「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

The system exposing a mask pattern on a substrate is provided with a memory 20 storing a number of operating parameters for exposure- related processing and a controller 14 switching the operating parameters based on the time slot for processing.例文帳に追加

マスクのパターンを基板に露光する露光装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する記憶装置２０と、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装置１４とを備える。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a step part 10 on the laminated film L0 by lifting off the mask pattern M and obtains film thickness Tm of the measuring object layer Lm as Tm=T0-(T1+T2) by measuring depth T0 of the step part 10 by a stylus method.例文帳に追加

そして、マスクパターンＭをリフトオフして積層膜Ｌ０に段差部１０を形成し、段差部１０の深さＴ０を触針法によって測定して測定対象層Ｌｍの膜厚ＴｍをＴｍ＝Ｔ０−（Ｔ１＋Ｔ２）として得た。 - 特許庁

A pattern of an organic light emitting layer 4a is formed on a transcription substrate 12 by making a belt-shaped shadow mask 13 running synchronously with the transcription substrate 12 tightly contacting with the belt-shaped transcription substrate 12 running through a patterning part 22.例文帳に追加

パターニング部２２にて走行する帯状の転写基板１２に、この転写基板１２と同期して走行する帯状のシャドウマスク１３を密着させ、転写基板１２上に有機発光層４ａのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a water-soluble photoresist excellent in pattern size reproducibility after development independently of a change in the time elapsed after patternwise exposure in patternwise exposing and developing steps in a process for producing a shadow mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。 - 特許庁

In S2, a pattern with a curable ink is directly printed on the surface of the hot-melt adhesive layer 14 of the laminate 16 to be cured, so that a mask image 18 which is constructed of a cured material of the curable ink is formed to obtain a transfer material 20.例文帳に追加

Ｓ２にて、積層体１６のホットメルト接着層１４の表面に、硬化型インクによるパターンをダイレクトに印字し、硬化させ、硬化型インクの硬化物で構成されるマスク画像１８を形成して転写材２０を得る。 - 特許庁

A person in charge of inspections visually measures the position/rotation deviation amount of the test chart image 35a relative to the reference pattern 65 from the mask composite image 67 for the test displayed on a monitor 31, and inputs the measured result to the processor device 12.例文帳に追加

検査担当者は、モニタ３１に表示されるテスト用マスク合成画像６７から、基準パターン６５に対するテストチャート画像３５ａの位置・回転ズレ量を目視で測定し、この測定結果をプロセッサ装置１２に入力する。 - 特許庁

Line widths of photoresist pattern are compared in a light shielding region and a light transmitting region by executing the photolithography process using a mask including the light shielding region and light transmitting region having a plurality of light transmitting patterns (S2, S5).例文帳に追加

複数の光透過パターンを有する光遮断領域及び光透過領域を有するマスクを利用し、フォトリソグラフィ工程を実行して（Ｓ２、Ｓ５）、光遮断領域及び光透過領域でフォトレジストパターンの線幅を比較する。 - 特許庁

To provide a design pattern capable of evaluating depending on the design conditions at a level requiring phase shift mask and a light proximity effect in manufacture a circuit of a wafer following the advanced microminiaturization of circuit wirings.例文帳に追加

回路配線の微細化が進み、ウエハの回路作製に光近接効果と同補正を必要とし、位相シフトマスクの使用を必要とするレベルにおいて、設計条件に対応し且つ実用レベルで評価できるテスト設計パタンを提供する。 - 特許庁

To easily form optimum mask patterns for ordinary exposure at the time of forming circuit patterns of the smallest line width corresponding to the line width of fine line patterns by the multiple exposure of fine line pattern exposure and the ordinary exposure.例文帳に追加

微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。 - 特許庁

To provide the dual gate forming method of a semiconductor device for removing a photoresist film pattern for use as an ion implantation mask film without a residue and preventing a water mark generated in a cleaning step for the removal of a natural oxide film.例文帳に追加

イオン注入マスク膜として用いられるフォトレジスト膜パターンを残留物なしに除去し、自然酸化膜除去のための洗浄工程で発生するウォーターマークを防止する半導体素子のデュアルゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The reflecting mask comprises a substrate 1, an X-ray reflecting multilayer film 2 formed on the substrate 1, and an absorber layer 3 of a material of low X-ray transmissivity which is formed on it and has a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明の反射マスクは、基板１と、該基板１上に形成されたＸ線反射多層膜２と、その上に形成されたＸ線の透過率の低い物質からなり且つ所定のパタンを有する吸収体層３とを具備する。 - 特許庁

