「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for more appropriately measuring the thickness of a polished and planarized insulating film, a design method of a mask pattern for exposure used for the manufacturing method, and a program for the design method.例文帳に追加

研磨・平坦化された絶縁膜の膜厚をより適切に測定することができる半導体装置の製造方法、この製造方法に用いる露光用のマスクパターンの設計方法及びそのためのプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide screen printing equipment which is capable of fixing an angle of detachment of a mask from a plate in a printing process, in regard to the screen printing equipment wherein a flux or the like is printed in a prescribed pattern on one side of an electronic component.例文帳に追加

本発明は、電子部品の一面にフラックス等を所定のパターンで印刷するスクリーン印刷装置おいて、印刷過程のマスクの離版角度を一定化できるスクリーン印刷装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

The system exposing a mask pattern on a substrate is provided with a memory 20 storing a number of operating parameters for exposure- related processing and a controller 14 switching the operating parameters based on the time slot for processing.例文帳に追加

マスクのパターンを基板に露光する露光装置において、露光に関する処理の動作パラメータを複数記憶する記憶装置２０と、処理を実行する時間帯に基づいて動作パラメータを切り替える制御装置１４とを備える。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a step part 10 on the laminated film L0 by lifting off the mask pattern M and obtains film thickness Tm of the measuring object layer Lm as Tm=T0-(T1+T2) by measuring depth T0 of the step part 10 by a stylus method.例文帳に追加

そして、マスクパターンＭをリフトオフして積層膜Ｌ０に段差部１０を形成し、段差部１０の深さＴ０を触針法によって測定して測定対象層Ｌｍの膜厚ＴｍをＴｍ＝Ｔ０−（Ｔ１＋Ｔ２）として得た。 - 特許庁

A pattern of an organic light emitting layer 4a is formed on a transcription substrate 12 by making a belt-shaped shadow mask 13 running synchronously with the transcription substrate 12 tightly contacting with the belt-shaped transcription substrate 12 running through a patterning part 22.例文帳に追加

パターニング部２２にて走行する帯状の転写基板１２に、この転写基板１２と同期して走行する帯状のシャドウマスク１３を密着させ、転写基板１２上に有機発光層４ａのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a water-soluble photoresist excellent in pattern size reproducibility after development independently of a change in the time elapsed after patternwise exposure in patternwise exposing and developing steps in a process for producing a shadow mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク及びリードフレームの製造工程で、パターン露光、現像工程において、パターン露光後の焼き置き時間の変動に対し現像後のパターン寸法再現性に優れた水溶性レジストを提供することを目的とする。 - 特許庁

In S2, a pattern with a curable ink is directly printed on the surface of the hot-melt adhesive layer 14 of the laminate 16 to be cured, so that a mask image 18 which is constructed of a cured material of the curable ink is formed to obtain a transfer material 20.例文帳に追加

Ｓ２にて、積層体１６のホットメルト接着層１４の表面に、硬化型インクによるパターンをダイレクトに印字し、硬化させ、硬化型インクの硬化物で構成されるマスク画像１８を形成して転写材２０を得る。 - 特許庁

A person in charge of inspections visually measures the position/rotation deviation amount of the test chart image 35a relative to the reference pattern 65 from the mask composite image 67 for the test displayed on a monitor 31, and inputs the measured result to the processor device 12.例文帳に追加

検査担当者は、モニタ３１に表示されるテスト用マスク合成画像６７から、基準パターン６５に対するテストチャート画像３５ａの位置・回転ズレ量を目視で測定し、この測定結果をプロセッサ装置１２に入力する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which a resist film can be made thin by using a lower layer film formed by a coating method, the required mask thickness is maintained, and the difference caused by conversion in processes is suppressed to process the objective film with high dimensional accuracy.例文帳に追加

塗布法により成膜できる下層膜を用いてレジスト膜の薄膜化を図るとともに必要なマスク厚を確保し、加工変換差を抑制して寸法精度よく被加工膜を加工し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring pattern inspection apparatus forming the min. hole mask highly accurately even with respect to a non-viahole, and suppressing the generation of the false report caused by the non-viahole while ensuring the reliability of inspection in the periphery of the non-viahole.例文帳に追加

非貫通穴についても高精度に最小限の穴マスクを生成し，非貫通穴の周辺における検査の信頼性を確保しつつ，非貫通穴に起因する虚報の発生を抑えた配線パターン検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents a resist pattern shape from becoming an inverted tapered shape, while a resist sidewall is prevented from being rounded and a resist bottom opening is prevented from varying in opening length, and to provide a method of manufacturing a mask.例文帳に追加

