「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

１回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To rapidly and highly precisely calculate influence of backward scatter by rapidly searching an adjacent pattern, in a range wherein forward scatters overlap mutually when exposure data are corrected for preparing a mask or a reticle for exposure.例文帳に追加

露光用のマスクまたはレチクルを作製するための露光データを補正する際、前方散乱同士が重なる範囲の隣接パターンを高速に探索し、後方散乱の影響を高速かつ高精度に計算する。 - 特許庁

Both sides of a continuously running metallic sheet 1 are coated with photosensitive resin by a photosensitive resin coating device, a shadow mask pattern is baked and exposed to both sides of the metallic sheet 1 coated with the photosensitive resin.例文帳に追加

連続走行する金属板１の両面に感光性樹脂塗布装置で感光性樹脂を塗布し、シャドウマスクパターンを感光性樹脂が塗布された金属板１の両面に露光装置で焼き付け露光する。 - 特許庁

To provide a method of producing CAM data for an electronic circuit board by which the CAD data of line conductors or surface conductors can be properly and efficiently converted into CAM data composed of plating windows of the exposure mask for pattern plating.例文帳に追加

線路導体や面導体のＣＡＤデータを、パターンメッキ用露光マスクのメッキウィンドウからなるＣＡＭデータに適正かつ効率的に変換することができる電子回路基板用ＣＡＭデータ作成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which: a defective deposition pattern is caused on a vapor deposition mask having a plurality of slit-like openings because foils between the adjacent slit-like openings are in close contact with each other to block the slit-like opening.例文帳に追加

複数のスリット状の開口を持つ蒸着マスクにおいて、隣接するスリット状の開口間の箔が互いに接触して密着し、スリット状開口部が塞がって成膜パターンの不良を引き起こしてしまう。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The size of the hard mask composition structure is controlled by the development rate, which yields a feature size that is a fraction of the imaging layer feature size, and finally gives a pattern that can ultimately be transferred to the substrate.例文帳に追加

ハードマスク組成物の構造体の寸法は、現像速度で制御され、イメージング層の形状の寸法の何分の一かの形状の寸法を生成し、最終的に基板に転写されるパターンを作製する。 - 特許庁

To provide a digital transmission that is not susceptible to the effect of the performance of a reception circuit section 2 and can conduct a DS3 transmission pulse mask test without the need for a '001' pattern generator 20 at the outside of the transmission apparatus.例文帳に追加

受信回路部２の性能による影響を受けることなく、且つ、外部に“００１”パターン発生器２０を用意しなくともＤＳ３送信パルスマスク試験を行なうことができるディジタル伝送装置を提供する。 - 特許庁

The filter 62 extracts a generated image (moving picture) having already been generated and stored in e.g. a storage medium such as a HDD as sown in Figure 1 (b) and pastes the generated image to the original photographing image by using a mask pattern.例文帳に追加

上記フィルタ６２では、図１の（ｂ）に示すように、既に生成され、例えばＨＤＤ等の記憶媒体に記憶されていた生成画像（動画）を取り出し、マスクーパターンを使って、撮影された元の画像に貼り付ける。 - 特許庁

An upper laminated photosensitive coating layer and a lower laminated photosensitive coating layer, which are applied on the upper/lower layers of the carrier, are processed photosensitively, through a mask where a circuit track is formed and a circuit pattern which is concavely inputted is formed.例文帳に追加

キャリアの上下層に塗布される上積層感光塗料層および下積層感光塗料層は回路軌跡が形成されているマスクを介して感光処理され、凹入した回路パターンが形成される。 - 特許庁

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval.例文帳に追加

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。 - 特許庁

To provide a method of selecting crystal orientations, so as to be suited to a desired TFT channel orientation to the different region of a device by selecting a different mask pattern for each desired crystal orientation.例文帳に追加

各所望の結晶配向に対する異なるマスクパターンを選択することによってデバイスの異なる領域への所望のＴＦＴチャネル配向に適合するように結晶配向を選択する方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern having a different optical path length from that of a substrate with respect to exposing light is formed by utilizing a semi- translucent film having a plurality of regions with different amplitude transmissivenesses which are divided microareas that cannot be resolved by exposing light.例文帳に追加