In a printer where pixel string data is converted into dot data for each print line by interlace print system and printing is carried out based on that dot data, a CPU 10 generates a mask pattern corresponding to the pixel string data for each print line.例文帳に追加

インターレス印刷方式において、印刷行ごとに画素列データをドットデータに変換し、そのドットデータに基づいて印刷を行う印刷装置であって、ＣＰＵ１０は、画素列データに応じたマスクパターンを印刷行ごとに生成する。 - 特許庁

An aligner 10, mounted on a body 14, is provided with a strain gage 80 that detects deformation of the body and a control system that controls relative position between a mask and a substrate, in transferring a pattern depending on the output of the strain gage 80.例文帳に追加

露光装置１０は、ボディ１４に取り付けられ、該ボディの変形を検出する歪み計８０と、該歪み計の出力に応じてパターン転写の際のマスクと基板との相対位置を制御する制御系とを備える。 - 特許庁

To provide a shadow mask that can display an image of a specific pattern on a cathode ray tube for a color display even when no electron beam is emitted from an electron gun to a fluorescent screen, and to provide a cathode ray tube for the color display.例文帳に追加

電子銃から蛍光面に電子ビームが照射されない時でも、カラーディスプレー用陰極線管上に特定パターンの画像が表示できるシャドウマスク及びカラーディスプレー用陰極線管を提供することを目的とする。 - 特許庁

To achieve processing that is quick and reliable by introducing a simple procedure even if a pattern as an object of division is very complicated in form in a complementary dividing process of an electron beam projection exposure mask.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクの相補分割処理において、その分割対象となるパターン形状が非常に複雑な場合であっても、簡潔な手順を導入することにより、迅速かつ信頼性の高い処理を実現する。 - 特許庁

The polysilicon film 15 is then removed by etching through a mask having an opening of a specified pattern to bring about a state where the polysilicon film 15 exists only in a region having a specified area including the inner surface of the contact hole 4 (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、所定のパターンの開口を有するマスクを介したエッチングによりポリシリコン膜１５が除去されて、ポリシリコン膜１５がコンタクトホール４の内面を含む所定面積を有する領域にのみ存在する状態にされる（図２（ｂ））。 - 特許庁

An end part of a light shielding zone on a photomask is placed in a seam part; and the distance 27R from the end part of the light shielding zone to an end of a mask pattern is equal to or larger than a value determined by adding the sum of absolute positional shifts of the respective photomasks and an absolute value of the diffracted light width.例文帳に追加

フォトマスク上の遮光帯の端部は継ぎ部に位置し、遮光帯の端部からマスクパターンの端までの間隔２７Ｒは、各フォトマスク位置ズレの絶対値の和に、回折光幅の絶対値を加算した値以上。 - 特許庁

To provide an exposure mask for focus measurement which allow the measurement of periodic patterns approximate to the pattern density used for manufacturing of semiconductor devices in actuality and is effectively for easy measurement of a defocusing quantity with codes with good accuracy.例文帳に追加

実際に半導体装置の製造に用いられるパターン密度に近い周期パターンの測定を可能にし、且つ符号付きのデフォーカス量を簡単に精度良く測定するために有効なフォーカス測定用の露光マスクを提供すること。 - 特許庁

In the cross-sectional structure of the phase shift mask 10, the pattern region 1 and dummy region 3 consist only a transparent substrate 5, while other region consists of the transparent substrate and a translucent film 6 which inverts the phase of light by 180°.例文帳に追加

位相シフトマスク１０は、その断面構造において、パターン領域１とダミー領域３は、透明基板５のみから成り、それ以外の領域は、透明基板５と、光の位相を１８０度反転させる半透明膜６とから成る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductors in which the throughput of semiconductor device manufacturing can be improved by collectively exposing a large part of a signal wiring pattern to resist on a wafer by using only one block mask.例文帳に追加

ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を１個のブロックマスクを使用して一括露光できるようにし、半導体装置製造のスループット向上を図ることができるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

