「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

A stop 4 is provided at one pupil A and a scanning mirror 5 is provided at the other pupil B to actualize the exposure device which can carry out two-dimensional wide-range machining by scanning by the mask pattern and linear micromachining.例文帳に追加

一方の瞳Ａに絞り４、他方の瞳Ｂに走査ミラー５を設けることで、マスクパターンの走査による２次元的な広範な加工と線状の微細加工を同時に行なう露光装置を実現できる。 - 特許庁

Next, the stored mask drawing data is moved and transferred to an operation memory 23a of a pattern forming device 23 of the receiver 20 while decrypted, transferred to an operation processing part and transferred to a signal processing part.例文帳に追加

次いで、格納されたマスク描画データが復号化されながら受信装置２０のパターン形成用装置２３の演算メモリ２３ａに移動転送され、演算処理部に転送され、信号処理部に転送される。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁

As a result, dots, which are formed by driving nozzles while distributing mask-processed dot data to two nozzle arrays corresponding to the block pattern, are excellently dispersed without biasing the number of the dots in one nozzle array.例文帳に追加

その結果、マスク処理がなされたドットデータをブロックパターンに従い２つのノズル列に振り分けてノズルを駆動して形成されるドットは、その数が一方のノズル列に偏ることなく、また、良好に分散したものとなる。 - 特許庁

After a substrate containing an active area defined by an element separation film is manufactured, an etching mask containing a silicidation preventive pattern that exposes a part of the active areas on the element separation film and the active areas is formed.例文帳に追加

素子分離膜により定義される活性領域を含む基板を製造した後、素子分離膜及び活性領域上に活性領域の一部を露出させるシリサイデーション防止パターンを含むエッチングマスクを形成する。 - 特許庁

Since exposure which does not affect the finally obtained accuracy of the pattern position is enabled by adjusting the center of gravity in multiple exposure to zero by positive and negative mixed shifts, a mask is efficiently and accurately produced.例文帳に追加

また正負混合のシフト量で多重露光時の重心を０にすることで最終的に得られるパターン位置精度に影響を与えない露光が可能であるため効率的で高精度なマスク作製が可能である。 - 特許庁

Thus, pattern matching (adaptation) is executed in a state to simultaneously detecting two or more colors of pixels in the mask area MSK so that the image where two or more colors coexist is directly recognized with high precision.例文帳に追加

これにより、マスクＭＳＫ内において２以上の色の画素を同時検出する形でパターンマッチング（適合）が行われるので、２以上の色が混在した画像を直接的にかつ精度高く認識可能となる。 - 特許庁

The surface 1c of the reinforcing plate 1 exposed from a GaAs substrate 3 is covered with the mask jig 101 and coated when the rear 3b of the GaAs substrate 3 is coated with a positive resist 4 for forming a desired resist pattern.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３の裏面３ｂに所望のレジストパターンを形成するための、ポジ型レジスト４を塗布する際、ＧａＡｓ基板３から露出した補強板１の表面１ｃをマスク治具１０１で被覆して塗布する。 - 特許庁

That is, the height of the pattern on the mask producing an unwanted phase shift effect is varied corresponding to 360° phase, and an out-of-focus state is generated on a wafer so as to attain increase in the intensity of light in the area originally intended to be dark.例文帳に追加

より詳しくは、不要な位相シフト効果が発生するマスク上のパターンの高さを３６０度位相で変更させ、ウェーハ上で焦点ズレを発生させ、本来暗くなる領域で光強度を大きくする。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern-like thin film layer which has a mask layer material having a high heat resistance by a lift-off process and has a good stripping property, while preventing generation of a decomposed gas at its processing temperature upon formation of the thin film.例文帳に追加

マスク層材料の耐熱性が高く、又薄膜形成時の処理温度下での分解ガスの発生もなく、さらに、剥離性が良好なリフトオフ方式のパターン状薄膜層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The size of the hard mask composition structure is controlled by the development rate, which yields a feature size that is a fraction of the imaging layer feature size, and finally gives a pattern that can ultimately be transferred to the substrate.例文帳に追加