露光光で解像されない微細領域に分割された振幅透過率の異なる複数の領域を有する半透明膜を用いて、露光光に対する光路長が基板と異なるマスクパターンを形成する。 - 特許庁

Then, by performing second-stage exposure, another areas G to be irradiated of the photoresist film are irradiated with light by using another phase shift mask formed in another straight line pattern extended in the longitudinal direction A of active areas L.例文帳に追加

次に、同じフォトレジスト膜に第２段階の露光を行い、活性領域Ｌの長辺方向と同じＡ方向に延在する直線パターンからなる位相シフトマスクを用いて照射領域Ｇに光を照射する。 - 特許庁

Next, a part of the nitride film 202 including the part having the configuration of an eave is removed by etching treatment employing the second resist pattern as a mask, and thereafter, processes for forming the groove having the sectional configuration of a reverse-truncated shape and the reflecting surface are started.例文帳に追加

次に、第２のレジストパターンをマスクとして、エッチング処理により、庇形状部を含めた窒化膜202の一部を除去し、その後、断面逆台形形状の溝形成及び反射面の形成工程に入る。 - 特許庁

Then the stiffness matrix is found at every unit area by referring to the data base (ST23), and the displacement of the mask pattern is found at every unit area by solving a stiffness equation by using the stiffness matrix (ST24).例文帳に追加

次に、データベースを参照して剛性マトリックスを単位領域毎に求め（ＳＴ２３）、当該剛性マトリックスを用いて剛性方程式を解くことにより単位領域毎にマスクパターンの変位を求める（ＳＴ２４）。 - 特許庁

Next, the stored mask drawing data is moved and transferred to an operation memory 23a of a pattern forming device 23 of the receiver 20 while decrypted, transferred to an operation processing part and transferred to a signal processing part.例文帳に追加

次いで、格納されたマスク描画データが復号化されながら受信装置２０のパターン形成用装置２３の演算メモリ２３ａに移動転送され、演算処理部に転送され、信号処理部に転送される。 - 特許庁

Then, with a resist pattern as a mask, the insulation region and the nitride blanket 60 are etched to form a cavity above the drain and source regions, and the cavity is filled with a conductive material to form conductive studs 92 and 94.例文帳に追加

次いでレジストパターンをマスクに絶縁領域と窒化物ブランケット６０をエッチングしてドレイン領域とソース領域の上に空洞を形成し、導電材料で空洞を満たし導電スタッド９２，９４を形成する。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed on a lower wiring layer 14 formed on a board 11, and then the insulating film 15 is subjected to dry etching using a resist pattern 16 as a mask to bore a viahole 17 in the insulating film 15.例文帳に追加

基板１１上に形成された下層配線１４上に絶縁膜１５を形成した後、レジストパターン１６をマスクとして絶縁膜１５に対してドライエッチングを行なって、絶縁膜１５にビアホール１７を形成する。 - 特許庁

A stop 4 is provided at one pupil A and a scanning mirror 5 is provided at the other pupil B to actualize the exposure device which can carry out two-dimensional wide-range machining by scanning by the mask pattern and linear micromachining.例文帳に追加

一方の瞳Ａに絞り４、他方の瞳Ｂに走査ミラー５を設けることで、マスクパターンの走査による２次元的な広範な加工と線状の微細加工を同時に行なう露光装置を実現できる。 - 特許庁

Thus, by compositing the enlarged/reduced input image on a background image according to the converted mask pattern, the boundary of the input image and the background image is clearly displayed and the image quality is improved.例文帳に追加

従って、変換されたマスクパターンに従って、拡大縮小処理された入力画像を背景画像上に合成することにより、入力画像と背景画像との境界が鮮明に表示され、画質が向上する。 - 特許庁

Also, the alignment mask of the substrate can be detected directly from the surface of the color filter material 49 which is approximate in distance from a substrate 41, when the pattern is transferred and exposed, and the deterioration of image quality can be reduced by lessening the errors in detection.例文帳に追加

