「Mask pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

This method comprises a first exposing process for exposing the substrate 12 via the mask 10 under the condition that a part of region including a defect D of the mask 10 is shielded from the light, and a second exposing process for drawing in direct a pattern with the exposure to the region on the substrate 12 corresponding to a part of region shielded in the first exposing process.例文帳に追加

この方法は、マスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域を遮光した状態で、マスク１０を介して基板１２に対して露光を行う第１の露光工程と、第１の露光工程において遮光された一部領域に対応する基板１２上の領域に、直接露光により描画を行う第２の露光工程と、を備える。 - 特許庁

The method for exposure includes a process of first exposure by using a chromium mask 1 having a shading region 11 as a two-dimensional random pattern and a process of second exposure by using a chromium-free phase shift mask 2 having a part 15 of the phase shifter edge 16 of the phase shifter 20 in the position corresponding to the shading region 11.例文帳に追加

二次元ランダムパターン形状である遮光領域１１を有するクロムマスク１を用いて第１の露光を行う工程と、遮光領域１１に対応する位置に位相シフタ２０の位相シフタエッジ１６の一部１５を有するクロムレス位相シフトマスク２を用いて第２の露光を行う工程とを備えることによって上記課題を解決する。 - 特許庁

This projection exposure method includes a step of exposing an exposure area of a radiation-sensitive substrate with at least one image of a pattern of a mask in a scanning operation which includes a step of moving the mask M relative to an effective object field of the projection objective PO and simultaneously moving the substrate relative to an effective image field of the projection objective in respective scanning directions.例文帳に追加

投影露光方法は、放射線感応基板の露光区域をマスクのパターンの少なくとも１つの像により、投影対物系の有効物体視野に対してマスクをかつ同時に投影対物系の有効像視野に対して基板をそれぞれの走査方向に同時に移動する段階を含む走査作動において露光する段階を含む。 - 特許庁

A cleaning device includes a carbon dioxide gas laser 12 that irradiates a pyrolytic contaminant depositing on a pattern face of a mask substrate 21 to which a pellicle 24 is attached, with a laser beam at a wavelength of 8 to 11 μm through the pellicle 24, so as to heat the mask substrate 21 by the laser beam projected and to remove the contaminant by pyrolysis.例文帳に追加

本発明の一態様に係る洗浄装置は、ペリクル２４が取り付けられたマスク基板２１のパターン面に付着した熱分解性の汚染物質に対して、ペリクル２４を介して波長８〜１１μｍのレーザ光を照射する炭酸ガスレーザ１２を備え、照射されたレーザ光によりマスク基板２１を加熱し、汚染物質を熱分解して除去する。 - 特許庁

To provide a reflective mask, capable of obtaining a reflection signal having sufficient contrast even for a reflective mask for EUV exposure, when detecting an alignment mark using a laser drawing device, thus forming a resist pattern for forming a light-shielding region with good position accuracy, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

An exposure mask 1 using extreme violet light for exposing a desired pattern on a body to be exposed by using the extreme violet light is configured with a stencil structure provided with an opening region 1a through which the extreme violet light made incident onto a mask surface from its vertical direction passes, and a shade area 1b for shading the extreme violet light.例文帳に追加

極短紫外光を用いて被露光体上に所望パターンを露光するための極短紫外光の露光用マスク１を、マスク表面に対して垂直方向から入射する極短紫外光を透過する開口領域１ａと、当該極短紫外光を遮蔽する遮光領域１ｂとを具備したステンシル構造によって構成する。 - 特許庁

Thus, the side etching is suppressed and the decrease in film thickness of the mask is also suppressed, so that even the conductive film whicih is thick having a thickness of 1 to 10 μm and contains aluminum or aluminum alloy is etched to have the steep slope at the end, to secure the desired film thickness, and to suppress the difference in shape from the mask pattern.例文帳に追加

サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

To provide an aligner capable of avoiding the temperature rise of a frame body caused by exposing light even when the output of the exposing light is made high, preventing a mask from being deformed, keeping a gap between the mask and a work in specified size so as to expose an exact pattern and also making working efficiency excellent by shortening exposing time.例文帳に追加

露光光の出力を高くしても露光光による枠体の温度上昇がなく、マスクが変形するのを防止でき、マスクとワークとの間隙を所定の寸法に維持して正確なパターンを露光することができると共に露光時間を短縮されて稼働効率を良くすることができる露光装置を提供することである。 - 特許庁

