「N-A」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Outputs 130a to 130n of those (n) temporary storage circuits 30a to 30n are selected by (n) n:1 selecting circuits 70a to 70n in response to selection control signals 160a to 160n from a selection control circuits 60.例文帳に追加

これらn個の一時記憶回路３０a〜３０nの出力１３０a〜１３０nは、選択制御回路６０からの選択制御信号１６０a〜１６０nに応答してn個のn：１選択回路７０a〜７０nにより選択される。 - 特許庁

The high-voltage pulse generation part 20 is composed by connecting a plurality of unit circuits U_1-U_n comprising series circuits of switches SW_1-SW_n and capacitors C_1-C_n in parallel with one another.例文帳に追加

高電圧パルス発生部２０はスイッチＳＷ_1 〜ＳＷ_n とコンデンサＣ_1 〜Ｃ_n の直列回路からなるユニット回路部Ｕ_1 〜Ｕ_n を複数並列に接続したものである。 - 特許庁

To build a two-level n-gram inverted index structure that reduces the size of an n-gram inverted index and improves the query performance by eliminating the redundancy of the position information that exists in the n-gram inverted index.例文帳に追加

n-gram逆索引に存在する位置情報の冗長性を除去してn-gramのサイズを減らし、且つクエリ処理性能を高めた2工程n-gram逆索引構造を構築する。 - 特許庁

In the controller 202, a second reference signal x'(n) is generated by delaying the first reference signal x(n) by a time Z^-n by a delay filter 54, and a control signal y(n) is generated based on the first reference signal x(n) and the second reference signal x'(n).例文帳に追加

コントローラ２０２内では、遅延フィルタ５４により第１基準信号ｘ（ｎ）を時間Ｚ^-nだけ遅延させて第２基準信号ｘ´（ｎ）を生成し、第１基準信号ｘ（ｎ）と第２基準信号ｘ´（ｎ）とに基づいて制御信号ｙ（ｎ）を生成する。 - 特許庁

In a decoding method, if a certain weighted block of n bits is the A type block, the weighted block of n bits is decoded as the (2N-1)st original block of m bits, and if otherwise, the weighted block of n bits is decoded as 2Nth original block of m bits.例文帳に追加

復号化方法において、あるnビットの加重ブロックがnビットのAタイプ加重ブロックであれば、nビットの加重ブロックはmビットの(2N−1)番目オリジナルブロックに複合化され、そうでなければnビットの加重ブロックはmビットの2N番目オリジナルブロックに複合化される。 - 特許庁

A computing portion 11 of a pressure increase or decrease amount calculates a difference between a latest value Pf(n) of a pressure feedback output from a A/D converter 10 and a previous value Pf(n-1) to obtain a pressure increase or decrease amount ΔPf(n).例文帳に追加

圧力増減量演算部１１はＡ／Ｄ変換器１０から出力された圧力フィードバックの今回値Pf(n)と前回値Pf（n−１）の差分をとり、圧力増減量ΔPf（n）を求める。 - 特許庁

This apartment house 2 is provided with a parking shelf part 4 allowed to arrange the parking garage Pm-n exclusive to respective dwelling units allowed to park vehicles V in a position faced to a porch Dm-n of the respective dwelling units Hm-n (m indicates the floor, and n indicates the respective dwelling units) of the whole floors.例文帳に追加

マンション２に、全ての階の各住戸Ｈ_m-n （ｍは階、ｎは各住戸を示す）の玄関Ｄ_m-n に面する位置に車両Ｖが駐車できる各住戸専用の駐車場Ｐ_m-_n を設けることが可能な駐車棚部４を配置する。 - 特許庁

This modification method is carried out by reducing a subtrahend determined from two or more output signals (O_n-1, O_n-2, O_n-3) measured before a point n of time from an output signal O_n measured at a point n of time for actual intensity I_n at the point n of time, preferably according to formula (1).例文帳に追加

時点ｎでの実際の強度Ｉ_nが時点ｎで測定された出力信号Ｏ_nからある減数を減じることによって求められ、その減数が時点ｎの前に測定された複数の出力信号（Ｏ_n-1，Ｏ_n-2，Ｏ_n-3）から求められる。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

A multiplier 32 multiplies an estimated predicted residual PRED (n) inputted from a predicted residual estimator by the transform coefficient k (n) determined by the transform coefficient determiner 31 to calculate a target code quantity BIT_TGT (n) for coding an n-th image.例文帳に追加