レジスト側壁が丸みをおびること及びレジストボトム開口長が変動することを防止しつつ、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避する半導体装置の製造方法及びマスクの製造方法の提供。 - 特許庁

A path division section 104 divides input image data into image data for each of a plurality of times of scanning by using a mask pattern which is formed from the gap of scanning position of a light beam from each light emitting element of a recording means.例文帳に追加

パス分割処理部104は、記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、入力された画像データを複数回走査の各走査用の画像データに分割する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask for vapor deposition which permits use of a thin metallic sheet, makes it possible to obtain high working accuracy, is excellent in workability, and can reproduce pattern dimensions accurately as designed.例文帳に追加

厚みの薄い金属薄板材を使用することが可能で、高い加工精度が得られ、作業性も良好であり、設計通りのパターン寸法を精度良く再現することができる蒸着用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can accurately reproduce the designed size of a mask pattern even by proximity exposure and which can give a spacer for a display panel having excellent adhesiveness with a substrate, transparency, strength, heat resistance and so on.例文帳に追加

プロキシミティー露光を行ってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつ基板との密着性、透明性、強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask that protects a circuit pattern against the adhesion of dust/dirt and impacts in storage and conveyance prior to use in projection exposure, and to facilitate easy removal of a fitted protective in projection exposure.例文帳に追加

投射露光に使用する前の保管や運搬に際しては、塵埃の付着や衝撃から回路パターンを保護し、投射露光に際しては、装着されている保護シートを容易に除去できるようにしたステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a screen printing method, in which the positioning between a screen mask and a material to be printed is executed enough accurately in a screen printing so as to enough accurately print an object printing pattern on the material to be printed.例文帳に追加

スクリーン印刷において、スクリーンマスクと被印刷物との位置決めを精度良く行い、目的の印刷パターンを被印刷物上に精度良く印刷することができるスクリーン印刷方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To easily form optimum mask patterns for ordinary exposure at the time of forming circuit patterns of the smallest line width corresponding to the line width of fine line patterns by the multiple exposure of fine line pattern exposure and the ordinary exposure.例文帳に追加

微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。 - 特許庁

To provide an exposure mask for focus measurement which allow the measurement of periodic patterns approximate to the pattern density used for manufacturing of semiconductor devices in actuality and is effectively for easy measurement of a defocusing quantity with codes with good accuracy.例文帳に追加

実際に半導体装置の製造に用いられるパターン密度に近い周期パターンの測定を可能にし、且つ符号付きのデフォーカス量を簡単に精度良く測定するために有効なフォーカス測定用の露光マスクを提供すること。 - 特許庁

In the cross-sectional structure of the phase shift mask 10, the pattern region 1 and dummy region 3 consist only a transparent substrate 5, while other region consists of the transparent substrate and a translucent film 6 which inverts the phase of light by 180°.例文帳に追加

位相シフトマスク１０は、その断面構造において、パターン領域１とダミー領域３は、透明基板５のみから成り、それ以外の領域は、透明基板５と、光の位相を１８０度反転させる半透明膜６とから成る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductors in which the throughput of semiconductor device manufacturing can be improved by collectively exposing a large part of a signal wiring pattern to resist on a wafer by using only one block mask.例文帳に追加

ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を１個のブロックマスクを使用して一括露光できるようにし、半導体装置製造のスループット向上を図ることができるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

To obtain a thin film having uniform crystallization characteristics without X-overlap and Y-overlap by applying a slit having a certain pattern to a mask and proceeding with the laser crystallization, taking such a slit repeatability into account.例文帳に追加

一定のパターンを有するスリットをマスクに適用し、このようなスリットの反復性を考慮してレーザー結晶化を進行させることにより、Ｘ−オーバーラップ及びＹ−オーバーラップのない均一な結晶化特性を有する薄膜を得る。 - 特許庁

An organic silicon resin coating film 2 consisting of polysilane is fromed on a glass substrate 3 and the coating film 2 is irradiated with an ultraviolet-ray through a mask forming a pattern having openings corresponding to those at lens areas of micro lenses to produce.例文帳に追加

ポリシランから成る有機ケイ素樹脂被膜２をガラス基板３上に形成し、その被膜２に対し、製造しようとするマイクロレンズのレンズ領域に開口をもつパターンを形成したマスクを通して紫外光を照射する。 - 特許庁

When performing the exposure of a plurality of shots on the upper face of a wafer, to which a photo-sensitized material is applied, by using a mask having a plurality of reticles of a circuit pattern, a reticle number for identifying the reticle is exposed together in an exposure process.例文帳に追加

露光工程において、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、レチクルを識別するレチクル番号を一緒に露光する。 - 特許庁

An exposure evaluation mask M includes first regions a1, a3, a5, etc. having pattern based on a design value, and second regions a2, a4, etc. adjoining to the first regions and giving deviation of an exposure amount with respect to the design value.例文帳に追加