The Ni film is dissolved and removed using mixed acid aqueous solution containing 15-25 wt.% of sulfuric acid and 5-15 wt.% of nitric acid when the Ni film formed on the surface of the mask member is removed from the mask member made of stainless steel used for forming the Ni film in a prescribed pattern on a substrate by a thin film formation technique.例文帳に追加

薄膜形成技術によって基材上に所定のパターンでＮｉ膜を形成するために使用される、ステンレス鋼製のマスク部材について、その表面に形成されたＮｉ膜を除去するにあたり、硫酸を１５〜２５wt%、硝酸を５〜１５wt%含有する混酸水溶液を用いて、前記Ｎｉ膜を溶解、除去することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.例文帳に追加

半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加

透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate.例文帳に追加

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

A dielectrics layer 4 is so formed as to comprise a recessed part 16 on its surface by forming a dielectrics layer 4a, a first layer, over which a dielectric layer 4b of a second layer is formed in pattern using a mask 20.例文帳に追加

誘電体層４を、第一層目の誘電体層４ａを形成し、その上に、マスク２０を用いてパターン状に第二層目の誘電体層４ｂを形成することによって表面に凹部１６を備えるように形成する。 - 特許庁

To provide a pattern drawing method for contact X-ray lithography wherein drawing is carried out by moving the zeroth-order diffraction image of an opening formed in a mask relatively with respect to a substrate applied with a photosensitive agent, and which enables high-contrast continuous drawing.例文帳に追加

マスクに形成した開口部の０次回折像を、感光剤を塗布した基板に対して相対移動させることにより描画する近接Ｘ線リソグラフィのパターン描画方法であって、コントラストの高い連続描画を可能にする。 - 特許庁

AND operation of the image data of an original image and a mask pattern corresponding to the density of image data is performed and the ink density is lowered by decimating on dots of a bit map data and turning them off thus varying the decimation rate of the original image depending on the density.例文帳に追加

原画像の画像データとこの画像データの濃度に応じたマスクパターンとの論理積演算を行い、ビットマップデータのオンドットを間引きしてオフと成しインク濃度を低下させ、原画像の間引き率を濃度に応じて変化させる。 - 特許庁

To provide a photosensitive coloring composition with which no scum (floating residue) is produced on a pixel, and a highly precise pattern comforming to a mask design is formed with high sensitivity, and which is also excellent in adhesion strength to a substrate and so on.例文帳に追加

本発明は、画素上にスカム（浮きかす）が発生することがなく、高感度でかつマスク設計通りの高精細なパターンを形成でき、基板との密着強度等にも優れた感光性着色組成物を提供する。 - 特許庁

The dot dispersion type mask is for converting gradation values of respective pixels of image data with continuous gradations into binary or multi-valued values and has such an array of thresholds that a dot pattern obtained by the conversion has regularity or irregularity.例文帳に追加

連続階調の画像データにおける各画素の階調値を２値または多値に変換するためのドット分散型マスクであって、変換により得られるドットパターンに規則性および不規則性が現れるような閾値の配列を有する。 - 特許庁

When an etching mask for actual processing is formed on the substrate, the numerical aperture of the second pattern portion is determined, based on the data determined previously, such that the in-plane variations of the etching conversion difference in the film to be etched becomes small (ST6).例文帳に追加

被エッチング膜におけるエッチング変換差の面内ばらつきが小さくなるように、基板に実処理のためのエッチングマスクを形成する際の第２パタン部の開口率を先に求めたデータに基づいて決定する（ＳＴ６）。 - 特許庁

A substrate conductor layer 11 is formed on the main surface of an insulating plate 10, a resist layer 12 is provided on the substrate conductor layer 11, and a resist mask pattern is formed in which the substrate conductor layer 11 of the part for forming the conductor line is exposed.例文帳に追加

絶縁板１０の主面に下地導体層１１を形成し、下地導体層１１にレジスト層１２を設けて、導体線路を形成する部分の下地導体層１１が露出したレジストマスクパターンを形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 2 and a resist (resist pattern) 3 of an upper layer are formed on a resist 1 of a lower layer, O2 gas singly is used as etching gas and the SiO2 film 2, and the resist 1 of a lower layer are etched by using the resist 3 of an upper layer as a mask.例文帳に追加

下層のレジスト１上にＳｉＯ_2 膜２、上層のレジスト（レジストパターン）３を形成し、エッチングガスとしてＯ_2 ガス単体を使用し、上層のレジスト３をマスクにしてＳｉＯ_2 膜２および下層のレジスト１をエッチングする。 - 特許庁

