「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

MAGNETIC MEMORY CELL, INTEGRATED CIRCUIT OR MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS BUILT WITH THE INTEGRATED CIRCUIT OR THE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気メモリ素子、そのメモリ素子を含む集積回路または磁気メモリ装置、その集積回路または磁気メモリ装置を組み込んだ電子機器 - 特許庁

In a memory device, a memory array 10 having a plurality of memory cells 11 and a reading circuit 20 for determining the status of the memory cell 11 as a reading target.例文帳に追加

メモリセル１１を複数備えたメモリアレイ１０と、読み出し対象のメモリセル１１の状態を判別する読み出し回路２０を設ける。 - 特許庁

A static memory cell connected to word and data lines is used.例文帳に追加

ワード線およびデータ線に接続されたスタティックメモリセルを用いる。 - 特許庁

To reduce leak current in a cross-point RRAM memory cell.例文帳に追加

クロスポイント型ＲＲＡＭメモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁

METHOD FOR OPERATION OF INTEGRATED CIRCUIT ARRAY OF MEMORY CELL, AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

メモリセルの集積回路アレイの動作方法及び集積回路 - 特許庁

Each memory cell MC stores data having a plurality of pages.例文帳に追加

また各メモリセルＭＣがそれぞれ複数ページのデータを格納する。 - 特許庁

Therefore, information of the memory cell can be read out accurately.例文帳に追加

したがって、メモリセルの情報を正確に読み出すことができる。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY CELL AND STORAGE CIRCUIT BLOCK EMPLOYING THE SAME例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック - 特許庁

The semiconductor device includes a memory cell MC and drivers 14, 15.例文帳に追加

半導体装置は、メモリセルＭＣとドライバ１４，１５を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device, having a test circuit which can analyze replacing a defective memory cell with a redundant memory cell.例文帳に追加

不良メモリセルの冗長メモリセルでの置換の解析が可能なテスト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a memory cell using dummy polysilicon.例文帳に追加

ダミーポリシリコンを使用してメモリセルを形成する方法の提供。 - 特許庁

A memory cell array ARY has a plurality of sub-arrays SARY.例文帳に追加

メモリセルアレイＡＲＹは、複数のサブアレイＳＡＲＹを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, wherein the occupation ratio of a memory cell can be increased by effectively using a dummy cell.例文帳に追加

ダミーセルの有効活用を図り、メモリセル占有率を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

An intersection of the line 122 and the line 112 forms a memory cell layer.例文帳に追加

ビット線122とワード線112の交点は、メモリセルの層を形成する。 - 特許庁

In a short L and wide W (only 2G) memory cell, "H:L" is obtained.例文帳に追加

短Ｌ広Ｗ（２Ｇのみ）のメモリセルでは、「Ｈ：Ｌ」が得られる。 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR READING MULTILEVEL NAND FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

マルチレベルＮＡＮＤフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路 - 特許庁

The information of one bit is stored by a first memory cell MC0 and a second memory cell MC1 adjacent each other in the wordline direction.例文帳に追加

ワード線方向に互いに隣接する第１メモリセルＭＣ０と第２メモリセルＭＣ１とで１ビットの情報を記憶する。 - 特許庁

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁

A flash memory cell is favorably manufactured within a silicon substrate 20.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルは好適にシリコン基板２０内に製造される。 - 特許庁

After data are written into a memory cell, it is determined whether the data written from the outside logically coincide with data read from the memory cell (step S3).例文帳に追加

メモリセルへのデータ書込後、外部からの書込データとメモリセルの読出データの論理の一致／不一致を判定する（ステップＳ３）。 - 特許庁

In a long L and narrow W (only 2G) memory cell, "L:H" is obtained.例文帳に追加

長Ｌ狭Ｗ（２Ｇのみ）のメモリセルでは、「Ｌ：Ｈ」が得られる。 - 特許庁

To provide a non-volatile resistance memory cell based on metallic oxide nanoparticles, a method for manufacturing the same, and the arrangement of the memory cell.例文帳に追加

金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置を提供する。 - 特許庁

A driver circuit having a redundant control function to store the information on the defective memory cell is provided to repair a defect of the memory cell array.例文帳に追加

駆動回路に不良メモリセルに関する情報を記憶した冗長制御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する。 - 特許庁

This device has a memory cell array formed in a pocket P well region.例文帳に追加

ポケットＰウェル領域に形成されたメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

A memory cell is composed of a TMR element and a MOS transistor.例文帳に追加

メモリセルは、ＴＭＲ素子とＭＯＳトランジスタから構成される。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリセル及び強誘電体メモリセルの製造方法 - 特許庁

CELL GROUP PROCESSING UNIT IN COMMON MEMORY SWITCH AND ITS METHOD例文帳に追加

共通メモリスイッチにおけるセルグル—プ処理装置及びその方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).例文帳に追加

不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

To provide a bit line decoder scheme selecting one memory cell comprising two storage site in a dual bit memory cell array.例文帳に追加

デュアルビット・メモリ・セルのアレーで２つの記憶サイトを含む１つのメモリ・セルを選択するビット線デコーダ構造を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁

The charge interferes with the threshold voltage achievable in the memory cell.例文帳に追加

電荷は、メモリセル内で達成可能な閾値電圧に干渉する。 - 特許庁

MULTI-BIT MEMORY CELL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TEMPERATURE BUDGET SENSOR例文帳に追加

マルチビットメモリセルおよび温度バジェットセンサを備えた半導体デバイス - 特許庁

SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND CORRECTION METHOD OF STORAGE DATA IN MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 - 特許庁

Data read from a memory cell MC for one page in one block BL of a memory cell array is stored in a data holding circuit 12.例文帳に追加

メモリセルアレイの１ブロックＢＬ内の１ページ分のメモリセルＭＣから読み出されたデータがデータ保持回路１２で保持される。 - 特許庁

The size ratio of memory cell regions is switched by ON/OFF operation of a switch.例文帳に追加

メモリセル領域のサイズ比を、スイッチのオン、オフで切りかえる。 - 特許庁

To increase the speed of writing operation to a non-volatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルに対する書き込み動作を高速化する。 - 特許庁

DETECTION DEVICE FOR DETECTIVE CELL OF SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体メモリ装置の欠陥セル検出装置及びその方法 - 特許庁

To reduce the dispersion of the distribution of threshold voltages of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのしきい値電圧分布のばらつきを小さくする。 - 特許庁

RESISTIVE INTERSECTION ARRAY OF MEMORY CELL HAVING RESISTANCE TO SHORT CIRCUIT例文帳に追加

短絡に対して耐性のあるメモリセルの抵抗性交点アレイ - 特許庁

Therefore, without using a redundancy memory cell which has a defect, a defective normal memory cell array can be replaced.例文帳に追加

そのため、不良が発生している冗長メモリセルを使用せずに、欠陥を生じている正規メモリセルアレイを置換することができる。 - 特許庁

READ-OUT METHOD AND READ-OUT CIRCUIT FOR FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリセルの読み出し方法および読み出し回路 - 特許庁

The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１〜３を含む。 - 特許庁

To freely change a threshold distribution according to the reliability of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの信頼性に応じてその閾値分布を自由に変える。 - 特許庁

To generate a reference level without using a dummy cell in a ferroelectric memory device having 1T1C memory cell structure.例文帳に追加

１Ｔ１Ｃメモリセル構造の強誘電体メモリ装置において、ダミーセルを用いることなくリファレンスレベルの発生を可能とする。 - 特許庁