ハードマスク組成物の構造体の寸法は、現像速度で制御され、イメージング層の形状の寸法の何分の一かの形状の寸法を生成し、最終的に基板に転写されるパターンを作製する。 - 特許庁

To provide a digital transmission that is not susceptible to the effect of the performance of a reception circuit section 2 and can conduct a DS3 transmission pulse mask test without the need for a '001' pattern generator 20 at the outside of the transmission apparatus.例文帳に追加

受信回路部２の性能による影響を受けることなく、且つ、外部に“００１”パターン発生器２０を用意しなくともＤＳ３送信パルスマスク試験を行なうことができるディジタル伝送装置を提供する。 - 特許庁

The filter 62 extracts a generated image (moving picture) having already been generated and stored in e.g. a storage medium such as a HDD as sown in Figure 1 (b) and pastes the generated image to the original photographing image by using a mask pattern.例文帳に追加

上記フィルタ６２では、図１の（ｂ）に示すように、既に生成され、例えばＨＤＤ等の記憶媒体に記憶されていた生成画像（動画）を取り出し、マスクーパターンを使って、撮影された元の画像に貼り付ける。 - 特許庁

An upper laminated photosensitive coating layer and a lower laminated photosensitive coating layer, which are applied on the upper/lower layers of the carrier, are processed photosensitively, through a mask where a circuit track is formed and a circuit pattern which is concavely inputted is formed.例文帳に追加

キャリアの上下層に塗布される上積層感光塗料層および下積層感光塗料層は回路軌跡が形成されているマスクを介して感光処理され、凹入した回路パターンが形成される。 - 特許庁

Thus, by compositing the enlarged/reduced input image on a background image according to the converted mask pattern, the boundary of the input image and the background image is clearly displayed and the image quality is improved.例文帳に追加

従って、変換されたマスクパターンに従って、拡大縮小処理された入力画像を背景画像上に合成することにより、入力画像と背景画像との境界が鮮明に表示され、画質が向上する。 - 特許庁

Also, the alignment mask of the substrate can be detected directly from the surface of the color filter material 49 which is approximate in distance from a substrate 41, when the pattern is transferred and exposed, and the deterioration of image quality can be reduced by lessening the errors in detection.例文帳に追加

また、上記パターン転写露光時に下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小さくして画質劣化を少なくする。 - 特許庁

Using a mask pattern, only the digital image data of a transmitted part are cut out, the digital data of a background image are synthesized with the other part, the resultant digital image data of the synthesized image are subjected to compression processing and the result is transmitted.例文帳に追加

マスクパターンを用いて送信部分のディジタル画像データのみを切り出し、他の部分には背景画像のディジタル画像データを用いて合成し、この合成画面のディジタル画像データを圧縮処理して送信する。 - 特許庁

Since a material, having a low adhesive property to particles, is used for forming the protective film 6 the adhesion of the particles to, particularly, the opening 5 of the mask pattern can be suppressed and the accuracy of the patterning can be improved.例文帳に追加

保護膜６の材料としてパーティクルとの密着性の低い材料を用いることにより、特にマスクパターンの開孔５へのパーティクルの付着を抑えることができ、パターニング精度を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, stripping of the mask pattern 6, caused by penetration of plating liquid into an interface of the plating electrode film 3 and dissolution of the plating liquid can be suppressed surely and highly accurate and stable wiring can be formed.例文帳に追加

これにより、めっき電極膜３界面へのめっき液のしみ込みや、めっき液の溶解によるマスクパターン６の剥離を確実に抑制することができ、高精度で安定した配線形成を可能とすることができる。 - 特許庁

The stencil mask or the aperture includes a thermal oxidation film formed at a comparatively low temperature at least on its side or on its whole surface of opening pattern, thereby achieving a small corner R value.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク又はアパーチャは、開口パターンの少なくとも側面または全面に、比較的低温で形成した熱酸化膜を備えることにより、コーナＲ値の小さいステンシルマスク又はアパーチャを提供する。 - 特許庁

The etching mask 12 of a plane pattern which is coupled with an island-shaped region 13 where a plurality of island-shaped regions 13 adjoin each other through coupling parts 18, 19 is formed on a surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の表面に、複数の島状領域１３が連結部１８，１９を介して隣り合う島状領域１３に連結された平面パターンのエッチングマスク１２を形成し、トレンチエッチングをおこなう。 - 特許庁