乗算部３２は、予測残差予想部から入力される予想予測残差PRED(n)に、変換係数決定部３１で決定された変換係数ｋ(n)を乗算することにより、ｎ番目の画像を符号化するときの目標符号量BIT_TGT(n)を算出する。 - 特許庁

The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加

ｎ型構造層は、第一ｎ層、第二ｎ層、第三ｎ層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二ｎ層の光学的帯域ギャップの幅は、第一ｎ層及び第三ｎ層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁

In a transmission power control part 3, the C/N is detected from a reception signal by a C/N detection circuit 7, a comparison operation is performed to the detected C/N and a C/N reference value by a C/N comparison operation circuit 8 to calculate a change amount.例文帳に追加

送信電力制御部３において、Ｃ／Ｎ検出回路７により受信信号からＣ／Ｎを検出し、検出したＣ／ＮとＣ／Ｎ基準値とをＣ／Ｎ比較演算回路８により比較演算して変化量を求める。 - 特許庁

A gate driver comprises [N+2] cascade-connected stages (N: a positive number of ≥2) of shift registers configured to output signals sequentially such that an [n]th shift register (1≤n≤N) is reset by an [n+2]th output signal of an [n+2]th shift register which is two stages behind.例文帳に追加

本発明のゲートドライバは、順次に出力信号を出力する［Ｎ＋２］段（Ｎは２以上の正数）のシフトレジスタをカスケード接続して構成され、第［ｎ］段目のシフトレジスタ（ｎは、１≦ｎ≦Ｎ）は、２つ後段である第［ｎ＋２］段目のシフトレジスタの第［ｎ＋２］出力信号によりリセットされる。 - 特許庁

In the imaging image of the periodicity pattern, a threshold (n) is determined based on the maximum pixel value (n) in a region (n) of periods (n=1,2, and the like), and the region (n) is binarized with the threshold (n) to obtain an area (n) in the periodicity pattern-inspecting apparatus and method.例文帳に追加

周期性パターンの撮像画像において周期ｎ（ｎ＝１，２，・・・）の領域ｎにおける最大画素値ｎに基づいてしきい値ｎを定め、そのしきい値ｎで前記領域ｎを２値化することにより面積ｎを導出するようにした周期性パターン検査装置と方法。 - 特許庁

(N_a is a ventilation coefficient; N_a=Q_g/nd^3(Q_g[m^3/s]) is a gas ventilation flow rate; n[1/s] is number of stirring revolutions; d[m] is a diameter of a stirring blade).例文帳に追加

ここに、Ｎ_aは通気係数を示し、Ｎ_a＝Ｑ_g／ｎｄ^3（Ｑ_g［ｍ^3／ｓ］：ガス通気流量、ｎ［１／ｓ］：攪拌回転数、ｄ［ｍ］：攪拌翼直径）である。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

A multiplication signal A(n) obtained by multiplying a nonlinear signal S(n) obtained by performing nonlinear processing of the differential signal D(n) in accordance with amplitude by a cyclic coefficient (a) is added to the input signal X(n) to be the output signal Y(n).例文帳に追加

差分信号Ｄ[ｎ]を振幅に応じて非線形処理した非線形信号Ｓ[ｎ]に巡回係数ａを乗算した乗算信号Ａ[ｎ]を入力信号Ｘ[ｎ]に加算して出力信号Ｙ[ｎ]とする。 - 特許庁

To provide a new N-oleyl-N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium salt higher in water resistance than N-oleyl-N, N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium chloride, and useful as an antistatic agent for resins (e.g. an antistatic agent for self-adhesive use).例文帳に追加

Ｎ−オレイル−Ｎ，Ｎ−ジ（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−アルキルアンモニウム＝クロリドに比べて耐水性が優れ、樹脂用帯電防止剤（例えば、粘着剤用帯電防止剤）として有用である新規なＮ−オレイル−Ｎ−ジ（ヒドロキシエチル）−Ｎ−アルキルアンモニウム塩を提供すること。 - 特許庁

Similarly, when the same message is continuously transmitted N times (N is a positive integer; the same as above hereafter) till the display in the battery gauge reaches zero, the display in the battery gauge is reduced by the quantity G_N, larger than the quantity of reduction G_N-1 in the (N-1)th transmission.例文帳に追加