A protection film 20 including a shape pattern 20a in response to the shape of the piezoelectric substrates 12 and an opening 20b in response to the shape of the alignment marker 18 relative to the alignment of a photo mask or the like is formed on the surface of the piezoelectric wafer 10.例文帳に追加

圧電ウエハ１０の表面には、圧電基板１２の形に応じた形状パターン２０ａと、フォトマスク等の位置合わせ基準となるアライメントマーカー１８の形に応じた開口部２０ｂとを有する保護膜２０が形成される。 - 特許庁

Fine exposure by small σ oblique illumination and rough exposure by large σ vertical illumination are conducted on a wafer by changing the spatial frequency transmission spectrum band of a projection optical system, without developing the wafer in the medium with the gate pattern of a mask set at a projection aligner, so that multiple exposure can be attained.例文帳に追加

投影露光装置に設置したマスクのゲートパターンで、ウエハに対して、途中で現像することなく、小σの斜め照明によるファイン露光と大σの垂直照明によるラフ露光の多重露光を行なう。 - 特許庁

The method for manufacturing the wiring board includes a process to form a wiring pattern 30 on a base substrate 10 comprising a metal layer 12 and a mask 14 formed on the metal layer 12 by being patterned by removing a part of the metal layer 12 by spraying an etchant 20.例文帳に追加

金属層１２と、パターニングされて金属層１２上に設けられたマスク１４とを有するベース基板１０に、エッチング液２０を噴射して金属層１２の一部を除去し、配線パターン３０を形成することを含む。 - 特許庁

Then, the second conductive layer 13 is formed by taking the first resin pattern as a mask, onto which the first unhardened resin sheet 14 is pasted and exfoliated to transfer the second conductive layer 13 onto the unhardened resin sheet 14.例文帳に追加

次に、第１の樹脂パターンをマスクとして第２の導電層１３をパターン形成し、その上に第１の未硬化樹脂シート１４を貼り合わせ、剥離して第２の導電層１３を第１の未硬化樹脂シート１４上に転写する。 - 特許庁

A pattern shape formed in the optical nanoimprint resist is transferred to the magnetic recording layer 15 or a mask layer 16 formed on the magnetic recording layer and made of an inorganic material and then the peeling layer is peeled by using the organic solvent.例文帳に追加

そして、光ナノインプリントレジストに形成されたパターン形状を磁気記録層１５あるいは磁気記録層の上に形成された無機材料からなるマスク層１６に転写したのち、有機溶媒を用いて剥離層を剥離する。 - 特許庁

A plurality of surface patterns having a boundary wherein a reflection characteristic of light or electron beam at a light shielding film surface varies are disposed as dedicated patterns for measuring mask position accuracy on the light shielding film in the device pattern forming region of the photomask.例文帳に追加

フォトマスクのデバイスパターン形成領域の遮光膜に、遮光膜表面での光線又は電子線の反射特性が変化する境界を持つ表面パターンをマスク位置精度測定専用パターンとして複数配置しておく。 - 特許庁

The images on the exiting plane of the respective pinholes in the pinhole plate 106 are projected into a pattern as a collection of a large number of spots onto a mask substrate 109 by a reduction projection optical system 108 comprising lenses 107a, 107b.例文帳に追加

ピンホール板１０６の各ピンホールの出射面での光の像が、レンズ１０７ａ、１０７ｂとで構成される縮小投影光学系１０８によって、マスク基板１０９上に多数のスポットの集合体としてパターン投影される。 - 特許庁

To provide an image processor capable of easily controlling an amount of color material usage while preventing image quality deterioration at the time of reducing the amount of color material usage by performing an AND operation of image data and a mask pattern.例文帳に追加

画像データとマスクパターンとの論理積演算を行うことにより色材の使用量を削減する際に、画質低下を防ぎつつ、容易に色材の使用量を制御することができる画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

To develop a means for partly effectively purging an ultraviolet optical path in an aligner, for emitting a photosensitive substrate with a pattern of a mask via a projection optical system by using ultraviolet rays as the exposure light with an inert gas in the apparatus.例文帳に追加

露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする手段を開発する。 - 特許庁

A first exposure process is conducted on a microlens material film formed on an insulation film 13 via a first photo mask to form a first lens pattern 24 wherein individual portions that will become microlenses are divided by division recesses 17.例文帳に追加

