「N-A」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

This method makes possible the easy drawing of a regular N polygon in a given circle. 例文帳に追加

このような作図方法によると、円に内接する正N多角形を簡単に作図することができる。 - 特許庁

In the formula, R_1 denotes a n-propoxy group, an isopropoxy group, or a n-butoxy group.例文帳に追加

（１）（式中、Ｒ１はｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基を表す。） - 特許庁

To provide a preparation method of N,N-dialkyl polyhydroxyalkyl amine, and a method of its use.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジアルキルポリヒドロキシアルキルアミンの製法及びその使用法の提供。 - 特許庁

A voltage value is outputted from the integration circuit S_n to a holding circuit H_n.例文帳に追加

その後、積分回路Ｓ_ｎから保持回路Ｈ_ｎへ電圧値を出力させる。 - 特許庁

A conductive oxide layer and an ohmic electrode are formed in an n-type SiC substrate, and a diode is formed.例文帳に追加

n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。 - 特許庁

A fuse block 20 generates trimming signals FUSE_0 to FUSE_n which are programmed by blowout of a fuse.例文帳に追加

ヒューズブロック２０は、ヒューズの切断によりプログラムされたトリミング信号FUSE_0〜FUSE_nを生成する。 - 特許庁

This method for reducing the N-oxyl compound in a monomer, comprising bringing the monomer containing the N-oxyl compound into contact with a mercaptan compound.例文帳に追加

Ｎ−オキシル化合物を含む単量体とメルカプタン系化合物を接触させる。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

The s_i+1(n) is used for a complex progression s_i+1(n) for a succeeding correction step i+1.例文帳に追加

このｓ_ｉ＋１（ｎ）が次の補正ステップｉ＋１の複素数列ｓ_ｉ＋１（ｎ）となる。 - 特許庁

It is desirable that the (A) N-vinyl lactams is a N-vinyl caprolactam.例文帳に追加

前記（Ａ）Ｎ−ビニルラクタム類がＮ−ビニルカプロラクタムであることが好ましい。 - 特許庁

The decoding-time peripheral luminance value calculator calculates a luminance value dm, n at the periphery of a target pixel.例文帳に追加

復号時周辺輝度値算出部は、注目画素周辺の輝度値dm,nを算出する。 - 特許庁

It has a base electrode 8 formed in a region between the n^- region 2a and the n^- region 2b.例文帳に追加

ｎ^-領域２ａとｎ^-領域２ｂとに挟まれる領域に形成されたベース電極８を備える。 - 特許庁

A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁

A C/N calculating part 32 calculates a C/N value f the input signal from the modulation error rate.例文帳に追加

Ｃ／Ｎ計算部３２は、この変調誤差率から当該入力信号のＣ／Ｎ値を算出する。 - 特許庁

To achieve a high (desired) S/N, even when the image luminance of a screen (transmission pixel) is low.例文帳に追加

画面（送信画素）の画像輝度が低い場合においても、高い（所望の）S/Nを実現する。 - 特許庁

A low-concentration N-type epitaxial layer 11 is stacked on a high-concentration N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

高濃度Ｎ型半導体基板１０の上に、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１を積層する。 - 特許庁

By using the specified space frequency value N_Sf (a%), the motion picture quality of the display is evaluated.例文帳に追加

前記規格化された空間周波数の値N_Sf(a%)を用いて、ディスプレイの動画質を評価する。 - 特許庁

A first system 120 receives N data transmission objects from a second system 110.例文帳に追加

第一のシステム１２０が第二のシステム１１０からN個のデータ送信物を受信する。 - 特許庁

A multiplier 1134 multiplies an output signal {X(m, n)+B(m)} of the adder 112 by the correction signal A(m).例文帳に追加

乗算器１１３は、加算器１１２の出力信号｛Ｘ(m,n)＋Ｂ(m)｝に補正信号Ａ(m)を乗算する。 - 特許庁

A basic target rear wheel steering angle δr0*(n) is calculated from a steering wheel steering angle θh (S401).例文帳に追加

ハンドル舵角θｈから基本目標後輪転舵角δｒ０*(n)を算出する（Ｓ４０１）。 - 特許庁

The file number N(=t+n+1) of a file name of a scene to be recorded next is set (S5).例文帳に追加

次に記録するシーンのファイル名のファイル番号Ｎ（＝ｔ＋ｎ＋１）をセットする（Ｓ５）。 - 特許庁

In a terminal, a trench 4 reaches an n^+ layer 1 through an n^- epitaxial layer 2.例文帳に追加