To obtain a thin film having uniform crystallization characteristics without X-overlap and Y-overlap by applying a slit having a certain pattern to a mask and proceeding with the laser crystallization, taking such a slit repeatability into account.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることにより、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜を得る。 - 特許庁

An organic silicon resin coating film 2 consisting of polysilane is fromed on a glass substrate 3 and the coating film 2 is irradiated with an ultraviolet-ray through a mask forming a pattern having openings corresponding to those at lens areas of micro lenses to produce.例文帳に追加

ポリシランから成る有機ケイ素樹脂被膜２をガラス基板３上に形成し、その被膜２に対し、製造しようとするマイクロレンズのレンズ領域に開口をもつパターンを形成したマスクを通して紫外光を照射する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing color filter capable of inexpensively forming a light shielding layer and a colored pattern in such a satisfactory dimensional precision as to accommodate to a large screen and obtaining a high-definition color filter having no color irregularity without using a photolithography method with a mask.例文帳に追加

光遮蔽層、及び着色パターンを、マスクを使ったフォトリソグラフィ法を用いることなく、大画面にも対応し得る良好な寸法精度及び低コストで形成して、色むらのない高精細なカラーフィルタを得る。 - 特許庁

To provide a selective growth method of a solid wherein the yield is improved by a simple method, and to provide a method for manufacturing a fine pattern where a selective growth of a solid is performed without removing a growth mask.例文帳に追加

簡単な方法で歩留まりを改善することができる固体の選択成長方法の実現と、成長マスクを除去することなく固体の選択成長を行うことにより、微細パタンを製造する方法の実現と、が目的である。 - 特許庁

When a pattern drawing device 100 scans an exposure unit 30 equipped with a mask 361 to the (+Y) side of the main scanning direction with respect to a substrate 9, the drawing device exposes a resist layer of a substrate 9 through the transmissive patterns SLG1, SLG2 at the same time.例文帳に追加

パターン描画装置１００は、マスク３６１を備えた露後部３０を、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側へ走査させる場合、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２とを同時に介して基板９のレジスト層を露光する。 - 特許庁

To provide an in-cabin switch gear capable of changing the arrangement of a pattern which is the operational display of the switch gear only by simply changing a mask layer, and executing the intended operation corresponding to the operational display.例文帳に追加

車室内スイッチ装置において、簡単なマスク層の交換のみでスイッチ装置の操作表示である図柄の配置変更を行うと共に、操作表示に対応した意図する動作を行わせることができるようにすることである。 - 特許庁

Similarly in the shape of a seal pattern formed by using the seal mask, terminal parts are formed in corner parts so that inside sides of sealing materials 20a, 20b, 20c and 20d gradually approach the outside sides and end parts are opposed to each other.例文帳に追加

シールマスクを用いて形成されるシールパターンの形状も同様に、角部においてシール材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄの内側の辺が徐々に外側の辺に近づくように端部が形成され、端部同士が対向することになる。 - 特許庁

To provide an illumination optical system which achieves a suitable illumination condition by varying polarization states of the illumination light according to pattern characteristics of a mask while suppressing the loss of the amount of light when mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加

たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

When performing the exposure of a plurality of shots on the upper face of a wafer, to which a photo-sensitized material is applied, by using a mask having a plurality of reticles of a circuit pattern, a reticle number for identifying the reticle is exposed together in an exposure process.例文帳に追加

露光工程において、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、レチクルを識別するレチクル番号を一緒に露光する。 - 特許庁

An exposure evaluation mask M includes first regions a1, a3, a5, etc. having pattern based on a design value, and second regions a2, a4, etc. adjoining to the first regions and giving deviation of an exposure amount with respect to the design value.例文帳に追加

露光評価用マスクＭａは、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量のずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、を有する。 - 特許庁

By this method, fine particles can be two-dimensionally arrayed in a closest packed state in fine regions arrayed by self organization of di-block copolymers, and the array body exhibits excellent performance as an etching mask for forming a thin film pattern.例文帳に追加

この方法によれば、ジブロックコポリマーの自己組織化されて配列された微小領域に微粒子を二次元的に最密充填することができ、薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクとして優れた性能を示す。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

The alignment device has the exposure means for exposing a wafer to a mask pattern, and also has a thermoelectric conversion means for converting heat generated from the exposure means or the device body into electricity.例文帳に追加