また、上記パターン転写露光時に下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小さくして画質劣化を少なくする。 - 特許庁

Using a mask pattern, only the digital image data of a transmitted part are cut out, the digital data of a background image are synthesized with the other part, the resultant digital image data of the synthesized image are subjected to compression processing and the result is transmitted.例文帳に追加

マスクパターンを用いて送信部分のディジタル画像データのみを切り出し、他の部分には背景画像のディジタル画像データを用いて合成し、この合成画面のディジタル画像データを圧縮処理して送信する。 - 特許庁

Since a material, having a low adhesive property to particles, is used for forming the protective film 6 the adhesion of the particles to, particularly, the opening 5 of the mask pattern can be suppressed and the accuracy of the patterning can be improved.例文帳に追加

保護膜６の材料としてパーティクルとの密着性の低い材料を用いることにより、特にマスクパターンの開孔５へのパーティクルの付着を抑えることができ、パターニング精度を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, stripping of the mask pattern 6, caused by penetration of plating liquid into an interface of the plating electrode film 3 and dissolution of the plating liquid can be suppressed surely and highly accurate and stable wiring can be formed.例文帳に追加

これにより、めっき電極膜３界面へのめっき液のしみ込みや、めっき液の溶解によるマスクパターン６の剥離を確実に抑制することができ、高精度で安定した配線形成を可能とすることができる。 - 特許庁

The stencil mask or the aperture includes a thermal oxidation film formed at a comparatively low temperature at least on its side or on its whole surface of opening pattern, thereby achieving a small corner R value.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク又はアパーチャは、開口パターンの少なくとも側面または全面に、比較的低温で形成した熱酸化膜を備えることにより、コーナＲ値の小さいステンシルマスク又はアパーチャを提供する。 - 特許庁

The etching mask 12 of a plane pattern which is coupled with an island-shaped region 13 where a plurality of island-shaped regions 13 adjoin each other through coupling parts 18, 19 is formed on a surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の表面に、複数の島状領域１３が連結部１８，１９を介して隣り合う島状領域１３に連結された平面パターンのエッチングマスク１２を形成し、トレンチエッチングをおこなう。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

As a result, dots, which are formed by driving nozzles while distributing mask-processed dot data to two nozzle arrays corresponding to the block pattern, are excellently dispersed without biasing the number of the dots in one nozzle array.例文帳に追加

その結果、マスク処理がなされたドットデータをブロックパターンに従い２つのノズル列に振り分けてノズルを駆動して形成されるドットは、その数が一方のノズル列に偏ることなく、また、良好に分散したものとなる。 - 特許庁

After a substrate containing an active area defined by an element separation film is manufactured, an etching mask containing a silicidation preventive pattern that exposes a part of the active areas on the element separation film and the active areas is formed.例文帳に追加

素子分離膜により定義される活性領域を含む基板を製造した後、素子分離膜及び活性領域上に活性領域の一部を露出させるシリサイデーション防止パターンを含むエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

Since exposure which does not affect the finally obtained accuracy of the pattern position is enabled by adjusting the center of gravity in multiple exposure to zero by positive and negative mixed shifts, a mask is efficiently and accurately produced.例文帳に追加

また正負混合のシフト量で多重露光時の重心を０にすることで最終的に得られるパターン位置精度に影響を与えない露光が可能であるため効率的で高精度なマスク作製が可能である。 - 特許庁

Thus, pattern matching (adaptation) is executed in a state to simultaneously detecting two or more colors of pixels in the mask area MSK so that the image where two or more colors coexist is directly recognized with high precision.例文帳に追加

これにより、マスクＭＳＫ内において２以上の色の画素を同時検出する形でパターンマッチング（適合）が行われるので、２以上の色が混在した画像を直接的にかつ精度高く認識可能となる。 - 特許庁