To provide a method for selecting a crystal orientation matching a desired TFT channel orientation to a different area of a device by rotating a mask pattern to a different orientation for a different crystal orientation.例文帳に追加

異なる結晶配向に対する異なる配向にマスクパターンを回転することによって、デバイスの異なるエリアへの所望のＴＦＴチャネル配向に適合する結晶配向を選択する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board having low resistance wiring by an ink jet film which does not generate cracks, and a manufacturing method of the wiring board capable of forming a wiring pattern on demands without using a mask.例文帳に追加

この発明は、クラックの生じないインクジェット膜で低抵抗配線を有する配線基板と、マスクを使用せずにオンデマンドで配線パターンを形成できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sacrifice film 105 formed with the trench pattern 105a is then used as a mask, a wiring forming groove 104a is formed in the insulating film 104, and a metal film 106b is formed in the wiring forming groove 104a.例文帳に追加

その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。 - 特許庁

The resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with F2 laser light 13 having 157 nm wavelength through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is developed to form the objective resist pattern 14.例文帳に追加

レジスト膜１１に、１５７ｎｍ帯の波長を持つＦ_2 レーザ光１３をマスク１２を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜１１を現像してレジストパターン１４を形成する。 - 特許庁

By irradiating the plane waveguide type optical circuit with an ultraviolet laser beam 50 through a phase grating mask 30, the diffraction grating 25 is formed in the core layer 20 (figure 1 (d)) by the refractive index modulation pattern.例文帳に追加

そして、この平面導波路型光回路に対して、位相格子マスク３０を介して紫外レーザ光５０を照射して、屈折率変調パターンによる回折格子２５をコア層２０内に形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The EUV light scattered/reflected by the mask 8 passes through a projection optical system and is perpendicularly inputted onto a wafer loaded on a wafer stage 12 to shrink/transfer the device pattern 21 to a resist on the wafer.例文帳に追加

マスク８によって、散乱・反射されたＥＵＶ光は、投影光学系を通過して、ウェハステージ１１上に載置されているウェハに垂直に入射し、デバイスパターン２１がウェハ上のレジストに縮小・転写される。 - 特許庁

The method corrects a preset separation mask in a dot pixel level with high accuracy on the basis of a relation of location of contradictory pixels caused cross-referencing the pattern pixels to SPM data resulting from the particularized position.例文帳に追加

その結果を元にした、絵柄画素とＳＰＭデータとの対応付けに際して生じる矛盾画素の配置関係に基づいて、あらかじめ設定された分離マスクが網点画素レベルで高精度に修正される。 - 特許庁

The scanning exposure apparatus 300 includes a mask 10 for measurement which is disposed on a first stage 325 and has a measurement pattern, a first measuring unit 20 disposed on a second stage 345, and a control unit 350.例文帳に追加

本発明の走査露光装置３００は、第１ステージ３２５に配置され測定パターンを有する測定用マスク１０と、第２ステージ３４５に配置される第１測定部２０と、制御部３５０とを備える。 - 特許庁

By lowering the temperature of forming the hard mask pattern 4a, the copper deposit on the aluminum electric conductive film 3 can be suppressed so that the copper deposit might not be arranged between circuit patterns 3a formed by ething.例文帳に追加

ハードマスクパターン４ａの形成を低温化したことで、アルミニウム導電膜３中の銅の析出を抑制することができ、蝕刻によって形成される配線パターン３ａ間に銅析出物が配置されることはない。 - 特許庁

Each liquid crystal mask can optionally set a cell that the laser light can pass through among cells arranged in matrix, and consequently the machining pattern of the HDD head can be set arbitrarily.例文帳に追加

各液晶マスクは、マトリクス状に配置された複数のセルのうちレーザ光の通過を可能にするセルを任意に設定することができ、これによって前記ＨＤＤヘッドに対する加工パターンを任意に設定できるようにした。 - 特許庁

Each of electrodes of the electrode layer is formed so that a multitude of sensor electrodes extending from each bridge wire to horizontal direction and having a specific area precipitate aluminum following the second mask pattern.例文帳に追加