露光評価用マスクＭａは、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量のずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、を有する。 - 特許庁

When a pattern drawing device 100 scans an exposure unit 30 equipped with a mask 361 to the (+Y) side of the main scanning direction with respect to a substrate 9, the drawing device exposes a resist layer of a substrate 9 through the transmissive patterns SLG1, SLG2 at the same time.例文帳に追加

パターン描画装置１００は、マスク３６１を備えた露後部３０を、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側へ走査させる場合、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２とを同時に介して基板９のレジスト層を露光する。 - 特許庁

To provide an in-cabin switch gear capable of changing the arrangement of a pattern which is the operational display of the switch gear only by simply changing a mask layer, and executing the intended operation corresponding to the operational display.例文帳に追加

車室内スイッチ装置において、簡単なマスク層の交換のみでスイッチ装置の操作表示である図柄の配置変更を行うと共に、操作表示に対応した意図する動作を行わせることができるようにすることである。 - 特許庁

Similarly in the shape of a seal pattern formed by using the seal mask, terminal parts are formed in corner parts so that inside sides of sealing materials 20a, 20b, 20c and 20d gradually approach the outside sides and end parts are opposed to each other.例文帳に追加

シールマスクを用いて形成されるシールパターンの形状も同様に、角部においてシール材２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄの内側の辺が徐々に外側の辺に近づくように端部が形成され、端部同士が対向することになる。 - 特許庁

To provide an illumination optical system which achieves a suitable illumination condition by varying polarization states of the illumination light according to pattern characteristics of a mask while suppressing the loss of the amount of light when mounted on an exposure apparatus.例文帳に追加

たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing color filter capable of inexpensively forming a light shielding layer and a colored pattern in such a satisfactory dimensional precision as to accommodate to a large screen and obtaining a high-definition color filter having no color irregularity without using a photolithography method with a mask.例文帳に追加

光遮蔽層、及び着色パターンを、マスクを使ったフォトリソグラフィ法を用いることなく、大画面にも対応し得る良好な寸法精度及び低コストで形成して、色むらのない高精細なカラーフィルタを得る。 - 特許庁

To provide a selective growth method of a solid wherein the yield is improved by a simple method, and to provide a method for manufacturing a fine pattern where a selective growth of a solid is performed without removing a growth mask.例文帳に追加

簡単な方法で歩留まりを改善することができる固体の選択成長方法の実現と、成長マスクを除去することなく固体の選択成長を行うことにより、微細パタンを製造する方法の実現と、が目的である。 - 特許庁

By this method, fine particles can be two-dimensionally arrayed in a closest packed state in fine regions arrayed by self organization of di-block copolymers, and the array body exhibits excellent performance as an etching mask for forming a thin film pattern.例文帳に追加

この方法によれば、ジブロックコポリマーの自己組織化されて配列された微小領域に微粒子を二次元的に最密充填することができ、薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクとして優れた性能を示す。 - 特許庁

Next, the anti-reflection film 12 and the SiOC film 11 are subjected to dry-etching using the resist pattern 13 as the mask and using process gas prepared by adding CO gas to mixed gas of CHF_3 gas, CF_4 gas, O_2 gas and Ar gas.例文帳に追加

次に、反射防止膜１２及びＳｉＯＣ膜１１に対して、レジストパターン１３をマスクにすると共に、ＣＨＦ_3 ガス、ＣＦ_4 ガス、Ｏ_2 ガス及びＡｒガスの混合ガスにＣＯガスが添加されてなるプロセスガスを用いてドライエッチングを行なう。 - 特許庁

The alignment device has the exposure means for exposing a wafer to a mask pattern, and also has a thermoelectric conversion means for converting heat generated from the exposure means or the device body into electricity.例文帳に追加

本発明では、マスクのパターンをウエハに露光する露光手段を備えた構成のアライメント装置において、露光手段または装置本体で発生した熱を電気に変換する熱電変換手段を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The created two-dimensional map is divided in each block so as to include each area corresponding to an intersection position in the two-dimensional map and a mask pattern having the highest similarity to a signal level of each area composing the divided block is selected.例文帳に追加

次に、作成された２次元マップにおける交点位置に対応した各エリアを包含するようブロック単位で分割し、分割したブロックを構成する各エリアの信号レベルに類似度が一番高いマスクパターンを選別する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is manufactured by forming at least one or more of patterns, out of those necessary for manufacturing the liquid crystal display device such as a wiring layer or a conductive layer to form electrodes, or a mask layer to form a predetermined pattern, by a method capable of selectively forming a pattern.例文帳に追加