The surface 1c of the reinforcing plate 1 exposed from a GaAs substrate 3 is covered with the mask jig 101 and coated when the rear 3b of the GaAs substrate 3 is coated with a positive resist 4 for forming a desired resist pattern.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３の裏面３ｂに所望のレジストパターンを形成するための、ポジ型レジスト４を塗布する際、ＧａＡｓ基板３から露出した補強板１の表面１ｃをマスク治具１０１で被覆して塗布する。 - 特許庁

That is, the height of the pattern on the mask producing an unwanted phase shift effect is varied corresponding to 360° phase, and an out-of-focus state is generated on a wafer so as to attain increase in the intensity of light in the area originally intended to be dark.例文帳に追加

より詳しくは、不要な位相シフト効果が発生するマスク上のパターンの高さを３６０度位相で変更させ、ウェーハ上で焦点ズレを発生させ、本来暗くなる領域で光強度を大きくする。 - 特許庁

To ideally correct a master pattern in a mask for exposure by quantitatively grasping the fitting strain of a process model and generating the process model for simulation fitted with high accuracy.例文帳に追加

プロセスモデルのフィッティングの歪み度を定量的に把握し得るようにして、高精度にフィッティングされたシミュレーションのプロセスモデルの生成を可能にし、これにより露光用マスクにおけるマスクパターンの補正も好適に行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of readily forming a thin-film pattern which is superior in uniformity as a mask for forming a wiring layer, even if there are multilayer wiring board warpages or irregularities.例文帳に追加

多層配線板の反りや凹凸が生じても、配線層を形成するためのマスクとして均一性に優れた薄膜のパターンを簡易に形成することができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By irradiating the plane waveguide type optical circuit with an ultraviolet laser beam 50 through a phase grating mask 30, the diffraction grating 25 is formed in the core layer 20 (figure 1 (d)) by the refractive index modulation pattern.例文帳に追加

そして、この平面導波路型光回路に対して、位相格子マスク３０を介して紫外レーザ光５０を照射して、屈折率変調パターンによる回折格子２５をコア層２０内に形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained.例文帳に追加

これにより、約８Å〜９Åより短波長のＸ線に対するコントラストが５０ｎｍライン＆スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor optical device, a mask pattern 46 formed on an imprint resin layer 42 by a nano-stamper 43 is transferred to the other surface side of a semiconductor substrate 21 to form the monolithic semiconductor lens 23.例文帳に追加

この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。 - 特許庁

A normal contact hole 10a and a shared contact hole 10b are formed by etching the interlayer insulating film 10, second etching stopper film 9, and the first etching stopper film 8 using the resist pattern 50 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜１０、第２のエッチングストッパー膜９、及び第１のエッチングストッパー膜８をエッチングすることにより、ノーマルコンタクトホール１０ａ及びシェアードコンタクトホール１０ｂを形成する。 - 特許庁

A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.例文帳に追加

基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁

Then, the metal film is etched by using a second resist mask having a pattern intersecting the edge of the second insulating film, and first and second wires 30, 40 are formed on the second insulating film and the substrate, respectively.例文帳に追加

そして、第２の絶縁膜のエッジを横切るパターンを有する第２のレジストマスクを用いて金属膜をエッチングして、第２の絶縁膜上及び基板上それぞれに第１及び第２の配線３０，４０を形成する。 - 特許庁

When the pattern is formed by dry etching for the carbon nano-tube, metal film or film of material not damaged during dry etching and not damaging the carbon nano-tube during removal is used as a mask.例文帳に追加

また、カーボンナノチューブをドライエッチング法を用いてパターンを形成するに当たり、マスクとして金属膜またはドライエッチング時にダメージを受けない物質であり、除去時にカーボンナノチューブにダメージを与えない物質の膜を用いる。 - 特許庁

An insulating film 108 is formed on the hard mask including the silyrated first auxiliary patterns 106a, and a second auxiliary pattern is formed on the insulating film 108 between the silyrated first auxiliary patterns.例文帳に追加

シリレーションされた第1の補助パターン１０６ａを含む上記ハードマスク膜上に絶縁膜１０８を形成し、上記シリレーションされた第1の補助パターンの間の絶縁膜１０８上に第2の補助パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.例文帳に追加

下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