終端部には、トレンチ４がＮ−型エピタキシャル層２を貫通してＮ＋型層１に達している。 - 特許庁

A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加

メモリセルの拡散層２がｎ型である半導体メモリであって、ｎ型領域４を有している。 - 特許庁

The n-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the n-side contact electrode.例文帳に追加

ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁

A gate drive circuit 3 has a plurality of, and n units of NMOS transistors ND/1-ND/n.例文帳に追加

ゲート駆動回路３は複数ｎ個のＮＭＯＳトランジスタＮＤ／１〜ＮＤ／ｎを有す。 - 特許庁

The cover factor (CF)=n×D^1/2, wherein n is a woven factor (yarn/ inch); D is a density (dtex).例文帳に追加

カバーファクター（ＣＦ）＝ｎ×Ｄ^1/2 ただし、ｎ：織物密度（本／ｉｎｃｈ） Ｄ：繊度（ｄｔｅｘ） - 特許庁

An input data averaging section 342 divides the sum S by number N of data to obtain an average A.例文帳に追加

入力データ平均部３４２は、合計Sをデータの個数Nで割り、平均Aを求める。 - 特許庁

To realize a PR4 (1, 0, -1) equalizer providing a precise tap coefficient even where an S/N ratio is low.例文帳に追加

S/N比が低いところでも、精度の良いタップ係数値を得ることができるPR4 (1, 0, -1)等化器を実現する。 - 特許庁

To provide an improved NMR probe for obtaining a vector a signal low in noise and enhanced in S/N ratio.例文帳に追加

ノイズが低く、S/N比が向上したスペクトル信号を得るための改良されたNMRプローブを与える。 - 特許庁

The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

In the formula, T represents a substituent; L^1 and L^2 each represent a linking group; and n^1 and n^2 each represent 0-30.例文帳に追加

Ｔは置換基、Ｌ^1、Ｌ^2は連結基、ｎ^1、ｎ^2は０〜３０を表す。 - 特許庁

A phase restriction correlation between the reference image M(h, k) and the image to be inspected N(h, k) after FFT is taken to acquire a function R(h, k) (S403).例文帳に追加

FFT後の基準画像M(h, k)と被検査画像N(h, k)の位相限定相関をとり、関数R(h, k)を得る（S403）。 - 特許庁

The nitramine compound contains a structural element of the general chemical structure formula R-N-NO_2, where R is a residual group.例文帳に追加

ニトラミン化合物は一般的な化学構造式：R-N-NO_2（式中、Rは残基である）の構造要素を含む。 - 特許庁

The memory cell MC stores two or more data with a threshold voltage of n values (n is a natural number of 1 or larger).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ｎ値（ｎは１以上の自然数）の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

The residue target value etarget_n may further include a phase target value ϕ_e as a component.例文帳に追加

この残差目標値etarget_nは、さらに位相目標値φ_ｅを構成成分に含むようにしてもよい。 - 特許庁

A second region 10B includes a partial region of the n-type layer 12 and an n-side electrode 22 is provided.例文帳に追加

第２領域１０Ｂは、ｎ型層１２の一部領域を含み、ｎ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

A battery pack 1 is constituted by the series connection of batteries BT_1-BT_n-1 to a battery BT_n.例文帳に追加

電池ＢＴ_1〜ＢＴ_n-1と電池ＢＴ_nの直列接続により組電池１が構成される。 - 特許庁

To provide an operation circuit for dividing a numeric figure X of ≥0 and ≤2^2n-2 (n is a natural number) by 2^n-1.例文帳に追加

０以上２^2n−２以下（ｎは自然数）の数値Ｘを２^n −１で除算する演算回路の提供。 - 特許庁

A reading pulse generation part 1033 generates reading pulses at a time interval of about T/N (N is the number of cylinders).例文帳に追加

読出パルス生成部１０３３は、約Ｔ／Ｎ（Ｎは気筒数）の時間間隔で読出パルスを生成する。 - 特許庁

The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加

ｐ層３は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層５は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなる。 - 特許庁

An electronic control device has n pieces of keys, a random number generator 14, and a cipher device 15.例文帳に追加

電子制御装置はn個の鍵と、乱数発生器と、暗号器を有している。 - 特許庁

Namely, when a threshold of the height of the rectangular region is set to (n) and a threshold of the width is set to (m), (m) > (n).例文帳に追加

すなわち、矩形領域の高さの閾値をｎ、幅の閾値をｍとして、ｍ＞ｎである。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

A page is created by stacking N (N≥2) sub-structures in a certain arrangement order.例文帳に追加

ページは、ある配列順序でＮ（Ｎ≧２）個の副構造をスタックすることによって生成する。 - 特許庁

To raise an S/N ratio of a light receiving signal by a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成で、受光信号のS/N比を向上させることができるようにする。 - 特許庁