配線層若しくは電極を形成する導電層や、所定のパターンを形成するためのマスク層など液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、少なくとも一つ若しくはそれ以上を、選択的にパターンを形成可能な方法により形成して、液晶表示装置を製造することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further improving uniformity of a mask pattern size on the entire wafer surface and lowering variation in opening width of a contact window on the entire wafer surface when forming the contact window to improve the product yield and quality even when a higher step and a large area pattern are formed.例文帳に追加

高段差で大面積のパターンが形成される場合でも、ウェハ全面でのマスクパターン寸法の均一性をさらに向上させることができるとともに、コンタクト窓形成の際にウェハ全面でコンタクト窓の開口幅ばらつきを低減することができ、製品歩留を改善しかつ製品品質をより向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

To provide a column spacer composition enabling simultaneous formation of a saturated pattern and a semi-transmissive pattern as column spacer patterns having different shapes, whose difference in thickness is controllable as desired although the sensitivity is slightly reduced, through a slit or semi-transmissive mask by varying the kind and amount of the radical polymerization inhibitor.例文帳に追加

本発明は、カラムスペーサの中でもスリットや半透過マスクを用いて同時に２つの異形状のカラムスペーサを作製する特殊な場合において、ラジカル重合禁止剤の種類や量を変更することにより、感度は小幅減少しても２つのパターン(飽和パターン、半透過パターン)の差を自由に調節できるカラムスペーサ組成物を提供することができる。 - 特許庁

When the photo mask is manufactured by forming a light shielding film pattern on one side of a light transmitting substrate and demarcating a light transmitting part by the light shielding film pattern, a fluorine-containing photocatalyst active layer containing a photocatalyst and a fluorine-based compound is formed in a manner that it can be overlapped on the light transmitting part on the plane view.例文帳に追加

光透過性基板の片面に遮光膜パターンが形成され、この遮光膜パターンによって光透過部が画定されているフォトマスクを作製するにあたり、光透過部と平面視上重なるようにして、光触媒とフッ素系化合物とを含有するフッ素含有光触媒活性層を形成することによって、上記課題を解決した。 - 特許庁

A mask film 17 (a pattern film) having a desired shape is attached onto a substrate 11 being a subject to be processed, a resin film 18 is formed to cover the film 17 and such a recessed part 19 that a pattern of the film 17 is transferred to the film 18 is formed on the film 18 when the film 17 is peeled off together with the film 18.例文帳に追加

加工対象物である基板１１上に所望形状のマスクフィルム１７(パターン膜)を貼付し、このマスクフィルム１７を覆うように樹脂膜１８を形成した後、マスクフィルム１７をマスクフィルム１７上の樹脂膜１８と共に剥離すると、樹脂膜１８にマスクフィルム１７のパターンが転写された凹部１９が形成される。 - 特許庁

This aligner is provided with a lump exposure mechanism 4 forming a circuit by collectively exposing the entire surface by a mask M masking the part of the high density and high thin line pattern Wa, and a partial exposure mechanism 7 (17) forming a circuit by partially exposing the part of the high density and high thin line pattern by an optical system more excellent in resolution.例文帳に追加

高密度・高細線パターンＷａの部分をマスキングしたマスクＭにより全面一括露光し、回路を形成する一括露光機構４と、前記高密度・高細線パターンの部分を、より解像力の優れた光学系により部分露光し、回路を形成する部分露光機構７（１７）と、を兼備する露光装置として構成した。 - 特許庁

To provide a mask which is used to manufacture an optical diffusing film wherein a columnar minute area having a refractive index varied in the perpendicular direction of a resin layer is formed to change the scattering property by an angle of incidence of light, and has a pattern consisting of areas for transmitting light and a pattern intercepting light and excludes an influence of occurring black defects.例文帳に追加

樹脂層の厚み方向に屈折率が異なる柱状の微小領域を形成し、光の入射角度によって散乱性が変化する光拡散フィルムを作製するマスクで、光を透過する領域からなるパターンと、光を遮断するパターンを有し、かつ発生した黒欠陥の影響を排除したマスクを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an array substrate comprising the steps of simultaneously patterning a three-layer metal film (Mo/Al/Mo) and multilayer nonmetallic film (SiNx/aSi:H/n+-type a-Si:H), by using one mask pattern capable of forming a stepwise cut of a film covering the multilayer film pattern and sufficiently preventing a fault due to the cut.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、三層金属膜（Mo／Al／Mo）及び多層非金属膜（ＳｉＮｘ／ａ-Ｓｉ:Ｈ／ｎ^+ａ-Ｓｉ:Ｈ）を一括してパターニングする工程を含むアレイ基板の製造方法において、多層膜パターンを覆う膜についての段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.例文帳に追加

第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