以下同様にして、バッテリーゲージの表示が０に達するまで、同じメッセージがN回（Nは正の整数。以下同じ。）続けて発信されたときは、（N−１）回目の発信時の減少量G_Ｎ−１よりも大きな量G_Nだけ減少表示する。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

In the element 1, areas A_n (n=1 to N) in which refractive index modulation is formed and areas B_n (n=1 to N-1) in which refractive index modulation is not formed are alternately formed in both of the core area 11 and the inner clad area 12 along the longitudinal direction of the optical fiber 10.例文帳に追加

この光導波路型回折格子素子１では、コア領域１１および内クラッド領域１２の双方に屈折率変調が形成された領域Ａ_n（ｎ＝１〜Ｎ）と、屈折率変調が形成されていない領域Ｂ_n（ｎ＝１〜Ｎ−１）とが、長手方向に沿って交互に存在している。 - 特許庁

This scrambler circuit is provided with an n-bit matrix operation circuit 10 receiving an n-bit (n is an integer of ≥2) input signal A, and an n-bit register circuit 20 receiving the n-bit signal outputted form the n-bit matrix operation circuit 10 and outputting an n-bit output signal B.例文帳に追加

ｎビット（ｎは２以上の整数）の入力信号Ａが入力されるｎビットマトリクス演算回路１０と、ｎビットマトリクス演算回路１０から出力されるｎビットの信号が入力されてｎビットの出力信号Ｂを出力するｎビットレジスタ回路２０とを備える。 - 特許庁

Then a nut 23b-(n+1) is clamped onto the bolt 21b-(n+1) from the side of a side surface 25a, and a long nut 19a-(n+1) is clamped onto the bolt 17a-(n+1) from the side of a side surface 25b, to thereby fix the diagonal bolt segment 1-(n+1).例文帳に追加

側面２５ａ側からナット２３ｂ−（ｎ＋１）をボルト２１ｂ−（ｎ＋１）に締め付け、側面２５ｂ側から長ナット１９ａ−（ｎ＋１）をボルト１７ａ−（ｎ＋１）に締め付けて、斜ボルトセグメント１−（ｎ＋１）を固定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層またはｎ型ＩｎＰコンタクト層と、ｎ型ＩｎＰブロック層との間でｎ−ｎ接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）として、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d_1<d_2< ..., <d_n, wherein d_1 denotes the film thickness of a first organic compound layer, d_2 denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d_n denotes the film thickness of an n-th organic compound layer.例文帳に追加

ｄ_1＜ｄ_2＜・・・＜ｄ_n （１）（式（１）において、ｄ_1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_nは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。） - 特許庁

To provide a technique capable of analyzing a characteristic of an impulse response {h_n} even when the impulse response {h_n} is long in addition to {x_n} by using a small-scale arithmetic unit (normal-scale personal computer etc.).例文帳に追加

小規模な演算装置（通常規模のパソコン等）を用いて、｛ｘ_n｝に加えてインパルス応答｛ｈ_n｝が長い場合でも、そのインパルス応答特性を解析可能な技術を提供すること。 - 特許庁

A counting response message to be transferred from a node #8 to a node #1, a total count value n (n=1) and a node ID list (#8) are registered.例文帳に追加

ノード＃８からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには、総計数値n＝１およびノードIDリスト（＃８）が登録されている。 - 特許庁

In a counting response message to be transferred from a node #5 to a node #1, a total count value n (n=2) and a node ID list (#5, #6) are registered.例文帳に追加

ノード＃５からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには総計数値n＝２およびノードIDリスト（＃５，＃６）が登録されている。 - 特許庁

The solvent of a polyimide is generally a polar solvent such as N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide and dimethyl sulfoxide.例文帳に追加

通常ポリイミドの溶媒はＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒とされている。 - 特許庁

To provide a refining method for a high-purity 4-(N-ethyl-N-isopropylamino)aniline capable of easily producing 4-(N-ethyl-N-isopropylamino)aniline with low content of 4-(N-isopropylamino)aniline.例文帳に追加

４−（Ｎ−イソプロピルアミノ）アニリンの含有量の少ない４−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソプロピルアミノ）アニリンを簡便に製造できる、高純度４−（Ｎ−エチル−Ｎ−イソプロピルアミノ）アニリンの精製方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the 4-N-sustituted aminoterahydropyrane comprises conducting a reaction between the corresponding 4-(N-arylmethyl-N-substituted) aminotetrahydropyran and hydrogen in the presence of a catalyst.例文帳に追加