本発明では、マスクのパターンをウエハに露光する露光手段を備えた構成のアライメント装置において、露光手段または装置本体で発生した熱を電気に変換する熱電変換手段を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The created two-dimensional map is divided in each block so as to include each area corresponding to an intersection position in the two-dimensional map and a mask pattern having the highest similarity to a signal level of each area composing the divided block is selected.例文帳に追加

次に、作成された２次元マップにおける交点位置に対応した各エリアを包含するようブロック単位で分割し、分割したブロックを構成する各エリアの信号レベルに類似度が一番高いマスクパターンを選別する。 - 特許庁

Moreover, among the patterns required to form a liquid crystal display, such as a conductive layer for wiring layer or electrode, a mask for forming a predetermined pattern and the like, at least one or more of them is formed by a method, by which a pattern can be formed selectively, and a liquid crystal display is manufactured.例文帳に追加

また本発明は、配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスクなど半導体装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を作製することを特徴とするものである。 - 特許庁

When a photosensitive resin composition layer disposed on the surface of a substrate is exposed through a pattern mask and either the unexposed regions or the unexposed regions and the surface of the substrate under the unexposed regions are sandblasted to form a rugged pattern, a photosensitive resin composition layer containing a urethane-acrylic resin having no carboxyl group as a base polymer is used.例文帳に追加

基材面に設けた感光性樹脂組成物層にパターンマスクを介して露光を行った後、未露光部分又は未露光部分と該未露光部分の下部の基材面をサンドブラスト加工して凹凸模様を形成させるにあたり、カルボキシル基を含有しないウレタンアクリル系樹脂を、ベースポリマーとして含む感光性樹脂組成物層を使用する。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

To provide a column spacer composition enabling simultaneous formation of a saturated pattern and a semi-transmissive pattern as column spacer patterns having different shapes, whose difference in thickness is controllable as desired although the sensitivity is slightly reduced, through a slit or semi-transmissive mask by varying the kind and amount of the radical polymerization inhibitor.例文帳に追加

本発明は、カラムスペーサの中でもスリットや半透過マスクを用いて同時に２つの異形状のカラムスペーサを作製する特殊な場合において、ラジカル重合禁止剤の種類や量を変更することにより、感度は小幅減少しても２つのパターン(飽和パターン、半透過パターン)の差を自由に調節できるカラムスペーサ組成物を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed.例文帳に追加

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A mask film 17 (a pattern film) having a desired shape is attached onto a substrate 11 being a subject to be processed, a resin film 18 is formed to cover the film 17 and such a recessed part 19 that a pattern of the film 17 is transferred to the film 18 is formed on the film 18 when the film 17 is peeled off together with the film 18.例文帳に追加

加工対象物である基板１１上に所望形状のマスクフィルム１７(パターン膜)を貼付し、このマスクフィルム１７を覆うように樹脂膜１８を形成した後、マスクフィルム１７をマスクフィルム１７上の樹脂膜１８と共に剥離すると、樹脂膜１８にマスクフィルム１７のパターンが転写された凹部１９が形成される。 - 特許庁

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view.例文帳に追加

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.例文帳に追加

第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁

This aligner is provided with a lump exposure mechanism 4 forming a circuit by collectively exposing the entire surface by a mask M masking the part of the high density and high thin line pattern Wa, and a partial exposure mechanism 7 (17) forming a circuit by partially exposing the part of the high density and high thin line pattern by an optical system more excellent in resolution.例文帳に追加

高密度・高細線パターンＷａの部分をマスキングしたマスクＭにより全面一括露光し、回路を形成する一括露光機構４と、前記高密度・高細線パターンの部分を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路を形成する部分露光機構７（１７）と、を兼備する露光装置として構成した。 - 特許庁

To provide a mask which is used to manufacture an optical diffusing film wherein a columnar minute area having a refractive index varied in the perpendicular direction of a resin layer is formed to change the scattering property by an angle of incidence of light, and has a pattern consisting of areas for transmitting light and a pattern intercepting light and excludes an influence of occurring black defects.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを作製するマスクで、光を透過する領域からなるパターンと、光を遮断するパターンを有し、かつ発生した黒欠陥の影響を排除したマスクを提供することである。 - 特許庁