電極層の各々の電極は、各々のブリッジ線から各々水平方向に延び且つ所定の面積を有する多数のセンサ電極が、第２のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成される。 - 特許庁

The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.例文帳に追加

表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁

Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained.例文帳に追加

これにより、約８Å〜９Åより短波長のＸ線に対するコントラストが５０ｎｍライン＆スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor optical device, a mask pattern 46 formed on an imprint resin layer 42 by a nano-stamper 43 is transferred to the other surface side of a semiconductor substrate 21 to form the monolithic semiconductor lens 23.例文帳に追加

この半導体光デバイスの製造方法では、ナノスタンパ４３によってインプリント樹脂層４２に形成したマスクパターン４６を半導体基板２１の他面側に転写してモノリシック半導体レンズ２３を形成する。 - 特許庁

A normal contact hole 10a and a shared contact hole 10b are formed by etching the interlayer insulating film 10, second etching stopper film 9, and the first etching stopper film 8 using the resist pattern 50 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜１０、第２のエッチングストッパー膜９、及び第１のエッチングストッパー膜８をエッチングすることにより、ノーマルコンタクトホール１０ａ及びシェアードコンタクトホール１０ｂを形成する。 - 特許庁

To ideally correct a master pattern in a mask for exposure by quantitatively grasping the fitting strain of a process model and generating the process model for simulation fitted with high accuracy.例文帳に追加

プロセスモデルのフィッティングの歪み度を定量的に把握し得るようにして、高精度にフィッティングされたシミュレーションのプロセスモデルの生成を可能にし、これにより露光用マスクにおけるマスクパターンの補正も好適に行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of readily forming a thin-film pattern which is superior in uniformity as a mask for forming a wiring layer, even if there are multilayer wiring board warpages or irregularities.例文帳に追加

多層配線板の反りや凹凸が生じても、配線層を形成するためのマスクとして均一性に優れた薄膜のパターンを簡易に形成することができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the metal film is etched by using a second resist mask having a pattern intersecting the edge of the second insulating film, and first and second wires 30, 40 are formed on the second insulating film and the substrate, respectively.例文帳に追加

そして、第２の絶縁膜のエッジを横切るパターンを有する第２のレジストマスクを用いて金属膜をエッチングして、第２の絶縁膜上及び基板上それぞれに第１及び第２の配線３０，４０を形成する。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

When such a gas plasma is employed, bubbling phenomenon due to recombination of nitrogen molecule at the interface of the oxide film and the organic film is prevented and a mask pattern of the oxide film can be transferred accurately to the organic film.例文帳に追加

このようなガスプラズマを用いることにより、酸化膜と有機膜との界面で窒素分子の再結合による発泡現象を防止し、酸化膜のマスクパターンを精度よく有機膜に転写することができる。 - 特許庁

When the pattern is formed by dry etching for the carbon nano-tube, metal film or film of material not damaged during dry etching and not damaging the carbon nano-tube during removal is used as a mask.例文帳に追加

また、カーボンナノチューブをドライエッチング法を用いてパターンを形成するに当たり、マスクとして金属膜またはドライエッチング時にダメージを受けない物質であり、除去時にカーボンナノチューブにダメージを与えない物質の膜を用いる。 - 特許庁

A conductive film 3 is formed on a substrate 1, and a lower electrode 3a is formed by patterning the conductive film 3 by etching with the use of a resist pattern 5a formed on the conductive film 3 as a mask.例文帳に追加

基板１上に導電性膜３を成膜し、導電性膜３上に形成したレジストパターン５ａをマスクに用いたエッチングによって導電性膜３をパターニングしてなる下部電極３ａを形成する。 - 特許庁

An insulating film 108 is formed on the hard mask including the silyrated first auxiliary patterns 106a, and a second auxiliary pattern is formed on the insulating film 108 between the silyrated first auxiliary patterns.例文帳に追加

シリレーションされた第1の補助パターン１０６ａを含む上記ハードマスク膜上に絶縁膜１０８を形成し、上記シリレーションされた第1の補助パターンの間の絶縁膜１０８上に第2の補助パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.例文帳に追加

下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