本発明の課題は、触媒の存在下、N-アリールメチル-N-置換アミノテトラヒドロピランと水素とを反応させることを特徴とする、N-置換アミノテトラヒドロピランの製法によって解決される。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット（ＵＶ）では、ランプ室６６内に複数（ｎ）個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ７２(1)〜７２(n)が設けられている。 - 特許庁

If an echo signal level Echo[n] of a noticed distance position [n] is lower than a threshold level Th[n], the threshold level Th[n] of the noticed distance position [n] is newly set to be lower.例文帳に追加

注目の距離位置［ｎ］のエコー信号のレベルＥｃｈｏ［ｎ］が、閾値レベルＴｈ［ｎ］よりも低ければ、注目の距離位置［ｎ］の閾値レベルＴｈ［ｎ］を低く更新設定する。 - 特許庁

In the order of sending bytes from the cell loss detecting circuit, a sequence number generating circuit 12 generates a sequence number N of N=N+1 in the case of no loss or of N=N+M in the case of presence of loss.例文帳に追加

シーケンス番号生成回路１２は、セル損失検出回路からのバイトの送出順に、損失が無い場合はＮ＝Ｎ＋１、損失が有る場合はＮ＝Ｎ＋Ｍのシーケンス番号Ｎを生成する。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

In the step 102, the digital sound wave signal S(n) is multiplied by a rectangular-wave window function W(n), to thereby limit the time, and a one-cycle first-wave digital sound wave signal SW(n)=S(n)×W(n) is cut out.例文帳に追加

次のステップ102において上記デジタル音波信号Ｓ(ｎ)に矩形波の窓関数Ｗ(ｎ)を掛けて時間を限定し、１サイクル分の第１波のデジタル音波信号ＳＷ(ｎ)＝Ｓ(ｎ)×Ｗ(ｎ)を切り出す。 - 特許庁

The maximum value Max and the minimum value Min of a region except for both end residues of the Core region are calculated, and if Max-Min is a constant threshold or less, amino acid residue number NN at N end and amino acid residue number NC at C end are calculated.例文帳に追加

次にCore領域の両端残基を除いた領域の [H] の最大値Maxと最小値Minを算出し、Max−Minが一定の閾値以下となる場合に、N端側のアミノ酸残基数N_NとC端側のアミノ酸残基数N_Cを算出する。 - 特許庁

The signal source is provided with a 1:N frequency divider (6) connected to the local oscillator, the frequency divider supplies two orthogonal square wave signals (Id and Qd) of a frequency Fo/N and here, the N is equal to 2 or 4×n and the (n) represents an integer.例文帳に追加

この信号源は：局部発振器に接続された１:Ｎ分周器（６）を備え、この分周器は周波数ｆo/Ｎの２つの直交方形波信号（Id、Qd）を供給し、ここで、Ｎは２もしくは４×ｎに等しく、ｎは整数を表す。 - 特許庁

An electric charge generated in each pixel part P_m, n is input in an integration circuit S_n passing through wiring L_o, n for reading, and a voltage value output from the integration circuit S_n is output via a holding circuit H_n according to its amount of electric charge.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力される。 - 特許庁

If the difference value diff[n] is higher than a threshold γ (S102:Yes), the method sets a new threshold level Th[n] based on the Echo level Echo[n] the threshold level Th[n] of the noticed distance position [n] (S105).例文帳に追加

差分値ｄｉｆｆ［ｎ］が閾値γよりも高ければ（Ｓ１０２：Ｙｅｓ）、注目の距離位置［ｎ］のエコーレベルＥｃｈｏ［ｎ］と閾値レベルＴｈ［ｎ］とから新たな閾値レベルＴｈ［ｎ］を設定する（Ｓ１０５）。 - 特許庁

The echo number n is assigned to sampling points using the determined function func_n(ky, kz), and a data acquisition region R_acq is divided into n_max pieces of regions by a plurality of curved lines.例文帳に追加

決定した関数func_n（ky，kz）を用いてサンプリング点にエコー番号ｎを割り当てていき、データ収集領域Ｒ_ａｃｑを複数の曲線でn_max個の領域に分割する。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