ電圧をコンデンサにより効率的にバイパスできる電源ノイズ低減パッケージを提供する。 - 特許庁

A projection optical unit PL1 forms an image on a first surface (where a pattern DP formed on a mask is arranged) on a second surface (the upper face of a plate P).例文帳に追加

投影光学ユニットＰＬ１は、第１面（マスクに形成されたパターンＤＰが配置され面）の像を第２面（プレートＰの上面）上に結合させる。 - 特許庁

The amorphous carbon layer and the upper part of the layers to be patterned except at least the layer 43 of the lower part of the layers are etched by using the resist pattern 47 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン４７をマスクとして、アモルファスカーボン膜と、パターニングすべき膜の少なくとも下層部分４３を残して一部上層部分をエッチングする。 - 特許庁

A metal mask 12 and a quartz glass plate 13, provided with holes according to the pattern of the circuit to be formed, are placed over the surface of the organic semiconductor film 11.例文帳に追加

有機半導体膜１１の表面に、形成する回路等のパターンに応じた孔を設けたメタルマスク１２及び石英ガラス板１３を載置する。 - 特許庁

The resist pattern 64 is removed to thereby form an SiO_2 mask for manufacturing a waveguide layer structure having a tilted surface a on InP (e).例文帳に追加

レジストパターン６４を除去することにより、ＩｎＰ上に傾斜面ａを有する導波層構造を作製するためのＳｉＯ_２マスクが形成される（ｅ）。 - 特許庁

To provide an evaluation method for a mask pattern and an evaluation device capable of making lithographic simulation results coincident with the results of actual wafer exposure.例文帳に追加

リソグラフィシミュレーションの結果と実際のウェハ露光の結果を一致させることができるマスクパターン評価方法及び評価装置を提供すること。 - 特許庁

The undercoat of the light shielding layer is subjected to a third etching process by using the light shielding layer and the resist pattern for correction as a mask to correct the excess defect.例文帳に追加

遮光層及び修正用レジストパターンをマスクにして遮光層の下層に対して第３のエッチング処理を施し余剰欠陥箇所を修正する。 - 特許庁

The projections of the light extraction surface can be formed by etching using a dot pattern formed by phase separation of a block copolymer, as a mask.例文帳に追加

この光取り出し面の凸部は、ブロックコポリマーの相分離により形成されるドットパターンをマスクとしてエッチングすることにより形成させることができる。 - 特許庁

Then the resist film 9 is subjected to exposure through a predetermined mask and to heat treatment, and developed to form a resist pattern.例文帳に追加

その後、レジスト膜９に対して、所定のマスクを介しての露光および加熱処理を行った後、現像処理を施すことによってレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Phosphorus is doped to a semiconductor layer by using a pattern 107 constituted of a conductive film as a mask so that an N type impurity area can be formed so as to be self-aligned.例文帳に追加

導電膜でなるパターン１０７をマスクにして半導体層にリンを添加してＮ型の不純物領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

The shielding part 1c is arranged being overlapped with the rear side of the display part 1b, and therefore the image on the display part 1b can be partially hidden by displaying a mask pattern.例文帳に追加

遮蔽部１ｃは、表示部１ｂの裏面に重ねて配置され、マスクパターンを表示することにより表示部１ｂの画像を部分的に隠すことができる。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

Consequently, a resist pattern 111 for via hole whose diameter is smaller than a width of the upper groove 110 in size is formed and a via hole 112 is formed using this as a mask.例文帳に追加

次いで、上溝１１０の幅より径が小さいビアホール形成用のレジストパターン１１１を形成し、これをマスクにビアホール１１２を形成する。 - 特許庁

In the laser beam machining method, laser beam is emitted to irradiate a substrate 600 with an image through a pattern formed on a mask 501 and an imaging lens 506.例文帳に追加

本レーザ加工方法では、レーザ光を照射し、マスク５０１に形成されたパターンを介し、結像レンズ５０６を経て、基板６００上に像を照射する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure capable of suppressing shortening corresponding to the environment without increasing the chip area and a method for correcting its pattern.例文帳に追加

チップ面積を増大させることなく、環境に応じたショートニングの抑制を可能とする露光用マスク及びそのパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

Luminescent layers 31 to 33 are formed by forming films from polymer compounds, and hardening them in a given pattern by irradiating light on them through a mask and bridging them.例文帳に追加

高分子化合物を成膜し、マスクを介して光照射して架橋させることにより所定のパターンに硬化させて発光層３１〜３３を形成する。 - 特許庁

By providing a plurality of sets of the surface acoustic wave devices 20A and 20B on the mask substrate 10, the position of the contamination of the semiconductor circuit pattern 41 can be specified.例文帳に追加

また、弾性表面波素子２０Ａ，２０Ｂをマスク基板１０上に複数組設ければ、半導体回路パターン４１の異物の位置を特定できる。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that prevents a fine dot pattern from being transferred, even upon exposing a substrate larger than a mask whose size is in the trend of enlargement.例文帳に追加

大型化の方向にあるマスクよりも更に大きな基板への露光であっても、微細なドットパターンが転写されることのない露光装置を提供する。 - 特許庁

A wiring trench TRCH is formed so that its bottom surface forms the second low dielectric constant film LOWK2c by using the wiring trench pattern of the mask layer.例文帳に追加

マスク層の配線溝パターンを用いて、底面が第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃとなるように、配線溝ＴＲＣＨが形成される。 - 特許庁

The solar cell element 100 includes a substrate 110, a mask pattern 120, a plurality of semiconductor nanorods 130, a first electrode 150, and a second electrode 160.例文帳に追加

太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the levenson type mask includes an opening setting process of defining a same phase opening and reverse phase opening on both sides of a first pattern.例文帳に追加

レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。 - 特許庁

To form a high-definition pattern film by selectively forming a liquid repellent region and a hydrophilic region on a surface of a substrate without using a mask, etc.例文帳に追加

マスク等を用いることなく、基板の表面に撥液化領域と親液化領域を選択的に形成し、高精細なパターン膜を形成する。 - 特許庁

In the method, first, the substrate having a dielectric layer and mask layer covering the dielectric layer being with a pattern formed is located on a plasma processing system.例文帳に追加

この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。 - 特許庁