絶縁膜１３上に形成されたマイクロレンズ材料膜に、第１のフォトマスクを介して第１の露光処理を行うことにより、マイクロレンズとなるべき各部分が分離溝１７により分離された第１のレンズパターン２４を形成する。 - 特許庁

Then, the surface protective layer 4 is formed by the use of insulating and heat-resistant electrodeposition resin on the peripheral part of the circuit wiring pattern 2 through an electrodeposition method, then the mask 5 is removed, and the connection opening 3 is formed.例文帳に追加

そこで、絶縁性、耐熱性などからなる電着樹脂を用いて電着手法により回路配線パタ−ン２の外周にのみ表面保護層４を形成した後、マスク５を除去して接続用開口部３を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method reinforcing etching resistance of a mask layer and improving a flexibility in working of a layer to be processed when forming an opening pattern of a dimension satisfying a request for downsizing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming both fine short pores and fine long pores in an appropriate shape, in case of manufacturing of a shadow mask with fine short pores and fine long pores with different lengths formed in a given pattern.例文帳に追加

長さの異なる微細短孔と微細長孔とが所定パターンで形成されたシャドウマスクを製造する場合において、微細短孔と微細長孔の両方共を適正形状に形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2.例文帳に追加

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。 - 特許庁

Etching is successively performed to the stopper film 2 and the pattern oxidized film 3 by a lithography technique and a dry etching technique, a trench is etched with resist 1 or the stopper film 2 as a mask and the trench of a depth H Åis formed.例文帳に追加

リソグラフィ技術及びドライエッチ技術によってストッパ膜２及びパターン酸化膜３に対して順次エッチングを行い、レジスト１またはストッパ膜２をマスクとしてトレンチのエッチングを行い、深さＨÅのトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide an exposure device inspection method and an exposure device, capable of obtaining a highly accurate inspection result by forming a highly accurate transfer pattern and by acquiring diffraction light detection data, when inspecting the exposure device using a photo mask.例文帳に追加

フォトマスクを用いて露光装置の検査を行う際に、高精度な転写パターンを形成し、回折光検出データを取得し、高精度の検査結果を得ることが可能な露光装置の検査方法、及び露光装置を提供する。 - 特許庁

In the plate for electrodeposition metal pattern transfer, the lower part of an electrodeposition mask member 20 is embedded in a conductive substrate 10, and a concave portion on which the member 20 is to be arranged is an etching groove 12 formed by digging by a wet etching.例文帳に追加

電着マスク材２０の下部が導電性基板１０に埋もれているようにした電着金属パターン転写用版であり、電着マスク材２０が配設される凹部がウエットエッチングにより掘り下げられたエッチング溝１２であるようにした版。 - 特許庁

The index detecting body 54 has an independent plate material 56 and an index phosphor pattern 58 formed/stuck on a surface of the plate material, and is mounted on the mask frame in the vacuum enclosure in the final stage of the cathode-ray tube manufacturing process.例文帳に追加

インデックス検出体は、独立した板材５６と、板材の表面に被着形成されたインデックス蛍光体パターン５８と、を有し、陰極線管の製造工程の終盤において、真空外囲器内のマスクフレームに取付けられる。 - 特許庁

The mask 2 for vapor deposition consists of a one-layered metal sheet having an aperture 2a for depositing a vapor deposition material 4 evaporated from a vapor deposition source 3 on a vapor-deposited member (a translucent substrate) 1 with a predetermined pattern.例文帳に追加

蒸着源３から蒸発した蒸着材料４を被蒸着部材（透光性基板）１に所定のパターンで蒸着させるための開口部２ａを有する１層の金属板からなる蒸着用マスク２である。 - 特許庁

To realize an appropriate illumination condition, which is necessary to transfer faithfully a mask pattern having a variety of characteristics, for example, an illumination condition having a diversity in a light intensity distribution and a polarization state of a secondary light source.例文帳に追加

様々な特性を有するマスクパターンを忠実に転写するために必要な適切な照明条件、たとえば二次光源の光強度分布や偏光状態などに関して多様性に富んだ照明条件を実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.例文帳に追加

半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the base film is subjected to an exposure process through a mask from its other surface, a plurality of conduction holes 25 are bored in the solder resist 24 so as to reach the conductive layer 23, and a circuit pattern 41 is formed of the conductive layer 23 to obtain a tape carrier.例文帳に追加

その後、基材フィルムの他面側からマスクを介して露光し、フォトソルダレジストに、導電層に達する複数の電気導通孔２５をあけるとともに、導電層で配線パターン４１を形成してテープキャリアを得る。 - 特許庁